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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > 下地露出に関連した英語例文

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下地露出の部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 144



例文

次いで、基板11にエッチング処理を施して、メッキ下地層12の表面部に存在する樹脂を除去して金属微粒子17を露出させると共に、易エッチング性樹脂層15を除去する。例文帳に追加

Next, the substrate 11 is etched to remove resin present on the plating base layer 12 and to expose the fine metal particles 17 and also to remove the easily etched resin layer 15. - 特許庁

素子本体10の端部に形成された下地層が露出するように、当該素子本体10を着脱自在に保持する保持孔36が形成された保持部材38で素子本体を保持する。例文帳に追加

The element main body is held by a holding member 38 wherein a holding hole 36 for holding detachably the element main body 10 is formed so that the underlying layer formed at the end of the element main body 10 may be exposed. - 特許庁

さらに、アルミナセラミックスが真空側に露出している面に、チタンをスパッターで膜成形し、その上に白金をスパッターにより10μmの厚さに成膜して、チタン下地の白金スパッター膜5を形成した。例文帳に追加

In addition, titanium is sputtered to form a film on the surface where the alumina ceramic is exposed to the vacuum side, and platinum is sputtered to form a film having a thickness of 10 μm on it, in order to form a platinum sputtered film 5 with a titanium backing. - 特許庁

これにより、接触部14の成分が電気部品端子側に溶け込むことなく、下地層13が露出しないと共に、接触部14表面にSnが酸化物として蓄積され難い。例文帳に追加

This configuration prevents the components of the contact part 14 from being dissolved in the electric component terminal side and prevents the exposure of a ground layer 13 such that it is unlikely that Sn is accumulated on the surface of the contact part as oxide. - 特許庁

例文

そして、第2膜に、下地面を露出させ、かつ第1間隔長と等しい長さ及び方向の第2間隔長W2を有する第2間隔23を空ける。例文帳に追加

Then, the foundation surface is exposed to the second film, and second spacing 23 having a second spacing length W2 with length and directions equal to those of the first spacing length is provided. - 特許庁


例文

電極材料積層後、ICP装置の誘導プラズマ源のみを用いて、下地のゲート絶縁膜が露出する直前までエッチングする(図1(c))。例文帳に追加

After an electrode material is laminated in Fig (c), the material is etched to the moment just before the gate insulating film underlying the material is exposed by only using the inductive plasma source of an ICP device. - 特許庁

柱3と土台1との取付強度を確保した後に、露出部14に補強面材15を被せて、柱3及び土台1に固定して、外壁の下地構造20を構成する(c)。例文帳に追加

A backing structure 20 of an outer wall is constituted by being fixed to the column 3 and the sill 1 by covering the exposure part 14 with a reinforcing face material 15 after securing mounting strength of the column 3 and the sill 1. - 特許庁

この床パネル1は、据付作業終了後に床パネル1上面を形成する床下地材30に塞がれる作業用開口3,4を有し、この作業用開口4に火打20端部が露出している。例文帳に追加

The floor panel 1 has working openings 3, 4 closed with a floor backing material 30 forming the upper face of the floor panel 1 after the completion of installation work, and the ends of the horizontal brace 20 are exposed to the working opening 4. - 特許庁

そして、金属膜4の表面から下地ダイヤモンド層の凸部2aの一部が露出した状態で、その上に高配向ダイヤモンド層5を成長させる。例文帳に追加

Further, a highly oriented diamond layer 5 is grown on exposed projected parts and the metal film 4 in such a state that a portion of each projected part 2a of the ground diamond layer is exposed from the surface of the metal film 4. - 特許庁

例文

基板111と電子部品121とは、下地樹脂13の露出部13aの基板111に対する接着力により、バンプ電極12が端子11に導電接触している状態が保持されている。例文帳に追加

Between the substrate 111 and the electronic part 121, there is maintained a state in which the bump electrode 12 is conductive-contacted with the terminal 11 by an adhesion strength of the exposed part 13a of the base resin 13 with the substrate 111. - 特許庁

例文

多結晶薄膜Si堆積法において、少なくとも 下地となる多結晶Si薄膜を基板上に堆積する工程と 該多結晶Si薄膜表面に非晶質Si層を堆積する工程と 該非晶質Si層を部分的に除去し、多結晶Siを部分的に露出させる工程と 該多結晶Siが露出した部分を核として結晶Siを成長させる工程とを含むことを特徴とする例文帳に追加

The polycrystalline thin film Si depositing method includes a process for depositing a polycrystalline Si thin film serving as a base on a substrate, a process for depositing an amorphous Si layer on the surface of the polycrystalline Si thin film, a process for partially removing the amorphous Si layer and partially exposing polycrystalline Si, and a process for growing crystal Si by setting a part where polycrystalline Si is exposed as a core. - 特許庁

シリコンを含む材料の膜の有機材料によって被覆されていない領域を、概略除去されて下地の酸化膜表面が露出するまでプラズマエッチングするメインエッチングと、酸化膜が露出された表面をさらにプラズマエッチングするオーバーエッチングとを各々異なる別々のチャンバー内で行うことにより、上記課題を解決する。例文帳に追加

This manufacturing method includes a main etching step to etch by a plasma an area which is not covered with an organic material of a film made of material containing silicon, until the surface of the oxidized film of a base material is exposed after thorough removal, and an over-etching step to further etch the surface of the exposed oxidized film by the plasma, in the separate chambers respectively. - 特許庁

検査した後の基板について電極パッドの下地層の露出の有無等の露出状況を自動的かつ高精度に検出することができる針跡検査装置と、当該装置を備えたプローブ装置、及び針跡検査方法とその検査方法の実行プログラムが記憶された記憶媒体を提供すること。例文帳に追加

To provide a needle mark inspector capable of automatically and precisely inspecting the state of exposure of an under layer of an electrode pad with respect to a substrate after subjected to inspection; a probe device provided with the inspector; a method of inspecting needle marks; and a memory medium having a program for executing the inspection method stored therein. - 特許庁

検査した後の基板について電極パッドの下地層の露出の有無等の露出状況を自動的かつ高精度に検出することができる針跡検査装置と、当該装置を備えたプローブ装置、及び針跡検査方法とその検査方法の実行プログラムが記憶された記憶媒体を提供すること。例文帳に追加

To provide: a needle track inspecting apparatus capable of detecting automatically and with high precision, exposure conditions such as the presence or absence of base layer exposure of an electrode pad with respect to a substrate after inspection; a probe apparatus equipped with the apparatus; a needle track inspecting method; and a storage medium storing an executing program of the inspecting method. - 特許庁

粗骨材が露出したコンクリート表面を補修するコンクリートの補修方法であって、粗骨材が露出したコンクリート表面にアルカリ金属ケイ酸塩を含有する水溶液からなる下地処理剤を塗布した後に、該粗骨材の先端が薄く被覆される程度の厚さでポリマーセメントモルタルを塗布することを特徴とするコンクリートの補修方法である。例文帳に追加

The method for repairing concrete is for repairing a concrete surface where coarse aggregate is exposed, wherein a surface-treatment agent comprising an aqueous solution containing an alkali metal silicate is applied to a concrete surface where coarse aggregate is exposed and then polymer cement mortar is applied to a thickness that the edge of the coarse aggregate is thinly coated. - 特許庁

ここで、セラミック電子部品10は、外部電極30,32の回り込み部30b、32bにおいて、下地層34の表面に露出したガラス粒子35が、めっき層36を貫通して外部電極30,32の外表面に露出しているが、ガラス粒子35は、はんだ濡れが悪く、リフローの際に、はんだ44内に空隙46が形成される。例文帳に追加

The ceramic electronic component 10 is such that glass particles 35 exposed to the surface of a ground layer 34 in wraparound portions 30b, 32b of external electrodes 30, 32 penetrate a plating layer 36 to become exposed to the outside surfaces of the external electrodes 30, 32, but because of poor solderability of the glass particles 35, voids 46 are formed inside solder 44 at reflow time. - 特許庁

本発明に係る光学式エンコーダ用スケールの製造方法は、金属テープで構成された平面状の基材1、光吸収性材料からなる黒下地層2、および光反射性材料からなる金属膜3が積層された積層材を用意する工程と、金属膜3に対してレーザ光を照射し、目盛りとして、黒下地層2が露出した周期的な開口領域5を形成する工程と、を含む。例文帳に追加

This method of manufacturing the scale for the optical encoder includes a step of preparing a laminated material where a flat base material 1 constituted by metal tape, a black foundation layer 2 made of light absorbing material are stacked, and a metal film 3 made of light reflecting material, and a step of radiating a laser beam to the metal film 3 and forming a periodic opening region 5 from which the black foundation layer 2 is exposed as the scale. - 特許庁

この方法は、凹部22の少なくとも底面に露出する下地層10の表面に不純物24aを定着させる不純物定着工程と、不純物24aが定着した下地層10を利用して導電材をVLS成長させて、凹部の全体に導電材を埋め込むVLS成長工程とを有する。例文帳に追加

This method comprises: an impurity fixation process for fixing an impurity 24a on the surface of a ground layer 10 exposed at least on the bottom of the concavity part 22; a VLS growth process for VLS-growing the conductive material using the ground layer 10 with the impurity 24a fixed and for implanting the conductive material in the whole concavity part. - 特許庁

下地絶縁膜10の上に、メタル配線の全膜厚の一部の膜厚を有する第1メタル配線12を形成し、下地絶縁膜および第1メタル配線の上全面を覆う第1層間絶縁膜14を形成した後、第1層間絶縁膜を削ってその表面を平坦化しつつ、第1メタル配線の表面を露出する。例文帳に追加

The method of manufacturing the semiconductor device includes a step of forming the first metal wiring 12 having the partial film thickness of the entire film thickness of the metal wiring, a step of forming an interlayer dielectric 14 covering the entire upper surface of an underlying insulating film 10 and the first metal wiring, and a step of then exposing the surface of the first metal wring while flattening the surface by cutting the first interlayer dielectric. - 特許庁

GMR素子両側にEB描画とエッチングにて微細なトラック幅寸法で電気的分割されたリード電極4を形成する際に、GMR以外の部分に下地AlTiC基板1の終点検出ランド6を設け、光学顕微鏡にて下地AlTiC基板1の露出を確認することでエッチングの終点を検出する。例文帳に追加

In the formation of lead electrodes 4 electrically divided by a very small track width by EB drawing and etching in both sides of the GMR element, the end point detection land 6 of a substrate AlTiC substrate 1 is installed in a part other than the GMR, and the end point of etching is detected by using an optical microscope to check the exposure of the substrate AlTiC substrate 1. - 特許庁

二段階エッチング法を用いて被エッチング材のエッチングを行う際に、第1エッチング段階を下地層が露出する前に終了し、エッチング速度が前記第1エッチング段階より遅い条件で第2エッチング段階に移行する。例文帳に追加

At etching a material using a two step etching method, a first etching step is terminated before a ground layer is exposed and a system moves to a second etching step, with the condition that etching speed be slower than the first etching step. - 特許庁

その後、下地導体層11の露出部分に電解めっきにより導体めっき層14を形成し、該導体めっき層14を前記レジストマスクパターンよりも高くかつ上部が丸みを帯びた角の無い断面形状として導体線路2を形成する。例文帳に追加

Thereafter, a conductor plating layer 14 is formed by electrolytic plating on the exposed part of the substrate conductor layer 11, the conductor plating layer 14 is formed higher than the resist pattern mask, and the conductor line 2 is formed as a sectional shape having a rounded upper part and no corner. - 特許庁

活性層となるpoly−Si膜104の両側のそれぞれにおいて、ゲート絶縁SiO2膜105及び下地SiO2膜103を遮光WSi2膜102が露出するまで選択的異方性エッチングし、コンタクト開口部106を形成する。例文帳に追加

A gate insulating SiO2 film 105 and a base SiO2 103 on both sides of a poly-Si film 104 which serves as an active layer are selectively and anisotropically etched until a light shielding WSi2 film 102 is exposed, by which a contact opening 106 is formed. - 特許庁

微細金属部品の製造方法は、その形状に対応する通孔を有する型体を、ペーストを介して基板上に接着、固定した後、通孔の底で露出した下地層上に、無電解めっきによって金属被膜を成長させる。例文帳に追加

In the method of producing a fine metallic component, a body having a through-hole corresponding to its shape is stuck and fixed to the surface of a substrate via the paste, and thereafter, a metallic film is grown on a substrate exposed at the bottom of the through-hole by electroless plating. - 特許庁

第2のポール部220及び第2のヨーク部221を異なるプロセスで形成する場合に、第1の磁性膜21、ギャップ膜24、コイル膜23、絶縁膜25及び第2のポール部220を形成した後、露出する表面にメッキ下地膜M1を形成する。例文帳に追加

When the second pole part 220 and the second yoke part 221 are formed by different processes, a plating base film M1 is formed on an exposed surface after a first magnetic film 21, a gap film 24, a coil film 23, an insulating film 25 and the second pole part 220 are formed. - 特許庁

ビーム径の小さくされたレーザビームを対物レンズで集光し、集光されたレーザビームを加工対象物の金属層に形成された穴の底面及び穴の周辺部に入射させ、金属層に形成された穴の底面に露出している下地部材に穴を形成する。例文帳に追加

The laser beam diminished in the beam diameter is condensed by the objective lens and the condensed laser beam is made incident on the base surface of the hole formed on the metallic layer of the object for working and the peripheral part of the hole, by which the hole is formed at the substrate member exposed on the base surface of the hole formed at the metallic layer. - 特許庁

止着部材は、両端の掛け止め部が内外装石板の裏面に形成された前記一対の止着用スリットへ差し込まれており、同止着部材の前記露出部が、建築物の壁面又は躯体へ固定する下地材とリベット止め等で結合されている。例文帳に追加

The hanging-fixing sections at both ends are inserted into a pair of the slits for fixing formed to the rear of the slate in the fixing member, and the exposure sections of the fixing member are connected to a substrate material fixed onto the wall surface or skeleton of the building by riveting or the like. - 特許庁

保護層上など、前面基板の放電空間に露出する側の面上に付着しているMgOなどの金属酸化物の結晶粉体の粒子数を、多層膜下地層の影響を受けずに正確に測定することを可能とし、もって、良好な画像を表示するPDPを実現することを目的とする。例文帳に追加

To achieve accurate measurement of the number of particles of a crystal powder of a metal oxide such as MgO attached to the face of a front substrate on the side exposed to a discharge space, for example, a protective layer without an influence of a multi-layered ground layer, and thereby to achieve a PDP capable of favorably displaying an image. - 特許庁

このように難溶性層ULの基板端面側にカバーリンス部CLを設けて露出した下地層DLを保護した状態でエッチング処理を行っているため、基板Wの表面周縁部TRに形成された難溶性層ULのみを選択的にエッチング除去することができる。例文帳に追加

In this way, since the etching process is performed in a condition where the cover rinse part CL is provided to the substrate-end surface side of the hardly soluble layer UL and the exposed base layer DL is protected, only the hardly soluble layer UL formed at the surface edge part TR of the substrate W is selectively etch-removed. - 特許庁

本発明のコンクリート製水路壁の補修工法は、脆弱化箇所とその周囲の正常な壁部位に及ぶ範囲を除去し、正常なコンクリート内部の健全部を露出させる下地処理工程と、健全部に有機繊維を含むモルタル基材を塗工する塗工工程とよりなる。例文帳に追加

The repairing method for the concrete water-passage wall includes a foundation treatment process for removing the weakened part of the wall including an area of the surrounding normal wall part to expose a sound part inside the normal concrete, and a coating process for coating the sound part with a mortar base material including an organic fiber. - 特許庁

各突き合わせ部T_1〜T_3に沿って谷折りした場合には、各突き合わせ部T_1〜T_3に温水配管3が露出するが、カバーシート4がこの温水配管3の下側に回り込むため、温水配管3が床下地に直接的に接触することが防止される。例文帳に追加

In valley folding along the butting sections T_1-T_3, a warm water pipe 3 is exposed to the butting sections T_1-T_3, but as the cover sheets 4 wrap a lower side of the warm water pipe 3, the warm water pipe 3 is prevented from being directly kept into contact with a floor substrate. - 特許庁

レーザー光により選択的に記録層2を破壊し、下層を露出することによりパターン形成を行うレーザーマーキングラベルであって、少なくとも記録層2、支持体層3、下地層4、遮光層5、および粘着剤層6を、この順に直接または間接的に積層してなる。例文帳に追加

The laser marking label is constituted so that a recording layer 2 is selectively broken by laser light so as to expose an underlayer and form the pattern, has at least the recording layer 2, a support layer 3, a substrate 4, a light shielding layer 5 and a self-adhesive layer 6, laminated directly or indirectly in this order. - 特許庁

表面に化粧面を有すると共にスピーカー機能を有する内装パネル2と、建物内装面又は内装下地に取り付けられると共に内装パネル2を前記化粧面を室内側に露出させた状態で保持するブラケット4を備える。例文帳に追加

The interior panel device includes the interior panel 2 which has a decoration surface as a top surface and also has the loudspeaker function, and the bracket 4 which is fitted to a building interior surface or interior ground and holds the interior panel 2 with the decoration surface exposed to the inside of a room. - 特許庁

側溝を設けずに複数の排水口に向かって勾配をとる必要がある露出防水や、複数の会所に向かって勾配をとる会所形式の工場床など複雑な面構成が求められる場合でも、容易に下地勾配を設定できるようにする。例文帳に追加

To easily set a backing gradient, even when requiring waterproofing of an exposure required for taking a gradient toward a plurality of drain ports without arranging a side ditch and a complicated surface constitution such as a factory floor of a meeting place form of taking a gradient toward a plurality of meeting places. - 特許庁

表面に割石模様を形成していて凹凸がある樹脂製瓦を、屋根を葺き終えた際に露出する位置で屋根下地材にビス止め固定する樹脂製瓦のビス止め構造であって、防水性を向上させることができる樹脂製瓦のビス止め構造を提供する。例文帳に追加

To provide a screw fastening structure of a resin-made tile capable of increasing waterproofing property in the screw fastening structure of the resin-made tile fixing the uneven resin-made tile forming a rubble-stone pattern on the surface to a roof underlay with a screw at an exposed position when roofing work has been completed. - 特許庁

最良の導電性材料である貴金属メッキ表面を摩耗させない、摩擦係数の低い摺動電気接点用グリース組成物を提供すること、貴金属のメッキ表面が摩耗し、下地金属である銅又は銅合金が露出しても表面に酸化皮膜を形成させず、接点の導通不良を生じさせない電気接点用グリース組成物を提供すること。例文帳に追加

To provide a grease composition for an electrical contact having a low coefficient of friction without adrading a noble metal plated surface which is the best electroconductive material and the grease composition for the electric contact without forming an oxide film in the surface even when the plated surface of the noble metal is abraded to expose the substrate metal and without causing defective conduction of the contact. - 特許庁

光起電力装置の製造方法は、シリコン基板上に耐エッチング性を有する膜を形成する工程と、焦点深度が10μm以上に調整されたレーザ光を照射することにより上記膜に複数の微細孔を開けて下地のシリコン基板表面を露出する工程と、上記シリコン基板の表面をエッチングする工程と、を含む。例文帳に追加

The method of manufacturing the photovoltaic device comprises processes of: forming a film having an anti-etching property on a silicon substrate; irradiating the film with laser light whose focus depth is adjusted to 10 μm or above to form a plurality of fine holes in the film to expose the surface of the base silicon substrate; and etching the surface of the silicon substrate. - 特許庁

そして、画素電極10が形成されていない領域の有機絶縁層9の表層部を一部除去して、隣接する画素電極10の間の領域に、表面抵抗の高い有機絶縁層9の下地部分を露出させ、有機絶縁層9表面を介した画素電極10間の電流リークを防止する。例文帳に追加

The surface layer parts of the layer 9 in the regions where the pixel electrodes 10 are not formed are partly removed to expose the ground surface portions of the layer 9 having a high surface resistance in the regions between the adjacent pixel electrodes 10, by which the current leakage between the pixel electrodes 10 through the surface of the layer 9 is prevented. - 特許庁

TMR素子10を構成するピン層26の少なくとも下地金属層26aと同じ構成材料によって、周辺回路部Bの下層配線33、34の上面を覆っているので、素子分割時のエッチングの際に下層配線33、34が保護され、下層配線33、34が露出されることもない。例文帳に追加

The upper surfaces of lower layer wirings 33 and 34 in a peripheral circuit B are covered with the same material as at least the base metal layer 26a of a pin layer 26 comprising a TMR device 10, so that the lower layer wirings 33 and 34 can be protected during etching when the device is divided, and they are hard to be exposed. - 特許庁

主体金具1に接地電極4の基端側を取り付けた金具組立体の外面に一括して亜鉛系メッキ層を141形成し、その後、電極先端側に形成されている亜鉛系メッキ層を剥離除去し、その剥離により露出した下地電極材料面に高融点金属チップを溶接して発火部32を形成する。例文帳に追加

A zinc-based plating layer 141 is formed in a lump in an outer face of a metal assembly with a base end side of a grounding electrode 4 attached to a main metal fitting 1, then the plating layer formed in an electrode tip side is separation-removed, and a high melting point metal chip is welded on a substrate electrode material surface exposed by the separation to form a spark part. - 特許庁

外部端子電極の下地となる第1層13を構成するめっき膜は、内部電極5および6の露出端によって与えられる導電面を起点として析出しためっき析出物が高めっき成長領域11と低めっき成長領域12との境界を低めっき成長領域12側へと越えて成長することが制限された状態で成長することによって形成される。例文帳に追加

A plating film constituting a first layer 13 that serves as a base of an external terminal electrode is formed such that plating deposition deposited from a conductive surface formed by exposing end surfaces of internal electrodes 5, 6 is restricted to grow to the side of the low-growth plating region 12 beyond the border of the high-growth plating region 11 and the low-growth plating region 12. - 特許庁

汚れを除去したコンクリート構造物11の地上露出面12にプライマー塗布によるプライマー処理を行った後、下地用コーティング剤を介して補強用繊維質シート15を貼着し、更にその上から浸透性を有する上地用コーティング剤を塗布して、コンクリート構造物11の表面の強化をする。例文帳に追加

After performing primer processing by the application of a primer on the aboveground exposed surface 12 of the stain-removed concrete structure 11, a reinforcing fibered sheet 15 is stuck to the exposed surface via a coating agent for a backing, and a coating agent for facing having permeability is also applied from its surface, and the surface of the concrete structure 11 is strengthened. - 特許庁

主体金具1に接地電極4の基端側を取り付けた金具組立体の外面に一括して亜鉛系メッキ層を141形成し、その後、電極先端側に形成されている亜鉛系メッキ層を電解剥離により除去し、その剥離により露出した下地電極材料面に高融点金属チップを溶接して発火部32を形成する。例文帳に追加

A zinc galvanized layer 141 is uniformly formed on the outer surface of an attachment assembly in which the base end of the ground electrode 4 is installed on the main attachment 1. - 特許庁

例文

フラッシュメモリーにおけるフローティングゲート形成工程などに適用可能な、ポリシリコン膜の凸部を研磨して平坦化し、下地露出する前に研磨を停止するCMP工程に適した、研磨用組成物を提供するものであり、これにより、優れた平坦性と残膜厚制御性が得られるため、半導体素子の歩留まり、信頼性の向上が可能となる。例文帳に追加

To provide compositions for abrasion which is applicable to the process of forming a floating gate in a flash memory, and suitable for a CMP process in which a protrusion on a polysilicon film is flattened and polishing is stopped before exposing a ground. - 特許庁

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