「低電力トランジスタ」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

このような電子楽器１は、楽音発生部１１から波形メモリ１２に供給されるアドレスの値が変更される回数を低減することができ、楽音発生部１１を形成するトランジスタ回路の消費電力を低減することができる。例文帳に追加

The electronic musical instrument 1 reduces the number of times modified by address values supplied to the waveform memory 12 from the musical sound generation part 11 and reduces consumption power of a transistor circuit for forming the musical sound generation part 11. - 特許庁

ＲＦ電力増幅トランジスタのゲート電極に対して、波形歪みのない制御信号を印加することができ、またさらに、制御回路の電源電圧を低く抑えることができ、また出力インピーダンスを低くした制御回路を備えた高効率増幅器を提供する。例文帳に追加

To provide a high efficiency amplifier equipped with a control circuit which can apply a control signal with no waveform distortion to a gate electrode of an RF power amplification transistor, enables the power supply voltage of the control circuit to be reduced and the output impedance thereof to be made low. - 特許庁

各種回路に配置される薄膜トランジスタの構造を、回路の機能に応じて適切なものとすることにより、半導体装置の動作特性および信頼性を向上させ、かつ、低消費電力化を図ると共に、工程数を削減して製造コストの低減および歩留まりの向上を実現する。例文帳に追加

To improve operation characteristics and reliability of a semiconductor device, and to reduce power consumption and to achieve reduction in manufacturing cost and increase in yield by lessening the number of processing steps by providing appropriate structures of thin film transistors to be arranged in various circuits in response to functions required by the circuits. - 特許庁

特に、有機ＥＬ素子１１を駆動する駆動トランジスタ１４の飽和領域に動作点、即ち有機ＥＬ素子のアノード電圧が位置する範囲内でカソード電圧Ｖｃを調整するようにして、表示輝度をほとんど低下させずに消費電力の低減を図ることが可能となる。例文帳に追加

More particularly the electric power consumption can be reduced with substantially no degradation in display luminance by adjusting the cathode voltage Vc within a range where the operating point exists in a saturation region of a driving transistor 14 for driving the organic EL element 11, i.e., an anode voltage of the organic EL element exists. - 特許庁

半導体装置の有するトランジスタの半導体層として酸化物半導体を用いることで、ソースとドレイン間のリーク電流を低減できるため、半導体装置および当該半導体装置を備える記憶装置の消費電力低減、保持特性の改善を達成できる。例文帳に追加

Since a leakage current between a source and a drain can be reduced by using an oxide semiconductor as a semiconductor layer of a transistor included in a semiconductor device, power consumption of the semiconductor device and a storage device having the semiconductor device can be reduced, and retention characteristics of those can be improved. - 特許庁

印字ヘッド１０周辺の温度検出結果に基づいて、ヘッドドライバ・トランジスタ６１に供給される電源電圧を可変制御するため、必要最低限の電圧レベルのヘッド駆動電圧を印字ヘッド１０に供給でき、印字品質を劣化させずに消費電力の低減が図れる。例文帳に追加

Since the power voltage to be supplied to a head driver transistor 61 is variably controlled based on a detected temperature around the head 10, it is possible to supply to the head 10 a minimum level of voltage necessary for driving the head, thereby reducing power consumption without lowering the print quality. - 特許庁

これにより、従来の調光制御回路１００における抵抗Ｒ１の消費電力を抵抗Ｒ１、Ｒ２およびトランジスタＴｒ１の三者に分担させ、抵抗Ｒ１を低コストの小容量抵抗化して調光制御回路１のコストを低減できる。例文帳に追加

With this, consumption power of the resistor R1 in a conventional dimmer control circuit 100 is shared by three resistors R1, R2 and the transistor Tr1, whereby the resistor R1 is made one of lower capacity at low cost, to reduce the cost of the dimmer control circuit 1. - 特許庁

本発明によれば、導電型の異なるトランジスタ３１，３２を用いていることから、スタンバイ状態からアクティブ状態への切り替え速度の低下を抑制しつつ、スタンバイ時における消費電力を低減することが可能となる。例文帳に追加

According to this invention, since the conductive different transistors 31 and 32 are used, it is possible to reduce the power consumption at the standby time while suppressing the switching speed from the standby state to the active state from lowering. - 特許庁

ガリウム砒素半導体で検波回路を構成することにより、小型、低コスト且つ広帯域な検波回路を実現でき、電界効果トランジスタのピンチオフ電圧のバラツキによる検波特性の変動を抑制できる高周波電力検波回路を実現する。例文帳に追加

To suppress the variation of wave detecting characteristic by the variation of the pinch off voltage of an electric field effective transistor by constituting a wave detecting circuit of a gallium arsenide semiconductor to realize a wave detecting circuit of a small size, a low cost and a wide band. - 特許庁

その結果、発振が生じる、電界効果トランジスタ３，４の利得が高い低周波帯域の周波数領域や、歪み成分として生じる各高調波の周波数において、発振条件を満足させることがなくなり、安定な電力合成型増幅器を実現できる。例文帳に追加

Consequently, no oscillation condition is satisfied and a stable combined power amplifier can be realized in a frequency domain of a low frequency band where oscillation occurs and the gain of the field effect transistors 3 and 4 is high and in each harmonic frequency that occurs as a distortion component. - 特許庁

本発明の目的は、大電流動作が可能となり、さらに大電流動作を高温環境下でも安定に維持でき、また、ノーマリーオン特性とノーマリーオフ特性を作り分けることが可能となり、低消費電力で動作させることができるダイヤモンド電界効果トランジスタを提供する。例文帳に追加

To provide a diamond field effect transistor that can operate with large current, stably maintain the large current operation even in a high-temperature environment, have normally-on characteristics and normally-off characteristics, and operate with low power consumption. - 特許庁

作業効率が良好で、良品率が高く、電力エネルギー消費の減少により地球環境への悪影響の少ない、高信頼性で低コストの逆阻止形絶縁ゲート型バイポーラトランジスタおよびその製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a high-reliability, low-cost reverse blocking insulated gate bipolar transistor that has excellent operation efficiency and a high yield, and exerts less adverse influence on earth environment because of reduction in electric power energy consumption, and a method of manufacturing the same. - 特許庁

耐高電圧スイッチ回路を通常のＭＯＳトランジスタを用いて構成するとともに、論理回路を停止する時間を大幅に削減して低電力性能を向上させるために、初期化を高速に行うことができるＤＣ−ＤＣコンバータを提供する例文帳に追加

To provide a DC-DC converter which can be initialized at high speed in order to configure a high voltage resistant switch circuit by using a common MOS transistor, and to enhance low voltage performance by reducing the time to stop a logical circuit significantly. - 特許庁

本発明は、複数のパワートランジスタによりＨブリッジ回路を構成したモータ駆動回路において、電源の出力電圧が低下、あるいは接地電位（グランド）となった場合でも、逆起電力などによる過電圧からモータ駆動回路自体及びモータを保護することを目的とする。例文帳に追加

To protect a motor driving circuit itself and a motor from over-voltage due to a counter electromotive force or the like, even when the output voltage of a power source is lowered or at ground potential (grounding), in a motor driving circuit in which an H bridge circuit is constituted of a plurality of power transistors. - 特許庁

したがって、レベルシフタ１２において、状態遷移後にオフすべきトランジスタは確実にオフし、状態遷移後における貫通電流を抑え、低消費電力化することができるとともに、出力電圧を電源電圧までフルスイングさせることができ、広い動作マージンを持たせることができる。例文帳に追加

Thus, the transistors to be turned off after the state transition are surely turned off to suppress a through-current after the state transition and to reduce the power consumption, resulting in that the output voltage is fully swung up to the power voltage to provide a wide operating margin. - 特許庁

逆短チャネル効果を奏する短チャネルを多段接続したＭＯＳトランジスタを用いてインバータを形成し、負荷容量の増加を抑制でき、高速化及び低消費電力化を実現できるインバータ、レシオ回路及びラッチ回路を実現する。例文帳に追加

To realize an inverter, a ratio circuit, and a latch circuit where an increase of a load capacity can be restrained and a speedup and low power consumption can be realized by forming the inverter using a MOS transistor, to which short-channels are connected in multiple stages, suppressing a short- channel effect. - 特許庁

半導体層に圧縮或いは引っ張り歪みが加えられたトランジスタ構造において、活性領域端部におけるリーク電流パスの形成を抑制し、低消費電力で高速動作しうる半導体装置及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device capable of operating at a high speed with low power consumption by suppressing a leak current path from being formed at an active area end in a transistor structure wherein compressive or tensile strain is applied to a semiconductor layer. - 特許庁

内部電源回路１００は、低消費電力モードでは、トランジスタ２１４、２２４、２３４および２４４を介して、内部電源配線１１８、１２８、１３８および１６６のそれぞれを、外部電源配線９０もしくは接地配線９５と電気的に結合することによって、内部電源電圧ＶＤＤｐ，ＶＤＤＳ，ＶＰＰ，ＶＢＢを生成する。例文帳に追加

An internal power source circuit 100 generates internal power source voltage VDDP, VDDS, VPP, VBB, by coupling electrically each of internal power source wirings 118, 128, 138 and 166 to an external power source wiring 90 or a ground wiring 95 via transistors 214, 224, 234 and 244 in a low power consumption mode. - 特許庁

これにより、発光ダイオードの直列回路４１に流れる電流を一定に制御できると伴に、発光ダイオード回路４０に電流制御するためのトランジスタを用いる必要がないので、従来に比べて消費電力を低減することができる。例文帳に追加

Thereby, the current flowing in the series circuit 41 of the light-emitting diode can be controlled to a constant value, and power consumption can be reduced compared with the conventional art, since a transistor is not required for current control in the light-emitting diode circuit 40. - 特許庁

電源電圧や環境条件の変動、プロセス条件等によらず安定した負電圧をメモリセルトランジスタ基板に供給可能な負電圧発生回路を容易に実現し、メモリのデータ保持時間を充分に確保可能にし且つ低消費電力化を図る。例文帳に追加

To easily realize a negative voltage generating circuit which can supply negative voltage to a memory cell transistor substrate independently of fluctuation of power source voltage and environmental conditions, process conditions, or the lie, to enable sufficiently securing a data holding time for a memory, and to reduce power consumption. - 特許庁

補助容量24の半導体の下部電極38に選択的に薄膜トランジスタ23のソース領域32およびドレイン領域33と略等しい濃度に不純物を注入することにより、駆動電圧を下げて消費電力を低下できる。例文帳に追加

The power consumption can be reduced by lowering a driving voltage by injecting impurities selectively to a lower electrode 38 of a semiconductor of an auxiliary capacitor 24 so as to have the same density as that of the source area 32 and drain area 33 of a thin film transistor 23. - 特許庁

追加バイアス電流生成回路１１０は、この電力増幅回路１００が高出力時には追加バイアス電流Ｉａｄを増幅部トランジスタＱのベースに供給するが、低出力時には追加バイアス電流Ｉａｄを供給しない。例文帳に追加

Although the additional bias current generation circuit 110 supplies the additional bias current Iad to the base of the amplifying portion transistor Q when a power amplifying circuit 100 is in a high output time, it does not supply the additional bias current Iad when the power amplifying circuit 100 is in a low output time. - 特許庁

従って、第２の端子Ｐ２とノードＢ間の抵抗の増加によってインバータＩＮＶに流れる貫通電流が低減されて消費電力が削減されるとともに、トランジスタＴ１４、Ｔ１５の閾値電圧のシフトが抑制されて、シフト回路２１_ｋの動作が安定する。例文帳に追加

A through-current flowing into the inverter INV is reduced by increase of a resistance between the second terminal P2 and the node B, and the power consumption is reduced, and also a shift of threshold voltages of the transistors T14, T15 is suppressed to stabilize the operation of a shift circuit 21_k. - 特許庁

そのことで、パワーＭＯＳトランジスタ３１のＯＦＦ時、ゲート４０下のエピタキシャル層３５の反転によるＰ−型チャンネルの形成、Ｐ−型チャンネルとドレイン導出領域４９との接触等を防ぎ、高集積化、能力向上、低消費電力等を実現することができる。例文帳に追加

As a result, it is possible to prevent contact between a P-type channel and the drain lead-out region 49, formation of a P-type channel by inversion of an epitaxial layer 35 below the gate 40 and the like on turning the power MOS transistor 31 off and to realize high integration, ability improvement, low consumption power or the like. - 特許庁

低電圧電源系の信号Ｖｉｎを高電圧電源系の信号Ｖｏｕｔに変換するレベルシフタ回路において、トランジスタ素子のサイズが小さく、消費電力の少なく、電源ノイズの影響を受けにくいレベルシフタ回路を提供する。例文帳に追加

To provide a level shifter circuit which converts a signal Vin of a low voltage power supply system into a signal Vout of a high voltage power supply system, and which has transistor elements of compact size and therefore consumes low power, and also is hardly affected by power noises. - 特許庁

パワートランジスタ１０の駆動異常を異常検出部１１の過電流検出部１ｌａあるいは電圧低下検出部１１ｂにて検出して信号を出力すると、制御部７は、室外制御部７ａを介して一時的に室外電源９ａをオフし電力供給を停止する。例文帳に追加

When the overcurrent detecting section 11a or voltage-drop detecting section 11b of an abnormality detecting section 11 detects the abnormal drive of a power transistor 10 and outputs a signal, a control section 7 stops the power supply to the transistor 10 by temporarily turning off an outdoor power source 9a through an outdoor control section 7a. - 特許庁

ボディーフローティング、ボディー電圧固定、及びボディー電圧可変とされるトランジスタを混在させることにより、動作の高速化と低消費電力の点について回路の機能や構成に応じて的確なボディーバイアスを採用することが容易になる。例文帳に追加

By combining the body floating, fixed body voltage, and variable body voltage transistors, an accurate body bias can be adopted according to the functions and configurations of the circuit for high-speed operation and low power consumption. - 特許庁

トランジスタ１２０は、動作状態およびスタンバイ状態において、動作マージン確保に十分な動作電流および低消費電力化の要求に応える所定値以下のスタンバイ電流を電源電位供給線１００にそれぞれ供給する。例文帳に追加

The transistor 120 supplies an operation current being sufficient for securing operation margin and a standby current of the prescribed value or less correspondingly to the request for reducing power consumption to the power source potential supply line 100. - 特許庁

単チャネルトランジスタ構成のメモリ内蔵画素方式の表示装置において、フリッカを起こさずに、画像信号メモリのリフレッシュと画像の更新を行うことができ、低消費電力の表示装置及びその駆動方法例文帳に追加

To provide a display apparatus with low power consumption and a method of driving the apparatus by which an image signal memory can be refreshed and an image can be updated without inducing flicker in a display apparatus employing a memory built-in pixel system with a single channel transistor configuration. - 特許庁

同期整流素子として用いる電界効果型トランジスタの絶縁破壊を防止し、簡素な回路構成で２次側の回路へ安定した電源電圧を供給でき、２次側のパルス信号発生回路による電力損失を低減した絶縁型型ＤＣ−ＤＣコンバータを構成する。例文帳に追加

To constitute an insulated DC-DC converter with a simple circuit configuration, which supplies stable power supply voltage to a secondary side circuit by preventing dielectric breakdown of a field effect transistor used as a synchronous rectification element, to reduce a power loss caused by the pulse signal generation circuit on the secondary side. - 特許庁

電源電圧低下検出回路（７０，６０）もしくは逆起電力検出回路によって、電源電圧が通常動作時の大きさを下回ったことを検出したとき、グランド側出力トランジスタＱ２，Ｑ４をオンすることでモータの回転にブレーキをかけ、電源電圧の上昇を防止する。例文帳に追加

When the supply voltage drop detection circuits 70, 60, or a back electromotive force detection circuit detect that the supply voltage becomes smaller than that in normal operation, brakes are applied to the rotation of the motor by turning on ground-side output transistors Q2, Q4 for preventing the rise of the supply voltage. - 特許庁

ＥＣＵ２０の内部温度がサーミスタ２３により測定されており、測定されたＥＣＵ２０の内部温度が基準温度を超えた場合に、電源電圧Ｖthをトランジスタ２４の消費電力が小さくなる方向に変更し、内部温度を低下させる。例文帳に追加

The internal temperature of the ECU 20 is measured by a thermister 23, in the case that measured internal temperature of the ECU 20 exceeds a reference temperature, the power supply voltage Vth is changed towarda small consumption power of the transistor 24, then the internal temperature makes low. - 特許庁

この誘導起電力により、半導体レーザ１３２には、トランジスタ１５２がオフ状態に設定される前にインダクタ１２４に流れていた電流値の電流が流れ、インダクタ１２４に蓄積されている磁気エネルギーの放出とともにインダクタ１２４に流れる電流の電流値は低下する。例文帳に追加

By this induced electromotive force, in the semiconductor laser 132, a current equivalent to a current value which has flowed in the inductor 124 before setting the transistor 152 to an OFF state flows, and the current value flowing in the inductor 124 is reduced with effluence of magnetic energy stored in the inductor 124. - 特許庁

ＭＯＳトランジスタを含んだ半導体装置において、次世代の露光技術を採用せずに、ラッチアップ耐量の低下を抑制しながら、消費電力の急激な上昇を抑制して高速化を達成することが容易になるＳＴＩの形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide the forming method of STI easy to achieve high speed by suppressing the rapid increase of electric power consumption while suppressing the lowering of a latch-up tolerated dose without employing next generation alignment technology in a semiconductor device including a MOS transistor. - 特許庁

このように、スイッチング素子Ｑ１に印加される電圧を抑えるためのダイオードスナバ回路６から増幅部５に電力を供給するようにしたので、増幅部５に電力を供給する定電圧回路を必要とせず、また、増幅部５のトランジスタＱ１１，Ｑ１２に耐圧の低いものを使用できるので、コストが低減する。例文帳に追加

Thus by supplying the power to the amplifying part 5 from the diode snubber circuit 6 for suppressing the voltage applied to a switching element Q1, the need for a constant voltage circuit for supplying power to the amplifying part 5 is eliminated, and low breakdown voltage transistors can be used for transistor Q11, Q12 of the amplifying part 5, so as to reduce the cost. - 特許庁

電力分配器５および電力合成器６と、電界効果トランジスタ３，４によって形成される閉ループにおいて、搬送波の基本周波数のみを通過するバンドパスフィルタ１９，２１を挿入し、搬送波の基本周波数以外の全ての周波数帯域でループ利得を０ｄＢより低いレベルに減衰する。例文帳に追加

In a closed loop composed of a power distributor 5, a power compositor 6 and field effect transistors 3 and 4, bandpass filters 19 and 21 that allow only a carrier fundamental frequency to pass through are inserted to attenuate loop gain in all frequency bands other than the carrier fundamental frequency to be a level lower than 0dB. - 特許庁

窒化物半導体を用いたヘテロ構造電界効果トランジスタにおいて、オーミック接触抵抗を大きく低減し、同時に、ソース電極２からチャネルまでの抵抗（アクセス抵抗）を大きく低減し、その結果として、高速化および低損失化（低消費電力化）が可能となる半導体装置およびその作製法提供すること。例文帳に追加

To provide a semiconductor device that is made faster and less in loss (lower in power consumption) by greatly reducing ohmic contact resistance of a heterojunction field effect transistor using a nitride semiconductor and simultaneously greatly reducing resistance (access resistance) from a source electrode 2 to a channel, and a method of fabricating the same. - 特許庁

各種回路に配置される薄膜トランジスタの構造を、回路の機能に応じて適切なものとすることにより、半導体装置の動作特性および信頼性を向上させ、かつ、低消費電力化を図ると共に、工程数を削減して製造コストの低減および歩留まりの向上を実現することを目的とする。例文帳に追加

To improve operation characteristics and reliability of a semiconductor device, and to reduce power consumption as well as to achieve reduced manufacturing cost and increase in yield by lessening the number of processing steps by providing appropriate structures of thin film transistors arranged in various circuits in response to functions required by the circuits. - 特許庁

一次側電源装置１０の出力電圧を電源電圧検出器３で監視し、一定電圧以下に低下するとスイッチングトランジスタ９をオフとし、これによりＤＣ／ＤＣコンバータ２はそのＧＡＴＥ電圧低下により出力を停止し、無線送信機４への電力供給を停止する。例文帳に追加

A power supply voltage detector 3 of a radio base 1 monitors an output voltage of a primary side power supply unit 10, and when the output voltage drops to a prescribed voltage or below, a switching transistor(TR) 9 is turned off thereby allowing a DC/DC converter 2 to stop its output because a voltage at its GATE terminal is decreased. - 特許庁

また、スイッチングを行っているメイントランジスタ５のベース、エミッタ間にスイッチング安定用ダイオード１８を搭載する事によって、負荷のない無負荷時及び負荷時の省電力化とＡＣアダプタの定電流出力制御を出力電圧の低い低電圧まで出力する事を可能にしたものである。例文帳に追加

Furthermore, by mounting a switching stabilizing diode 18 between the base and emitter of a main transistor 5 which operates switching, power saving and the constant current output control in a no load state, i.e., no output load, and in a load state can be applied down to a low-voltage state having a low output voltage. - 特許庁

薄型軽量画像表示装置やフレキシブル電子装置を構成する相補型ＴＦＴ回路の高性能化、低消費電力化、及び製造コスト低減を可能にし、更に製造工程数を削減して印刷による大量生産や大型化を容易にする薄膜トランジスタ装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a thin film transistor device, which enables a complementary TFT circuit constituting a thin-shaped and light-weighted image display device or a flexible electronic device to achieve high performance, low power consumption, and reduction of a manufacturing cost and further reduces the number of manufacturing processes and simplifies mass production or enlargement by printing. - 特許庁

論理回路部は高い電源現電圧で動作させ大振幅にて出力し、信号線駆動回路には降圧した電源電圧を供給し、信号線駆動回路内のトランジスタを低ＶＴとする回路構成にすることで、小振幅、高速、低消費電力で信号伝達できる半導体回路装置が得られる。例文帳に追加

A logic circuit is operated by a high supply voltage for outputting with a large amplitude, a supply voltage obtained by step-down is supplied to a signal line drive circuit, and a transistor in the signal line drive circuit is set to be a low VT, thus obtaining the semiconductor circuit device capable of transferring a signal with small amplitude at a high speed, and by low power consumption. - 特許庁

実際のＩＣ製造過程で発生するトランジスタ特性のばらつきによる影響を受けず、簡単な回路の追加によって、大幅な面積の増大を招くことなく、また、出力電圧の誤差を大きくすることなく負荷電流の急峻な変動に対して高速に応答することができると共に低消費電力化を図ることができる電源回路を得る。例文帳に追加

To provide a power supply circuit that reduces the power consumption and responds to steep fluctuation of load current at a high speed without being affected by variation in transistor characteristic generated in an actual IC manufacturing process, without largely increasing the area by addition of a simple circuit, and without increasing the error of output voltage. - 特許庁

従来のレベルシフト回路にＰＭＯＳトランジスタＭＰ３およびＭＰ４ならびにレベルシフト回路の出力信号をフィードバックするスイッチ制御回路を追加することで、従来回路の問題点であった貫通電流の流れる時間を減らし、消費電力を低減させ、かつ実装面積の増加を抑えながら高速動作させる。例文帳に追加

A flowing time of the penetrating current which has been a problem in a conventional circuit is reduced, power consumption is reduced, and a high-speed operation is performed while suppressing an increase in mounting area by adding PMOS transistors MP3, MP4 and a switching control circuit for feeding back an output signal of the level shift circuit into a conventional level shift circuit. - 特許庁

駆動回路一体型液晶表示素子における水平走査回路を構成する配線、及び薄膜トランジスタ素子の配置方法を工夫することにより、パネル額縁サイズを最小限に抑制し、かつ配線遅延の小さい、すなわち表示品位が高く、低消費電力の駆動回路一体型液晶表示素子を実現する。例文帳に追加

To realize a driving circuit integration type liquid crystal display element of which the panel frame size is minimized and the wiring delay is small, namely, the display quality is increased and power consumption is decreased, by devising a method for an arrangement of the wiring forming a horizontal scanning circuit and that of thin film transistors in the driving circuit integration type liquid crystal element. - 特許庁