「己 n」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

The resin composition for the self-adsorption foamed sheet contains a (meth)acrylate copolymer resin not containing an N-methylol group in the molecule and oxazoline crosslinking agent.例文帳に追加

自己吸着性発泡シート用樹脂組成物は、分子中にＮ−メチロール基を有しない（メタ）アクリル酸エステル共重合体樹脂及びオキサゾリン架橋剤を含有する。 - 特許庁

To use ruthenium/activated charcoal (Ru/AC) treated with synthesized nano-ZnO (n-ZnO) for the first time as a novel composite catalyst in one-step self-condensation of acetone (DMK) to methyl isobutyl ketone in gas phase.例文帳に追加

気相のメチルイソブチルケトンへの１段階でのアセトン（ＤＭＫ）の自己縮合における新規な複合触媒として、合成ナノＺｎＯ（ｎ−ＺｎＯ）で処理したルテニウム／活性炭（Ｒｕ／ＡＣ）を初めて用いる。 - 特許庁

The hollow fiber-like organic nanotube is formed by dissolving the N-glycoside-type glycolipid in water, slowly cooling the solution, allowing the solution to stand at a room temperature to cause the self-integration of the molecule.例文帳に追加

水中でこのＮ−グリコシド型糖脂質を溶解させ徐冷して、室温下で静置すると、この分子は自己集積して、中空繊維状有機ナノチューブを形成する。 - 特許庁

Each of the wireless devices 1 to 8 also receives "k" distances between adjacent wireless devices among multiple wireless comprising "m" wireless devices and "n" wireless devices positioned with two hops or more from a wireless device adjacent to the own device.例文帳に追加

また、各無線装置１〜８は、２ホップ以上の位置に存在するｍ個の無線装置と、ｎ個の無線装置とからなる複数の無線装置において隣接する無線装置間のｋ個の距離を自己に隣接する無線装置から受信する。 - 特許庁

A distance L between the gate electrode 2b and another gate electrode 2e is larger than the distance between the electrodes 2a and 2b, and an n+ source region 33b is formed in this region in a self-aligned manner.例文帳に追加

ゲート電極２ｂと他のゲート電極２ｅとの間隔Ｌは、ゲート電極２ａ、２ｂ間の間隔よりも大きく、この領域に自己整合的にｎ^+ソース領域３３ｂが形成されている。 - 特許庁

The prepreg for honeycomb self-adhesion comprises following constituents [A], [B] and [C], and the constituent [C] is arranged on the outer surface side than [A], and the tacking property of the surface is 10 N or more.例文帳に追加

次の構成要素［Ａ］、［Ｂ］、［Ｃ］からなるハニカム自己接着用プリプレグであって、構成要素［Ｃ］が［Ａ］より外表面側に配されており、表面のタック性が１０Ｎ以上であるプリプレグである。 - 特許庁

The method for fabricating the twin MONOS memory cell incorporates a self-alignment technique for fabricating a small cell in which an N+-type diffusion and nitride storage sites are defined by sidewalls.例文帳に追加

作製の手法は、小さなセルを作製する自己整合テクニックを組み込んでおり、Ｎ＋拡散及びチッ化記憶サイトが側壁によって規定される。 - 特許庁

The soft resin layer 13 has Martens hardness of 0.1-70 N/mm^2 measured by a super-microhardness tester under an atmosphere of 20°C of temperature and 50% of relative humidity, and also has a self-restoration nature.例文帳に追加

軟質樹脂層１３は、超微小硬さ試験装置により温度２０℃、相対湿度５０％の雰囲気下で測定したときのマルテンス硬度が０．１〜７０Ｎ／ｍｍ^２であり、かつ自己修復性を有している。 - 特許庁

The second resin composition for coating is a resin composition which comprises as an essential component an N-vinylpyrrolidone polymer wherein a radical generating agent is additionally incorporated therein, whereby the resin composition can be cured through self- crosslinking by heating.例文帳に追加

第二のコーティング用樹脂組成物は、Ｎ−ビニルピロリドン系重合体を必須成分とする樹脂組成物であって、ラジカル発生剤をも含有することにより、熱による自己架橋で硬化させうることを特徴とする。 - 特許庁

A correction time to be stored in registers 32, 42 can be set simply as N×t0; each slave unit determines current time information from the time information stored in the time synchronous frame and the correction time; and corrects its own internal clock.例文帳に追加

レジスタ３２，４２に格納する補正時間は、Ｎ×ｔ０と簡単に設定でき、スレーブユニットは、時間同期フレームに格納された時刻情報と補正時間から現在の時刻情報を求め、自己の内部時計を補正する。 - 特許庁

Thus, ends of the p-type base regions 3, those of n+ type source regions 4, those of the gate electrode 7 and those of the contact holes are formed in a self-alignment manner.例文帳に追加

これにより、ｐ型ベース領域３の端部とｎ+型ソース領域４の端部、ゲート電極７の端部とコンタクトホールの端部とが自己整合的に形成される。 - 特許庁

In a complementary TFT constituting an X shift register of a data line driving circuit, a P-channel type TFT is structured as a self-aligning type and an N-channel type TFT as an LDD structure.例文帳に追加

データ線駆動回路のＸシフトレジスタを構成する相補型ＴＦＴのうち、Ｐチャネル型ＴＦＴについては自己整合型構造とし、Ｎチャネル型ＴＦＴについてはＬＤＤ構造とする。 - 特許庁

To provide high strength and lightweight concrete which is lightweight (mass per unit volume is 1.6 to 1.9 ton/m^3), exhibits a compressive strength of ≥40 N/mm^2 and has a small self-contraction.例文帳に追加

軽量（単位容積質量1.6〜1.9ton/m^3）で、40N/mm^2以上の圧縮強度を発現し、かつ、自己収縮が小さい高強度軽量コンクリートを提供する。 - 特許庁

A j-th device (an integer satisfying 1≤j≤n) gives the signature for identifying itself to a j-th electronic data to generate (j+1)th electronic data, and transmits it to a (j+1)th device.例文帳に追加

第ｊ装置（１≦ｊ≦ｎを満たす整数）は、自己を識別する署名を第ｊ電子データに付与した第（ｊ＋１）電子データを生成して第（ｊ＋１）装置に送信する。 - 特許庁

Each of N display devices 10, 20, 30, 40 is provided with a storage part 2 for storing display specification information suited to its own display specifications, a memory part 1 and a data processing part 1.例文帳に追加

Ｎ個の表示装置１０、２０、３０、４０は、それぞれ、自己の表示仕様に適した表示仕様情報を格納する格納部２と、記憶部１と、データ処理部１とを備えている。 - 特許庁

In addition, a self-bias voltage impressed on the n-type GaN substrate 1 (a sample to be etched 200) when forming the ridge portion 11 is set so as to become not less than 500 V.例文帳に追加

また、リッジ部１１の形成時にｎ型ＧａＮ基板１（被エッチング試料２００）にかかる自己バイアス電圧が５００Ｖ以上となるように設定する。 - 特許庁

A CMOS memory array includes many bit cells 12 arranged in a SRAM array 11 of N rows×M columns, and has a duplication columns 60 of the bit cell 12 utilized for self-measuring.例文帳に追加

ＣＭＯＳメモリアレイは、Ｎ行×Ｍ列のＳＲＡＭアレイ１１内に配列された多数のビットセル１２を含み、自己計測用に利用されるビットセル１２の重複列６０を有する。 - 特許庁

A CMOS memory array includes many bit cells 12 arranged in a SRAM array 11 of N rows × M columns, and has a duplication columns 60 of the bit cell 12 utilized for self-measuring.例文帳に追加

ＣＭＯＳメモリアレイは、Ｎ行×Ｍ列のＳＲＡＭアレイ１１内に配列された多数のビットセル１２を含み、自己計測用に利用されるビットセル１２の重複列６０を有する。 - 特許庁

"0" is set to all the lines of a link flag setting area, and it is checked whether a value of the reference ID number data of the M-th line of the ID table is equal to a value of own ID number data of the N-th line.例文帳に追加

リンクフラグ設定領域の全ての行に“0”を設定すると共に、ＩＤテーブルの、Ｍ行目の参照ID番号データの値がＮ行目の自己ID番号データの値と等しいかどうかチェックする。 - 特許庁

The host apparatus 1 acquires the header object 221 from the target apparatus 2, and determines a program code 23x (x is either of 1 to n) most optimal for the one's own executing environment by analyzing the information.例文帳に追加

ホスト機器１は、ターゲット機器２からヘッダオブジェクト２２１を取得し、その情報を解析して自己の実行環境に最も適したプログラムコード２３ｘ（ｘは、１〜ｎのいずれか）を決定する。 - 特許庁

A self-monitoring circuit 8 monitors the normality of the backup interface board 6 and the optical switch 7 from presence/absence, a level and quality, etc. of optical signal transmitted to the port #(N+1) on the switching circuit and when a failure is detected, informs a controller 9 of the failure.例文帳に追加

自己監視回路８は、切替側ポート＃（Ｎ＋１）に送出される光信号の有無やレベル、品質などから予備インタフェース盤６や光スイッチ７の正常性を監視し、故障を検出すると、コントローラ９に通知する。 - 特許庁

To provide a system and a method of measuring a mobile robot's own position and orientation information in a real time, regardless of the lighting change using n pieces of indicators and cameras inside indoor space.例文帳に追加

室内空間においてｎ個の標識とカメラとを用いて、照明変化に拘わらず移動ロボットの自己位置及び方位情報を実時間で測定できるシステム及び方法を提供する。 - 特許庁

The first resin composition for coating is a resin composition which comprises as an essential component an N-vinylpyrrolidone polymer wherein the content of a structural unit derived from N-vinylpyrrolidone of the N-vinylpyrrolidone polymer is not less than 60 wt.% based on the total resin components in the resin composition, whereby the resin composition can be cured through self-crosslinking by heating.例文帳に追加

第一のコーティング用樹脂組成物は、Ｎ−ビニルピロリドン系重合体を必須成分とする樹脂組成物であって、前記Ｎ−ビニルピロリドン系重合体のＮ−ビニルピロリドン由来の構造単位の含有量が、樹脂組成物中の全樹脂成分に対して６０重量％以上であり、熱による自己架橋で硬化させうることを特徴とする。 - 特許庁

In a multicarrier system having N subcarriers, a transmitter has an orthogonal transformation matrix of N×N obtained by rearranging CAZAC sequence whose envelope is constant and whose autocorrelation is zero in accordance with a column, and transmits a signal obtained by multiplying a transmission signal in a frequency region by the orthogonal transformation matrix after multicarrier modulation.例文帳に追加

Ｎ個のサブキャリアを有するマルチキャリアシステムにおいて、送信機が、包絡が一定かつ自己相関が０であるＣＡＺＡＣシーケンスを列に従って再配置することにより得られるＮ×Ｎの直交変換行列を有し、周波数領域の送信信号と前記直交変換行列を乗算した信号をマルチキャリア変調後に送信する。 - 特許庁

In the driving method for the plasma display panel having priming electrodes, priming discharges are generated by accompanying self-scanning and the pulse width of the scanning pulses to be impressed to scanning electrodes Sc_1 to Sc_n to perform the writing is made longer than the pulse width of the scanning pulses to be impressed to the scanning electrodes to perform the writing without generating the priming discharges by accompanying the self-scanning.例文帳に追加

プライミング電極を有するプラズマディスプレイパネルの駆動方法であって、走査電極のうち、自己の走査に伴ってプライミング放電を発生させるとともに書込みを行う走査電極ＳＣ_１〜ＳＣ_ｎに印加する走査パルスのパルス幅が、自己の走査に伴ってプライミング放電を発生させずに書込みを行う走査電極に印加する走査パルスのパルス幅よりも長くした。 - 特許庁

To manufacture a horizontal silicon carbide power device by forming self-aligned shallow implantation region and deep implantation region, comparatively fixing an n-type dopant having a low diffusivity of the shallow implantation region, sufficiently diffusing a p-type dopant having a high diffusivity of the deep implantation region, and forming a p base region forming a well controlled channel around an n-type source.例文帳に追加

自己整列した浅い注入領域及び深い注入領域を形成し、浅い注入領域の低い拡散率を有するｎ型ドーパントを比較的固定すると共に、深い注入領域の高い拡散率を有するｐ型ドーパントを十分に拡散させ、良く制御されたチャネルを形成するｐベース領域をｎ型ソースの周りに形成して横型炭化シリコンパワーデバイスを製造する。 - 特許庁

A lightly doped region Y where both n+-type impurities and p+-type impurities do not exist is made on a gate electrode 14 by providing a predetermined interval between the openings of ion implantation masks, when forming the source/drain diffusion layer 37 in an n MOSFET region and the source/drain region 38 in a p MOSFET region in a self alignment process at the gate electrode.例文帳に追加

ゲート電極に自己整合的にｎＭＯＳＦＥＴ領域のソース／ドレイン拡散層３７およびｐＭＯＳＦＥＴ領域のソース／ドレイン拡散層３８を形成する際に、それぞれのイオン注入マスクの開口部間に所定の間隔を設けて、ゲート電極１４上に、ｎ＋型不純物とｐ＋型不純物とがともに存在しない低濃度な領域Ｙを形成する。 - 特許庁

To provide a method for industrial production of an (R or S)-N-substituted-β-amino acid and its ester having a reverse absolute steric configuration while suppressing autohydrolysis of a β-amino acid ester liable to be hydrolyzed with water, and improving yield, selectivity, operability, etc., of an optically active N-substituted-β-amino acid difficult to obtain in an isolated state.例文帳に追加

水によって加水分解されやすいβ−アミノ酸エステルの自己加水分解を抑制し、単離取得が困難とされる光学活性Ｎ−置換−β−アミノ酸を、収率、選択性、操作性等が向上する、（Ｒ又はＳ）−Ｎ−置換−β−アミノ酸及び逆の立体絶対配置のエステル体の工業的な製造方法を提供する。 - 特許庁

When single power source voltage VDD 0 is applied from the outside, as the voltage conversion sections 5-1 to 5-n generates voltages levels VDD 1, VDD 2,..., VDD n and supply them to a self- memory core 4, evaluation of power source voltage dependency of semiconductor circuits of N pieces can be performed simultaneously with signal power source voltage.例文帳に追加

外部から単一電源電圧ＶＤＤ０が印加されると、電圧変換部５−１〜５−ｎが、電圧レベルＶＤＤ１，ＶＤＤ２，，・・・，ＶＤＤｎを生成し、自己のメモリコア４に供給するため、単一の電源電圧で同時にＮ個の半導体回路の電源電圧依存性の評価を行うことができる。 - 特許庁

The comparator 34 calculates cross-correlation of two different combinations of the input audio signals and cross-correlations of the audio signals, respectively, further calculates S/N of each of the audio signals, based on these results of the calculation and generates and outputs a selection signal for automatically selecting the audio signal of the best S/N by means of a selection switch 35.例文帳に追加

比較器３４は、入力音声信号の異なる２つの組み合わせの相互相関と、各音声信号の自己相関とをそれぞれ算出し、更にそれらに基づいて各音声信号のＳ／Ｎを算出し、その中で最もＳ／Ｎの良好な音声信号を選択スイッチ３５により自動選択させるための選択信号を生成して出力する。 - 特許庁

N echo signals received in a time series are processed at least in two steps such as a first and second autocorrelation processes or an autocorrelation process and a cross correlation process, a fast Fourier transformation is applied to each of data thus obtained to obtain a plurality of frequency data, and a Doppler shift frequency is obtained from the difference frequency between an average of the plurality of frequency data and a frequency of an ultrasonic signal.例文帳に追加

時系列的に受信したｎ個のエコー信号に対して、自己相関処理−自己相関処理、もしくは自己相関処理−相互相関処理のように、少なくとも２段階で処理を行い、これにより得た各データに対して、高速フーリエ変換を行うことにより、複数の周波数データを求め、これらの複数の周波数データの平均値と、前記超音波信号の周波数との差周波数からドップラーシフト周波数を求める。 - 特許庁

The wireless apparatus 36 detects a time interval between occurrences of packet loss when receiving a Hello packet periodically transmitted from a wireless apparatus around itself at a channel Chj, and calculates the failure probability that a wireless apparatus around itself fails in packet transmission to itself based on the detected time interval, and detects the number N of a wireless apparatus corresponding to the calculated failure probability with reference to the table.例文帳に追加

そして、無線装置３６は、自己の周囲に存在する無線装置から定期的に送信されるＨｅｌｌｏパケットをチャネルＣｈｊで受信する場合にパケットロスが発生する時間間隔を検出し、その検出した時間間隔に基づいて、自己の周囲に存在する無線装置が自己へのパケットの送信に失敗する失敗確率を求め、その求めた失敗確率に対応する無線装置の数Ｎを対応表を参照して検出する。 - 特許庁

n a related note, the Association of German Banks is, according to some press reports, predicting that the developed countries will agree on making the core capital adequacy ratio 6 percent. Having just stated that a higher ratio figure is not necessarily better, what would you think if an agreement is reached on the 6 percent requirement? 例文帳に追加

関連して、中核的な自己資本比率について、一部報道でドイツの銀行協会が6％で先進国が合意するのではないかという見通しを立てているのですが、仮に6％で合意した場合、大臣は先ほど高ければ高いほどいいというものではないとおっしゃいましたが。 - 金融庁

SYNTHESIS OF ARYL N-ACYLUREA FROM ARYL ISOCYANATES OR ARYL CARBODIIMIDES FOR USE AS INTERMEDIATE IN NEW SSRR (SEQUENTIAL SELF-REPETITIVE REACTION) TO SYNTHESIZE AMIDES, AMIDE-IMIDES AND POLYMERS THEREOF例文帳に追加

アミド類、アミド−イミド類、およびこれらのポリマー類合成の新規な逐次的、自己反復的反応（ＳＳＲＲ）中間体として使用するためのアリールＮ−アシル尿素の、アリールイソシアナート類またはアリールカルボジイミド類からの合成 - 特許庁

ECU 1 calculates a request load T and engine speed N, based on an accelerator opening signal and crank angle sensor signal and determines it as a spark ignition combustion or self ignition combustion by a combustion pattern determining part 2 based thereon.例文帳に追加

ＥＣＵ１はアクセル開度信号及びクランク角センサ信号に基づいて要求負荷Ｔ及び機関回転数Ｎを算出し、これに基づいて燃焼パターン判定部２により火花点火燃焼か自己着火燃焼かを判定する。 - 特許庁

Terminal devices 24, 34 connected to the network N transmit the diagnosis result of the self- diagnosis program function of the testing devices 20, 30 to the maintenance information providing server 12 corresponding to user operation, and acquires information on the defect generation spot.例文帳に追加

ネットワークＮに接続された端末装置２４，３４は、ユーザの操作に応じて試験装置２０，３０の自己診断プログラム機能の診断結果をメンテナンス情報提供サーバ１２へ送信して不良発生箇所に関する情報を得る。 - 特許庁

This nonwoven fabric binder is characterized by using a glycolic acid adduct of sodium sulfite as a reducing agent in the redox couple for polymerizing a vinyl acetate polymer based emulsion for nonwoven fabric binders containing formaldehyde primarily from a self-cross-linking co-monomer N- methylolacrylamide.例文帳に追加

主に自己架橋性コモノマーＮ−メチロールアクリルアミドからのホルムアルデヒドを含有する不織布結合剤用の酢酸ビニル重合体を基剤とする乳濁液の重合のために、レドックスカップル中の還元剤として亜硫酸ナトリウムのグリコール酸付加物を使用することを特徴とする。 - 特許庁

Then a second drain region 16 used also for a drift region is formed in a way of self-alignment to the gate electrode 19 along the side wall of the trench through ion implantation of n-type impurities while using the gate electrode 19 for part of a mask.例文帳に追加

そして、このトレンチの側壁に沿って、ドリフト領域を兼ねる第２のドレイン領域１６を、ゲート電極１９をマスクの一部に用いたｎ型不純物のイオン注入により、ゲート電極１９に対して自己整合的に形成する。 - 特許庁

The electrode sections of the drain region and source region of n-type or p-type double gate MOS transistor structure are provided with each gate electrode by self-alignment (simultaneously positioned at one time of a lithography process).例文帳に追加

島状半導体結晶層内に形成されたＮ形またはＰ形二重ゲートＭＯＳトランジスタ構造のドレイン領域およびソース領域の電極部は各ゲート電極と自己整合（一回のリソグラフィー工程で同時に位置決めされること）で設ける。 - 特許庁

To provide a method for dispersing lipid nanotubes, by which a good dispersion state for a long period of time can be maintained in an organic solvent without changing configurations of the lipid nanotubes obtained by self-assembly of an N-glycoside type glycolipid, and to provide a dispersion obtained by the method.例文帳に追加

有機溶媒中で、Ｎ−グリコシド型糖脂質が自己集合してなる脂質ナノチューブの形態を変化することなく、長期間良好な分散状態を維持することが可能な、脂質ナノチューブの分散方法及びその分散液を提供する。 - 特許庁

A maintenance information providing server 12 is connected to a network N, and provides maintenance information acquired by correlating information on a past defect generation spot of the semiconductor integrated circuit testing device with a diagnosis result of a self-diagnosis program function provided in the semiconductor integrated circuit testing device.例文帳に追加

メンテナンス情報提供サーバ１２は、ネットワークＮに接続され、半導体集積回路試験装置の過去の不良発生箇所に関する情報と、半導体集積回路試験装置に設けられた自己診断プログラム機能の診断結果とを対応付けたメンテナンス情報を提供する。 - 特許庁

There is provided an aqueous inkjet ink composition containing, at least, a self-dispersion pigment having an average particle diameter of 20 to 300 nm, and a polyurethane resin having as constituting components a compound represented by formula (I) (wherein N is an integer of 1 to 6) or/and a compound represented by formula (II) (wherein the value of O+P+Q is an integer of 0 to 6).例文帳に追加

平均粒径が２０〜３００ｎｍの自己分散性顔料と、下記式(I)または／および式（II）で表される化合物を構成成分とするポリウレタン樹脂とを少なくとも含んでなる水性インクジェットインク組成物：（式中、Ｎは１〜６の整数）、（式中、Ｏ＋Ｐ＋Ｑの値は０〜６の整数）。 - 特許庁

When the first and second CPUs determine normal state (N in S120), and when occupant detection switch is in the OFF state (Y in S400), the ON states of the first and second main relays are continued only for a predetermined time (S500).例文帳に追加

第１及び第２のＣＰＵともに、正常である旨の判定をした場合（Ｓ１２０のＮ）、乗員検出スイッチがオフであれば（Ｓ４００のＹ）、正常時自己保持プロセスとして、所定期間だけ第１及び第２のメインリレーのオンが継続される（Ｓ５００）。 - 特許庁

The light emitting element includes a substrate 10 made of a p-type semiconductor, an active layer 20 formed on the substrate and formed by laminating a plurality of layers of quantum dot layers 18 each made of a three-dimensional growth island in which self-formation is performed with an S-K mode, and an n-type semiconductor layer 22 formed on the active layer.例文帳に追加

ｐ形半導体より成る基板１０と、基板上に形成され、Ｓ−Ｋモードにより自己形成された三次元成長島より成る量子ドット層１８を複数層積層して成る活性層２０と、活性層上に形成されたｎ形半導体層２２とを有している。 - 特許庁

A side wall insulation film 17 is formed at the side surface of a gate structure 60 provided on a semiconductor substrate 1, and the epitaxial layers 19a, 19b are formed on the self-alignment basis on the n-type impurity regions 13a, 13b to provide the side wall insulation film 17 against the gate electrode 50.例文帳に追加

半導体基板１上に設けられたゲート構造６０の側面にサイドウォール絶縁膜１７を形成し、ゲート電極５０との間にサイドウォール絶縁膜１７が介在するように、ｎ型不純物領域１３ａ，１３ｂ上に自己整合的にエピタキシャル層１９ａ，１９ｂを形成する。 - 特許庁