「研磨割れ」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

ガラス研磨を行った後、ガラスをパッドから剥離させる時に、ガラスの割れを防止可能なガラス研磨方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for polishing glass that can prevent glass from being broken when peeling the glass from a pad after polishing the glass. - 特許庁

ガラス板の破損や割れが防止され、研磨量が制限されることのないガラス表面研磨方法の提供。例文帳に追加

To provide a method for polishing glass surface, by which a glass sheet can be prevented from breaking or cracking and the amount of polishing is not restricted. - 特許庁

半導体ウエーハの研磨を自動化して行う際、研磨後のウエーハの割れの有無をより短時間で検査し、アンローディング時間への影響が小さく、ウェーハの両面研磨をより効率的に行うことができる両面研磨装置及び割れ検査方法を提供する。例文帳に追加

To provide a double-sided polishing device and a crack inspection method capable of further efficiently performing double-sided polishing of a wafer, by reducing influence on unloading time, by inspecting the existence of a crack of the polished wafer in a shorter time, when automatically controlling polishing of a semiconductor wafer. - 特許庁

研磨効率を低下することなく、結晶方位に対して割れが発生し易い方向にソーマークが形成されないように研磨することができる結晶方位を有するウエーハの研磨方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for polishing a wafer having a crystal orientation, which restrains a saw mark from being formed in such a direction to the crystal orientation as to cause a crack, without lowering polishing efficiency. - 特許庁

被研磨面の凹凸段差が基板厚さの０．３〜２．０倍以上あるような被研磨面においてもウエハが割れたり欠けたりしない化学機械研磨（ＣＭＰ）方法を提供する。例文帳に追加

To provide a chemical mechanical polishing (CMP) method capable of preventing a wafer from being cracked or getting chipped, even for a face to be polished where a step difference of unevenness of the face to be polished is 0.3 to 2.0 times a board thickness. - 特許庁

ガラス板の割れ検出方法及びその装置並びにガラス板の研磨方法及びその装置例文帳に追加

METHOD FOR DETECTING CRACKING OF GLASS PLATE AND DEVICE THEREFOR, AND METHOD FOR POLISHING GLASS PLATE AND DEVICE THEREFOR - 特許庁

遊星歯車式の研磨装置において、四角形のワーク１５を研磨加工中に発生するワーク１５の割れ、欠けを防ぎ安定した加工精度の向上を計る。例文帳に追加

To improve stable working accuracy by preventing cracks and breaks of a work 15 occurring in the process of polishing the square work 15 in a planetary gear type polishing device. - 特許庁

半導体ウエハの研磨加工中に保護用テープが研磨面に膨出しないように周縁を切断する必要があるが、その切断は僅かな負荷や抵抗が係るだけで割れたり欠けたりして、非常に厄介なものと成っている。例文帳に追加

To solve the problem wherein, while it is necessary to cut the peripheral edge so that a protective tape does not bulge to the polishing surface, in the process of polishing a semiconductor wafer, such a cutting is very troublesome because merely a slight load or resistance can cause cracks or chipping. - 特許庁

研削・研磨後の無機基板の面内厚みむらを低減することが可能で、かつ、研削・研磨後の無機基板に割れや欠けが発生するのを抑制することが可能な光学補償素子の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing an optical compensation element, in which the irregularity in the in-plain thickness of an inorganic substrate after grinding/polishing can be reduced and the generation of a crack and a chip in the inorganic substrate after grinding/polishing can be suppressed. - 特許庁

希土類珪酸塩単結晶を鏡面研磨する場合に、へき開割れの発生が十分に防止された希土類珪酸塩単結晶を提供する。例文帳に追加

To provide a rare earth silicate single crystal which is prevented sufficiently from the occurrence of cleavage at the time of mirror-polishing a rare earth silicate single crystal. - 特許庁

２つのスクリーンパネルを含むガラス成型体の切断、研磨工程で、エッジに割れやクラックを生じさせない。例文帳に追加

To prevent the edge of a screen panel from being broken and cracked in a cutting and polishing process of a glass molding containing two screen panels. - 特許庁

ボタン本体（２）は、割れやすい素材を切削、穿孔、研磨加工して得られ、糸通し孔（２２）と窪み（２３）を有する。例文帳に追加

The button body (2) is made by cutting, perforating, and polish processing a fragile material and is provided with threading holes (22) and a depression (23). - 特許庁

最外側面に目詰まり防止被膜を有する研磨材において、該目詰まり防止被膜は、目詰まり防止剤および結合樹脂を含有し、該結合樹脂はひび割れを伴って膜化されており、該ひび割れによって該目詰まり防止被膜の表面全体に網目状の微細構造が形成されている、研磨材。例文帳に追加

The abrasive having the coating film for preventing clogging on the outermost surface is characterized in that the coating film for preventing clogging contains a clogging-preventive agent and a binder resin, the binder resin is formed into a film accompanied by craze, and the whole surface of the coating film for preventing clogging is formed with reticulated fine structure by the craze. - 特許庁

従って、切断起点領域８形成後にウェハ１１の裏面１７を研磨してウェハ１１を厚さ１００μｍにする際に、切断起点領域８から発生した割れ２１に研磨面が達しても、ウェハ１１の切断面は互いに密着しているため、研磨によってウェハ１１にチッピング等が発生するのを防止し得る。例文帳に追加

Thus, in reducing the thickness of the wafer 11 to 100 μm by polishing the rear 17 of the wafer 11, after formation of the regions 8, when polishing reaches the cracking 21 at the regions 8, chipping or the like can be prevented from occurring due to polishing in the wafer 11 because cut faces of the wafer 11 are closely in contact with each other. - 特許庁

研磨粒子をニッケル系ブレージング金属を用いて焼結融着して固定させた後、焼結表面から割れるとか、外れ出しやすい未焼結の部分と再結晶された部分とを展着コーティング処理により充填させたり、覆ったりすることにより、マクロ及びマイクロスクラッチを画期的に減らし、被研磨製品の不良率を低めて研磨寿命を高めることができる。例文帳に追加

After sintering and fusing abrasive grains to be fixed using nickel-based brazing metal, macro- and micro-scratches are reduced by filling or covering by spreading-coating unsintered parts which are likely to be cracked or removed from a sintered surface with recrystallized parts for reducing a defective rate of polished products, and improving service life of polishing. - 特許庁

短時間でシリコンブロックまたはシリコンスタックの側面に存在する微少な凹凸を平坦化する研磨技術を提供し、シリコンウエハの割れ不良を低減し、歩留りを改善することを目的とする。例文帳に追加

To reduce a crack failure of a silicon wafer and to improve its yield by providing a polishing technique for flattening an infinitesimal ruggedness existing on a side face of a silicon block or a silicon stack in a short time. - 特許庁

真円度が十分でない薄板状ワークを研磨する場合であっても、それに起因するワークの割れを防止することができる薄板状ワーク外周部加工装置を提供する。例文帳に追加

To provide a machining apparatus for an outer circumferential part of a thin sheet work which prevents a crack of the work caused by the polishing when polishing the thin sheet work with insufficient roundness. - 特許庁

シリコンウエハ、水晶等の被加工物の研磨で、加工中の割れや欠け及び加工後の精度の低下をきたさないように装置の振動及び回転むらを発生させない。例文帳に追加

To prevent vibrations and rotating variations of a device so as not to cause a fracture or a chip during machining and a reduction in accuracy after machining, in polishing a workpiece such as silicon wafer and a crystal. - 特許庁

搬送時におけるウェーハ全周の画像を撮影することなく、当該ウェーハの割れ検出を行うことが可能なウェーハ研磨装置およびウェーハの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a wafer polishing apparatus, along with a wafer manufacturing method, capable of detecting cracks on a wafer without photographing the whole periphery of the wafer during conveyance of the wafer. - 特許庁

真円度が十分でない薄板状ワークを研磨する場合であっても、それに起因するワークの割れを防止することができる薄板状ワーク外周部加工装置を提供する。例文帳に追加

To provide a processing device for an outer periphery of a thin plate-like work which prevents breaking of a work caused by polishing even if the thin plate-like work having insufficient circularity is polished. - 特許庁

研磨の過不足を防止することが可能となるフェルールを提供、また、光ファイバの折れ・欠け・割れを防止するためとして接着剤の十分な塗布が可能となるフェルールを提供する。例文帳に追加

To provide a ferrule in which excess or deficiency of polishing can be prevented and in which sufficient coating of an adhesive is performed for the prevention of breaking, chipping and cracking of an optical fiber. - 特許庁

高い周波数の圧電共振子を製造する場合、セラミック基板の厚みが薄くなるため（ＭＨｚ帯の時、数百μm以下）、ラップ研磨を用いる機械的周波数調整方法では、割れや欠けを生じ、厚み精度０．１％が限界である。例文帳に追加

To provide the manufacturing method and the frequency adjusting method of a piezoelectric resonator, which can precisely adjust a frequency without the occurrence of the defect of cracks or chippings. - 特許庁

ウエハーを面取り、研削、研磨してミラーウエハーとする工程において、半導体ミラーウエハーの仕上げ面に１％以上の確率で傷が入っていることがありときに割れが発生することもある。例文帳に追加

To prevent scarring and breakage in a finished surface because the breakage may occur when the finished surface of a semiconductor mirror wafer is scarred at a probability of 1% or higher in a process of chamfering, grinding, and polishing a wafer to form the mirror wafer. - 特許庁

短時間でシリコンブロックの側面に存在する微少な凹凸を平坦化する研磨技術を提供し、シリコンウエハの割れ歩留りを改善することを課題とする。例文帳に追加

To provide a grinding technique to smooth out fine irregularities on the side face of a silicon block in a short time, thus improving the crack yield of a silicon wafer. - 特許庁

本発明は、ウエハなどの板状の被削物を研削・研磨などの方法により薄化する際に、割れや欠けなく安定して加工できるウエハの固定方法の提供することを課題とする。例文帳に追加

To provide a fixing method of a wafer which ensures stable machining of a planar article to be ground such as a wafer with no cracking or chipping when it is made thin by grinding or polishing. - 特許庁

厚み方向に蜂の巣状および／または縦割れ状の気孔構造を主体に形成された多孔質構造層を少なくとも表面に有するシートを用いてコンタクトレンズ材料を研磨する例文帳に追加

A contact lens material is polished by using a sheet having perforated structure layers mainly composed of porous structures in the form of honeycombs and/or longitudinal cracks in a thickness direction on at least the front surface. - 特許庁

この位置合わせマークを露出するとともに、樹脂や半導体基板の研磨時に、半導体基板の割れ、欠け、クラック等を防止するため半導体基板の外周方向の領域に樹脂層を形成する。例文帳に追加

The alignment mark is exposed and a resin layer is formed in a region of a periphery direction of the semiconductor substrate to prevent a breaking, a chipping, a crack or the like of the semiconductor wafer at the time of polishing a resin or the semiconductor substrate. - 特許庁

ボタン本体（４）は、前記割れやすい素材を切削、穿孔、研磨加工して得られ、中央に大径部（４３）及び小径部（４２）からなる孔（４４）を設けている。例文帳に追加

The button body (4) is obtained by cutting, perforating and polishing a fragile material, and has a hole (44) which consists of a large diameter (43) and a small diameter (42) at the center. - 特許庁

短時間でシリコンブロックまたはシリコンスタックの側面に存在する微少な凹凸を平坦化する研磨技術を提供し、シリコンウエハの割れ不良を低減し、歩留りを改善することを目的とする。例文帳に追加

To provide a polishing technology that flattens fine irregularities present on the side of a silicon block or a silicon stack in a short period of time for reducing a defect in cracking of a silicon wafer and for improving an yield thereof. - 特許庁

半導体ウエハーを面取り、研削、研磨してミラーウエハーとする工程において、半導体ミラーウエハーの仕上げ面に１％以上の確率で傷が入っていることがあり、ときに割れが発生することもある。例文帳に追加

To solve a problem that the finished surface of a semiconductor mirror wafer is flawed with a probability not lower than 1% and sometimes cracked during a process for beveling, grinding and polishing a semiconductor wafer into a mirror wafer, and to protect the finished surface against flaw or crack. - 特許庁

圧電基板１１Ａとシリコン基板１２Ａとを貼り合わせた後、ひびや割れが生じない程度であって可能な限り薄くされた厚さまで、それぞれの基板を切削・研磨する。例文帳に追加

In the method for manufacturing the surface acoustic wave device, a piezoelectric substrate 11A and a silicon substrate 12A are laminated, and then each substrate is cut/polished as thin as possible but is thick enough not to cause chap or crack. - 特許庁

木質基材に対しサンディングシーラーを塗装し、その塗膜を研磨した後に上塗材を塗装する塗装仕上げ方法において、サンディングシーラー塗装後の研磨作業性に支障をきたすことなく、さらに塗膜の割れ発生も防止しつつ低ＶＯＣ化を達成することが可能な塗装方法を提供する。例文帳に追加

To provide a coating method by which the content of a volatile organic compound (VOC) is made low while preventing occurrence of crack of a coating film without disturbing polishing workability after sanding sealer coating, in a coating finishing method for applying the sanding sealer on a woody base material and applying a top coating material after the coating film is polished. - 特許庁

アブレシブジェット加工装置において、研磨材粒子として比重３．０以上の球状微粒子を用い、加工速度が速くなり、切断面を平滑な面として残滓の付着を防ぐとともに金属材料における電触やそれを起点とする応力集中腐食割れをも防止し、さらに研磨材粒子の再使用を可能としてランニングコスト低減を図ること。例文帳に追加

To increase the working speed using spherical fine particles having the specific gravity of 3.0 or more as abrasive particles, to prevent adhesion of residuals by making the smooth cutting surface, to prevent electric corrosion in metal material and corrosion and cracks due to stress concentration caused from that, and to reuse of abrasive particles in an abrasive jet working device. - 特許庁

巻き線一体型モールドコイルにおいて、角丸め加工はモールドコイルの割れ欠けの防止の他、外部電極強度を向上させるため必要であるが、一般的なバレル研磨による角丸め加工では、モールド樹脂やメディアの削れカスがモールドコイルに付着しコイルの導通を阻害する。例文帳に追加

To solve the following problem: in a winding-integrated mold coil, corner rounding work is required for preventing cracking and chipping of the mold coil and improving external electrode strength but, in general corner rounding work by barrel polishing, cutting scrap of a mold resin or medium adheres to the mold coil to inhibit conduction of the coil. - 特許庁

製造効率を向上できるとともに、割れや欠け等の発生を抑えて歩留まりを向上できるウエハ外周面の研磨方法、圧電振動片の製造方法、圧電振動片、圧電振動子、発振器、電子機器、及び電波時計を提供する。例文帳に追加

To provide a method for polishing an outer periphery of a wafer, which enhances manufacturing efficiency and also prevents a crack, chip or the like from occurring to enhance yields, and to provide a method for manufacturing a piezoelectric vibrating reed, a piezoelectric vibrating reed, a piezoelectric vibrator, an oscillator, an electronic device, and a radio-controlled timepiece. - 特許庁

肉厚感と耐擦り傷性、更にリコート性やワックス密着性に優れ、床材の反りや硬化塗膜の割れを抑制し、かつ傷や着色汚れを研磨等の方法によって簡単に取除くことが出来る床用塗料組成物、及び当該組成物を用いてなる塗料被覆物を提供する。例文帳に追加

To provide a floor coating composition excellent in wall-thickness feeling, anti-abrasing, re-coating and wax adhesive properties, inhibiting warpage of floor material and crack of hardened coated film, and easily removes injury and stained coloring by such as polishing, and a coated product using the coating composition. - 特許庁

成形する際に使用する金型の摩耗、摩損及び腐食が低減され得る位置決め治具であって、成形品を研磨やバリ取りをする際に凸部の形成が抑制され、かつ充填材の脱落や割れが抑制され得る位置決め治具を提供すること。例文帳に追加

To provide a positioning tool reducing abrasion, defacement and corrosion of a mold to be used at molding, suppressing formation of projections at grinding or burring a molding, and suppressing drop or crack of a filler. - 特許庁

ＧａＡｓやＩｎＰなどの半導体ウエハーの面取り、研削、研磨工程において、最終的にデバイス作製面となり無傷・平滑であることが要求される面を最終仕上げ面とし、デバイス作製面とはならないもう一方の面を最終非仕上げ面として予め区別し、最終非仕上げ面の方を面取りの段階でステージに真空吸着し、研削、研磨によって最終非仕上げ面にできた傷を削り取りウエハー割れを防止し、傷のほとんどない仕上げ面をもつ半導体ウエハーの加工方法を実現する。例文帳に追加

The non-final-finish surface is vacuum sucked to a stage at the stage of beveling and flaws made on the non-final-finish surface by grinding or polishing are cut off in order to prevent cracking of the wafer thus realizing a machining method of a semiconductor wafer substantially having no flaw on the finished surface. - 特許庁

例えば溶解鋳造によって製造されたＧａの組成比が比較的大きいＣｕ−Ｇａ合金塊であっても、ヒビが入ったり、割れたり欠けたりすることなく所望の形状に切断し、Ｒａが０．１μｍ以下の優れた表面平滑性を有するＣｕ−Ｇａ合金からなるスパッタリングターゲットを比較的短時間の表面研磨により提供する。例文帳に追加

To cut even a Cu-Ga alloy ingot, which is manufactured by, for example, the dissolved casting and has relatively large composition ratio of Ga, into a desired shape without causing cracking, cracking or chipping, and to provide a sputtering target consisting of a Cu-Ga alloy and having an excellent surface smoothness Ra of ≤0.1 μm by the surface polishing in a relatively short period of time. - 特許庁

研磨後の半導体ウェハはウェハ洗浄部１０によって洗浄液により洗浄されて異物が除去された後に、ウェハ搬送部３によって半導体ウェハが割れないようにゆっくり低速度で第１及び第２のプラズマ処理部４Ａ，４Ｂに送られ、プラズマエッチングによるドライエッチングが行われる。例文帳に追加

The semiconductor wafer after polishing is washed with washing liquid by a wafer washing part 10 for removing foreign objects, and then is sent to first and second plasma treatment parts 4A and 4B slowly by the wafer transport part 3 so that the semiconductor wafer cannot be cracked for performing dry etching by plasma etching. - 特許庁

本発明の目的は、裏面研磨で薄くなった半導体基板の裏面を吸着して表面の粘着テープを剥離する際に、半導体基板に半導体基板を半径方向に変形させる過大な応力が加わらないようにして、基板割れが発生しない粘着テープの剥離方法及び剥離テープを提供することである。例文帳に追加

To provide a peeling method of an adhesive tape and a peeling tape that prevents a substrate from cracking by preventing excessive stress for deforming the semiconductor substrate in a radial direction from being applied to the semiconductor substrate, when sucking the rear surface of the semiconductor substrate being thinned by rear-surface polishing for peeling the adhesive tape on a surface. - 特許庁

本発明の製造方法は、ウエハ５０を基板片１２に切断、分離する分離工程の後に、基板片１２で構成された保持基板１１（ウエハ５１）を表面処理加工、例えば研磨処理又はブラスト処理、することで、基板の割れ、欠けを防止して、所望の形状となるような表面加工が可能となる。例文帳に追加

In the method of manufacturing the semiconductor device; cracking and getting chipped of a substrate are prevented to perform surface processing in a desired shape by subjecting the holding substrate 11 (wafer 51) constructed with a substrate piece 12 to surface processing, e.g., polishing processing or blast processing, after a separation process of cutting, and separating a wafer 50 to the substrate pieces 12. - 特許庁