「雰囲気温度」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

本発明の加熱炉の降温方法は、鋼材４を連続的に搬送しつつ加熱する加熱炉１において、降温後の雰囲気温度で加熱される鋼材４が加熱炉１内に達した時に、この加熱炉１内に水蒸気を吹き込み炉内の雰囲気温度を降下させる。例文帳に追加

A method for lowering the temperature in the heating furnace is provided, wherein the atmospheric temperature in the heating furnace 1 heating a steel material 4 while continuously conveying it, is lowered by blowing steam into the heating furnace 1 when the steel material 4 heated with lowered atmospheric temperature reaches the inside of the heating furnace 1. - 特許庁

Δバッテリ温度＝（バッテリ雰囲気温度推定値−前回バッテリ温度推定値） ×温度変化係数×Δｔ バッテリ温度推定値＝Δバッテリ温度＋前回バッテリ温度推定値（ここで、Δバッテリ温度は単位時間当たりのバッテリ温度変化値、Δｔは演算周期）例文帳に追加

(Δbattery temperature) = (Δbattery ambient temperature estimate value - previous battery temperature estimate value) × (temperature change coefficient) × (Δt), and (a battery temperature estimate value) = (Δbattery temperature) + (previous battery temperature estimate value), where Δbattery temperature is the battery temperature change value per unit time, and Δt is a calculation period. - 特許庁

定着温度と雰囲気温度の識別を確実なものとするため、直前になされた画像形成動作のプリント枚数に応じた所定経過時間経過後の温度検知素子の温度を検知することで、加熱定着のために加熱された温度ではなく、画像形成装置のおかれた雰囲気温度を確実に識別する。例文帳に追加

In order to surely discriminate between the fixing temperature and the atmosphere temperature, the temperature of the temperature detecting element after lapse of a prescribed time in accordance with the number of printed sheets in the last image forming operation is detected, then, the atmosphere temperature of the environment where the image forming apparatus is set is surely discriminated from the temperature prepared for the thermal fixation. - 特許庁

高温の雰囲気の中でシリコンウエハの温度を測定し、シリコンウエハの表面温度の測定を行うとき、シリコンウエハの出来るだけ多点の表面温度を測定できる圧電温度センサの提供例文帳に追加

To provide a piezoelectric temperature sensor, capable of measuring surface temperature of a silicon wafer in as many points as possible in measurement of surface temperature of the silicon wafer in a high-temperature atmosphere. - 特許庁

また、このワーク載置面温度制御機構５を利用して所定温度状態に制御された圧縮空気がノズル６３から試験空間２内に供給されるので、試験空間内の雰囲気温度はむらの無い均一な温度状態になる。例文帳に追加

Since compressed air controlled in a prescribed temperature state is supplied in a testing space 2 from a nozzle 63 by using this work placing surface temperature control mechanism 5, an ambient temperature in the testing space becomes a uniform temperature state without nonuniformity. - 特許庁

炉本体１内には雰囲気温度を測定するための温度センサ７ａ，７ｂとワークＷの温度を測定するための第１及び第２の温度センサ７ｃ，７ｄが設けてある。例文帳に追加

The inside of a furnace body 1 is provided with temperature sensors 7a, 7b for measuring atmospheric temperature, and first and second temperature sensors 7c, 7d for measuring the temperature of a work W. - 特許庁

温度計測対象物検出手段３６は、可視光線画像に基づいて、雰囲気温度と表面温度との関係が既知である複数の温度計測対象物各々の位置を検出する。例文帳に追加

A temperature measurement object detecting means 36 detects positions of a plurality of temperature measurement objects on which a relationship between an atmospheric temperature and a surface temperature is known, based on the visible light image. - 特許庁

また、雰囲気温度上昇に伴うケース部材１４の温度上昇を軽減することができ、この結果、ケース部材１４の温度上昇に伴うバラストモジュール１３の温度上昇も軽減することができる。例文帳に追加

Moreover, temperature rise of the case member 14 accompanying temperature rise of the atmosphere can be reduced, and as a result, temperature rise of the ballast module 13 accompanying the temperature rise of the case member 14 can be reduced. - 特許庁

カルボン酸ガスの導入後の炉内の温度を上昇させつつ、カルボン酸ガスによる酸化膜の還元温度以上で、かつ半田バンプ１、３の溶融温度未満の温度域にて、炉内を排気して減圧雰囲気とする。例文帳に追加

While the temperature in the furnace after the introduction of the carboxylic acid gas is raised, the furnace is exhausted within a temperature range equal to or higher than a reduction temperature of an oxide film by the carboxylic acid gas and lower than a fusion temperature of the solder bumps 1 and 3 to produce a pressure-reduced atmosphere. - 特許庁

一方、雰囲気温度Ｔｆの検出値が閾値Ｔｓ以上の場合には、定着制御温度を第２設定定着温度（１６５℃）に決定し、ヒートローラの表面温度を１６５℃に制御する。例文帳に追加

On the other hand, in the case the detected ambient temperature Tf is higher than the threshold Ts, the fixation control temperature is decided as a 2nd set fixation temperature (165°C), and the surface temperature of the heat roller is controlled to be 165°C. - 特許庁

線材または撚線導体９は、酸化性雰囲気中で、部分溶解点から５０℃低い温度から２０℃高い温度未満まで、続く徐冷過程を凝固温度以下１０℃まで確保するように温度および搬送速度が制御される。例文帳に追加

The temperature and the transport speed of the wire or twisted wire conductor 9 are controlled to secure a slow cooling process from a temperature 50°C lower than a partial dissolution point to a temperature 20°C higher than it in an oxidizing environment up to 10°C below a condensation temperature. - 特許庁

また、温度補償演算部１８は、所定部位の温度特性を補償するために目標電流値Ｉｔに加算すべき温度補償電流値ΔＩ_Tcを雰囲気温度推定値Ｔａに基づき算出する。例文帳に追加

A temperature compensation arithmetic part 18 calculates a temperature compensation current value ΔI_Tc to be added to a target current value It for compensating a temperature characteristic at a prescribed portion. - 特許庁

ガスコンロで鍋の異常過熱を防止するための接触式の温度測定に代えて赤外線による温度測定とする際に雰囲気温度の変化に対して温度測定を安定化する。例文帳に追加

To stabilize temperature measurement in relation to a variation of an atmospheric temperature on the occasion that the temperature measurement with an infrared ray is adopted in place of contact type temperature measurement for preventing the abnormal overheating of a pan on a gas cooker. - 特許庁

熱電対を用いた温度測定装置において、前記温度測定装置が設置されている雰囲気温度が変化したり、前記装置本体内部で温度変化が発生しても、入力端子（冷接点）と温度補償用センサとの検出温度に差がなく、温度測定誤差を生じない温度測定装置を得る。例文帳に追加

To provide a temperature measuring device using a thermocouple where no temperature measurement error occurs and no detection temperature difference exist between an input terminal (cold contact point) and a temperature compensation sensor even if the temperature in an atmosphere, in which the temperature measuring device is installed, changes or a temperature change occurs inside the device main body. - 特許庁

耐熱温度の高い化合物と、化合物の耐熱温度より低い昇華温度の不純物と、を含む材料を、減圧された不活性ガス雰囲気において耐熱温度以下で加熱して、昇華温度の低い不純物を雰囲気中に拡散させ、材料における不純物の含有率と比較して、不純物の含有率を低減させる。例文帳に追加

A material containing a compound having a high heat-resistant temperature and an impurity having a sublimation temperature lower than the heat-resistant temperature of the compound is heated at the high heat-resistant temperature or lower in an inert gas atmosphere having reduced pressure, the impurity having a low sublimation temperature is diffused into the atmosphere, comparison is made with the content of the impurity in the material, and the content of an impurity is reduced. - 特許庁

配管、容器などの機器の表面温度の測定において、雰囲気温度との温度差が大きく、かつ、保温材の設置が許されない測定対象物に使用しても、雰囲気温度の影響による測定誤差を低く抑えることのできる温度センサーの先端部の機構を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a tip part mechanism of a temperature sensor capable of suppressing low a measurement error caused by an influence of the atmospheric temperature even when used for a measuring object having a large temperature difference with the atmospheric temperature, on which installation of a heat insulating material is not allowed, in measurement of a surface temperature of an apparatus such as piping or a vessel. - 特許庁

ステップ100では、装置の使用環境を示す入力に基づいて、制動制御装置の雰囲気温度を推定し、ステップ300では、推定された雰囲気温度に対応する電磁弁の温度伝達特性に基づいて電磁弁のコイル温度を推定し、ステップ400では、推定コイル温度に応じて電磁弁の出力デューティ比を補正する。例文帳に追加

Atmospheric temperature of the brake control device is estimated in accordance with input showing using circumstances of the device in a step 100, coil temperature of the solenoid valve is estimated in accordance with temperature transmitting characteristics of the solenoid valve corresponding to the estimated atmospheric temperature in a step 300, and an output duty ratio of the solenoid valve is corrected in correspondence with the estimated coil temperature in a step 400. - 特許庁

金属化合物の混合物であって還元性雰囲気中における焼成によりケイ酸塩蛍光体を構成しうる混合物を還元性雰囲気中において焼成を行った後に、酸化性雰囲気中において４００℃以上７００℃以下の温度範囲で熱処理することを特徴とする真空紫外線励起発光素子用ケイ酸塩蛍光体の製造方法。例文帳に追加

In one of the preparation processes of a silicate phosphor for a vacuum UV-excited light-emitting device, after a metal-compound mixture which can constitute a silicate phosphor by calcination in a reducing environment is calcinated in a reducing environment, it is heat-treated in an oxidizing environment in the temperature range from not less than 400°C to not more than 700°C. - 特許庁

また、かかる炭素繊維前駆体用シリコーン油剤を、水を吸収して膨潤状態の糸条に付与した後、１５０〜２００℃の温度で熱処理して得た炭素繊維用前駆体繊維を、２００〜３００℃の酸化性雰囲気において耐炎化した後、３００〜８００℃の不活性雰囲気において予備炭化し、さらに、８００〜１８００℃の不活性雰囲気において炭化する炭素繊維の製造方法である。例文帳に追加

The method for producing carbon fiber comprises applying the silicone oil solution to threads absorbing water and swelling, heat-treating at 150-200°C to obtain a precursor fiber for carbon fiber, flameproofing the precursor fiber at 200-300°C in an oxidizing atmosphere, precarbonizing at 300-800°C in an inert atmosphere and carbonizing at 800-1,000°C in an inert atmosphere. - 特許庁

気相成長法によってｐ型不純物を含むＧａＮ系半導体結晶を成長させた後、その結晶成長温度において、雰囲気を、アンモニアを０．１〜３０ｖｏｌ％の割合で含む冷却用雰囲気に切り替え、該冷却用雰囲気中において前記半導体結晶を冷却する工程を有するｐ型ＧａＮ系半導体の製造方法。例文帳に追加

After a GaN semiconductor crystal containing p-type impurities is grown by a vapor-phase growing method, a process is provided in which, at the crystal growth temperature, an atmosphere is changed to a cooling atmosphere containing ammonia by 0.1-30 vol.%, and the semiconductor crystal is cooled in the cooling atmosphere. - 特許庁

本発明のポリカーボネート繊維の製造方法は、加熱溶融されたポリカーボネートを、ノズル吐出口から３５℃以上前記ポリカーボネートのガラス転移点未満の雰囲気温度で、かつ気体雰囲気中に紡出し、フィラメントを得る。例文帳に追加

The method for producing a polycarbonate fiber includes: spinning a heated and melted polycarbonate from a nozzle outlet in an atmosphere temperature of 35°C or higher and lower than the glass transition point of the polycarbonate into a gas atmosphere to give a filament. - 特許庁

フィッシャートロプッシュ合成によって生成したワックス留分を水素化分解するまでの間貯蔵するタンクの管理方法であって、 前記タンク内を温度９０〜１３０℃に維持するとともに、タンク内の雰囲気を不活性ガス雰囲気下に維持することを特徴とするワックス留分貯蔵タンクの管理方法。例文帳に追加

In this management method for the tank storing the wax fraction generated by Fisher-Tropsh synthesis until hydrocracking the wax fraction, a temperature inside the tank is kept at 90-130°C temperature, and an atmosphere inside the tank is kept under an inert gas atmosphere. - 特許庁

錫含有水酸化インジウムを不活性ガスおよび還元性ガスの雰囲気下で焼成し、大気中に暴露する前に、０℃以上１００℃以下の温度で、水分を含む、不活性ガスおよび／または還元性ガス雰囲気下で所定の時間処理してＩＴＯ粉体を製造する。例文帳に追加

The ITO powder is manufactured by firing tin-containing indium oxide in an atmosphere of an inert gas and reducing gas and processing the same for the prescribed time in the inert gas and/or reducing gas atmosphere including moisture at temperature of ≥0 to ≤100°C prior to exposure into the atmospheric air. - 特許庁

このエアコンユニット21は、レシーバ43から供給された冷媒を気化させることで周囲の雰囲気を冷却するエバポレータ46と、周囲の雰囲気を加熱する電熱ヒータ47とを有し、これらにより温度調整した空調風をキャブ本体14a内に供給する。例文帳に追加

The air conditioning unit 21 has an evaporator 46 for cooling peripheral atmosphere by vaporizing a coolant fed from the receiver 43 and an electric heater 47 for heating the peripheral atmosphere and feeds air-conditioned air temperature-adjusted by these into the cab body 14a. - 特許庁

還元性雰囲気において緻密温度により一次焼成した積層セラミックコンデンサを中性もしくは還元性雰囲気中に熱間静水圧プレス処理を施すことにより、内部電極を引き伸ばすことで空孔を消滅させて、セラミック層との接触面積を回復させる。例文帳に追加

A contact area between the internal electrode and a ceramic layer is regained by hot isostatic pressing, in a neutral or reducing atmosphere, the laminated ceramic capacitor primarily sintered by a densifying temperature in the reducing atmosphere, to extend the internal electrode and eliminate air hole. - 特許庁

圧力が５．０ＭＰａ以上で、温度が１４０℃より高く２００℃よりも低いガス雰囲気中で、かつそのガス雰囲気中に含まれる酸素を用いて炭素−炭素結合からなる骨格を有するポリマーを酸化処理するものである。例文帳に追加

The method comprises oxidizing a polymer having the skeleton comprising the carbon-carbon bond in a gas atmosphere at a pressure of not less than 5.0 MPa and at a temperature higher than 140°C and lower than 200°C, by using the oxygen included in the gas atmosphere. - 特許庁

２以上のガラス体を１０Ｔｏｒｒ以下の雰囲気で徐冷点〜軟化点のいずれかの温度に昇温し融着した後、１００Ｔｏｒｒを越える雰囲気で軟化点〜軟化点＋２５０℃にて成型することを特徴とするＥＵＶリソグラフィ用ガラスの成型方法。例文帳に追加

The method for molding glass for EUV lithography includes heating and fusing two or more vitreous bodies to any temperature between a slow cooling point and the softening point in an atmosphere of 10 Torr or less and then molding them at a temperature between the softening point and the softening point+250°C in an atmosphere exceeding 100 Torr. - 特許庁

スズ含有水酸化インジウムを不活性ガスおよび還元性ガスの雰囲気下で焼成し、大気中に暴露する前に、０℃以上１００℃以下の温度で、水分を含む、不活性ガスおよび／または還元性ガス雰囲気下で所定の時間処理してＩＴＯ粉体を製造する。例文帳に追加

The ITO powder is produced by firing tin-containing indium hydroxide in an atmosphere of an inert gas and a reducing gas, and treating it at a temperature of 0-100°C for a prescribed time under an atmosphere of inert gas and/or reducing gas containing moisture before exposing it in the air. - 特許庁

脱炭素工程４において、炭化物の雰囲気ガス中の二酸化炭素の分圧が５〜３０％の範囲になるように制御することで、白色度を上げようとして雰囲気ガスの温度を上げても、得られる炭酸カルシウムの分解度を抑制することができる。例文帳に追加

In the decarbonizing step 4, the partial pressure of carbon dioxide in the surrounding gas of the carbonized product is controlled to within 5-30%; thereby, the degree of decomposition of the calcium carbonate obtained is suppressed even when the temperature of the surrounding gas is raised in order to increase the whiteness. - 特許庁

回路基板３の半田付けをするリフロー炉１に満たされた雰囲気ガス中に混在するフラックス成分を除去するフラックス回収装置３１において、装置を複雑にせずに済み、雰囲気ガスの温度などを不安定にせずに済むようにする。例文帳に追加

To prevent a flux recovering device 31 which removes a flux component mixed in an atmospheric gas filling up a reflow furnace 1 in which soldering is performed on a circuit board 3 from becoming complicated in constitution and the temperature, etc., of the atmospheric gas from becoming unstable. - 特許庁

加熱チャンバ１４内の雰囲気温度を１００〜１１０℃に調整し、この雰囲気内にそれら液晶表示モジュールＭＬを３０〜１２０分間にわたり載置することにより、異方性導電接着シート１２を未硬化部分を残すことなく充分に硬化させることができる。例文帳に追加

Atmospheric temperature in the heating chamber 14 is adjusted to 100 to 110 °C, and the liquid crystal modules ML are placed in the atmosphere over 30 to 120 minutes, whereby the anisotropic conductive bonding sheet 12 can be cured to the full without leaving a non-cured part behind. - 特許庁

ウェーハを熱処理するに際して、反応管内部を流下する雰囲気ガスに対して、周方向に旋回する動きを与えることで、雰囲気ガスの上下方向の対流を発生させることなく、ウェーハの汚染を防ぎ、かつ又ウェーハの周方向の温度分布を均一にする。例文帳に追加

To prevent the contamination of a wafer and, in addition, to make the temperature distribution of the wafer in the peripheral direction uniform, without causing the vertical convection of the atmospheric gas at heat-treating the wafer by giving peripheral revolving motions to the atmospheric gas which flows down in a reaction tube. - 特許庁

低酸素雰囲気中で、未架橋フッ素樹脂粉末をその融点より高い温度に保持しながらこの未架橋フッ素樹脂粉末を上記低酸素雰囲気のガス流により強制的に浮遊させて個々に分離させた状態で放射線を照射して架橋処理する。例文帳に追加

This production of a powdery crosslinked fluorine resin is to keep a powdery unbridged fluorine resin at a temperature equal to or more than its melting point in a low oxygen atmosphere, forcibly float the powdery resin in a separated state by the gas flow of the low oxygen atmosphere and irradiate the resin with radioactive rays to carry out the crosslinking treatment. - 特許庁

真空雰囲気中で基板４表面にＣＶＤ法によってアモルファスシリコン薄膜を形成した後、その基板４を真空雰囲気中に置いたまま、アモルファスシリコン薄膜を形成したときの温度以上に昇温させ、脱水素処理を行う。例文帳に追加

An amorphous silicon thin film is formed on the surface of a substrate 4 in a vacuum atmosphere by a CVD (chemical vapor deposition) process, thereafter, while placing the substrate 4 in the vacuum atmosphere, the temperature is raised to the one at which the amorphous silicon thin film is formed or above, and dehydrogenation treatment is performed. - 特許庁

雰囲気モデルの温度分布を求めるに際しては、中空部分にワークの周囲と同等の液面高さにまで冷却液が瞬時に流入するものと仮定した上で、中空部分を含めた雰囲気モデルの熱流体解析をワークの浸漬方向の流れに限定して行う。例文帳に追加

If the cooling liquid is instantaneously led to flow into the hollow portion at the same liquid level as the periphery of the workpiece when the temperature distribution of the atmosphere model is found out, the thermal hydraulic analysis of the atmosphere model including the hollow portion is performed limitedly in a flow in a workpiece dipping direction. - 特許庁

不活性雰囲気中又は還元性雰囲気中で、かつ、昇温速度が１０℃／ｍｉｎ以上の条件下において、焼結開始温度が７００℃以上である含窒素複素環化合物または水溶性高分子で表面被覆されたことを特徴とする銅粉である。例文帳に追加

The copper powder is surface-coated with a nitrogen-containing heterocyclic compound or a water-soluble polymer having the sintering-starting temperature of 700°C or higher, which has been baked in an inert atmosphere or a reducing atmosphere at a heating rate of 10°C/min or higher. - 特許庁

半導体基板に、酸化ハフニウム膜などの高誘電体膜を形成した後（ステップＳ１）、この高誘電体膜に対し、温度１００℃から２５０℃程度の低温下でオゾン雰囲気または酸素ラジカル雰囲気に晒すオゾン処理または酸素ラジカル処理を行う（ステップＳ２）。例文帳に追加

A high dielectric film such as a hafnium oxide film is formed on a semiconductor substrate (step S1); then ozone treatment or oxygen radical treatment is performed to the high dielectric film, in which the film is exposed to an ozone atmosphere or an oxygen radical atmosphere at a low temperature of about 100 to 250°C (step S2). - 特許庁

ウエハの熱処理は、Ｏ__2 雰囲気中のＯ_2 ガスの分圧、又はＮ_2 Ｏ雰囲気中のＮ_2 Ｏガスの分圧が２５０Torr以上で、３５０℃以上４５０℃以下の範囲の温度で、かつ６０秒以上３００秒以下の範囲の熱処理時間で行う。例文帳に追加

The heat- treatment is performed under the conditions that the partial pressure of O2 gas with respect to O2 atmosphere or partial pressure of N2O gas with respect to N2O atmosphere is 250 Torrs or higher, the temperature is in the range of 350-450°C, and the heat-treatment time is in the range of 60-300 seconds. - 特許庁

これにより、吸引孔２０から吸引される雰囲気の流量（開口面積×排気ファン１８の能力）は、排気ダクト１６の長手方向に亘り均一となり、筐体１２内での雰囲気に温度むらの発生を防止することができる。例文帳に追加

As a result, the flow rate (an opening area x the capacity of the exhaust fan 18) of the atmosphere sucked from the suction hole 20 is made uniform over the longitudinal direction of the exhaust fan 18 and the occurrence of the temperature unevenness in the atmosphere within the casing 12 may be prevented. - 特許庁

または、前記亜時効処理は、全体の１〜３０容量％の水素を含み、残部が窒素であり、−４０〜−７０℃の範囲の雰囲気露点を備える還元雰囲気下に行い、前記金属リングを４２０〜４８０℃の時効処理温度に２〜３時間保持する。例文帳に追加

Alternatively, the above aging treatment is performed in a reduced atmosphere which contains hydrogen of 1-30 vol.% of a total capacity and the balance nitrogen, and has an atmosphere dew point in a range between -40°C and -70°C, and holds the above metal ring at the aging temperature of 420-480°C for 2-3 hours. - 特許庁

振動板１２は、高分子樹脂に黒鉛微粉末を混合し、薄い円盤状に成形し、不活性雰囲気中、非酸化性雰囲気中、又は真空中で１０００℃以上の温度で焼成して高分子樹脂を炭素化することにより製造される。例文帳に追加

The diaphragm 12 is manufactured by mixing graphite fine powder with a high polymer resin, forming the mixture to be a thin disk, and baking the disk at a temperature of 1,000°C or higher under an inert atmosphere, a non-oxidizing atmosphere or in a vacuum, so as to carbonize the high polymer resin. - 特許庁

および遷移元素及び希土類元素の少なくとも１種とアルミニウムとを含む原料を、窒素を含む雰囲気中で窒化合成させた後、窒素を含む雰囲気中１０５０℃を超える温度で焼成することにより窒化アルミニウム系蛍光体を製造する方法。例文帳に追加

The method for producing the aluminum nitride-based fluorescent substance comprises subjecting a raw material containing at least one kind of the transition element and the rare earth element and further containing the aluminum to nitriding synthesis in an atmosphere containing nitrogen, and then firing the synthesized material at a temperature higher than 1,050°C in an atmosphere containing the nitrogen. - 特許庁

シリコンウェーハに水素ガス、アルゴンガス、あるいはこれらの混合ガス雰囲気中で高温熱処理を施した後、ウェーハ取り出し温度まで降温される降温過程の一部または全部を、窒素ガス含有雰囲気中で２℃／ｍｉｎ以下の速度で降温する。例文帳に追加

After a silicon wafer has been subjected to high-temperature annealing in an atmosphere of hydrogen gas, argon gas or their mixture gas, a process for lowering the temperature down to a wafer take-out temperature is carried out partially or entirely, in an atmosphere containing nitrogen gas at a rate of 2°C/min or lower. - 特許庁

液体状のアクリロニトリルに三塩化硼素を反応させて付加物とし、該付加物をさらに三塩化硼素の雰囲気下で重合させて重合物とした後、不活性ガスの雰囲気中、５００℃以上３０００℃以下の温度で熱処理することを特徴とする炭窒化硼素材料の製造方法。例文帳に追加

In the method for producing a boron carbonitride material, liquid acrylonitrile is reacted with boron trichloride into an adduct, the adduct is further polymerized in an atmosphere of boron trichloride into a polymerized product, and thereafter, the polymerized product is heat-treated at 500 to 3,000°C in an inert gas atmosphere. - 特許庁

また、その製造方法は、冷間圧延途中および最終冷間圧延後の熱処理を、炉内雰囲気が窒素濃度１．０％未満の雰囲気とし、鋼材温度１０５０〜１１５０℃で、１分以内に保持した後、冷却することを特徴とする。例文帳に追加

Here, in the manufacturing method, heat treatment during cold rolling and after a final cold rolling are carried out under a furnace atmosphere with a nitrogen concentration of less than 1.0%, and the steel plate is cooled after keeping it at 1,050 to 1,150°C within one minute. - 特許庁