「ACID CLEANING」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

It is preferable to adjust the content of the perchloric acid and/or periodic acid to 0.001-10 wt.% of the total weight of the cleaning liquid and the adding amount of the quaternary ammonium salt to 0.001-10 wt.% of the total weight of the cleaning liquid.例文帳に追加

塩素酸及び／又は過ヨウ素酸の含量は半導体基板洗浄液全体の重量を基準にして０．００１〜１０重量％、第四級アンモニウム塩の添加は０．００１〜１０重量％が好ましい。 - 特許庁

Primary cleaning using a hydrochloric acid aqueous solution and/or a nitric acid aqueous solution is applied to the interior of the high purity alkaline chemical liquid handling equipment and secondary cleaning using both solutions is applied thereto.例文帳に追加

高純度アルカリ性薬液用の取扱い設備内を塩酸及び／又は硝酸水溶液による一次洗浄を行った後、共液による二次洗浄を行う。 - 特許庁

Cleaning by an alkaline aqueous solution of pH 9.5 or more including no hypochlorous acid and cleaning by an acid aqueous solution of pH 4.0 or less are applied to this artificial dialyzer and a dialyzing fluid line communicating with this dialyzer.例文帳に追加

人工透析装置とこれに連通する透析液ラインに対し、次亜塩素酸を含まないｐＨ９．５以上のアルカリ性水溶液による洗浄と、ｐＨ４．０以下の酸性水溶液による洗浄とを施す。 - 特許庁

To provide a device for circulating/cleaning bathwater, by which the concentration of hypochlorous acid can be lowered without operating a cleaning means even when the concentration of hypochlorous acid exceeded the prescribed value.例文帳に追加

次亜塩素酸濃度が所定の値を上回ってしまっても、浄化手段を操作することなく、次亜塩素酸濃度を低減させることのできる循環式入浴水浄化装置を提供する。 - 特許庁

To provide a corrosion inhibitor for acid cleaning of metal where corrosion inhibiting effect is high when the metal surface is acid-cleaned and variation in corrosion inhibiting rate is small even if the inhibitor concentration varies, and to provide a cleaning method.例文帳に追加

金属表面を酸洗する際、腐食抑制効果が強く、しかも抑制剤濃度が変化しても腐食抑制率の変化が小さい金属の酸洗浄用腐食抑制剤、および洗浄方法を提供する。 - 特許庁

After removing organic substances such as a photoresist film or metallic particles by cleaning the surface of a semiconductor wafer using a sulfuric acid solution containing persulfuric acid produced with a persulfuric acid producing device without performing SPM cleaning, APM cleaning or HPM cleaning, the semiconductor wafer is cleaned with pure water and dried.例文帳に追加

ＳＰＭ洗浄、ＡＰＭ洗浄およびＨＰＭ洗浄を行わず、過硫酸生成装置を用いて生成された過硫酸を含む硫酸溶液を用いて半導体ウエハの表面を洗浄し、フォトレジスト膜などの有機物または金属粒子などを除去した後に、半導体ウエハを純水洗浄し、乾燥させる。 - 特許庁

A sulfuric acid recycle type cleaning system includes a cleaning device 1 to clean an object material to be cleaned with persulfuric acid solution as a cleaning liquid, an electrolytic device 4 to regenerate a persulfuric acid solution by an electrolytic reaction to generate persulfate ion from sulfate ion included in a cleaning waste liquid of the cleaned material, and the above electrolytic processing apparatus 20.例文帳に追加

過硫酸溶液を洗浄液として被洗浄材を洗浄する洗浄装置１と、電解反応により、被洗浄材の洗浄廃液に含まれる硫酸イオンから過硫酸イオンを生成して過硫酸溶液を再生する電解反応装置４と、上記電解処理装置２０を備える硫酸リサイクル型洗浄システムとする。 - 特許庁

The cleaning liquid for removing the cerium oxide is configured including at least one acid selected from a group comprising hydrogen fluoride, hydrochloric acid, nitric acid, sulphuric acid, acetic acid, phosphorous acid, iodin acid and hydrobromic acid, and water, and dissolves and removes the cerium oxide as the cerium ion.例文帳に追加

本発明に係る洗浄液は、酸化セリウムを除去する洗浄液であって、フッ化水素と、塩酸、硝酸、硫酸、酢酸、リン酸、ヨウ素酸及び臭化水素酸からなる群より選択される少なくとも何れか１種の酸と、水とが含み構成され、前記酸化セリウムをセリウムイオンとして溶解させて除去することを特徴とする。 - 特許庁

A method for recovering the phosphorus from the steelmaking slag, includes: a cleaning step for cleaning the steelmaking slag with water in which carbon dioxide is dissolved and removing calcium in the steelmaking slag; an acid extracting step for extracting the phosphorus from the steelmaking slag after cleaning step, using the mineral acid; and a recovering step for neutralizing an acid extract obtained at the acid extracting step and recovering phosphate.例文帳に追加

本発明の製鋼スラグからのリン回収方法は、製鋼スラグを、二酸化炭素を溶解させた水で洗浄し、製鋼スラグ中のカルシウムを除去する洗浄工程と、洗浄工程後の製鋼スラグから鉱酸を用いてリンを抽出する酸抽出工程と、酸抽出工程で得られた酸抽出液を中和してリン酸塩を回収する回収工程とを有する。 - 特許庁

Moreover, the hydrocarbon deposited to the substrate surface can be removed effectively, by cleaning with acid and alkali or cleaning with ultraviolet-ray ozone after organic cleaning of the substrate.例文帳に追加

また、基板を有機洗浄した後、さらに酸やアルカリによる洗浄、あるいは紫外線オゾンによる洗浄を行うことで、基板表面に付着したハイドロカーボンを有効に除去する。 - 特許庁

A method for cleaning an electronic material comprising the steps of: cleaning with ozone water containing an acid and cleaning with ozone water containing an alkali.例文帳に追加

酸を添加したオゾン水で洗浄する酸性オゾン水洗浄工程及びアルカリを添加したオゾン水で洗浄するアルカリ性オゾン水洗浄工程を有することを特徴とする電子材料の洗浄方法。 - 特許庁

Low-scatter water-clear zinc sulfide with reduced metal contamination is prepared by cleaning an inert foil with an acid cleaning method and also cleaning zinc sulfide to reduce metal contamination.例文帳に追加

不活性ホイルを酸クリーニング方法でクリーニングし、かつ硫化亜鉛もクリーニングして金属汚染物質を低減させることにより、金属汚染物質が低減された低散乱無色透明硫化亜鉛が製造される。 - 特許庁

The method for cleaning the sintered metal membrane capable of cleaning the metal membrane by heating at 70-90°C using an aqueous solution containing persulfuric acid or its salt, that is, capable of performing the stationary cleaning is provided.例文帳に追加

また、過硫酸又はその塩を含む水溶液を用いて、７０〜９０℃で加熱洗浄する、定置洗浄することができる焼結金属膜の洗浄方法を提供する。 - 特許庁

An outer peripheral face 2a1 of a raw material 2' is cleaned by one means selected from among acid cleaning, UV cleaning, and ozone cleaning before a printing process of the dynamic pressure generating part by an ink jet system.例文帳に追加

インクジェット方式による動圧発生部の印刷工程の前に、素材２’の外周面２ａ１を、酸洗浄、ＵＶ洗浄、オゾン洗浄の中から選択される一の手段により洗浄する。 - 特許庁

Pure water and acidic cleaning water dissolved with a carboxylic acid are used as the cleaning water, and the washing is carried out with the acidic cleaning water after washing by the pure water, in some of the methods.例文帳に追加

尚、洗浄水としては真水とカルボン酸を添加した酸性洗浄水とがあり、真水で洗浄した後に酸性洗浄水で洗浄する方法もある。 - 特許庁

When the substrate is cleaned by using an ammonium fluoride aqueous solution or a mixed liquid of the ammonium fluoride aqueous solution with hydrofluoric acid as a cleaning liquid, the substrate cleaning time is changed according to the lapse of used time of the cleaning liquid.例文帳に追加

弗化アンモニウム水溶液や弗化アンモニウム水溶液と弗化水素酸との混合液を洗浄液として基板の洗浄を行う際に、洗浄液の使用時間の経過とともに基板の洗浄時間を変化させる。 - 特許庁

The cleaning method includes steps for: cleaning the member which is in contact with an immersion liquid with an alkaline solution, and then cleaning the member with a solution containing a buffered hydrofluoric acid and a hydrogen peroxide.例文帳に追加

洗浄方法は、液浸液体と接する部材をアルカリ溶液で洗浄し、次いで、バッファードフッ酸および過酸化水素を含む溶液で洗浄することを含む。 - 特許庁

Further, the method comprises a first cleaning process of immersing the object to be cleaned made of the fluororesin in a first acid solution to carry out the ultrasonic cleaning in the warming state, and a second cleaning process of immersing the object to be cleaned made of the fluororesin which finishes the first cleaning process in a second acid solution to carry out the ultrasonic cleaning in the warming state.例文帳に追加

さらに、フッ素樹脂製被洗浄物を第一の酸溶液に浸漬して加温状態で超音波洗浄する第１洗浄工程と、該第１洗浄工程を終えた前記フッ素樹脂製被洗浄物を第二の酸溶液に浸漬して加温状態で超音波洗浄する第２洗浄工程とを行う。 - 特許庁

In this surface brush cleaning part, a cleaning liquid containing citric acid supplied from the organic acid supply source CNA and not containing inorganic acids or inorganic alkali is supplied onto the wafer so that deposits with a small particle diameter and metallic contamination is precisely removed by brush cleaning.例文帳に追加

この表面ブラシ洗浄部では、有機酸供給源ＣＮＡから供給されたクエン酸を含み、無機酸および無機アルカリを含まない洗浄液がウエハに供給され、ブラシ洗浄によって粒子径の小さな付着物や金属汚染を精密に除去する。 - 特許庁

In the cathode chamber 33, cleaning solution containing acid is intermittently guided in or cleaning solution containing alkali is guided in after the cleaning solution containing acid is guided in to clean and remove scales, slime generated at and attached to an air cathode or the like as a cause of degradation with time of the power generation efficiency.例文帳に追加

正極室３３に、間欠的に酸を含む洗浄液を導入する、或いは酸を含む洗浄液を導入した後、アルカリを含む洗浄液を導入して、発電効率の経時低下の原因であるエアーカソード等に発生、付着したスケール、スライムを洗浄除去する。 - 特許庁

Single wafer-cleaning treatment is performed at a room temperature (23°C) for about one minute, using mixed liquid among hydrofluoric acid, hydrogen peroxide, hydrochloric acid, and water as a cleaning liquid, when cleaning a semiconductor substrate 1 after formation of a polymetal structure of gate electrode 7 on the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体基板１上にポリメタル構造のゲート電極７を形成した後、半導体基板１を洗浄する際に、洗浄液として、フッ酸と、過酸化水素と、塩酸と、水との混合液を用い、１分間程度、室温（２３℃）中で枚葉洗浄処理を施すようにした。 - 特許庁

A contaminants, such as Cu or the like adhered to a back surface of a silicon wafer 50 is first removed, by cleaning it with an acid solution, and a compound generated on the back surface of the silicon wafer 50, when cleaning with this acid solution is removed by cleaning with pure water mixed with ozone.例文帳に追加

シリコンウェハ５０の裏面に付着しているＣｕなどの汚染物質を最初に酸性溶液による洗浄で除去し、この酸性溶液による洗浄時にシリコンウェハ５０の裏面に発生する化合物をオゾンが混入された純水による洗浄で除去する。 - 特許庁

To provide an alkali cleaning fluid for aluminum alloys which attains corrosion resistance equal or superior to that of an acid cleaning fluid and which is improved in corrosion of equipment, disposal of waste water, and heat energy cost, in which acid cleaning fluids are problematic, and is excellent in production stability.例文帳に追加

酸性洗浄液と同等以上の耐食性を達成して、且つ酸性洗浄液の欠点であった装置腐食性、廃液処理性、熱エネルギーコストの問題を軽減し、且つ、生産安定性に優れたアルミニウム合金のアルカリ洗浄を提供する。 - 特許庁

The cleaning process (treatment S1) of the silicon boat includes a dilute hydrofluoric acid cleaning process (treatment S1-1) cleaning the surface of the silicon boat with dilute hydrofluoric acid; an etching process (treatment S1-2); combined contaminant removal process (treatment S1-3); and a natural drying process (treatment S1-4).例文帳に追加

シリコンボート洗浄工程（処理Ｓ１）は、シリコンボートの表面を希フッ酸で洗浄する希フッ酸洗浄工程（処理Ｓ1-1）と、エッチング工程（処理Ｓ1-2）と、複合汚染物除去工程（処理Ｓ1-3）と、自然乾燥工程（処理Ｓ1-4）とを備える。 - 特許庁

The method for treating the cleaning waste fluid comprises precipitating a resinous material in the waste fluid, by adding an acid or an inorganic acid salt to the cleaning waste fluid which is formed when the radiator is cleaned by the cleaning agent.例文帳に追加

また、当該洗浄剤で前記ラジエーターを洗浄した際に生ずる洗浄廃液に、酸または無機酸塩を添加することにより、当該廃液中の樹脂状物質を沈殿させることを特徴とする洗浄廃液の処理方法を用いる。 - 特許庁

The surface treatment includes cleaning in a surface treating liquid containing at least among thiourea, tetraethylene pentamine, tetraethylene tetramine, mercaptoacetic acid, oxalia acid, ammonium oxalate, and aminocarboxylic acid.例文帳に追加

前記表面処理が、チオ尿素、テトラエチレンペンタミン、テトラエチレンテトラミン、メルカプト酢酸、シュウ酸、シュウ酸アンモニウム、アミノカルボン酸類のうち少なくとも１つを含む表面処理液で洗浄することを特徴とする。 - 特許庁

This cosmetic for cleaning the body comprises an N-acylaspartic acid surfactant consisting essentially of an N-acylapartic acid or its salt and an amino acid, a peptide or its derivative.例文帳に追加

Ｎ−アシルアスパラギン酸またはその塩を主成分とするＮ−アシルアスパラギン酸系界面活性剤とアミノ酸、ペプチドまたはその誘導体とを含有する身体清浄用化粧料。 - 特許庁

The silicon carbide having such a highly clean surface can be obtained by cleaning the surface with an aqueous solution containing hydrofluoric acid, hydrochloric acid or sulfuric acid and hydrogen peroxide solution.例文帳に追加

このような高い清浄度の表面を有する炭化珪素は弗酸、塩酸、又は、硫酸と過酸化水素水を含む水溶液を用いて洗浄することによって得られる。 - 特許庁

To provide a method and apparatus, by which a high-temperature sulfuric acid solution containing persulfuric acid ion in a high concentration can be stably and continuously supplied to a cleaning system or the like using persulfuric acid.例文帳に追加

過硫酸を用いた洗浄システムなどに対し、高濃度の過硫酸イオンを含む高温硫酸溶液を安定して、かつ連続して供給可能な方法および装置を提供する。 - 特許庁

To discharge acid ion water containing hypochlorous acid in the early stage of a start of water passage to clean inside a water discharge pipe and also continuously suitably keep a water amount for sterilization cleaning in response to the concentration of hypochlorous acid.例文帳に追加

通水開始初期に次亜塩素酸を含有する酸性イオン水を吐出させて吐水管内部を洗浄するとともに殺菌洗浄のための水量を次亜塩素酸濃度に応じて常に適切に保つ。 - 特許庁

In this case, the inorganic acid is preferably hydrochloric acid and/or nitric acid, and it is possible to use the cleaning liquid after precipitating for separating the calcium content and heavy metals by circulating, and neutralize the final waste liquid with an alkali.例文帳に追加

珪藻類その他の雑藻類の付着した海苔及び海苔網をアルギン酸ナトリウムを含む無機酸の希薄溶液で洗浄し、洗浄液中に溶存するカルシウム分、重金属類を沈降分離する。 - 特許庁

The cleaning fluid for an ink-jet printer comprises at least a water soluble salt of a hydroxycarboxylic acid, more preferably a water soluble salt of a citric acid or a gluconic acid and limonene, and further comprises as an essential component a surfactant.例文帳に追加

少なくとも、ヒドロキシカルボン酸の水可溶性塩、より好ましくはクエン酸もしくはグルコン酸の水可溶性塩とリモネンを含有し、かつ界面活性剤を含有するインクジェットプリンタ用洗浄液。 - 特許庁

The method for cleaning the aluminum nitride sintered compact is characterized in that the aluminum nitride sintered compact is cleaned by using a detergent containing nitric acid, sulfuric acid, phosphoric acid and ammonium acetate.例文帳に追加

窒化アルミニウム焼結体の洗浄方法は、硝酸、硫酸、リン酸および酢酸アンモニウムを含む洗浄剤を用いて窒化アルミニウム焼結体を洗浄することを特徴とする。 - 特許庁

The method for isolating and refining a DNA or the like comprises interposing a nucleic acid-containing solution with an alkali metal salt to make a nucleic acid corresponding to each of the through holes of an integrated-type monolithic structure adsorbed followed by washing with a cleaning liquid and then eluting the nucleic acid.例文帳に追加

核酸を含有する溶液をアルカリ金属塩を介在させることにより、一体型モノリス構造体の通孔に夫々対応する核酸を吸着させ、洗浄液で洗浄後溶出させる。 - 特許庁

A substrate 1 is treated in a first process A for cleaning with organic alkaline treatment liquid, a second process B for cleaning after the first process by means of organic acid treatment liquid and a third process C for cleaning, after the second process by means of ultrasound cleaning fluid oscillated by ultrasonic wave.例文帳に追加

基板１を有機アルカリ性処理液により洗浄する第１の工程Ａと、第１の工程後に有機酸性処理液により洗浄する第２の工程Ｂと、第２の工程後に超音波で励振した超音波洗浄用流体により洗浄する第３の工程Ｃとによって処理する。 - 特許庁

A manufacturing method of a thermoelectric material includes: a process of preparing fine particles containing a clathrate compound; a first cleaning process of cleaning the fine particles with acid; a second cleaning process of cleaning the fine particles with pure water after the first cleaning process; and a sinter process of sintering the fine particles after the second cleaning process.例文帳に追加

クラスレート化合物を含む微粒子を調製する工程と、前記微粒子に対して酸洗浄を行う第一洗浄工程と、前記第一洗浄工程後の前記微粒子に対して純水洗浄を行う第二洗浄工程と、前記第二洗浄工程後の前記微粒子を焼結する焼結工程とを有する熱電材料の製造方法である。 - 特許庁

To provide an acid cleaning solution for a metallic material capable of suppressing the corrosion of a metallic basic material, and maintaining the removing speed of an oxide film and scale adhered to a metallic material surface in a rapid state without deteriorating the quality of the metallic material surface after acid cleaning, and to provide the acid cleaning method of the metallic material using the same.例文帳に追加

金属素地の腐食を抑制するとともに、酸洗後の金属材表面の品質を低下させることなく、金属材表面に付着している酸化物皮膜およびスケールの除去速度を速い状態で維持する金属材用酸洗浄液、およびこれを用いる金属材の酸洗浄方法を提供する。 - 特許庁

The device for detecting nucleic acid is equipped with a closed flow channel composed of a first flow channel part for communicating a cleaning reagent storage part for storing a cleaning reagent for cleaning a detection part for detecting a nucleic acid with the detection part and a second flow channel part for communicating a pretreatment part for treating a nucleic acid with the detection part.例文帳に追加

核酸検出用デバイスには、核酸を検出する為の検出部を洗浄する為の洗浄用試薬を保管する為の洗浄用試薬保管部を検出部に連通させる第１流路部及び核酸を処理する為の前処理部を検出部に連通させる第２流路部から閉流路が形成されている。 - 特許庁

In the method for producing high-purity terephthalic acid, having a slurrying process, dissolution process, reduction process, crystallization process, separation process, cleaning process and drying process, cleaning waste fluid after cleaning discharged in the cleaning process is kept in a state at ≥120°C and ≤200°C and used as a water solvent in the slurrying process to produce high-purity terephthalic acid.例文帳に追加

スラリー化工程、溶解工程、還元工程、晶析工程、分離工程、洗浄工程、及び乾燥工程を有する高純度テレフタル酸の製造方法において、上記洗浄工程で排出される洗浄後の洗浄排液を、１２０℃以上、２００℃以下の状態を維持させて、上記スラリー化工程の水溶媒として使用して、高純度テレフタル酸を製造する。 - 特許庁

A substrate-cleaning step of the method includes a first cleaning step of heating a compound semiconductor substrate 1, containing impurities of a first conductivity-type to a temperature range of 250°C and lower and etching a surface of the substrate with a gas of hydrochloric acid, and a second cleaning step after the first cleaning step, of subjecting the compound semiconductor substrate etched with the hydrochloric acid gas to a radical hydrogen treatment.例文帳に追加

第１導電型不純物を含む化合物半導体基板１の温度を２５０℃以下の温度域に加熱にしてその表面を塩酸ガスでエッチングする第１クリーニング工程と、第１クリーニング工程の後、塩酸ガスでエッチングされた化合物半導体基板に対してラジカル水素処理を行う第２クリーニング工程と、を含む基板クリーニング工程を備える。 - 特許庁

The car body cleaning agent comprises at least one chemical agent selected from a fatty acid ester, a polyethylene glycol fatty acid ester, and a fatty acid soap derived from a recycled fatty acid using a waste edible oil as an original resource.例文帳に追加

車体クリーン化剤を、廃食用油を源資とするリサイクル脂肪酸由来の脂肪酸エステル、ポリエチレングリコール脂肪酸エステル及び脂肪酸石鹸の中から選ばれた少なくとも一種の薬剤を含んでなるものとする。 - 特許庁

Thus, the present invention includes a step (S104) for eliminating the surface oxide film by cleaning the surface of the silicon core wire with a hydrofluoric acid solution following the step for eliminating processing strain of the surface by etching the silicon core wire using a mixed acid solution of hydrofluoric acid and nitric acid.例文帳に追加

そこで、本発明では、シリコン芯線をフッ酸と硝酸の混酸溶液でエッチングして表面の加工歪みを除去する工程に続いて、シリコン芯線の表面をフッ酸溶液で洗浄して表面酸化膜を除去する工程（Ｓ１０４）を備える。 - 特許庁

To provide a method for separating and purifying a nucleic acid by adsorbing a nucleic acid in a biomaterial on a solid-phase surface, cleaning and then eliminating a nucleic acid, with which more biomaterials are treated without prolonging a treatment time for obtaining a solution to adsorb nucleic acid on a solid phase.例文帳に追加

生体材料中の核酸を固相表面に吸着させた後、洗浄等を経て脱離させて核酸を分離精製する方法において、固相に核酸を吸着させる溶液を得るための処理の時間を長くすることなく、より多くの生体材料を処理する方法を提供する。 - 特許庁

The acid cleaning composition is obtained by adding a corrosion inhibitor composition, containing at least one anionic surfactant represented by formula (1) and an organic sulfur compound, at least one anionic surfactant represented by formula (1) and the organic sulfur compound of 1-10,000 mg, respectively, to the acid cleaning solution of 1 L containing at least one of an inorganic acid and an organic acid.例文帳に追加

化１に示すアニオン系界面活性剤の少なくとも１種と、有機硫黄化合物とを含む腐食抑制剤組成物および化１に示すアニオン系界面活性剤の少なくとも１種および有機硫黄化合物をそれぞれ１〜１００００ｍｇを、無機酸および有機酸の少なくとも１種を含む酸洗浄液１Ｌに、添加した酸洗浄液組成物。 - 特許庁

To provide a method for separately measuring a hydrofluoric acid concentration and an organic acid concentration in a mixed fluid of a hydrofluoric acid and an organic acid to prevent fine particles or metal impurity from remaining on a wafer surface or the like when cleaning a plurality of semiconductor wafers using the mixed fluid of the hydrofluoric acid and the organic acid.例文帳に追加

フッ酸と有機酸との混合液中のフッ酸濃度および有機酸濃度の双方をそれぞれ別々に測定する方法を提供し、フッ酸と有機酸との混合液を用いて複数枚の半導体ウェーハに対し洗浄処理を行った場合におけるウェーハ表面等への微粒子や金属不純物の残留を安定して抑制する。 - 特許庁