「Activation layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

Reducer is adsorbed by the reducer adsorption layer 20B at temperature lower than catalyst activation temperature and NOx conversion rate during the catalyst is not activated is improved by reducing and converting NOx desorbing from NOx adsorption layer 20B in addition to NOx in exhaust gas at temperature not lower than catalyst activation temperature.例文帳に追加

そして、触媒活性温度未満のときには、ＮＯｘ吸着層２０ＢでＮＯｘを吸着する一方、触媒活性温度以上のときには、排気中のＮＯｘに加え、ＮＯｘ吸着層２０Ｂから離脱したＮＯｘを還元浄化することで、触媒未活性時におけるＮＯｘ浄化率を向上させる。 - 特許庁

This surface emission semiconductor laser includes a first mirror 102, an activation layer 103 formed above the first mirror 102, and a second mirror 106 formed above the activation layer 103, wherein at least any one of the first mirror 102 and the second mirror 106 has a VBG (Volume Bragg Grating) 180.例文帳に追加

本発明に係る面発光型半導体レーザは，第１ミラー１０２と、第１ミラー１０２の上方に形成された活性層１０３と、活性層１０３の上方に形成された第２ミラー１０６と、を含み、第１ミラー１０２および第２ミラー１０６のうちの少なくとも一方は，ＶＢＧ（Volume Bragg Grating）１８０を有する。 - 特許庁

The recombination life time of the epitaxial layer or the SOI layer is obtained by employing a first recombination life time measured after applying a first surface non-activation process with respect to the wafer, and a second recombination life time measured after applying a second surface non-activation process with respect to the wafer after measuring the first recombination life time.例文帳に追加

エピタキシャル層またはSOI層の再結合ライフタイムを、前記ウェーハに対して第一の表面不活性化処理を行った後に測定される第一の再結合ライフタイムと、前記第一の再結合ライフタイム測定後のウェーハに対して第二の表面不活性化処理を行った後に測定される第二の再結合ライフタイムを用いて求める。 - 特許庁

When the activation solution like ozone water is injected to the thin resin layer, a silicone resin or a modified silicone resin forming the thin layer is oxidized (activated) by active oxygen in atom state, and modified to an adhesive layer 14 with expressed adhesion.例文帳に追加

薄膜樹脂層にオゾン水などの活性化溶液が噴射されると、原子状の活性酸素が薄膜樹脂層を構成するシリコーン樹脂や変性シリコーン樹脂が酸化（活性化）され、接着性が発現した接着層１４に改質される。 - 特許庁

An FD-SOI having a thin-film buried oxide film layer is used, a lower-layer semiconductor region of the thin-film buried oxide film layer serves as a back gate, and in a logic circuit block, a voltage of the back gate is controlled from outside the block for a logic circuit with a light load in accordance with block activation.例文帳に追加

薄膜埋め込み酸化膜層を持つＦＤ−ＳＯＩを使用し、薄膜埋め込み酸化膜層の下層半導体領域をバックゲートとし、論理回路ブロックにおいてブロック中の負荷の軽い論理回路にはバックゲートの電圧をブロック活性化に合わせてブロック外から制御する。 - 特許庁

To provide a growth method of a semiconductor layer which can raise the doping amount (activation rate of Zn) at a saturation point of Zn when a p-type AlGaInP semiconductor layer is made to grow, and a manufacturing method of a semiconductor light emitting element wherein the growth method of the semiconductor layer is used.例文帳に追加

ｐ型のＡｌＧａＩｎＰ系半導体層を成長させるときのＺｎの飽和点におけるドーピング量（Ｚｎの活性化率）を上げることができる半導体層の成長方法と、この半導体層の成長方法を用いた半導体発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

Thus, the impurity layer is continuously irradiated with the pulses 10a and 10b so that effects similar to those to be obtained when the impurity layer is irradiated with a simple pulse whose half width is long can be obtained, and that high activation rate can be realized from the shallow region to deep region of the impurity layer.例文帳に追加

このようにパルス１０ａ，１０ｂを連続して不純物層に照射することにより、半値幅の長い単パルスを不純物層に照射したのと同様の効果が得られ、不純物層の浅い領域から深い領域まで高活性化率を実現できる。 - 特許庁

Use of active nitrogen enables the reduction of the growing temperature necessary for the growth of the nitride semiconductor layer 2 because there is no need for thermal activation of nitrogen species.例文帳に追加

活性窒素を用いれば、窒素種を熱活性化する必要がないため、窒化物半導体層２の成長に必要な成長温度を下げることができる。 - 特許庁

The electric double layer capacitor has an electrode formed using a porous carbon material obtained by heat treating an easy graphitization carbon material together with carbonic acid alkali salt, and field activation is carried out after assembling the cells.例文帳に追加

電気二重層キャパシタは、易黒鉛化性炭素材料を炭酸アルカリ塩とともに熱処理して得られる多孔質炭素材を電極材料に用いて形成した電極を有し、セル組み立て後に電界賦活したものである。 - 特許庁

The laminate is subjected to activation annealing to make the silicon film 221P integral with the silicon film 222A to form a polycrystalline silicon layer 22P in the gate trench 20 (step F).例文帳に追加

次に，活性化アニール処理を行うことで，シリコン膜２２１Ｐとシリコン膜２２２Ａとを一体化させ，ゲートトレンチ２０内に多結晶のシリコン層２２Ｐを形成する（Ｆ）。 - 特許庁

To provide a method for the production of a porous carbon material having high electrical capacitance and high energy density and suitable as an electrode material for an electric double layer capacitor by an industrially applicable alkali activation method.例文帳に追加

アルカリ賦活法により工業的にも実施しうる方法であり、電気二重層キャパシタ用電極材料として好適な、静電容量が高く、高エネルギー密度の多孔質炭素材料を得る方法の提供。 - 特許庁

If a photocatalyst-containing layer is formed on the surface H of a lower frame material 1, the surface becomes hydrophilic by activation of the photocatalyst, so that a pollutant hardly attaches thereto and is easily cleaned by rain water.例文帳に追加

下枠材１の表面Ｈに光触媒含有層を形成すれば、光触媒の活性化作用によりその表面は親水化されて、汚染物質が付着しにくく且つ雨水により容易に洗浄される。 - 特許庁

The activation temperature is kept by heat produced by the electric resistance of a stainless steel with current used for the plating pre-treatment including the formation of the nickel layer to make the cost low.例文帳に追加

しかも前記活性化処理温度は前記ニッケル層の形成を含むめっき前処理で使用される電流とステンレス鋼材の電気抵抗による発熱により付与できるので低コストである。 - 特許庁

To suppress warpage of a semiconductor wafer when an impurity activation layer is formed on the backside thereof in a process for fabricating a semiconductor device consisting of a vertical semiconductor element.例文帳に追加

縦型の半導体素子からなる半導体装置の製造方法において、半導体ウェハの裏面側に不純物活性化層を形成する際、半導体ウェハの反りを抑制する。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device which comprises an ohmic electrode having a high impurity activation rate and high electron mobility and having small contact resistance and small parasitic resistance in a contact layer.例文帳に追加

コンタクト層における不純物活性化率及び電子の移動度が高く、コンタクト抵抗及び寄生抵抗が小さいオーミック電極を備えた半導体装置を実現できるようにする。 - 特許庁

In the trench 14, thin silicon oxide films 15B are formed in a region to be a transistor activation region on the N-type semiconductor layer 12.例文帳に追加

トレンチ１４において、Ｎ−型半導体層１２のうちトランジスタの活性化領域となる領域には薄いシリコン酸化膜１５Ｂが形成される。 - 特許庁

(a)A target value is set of activation depth of a semiconductor substrate in which impurities are added to a surface layer part used for manufacturing an IGBT or a MOSFET.例文帳に追加

（ａ）ＩＧＢＴまたはＭＯＳＦＥＴの製造に用いられる、表層部に不純物が添加された半導体基板の活性化深さの目標値を決定する。 - 特許庁

To provide an epitaxial wafer for a hetero bipolar transistor, in which the activation rate of carbon added to a base layer as a p-type impurity is high.例文帳に追加

ベース層へｐ型不純物として添加した炭素の活性化率の高いヘテロバイポーラトランジスタ用エピタキシャルウエハおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To activate carbon contained in a semiconductor layer at high activation rate and to form a tunnel-junction of high tunnel current peak density, so as to manufacture a multi-junction solar cell of high efficiency.例文帳に追加

半導体層中の炭素を高い活性化率で活性化し、トンネルピーク電流密度の高いトンネル接合を形成し、エネルギ変換効率の高い多接合型太陽電池を製造する。 - 特許庁

The film substrate 34, onto which the wiring pattern is formed, is peeled from the film carrier tape 64 by conducting the irradiation of ultraviolet rays and the irradiation or heating of activation energy rays to the adhesive layer 66.例文帳に追加

そして、粘着層６６に対して、紫外線の照射、活性エネルギー線の照射、または加熱を行って、配線パターンが形成されたフィルム基板３４をフィルムキャリアテープ６４から剥離する。 - 特許庁

The monotone function is used as an activation function of a first neuron group N1 and 2r pieces of neurons 11-1r and 21-2R structuring a second neuron group N2 included in an input layer 1 of the recurrent neural network.例文帳に追加

このリカレントニューラルネットワークの入力層１に含まれる第１のニューロン群Ｎ１と第２のニューロン群Ｎ２とを構成する２ｒ個のニューロン１１〜１ｒと２１〜２Ｒの活性化関数として単調関数を用いる。 - 特許庁

By performing annealing treatment for the activation of impurities at a low temperature (500 to 650°C), the impurities in the crystal disturbed layer is activated, but the impurities at positions deeper than this are not activated.例文帳に追加

不純物を活性化させるためのアニール処理の条件を低温（５００℃〜６５０℃）にすることによって、結晶状態が乱された領域内の不純物は活性化するが、それより深い位置にある不純物は活性化しない。 - 特許庁

Because the silver coated stainless steel is manufactured by a conventional method except the activation treatment of the nickel layer at 40-90°C for ≥3 sec, high productivity is attained.例文帳に追加

前記銀被覆ステンレス条は前記ニッケル層に４０〜９０℃の温度で３秒以上保持する活性化処理を施す以外は常法により製造できるので生産性に優れる。 - 特許庁

Consequently, the oxygen storing and discharging power is enhanced and the purification rate is remarkedly increased as the catalyst coating layer is easily heated by the exhaust gas and reaches an activation temperature in a short time.例文帳に追加

したがって酸素吸蔵放出能が向上するとともに、排ガスにより触媒コート層が加熱されやすくなって短時間で活性化温度に到達するため、浄化率が格段に向上する。 - 特許庁

The CNT paste layer is printed on the cathode electrode 12 by a screen stencil method, and this CNT paste is calcined and applied surface activation to make an emission chip 13.例文帳に追加

カソード電極１２の上に、スクリーン印刷法により本発明のＣＮＴペースト層を印刷し、このＣＮＴペーストをエミッションチップ１３とするための焼成および表面活性化が施される。 - 特許庁

To provide a raw-material coal composition to form an electric double-layer capacitor which simultaneously attain high level electrostatic capacitance and internal resistance by sufficiently increasing a specific area of an electrode material after the activation process.例文帳に追加

賦活処理後の電極材の比表面積を十分に増加せしめ、高水準の静電容量と内部抵抗とが同時に達成された電気二重層キャパシタを製造することが可能な原料炭組成物を提供すること。 - 特許庁

Heat treatment for activation is performed under a state where the n^-type epitaxial layer 2, the source region 4 and the drain region 5 are covered with the silicon oxide film 6.例文帳に追加

そして、シリコン酸化膜６によってｎ^-型エピ層２、ソース領域４及びドレイン領域５を覆った状態で活性化のための熱処理を行う。 - 特許庁

To provide a transistor substrate for a liquid crystal display device preventing damage of a gate electrode when carrying out ion implantation in source/drain are of an active layer, and carrying out activation by irradiation of a laser beam.例文帳に追加

アクティブ層のソース／ドレイン領域にイオン注入を行い、レーザビームの照射による活性化を行う際に、ゲート電極の損傷を防止する液晶表示装置用トランジスタ基板を提供する。 - 特許庁

To provide a process for fabricating a semiconductor device capable of generating a high density laser light required for crystallization of a semiconductor layer or activation of impurities while reducing the size of a lens group disposed at the outlet of optical fibers.例文帳に追加

光ファイバの出口に設けられるレンズ群の小型化を図りながら、半導体層の結晶化や不純物の活性化などに必要な高密度のレーザ光を得ることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To solve the problem that it is difficult to increase an activation rate of impurities in a field stop layer formed in a region ≥1 μm deep from a backside surface of a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板の裏側の表面から深さ１μｍ以上の深い領域に形成されるフィールドストップ層の不純物の活性化率を高めることが困難である。 - 特許庁

A layer of thermal activation or a pressure sensitive adhesive is arranged between the patch and each segment, and thereby, the patch and each segment are mechanically further jointed during the reflow of the solder.例文帳に追加

熱活性化または感圧接着剤の層がパッチと各セグメントとの間に配置され、はんだのリフロー中にパッチと各セグメントとを機械的に更に結合する。 - 特許庁

Therefore the n^+ type source region 4 is moved in the activation annealing step, in addition to the rounding processing of the trench 6, thereby an n-type high concentration layer is prevented from being formed on the bottom of the trench 6.例文帳に追加

これにより、トレンチ６の丸め処理時に加えて、活性化アニール工程の際にｎ^+型ソース領域４が移動することでトレンチ６の底部にｎ型高濃度層が形成されることを防止できる。 - 特許庁

To provide an electrode active material for an electric double-layer capacitor having high capacitances per unit volume and unit mass at a low cost even without carrying out activation treatment.例文帳に追加

賦活処理を施さなくとも、単位体積および単位質量当たりの静電容量が高くて安価な電気二重層キャパシタ用電極活物質を提供する。 - 特許庁

The sinusoidal wave function is used as an activation function of q pieces of neurons 31-3q structuring a third neuron group N3 included in an intermediate layer 3.例文帳に追加

また中間層３に含まれる第３のニューロン群Ｎ３を構成するｑ個のニューロン３１〜３ｑの活性化関数として正弦波関数を用いる。 - 特許庁

Since a circular insulation layer by air is formed by the void part 16 surrounding the inside part 11b of the exhaust gas inflow surface 11, the catalytic carrier 10 can be heated to the catalyst activation temperature in early stage after the internal-combustion engine is started.例文帳に追加

排気ガス流入面１１の内側部１１ｂを囲む空隙部１６によって空気による環状の断熱層が形成され、内燃機関始動後早期に触媒担体１０を触媒活性温度まで昇温させることができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor element which has a p-type group III nitride-based compound semiconductor layer of low resistance with an improved activation rate of p-type dopant and is superior in stability and durability of operation, and to provide its manufacturing method at a low cost.例文帳に追加

ｐ型ドーパントの活性化率が向上した低抵抗のｐ型ＩＩＩ族窒化物半導体層を有する、動作の安定性と耐久性とに優れた、半導体素子及びその製造方法を低コストで提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a backside illumination type imaging device forming an impurity semiconductor layer on a semiconductor detection element by an activation heat treatment.例文帳に追加

活性化熱処理により半導体検出素子上に不純物半導体層を形成することが可能な裏面照射型撮像素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

In a layer below the TCP/IP on the data transmission side (ACK receiving side), a plurality of received duplicate ACKs are put together into one before being notified to the TCP/IP, thereby suppressing the activation of wasteful retransmission processing.例文帳に追加

データ送信側（ＡＣＫ受信側）のＴＣＰ／ＩＰより下のレイヤーで、受信した複数のＤｕｐｌｉｃａｔｅ ＡＣＫを１つにまとめて、ＴＣＰ／ＩＰに通知し、無駄な再送処理の起動を抑える。 - 特許庁

To suppress the activation of wasteful retransmission processing in a second layer network environment without changing the TCP/IP protocol stack, thereby preventing data transfer rates from decreasing.例文帳に追加

ＴＣＰ／ＩＰプロトコル・スタックを変更なしに、第２層ネットワーク環境における無駄な再送処理の起動を抑え、データ転送速度の低下を防ぐ。 - 特許庁

Firm anchor effect by the infiltration and fullness of a coating liquid owing to activation and porousness by the reduction and connection between the steel and the reduced layer or the like supports the coating with tight adhesion.例文帳に追加

還元による活性化と多孔質により塗装液の浸透・充満と、鋼と還元層の連接等による強固なアンカー効果が密着性の強固な塗装を支える。 - 特許庁

To provide an electric double-layer capacitor, which promotes electrical activation and has a large capacity per unit volume, and a method for manufacturing it.例文帳に追加

本発明は電気的賦活を促進し単位体積当たりの静電容量が大きい電気二重層コンデンサ及びその製造方法を提供することを目的としている。 - 特許庁

Such a tool member forms an intermediate layer on a base material surface, and forms the silicon-containing amorphous carbon film having an atomic ratio of Si_0.03 to 0.25C_0.30 to 0.75H_0.22 to 0.50 by using a plasma CVD (chemical vapor deposition) after applying activation processing.例文帳に追加

このような工具部材は基材表面に中間層を形成し、活性化処理を施した後、プラズマＣＶＤを用いて原子比率がＳｉ_0.03_〜_0.25Ｃ_0.30_〜_0.75Ｈ_0.22_〜_0.50である珪素含有非晶質炭素膜を形成する。 - 特許庁

To provide a thermal activation device capable of suppressing the conveyance of a seat material in a meandering manner when a heat-sensitive adhesive layer is asymmetrically thermal-activated with respect to the center line in the width direction of the seat material.例文帳に追加

シート材の幅方向の中心線に対して感熱性粘着層を非対称に熱活性化する際に、シート材が斜行して搬送されることを抑制する。 - 特許庁

To realize a heat activation method and device for a heat-sensitive pressure-sensitive adhesive sheet which can improve a reliability at the time of making adhesive a heat-sensitive pressure-sensitive adhesive layer, and to realize a printer equipped with the device.例文帳に追加

感熱性粘着剤層の粘着化を行う際の信頼性を向上させることのできる感熱性粘着シートの熱活性化方法および装置と該装置を備えたプリンタを実現する。 - 特許庁

Because a deposition condition of the carbon cap 6 is a condition that does not roughen the surface of the processing object 8, the activation layer 11 without surface roughness can be obtained.例文帳に追加

カーボンキャップ６の成膜条件が処理対象物８の表面を荒らさない条件なので、表面荒れのない活性化層１１が得られる。 - 特許庁