「C-stage」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

By arranging a swing center C of a stage 16 of the turn radiation part 12 in between the center of centroid M1 of the turn radiation part 12 and the center of centroid M2 of a transmitter receiver 14, the center of centroid M of the stage 16 is put close to the swing center C.例文帳に追加

回転輻射部１２の台座部１６の揺動中心Ｃを、回転輻射部１２の重心Ｍ１と送受信機１４の重心Ｍ２との間に配置することで、台座部１６の重心Ｍと揺動中心Ｃとを近づける。 - 特許庁

Alternatively, the chemical conversion treatment method comprises: a stage of dipping the base material into a treatment solution heated at 50 to 75°C for 5 to 10 s; and a stage of subjecting the base material after the dipping to hot water washing at 60 to 65°C.例文帳に追加

５０〜７５℃の処理溶液に基材を５〜１０秒間浸漬する工程と、浸漬後の基材を６０〜６５℃で湯洗する工程とを含む化成処理方法。 - 特許庁

Silica is heated, kept at 150-400°C for ≥3 hr as the first heating stage and then retained at 1100-1300°C for ≥1 hr as the second heating stage.例文帳に追加

シリカを加熱し、第１加熱段階として１５０℃〜４００℃の温度範囲に３時間以上保持した後、第２加熱段階として１１００℃〜１３００℃の温度範囲に１時間以上保持する。 - 特許庁

Before mounting a sealed substrate 1 on which cutting portion patterns are previously aligned on an alignment stage B formed on the substrate cutting device independently of a cutting stage C to the cutting stage C, the prescribed number of markers 6 is searched, the sealed substrate 1 is mounted on the cutting stage C and then the sealed substrate 1 is cut off along the cutting portions 4 to separately form individual packages 5.例文帳に追加

基板の切断装置を用いて、切断ステージＣとは別に該装置に設けたアライメントステージＢで、切断部位パターンを予めアライメントされた封止済基板１を、切断ステージＣへ装着する前に、所要数の標識６を探知してから、切断ステージＣに封止済基板１を装着して切断部位４に沿って封止済基板１を切断して個々のパッケージ５を分離形成する。 - 特許庁

Since the beam does not move on the major surface of the first stage lens 15, the beam can be adjusted to pass the center C of both the first stage lens 15 and the second stage lens 19 by single operation.例文帳に追加

このとき、一段目のレンズ１５の主面上ではビームは動かないので、１回の操作でビームを一段目のレンズ１５と二段目のレンズ１９の両方の中心Ｃを通るように調整できる。 - 特許庁

Moreover, the equipment 1 includes a cell placing stage 3 which arranges and places a plurality of the solar battery cells (c), and a cell transfer mechanism 18 which transfers a plurality of the solar battery cells (c) all together which are placed on the cell placing stage 3, to the connecting stage 10.例文帳に追加

さらに，複数枚の太陽電池セルｃを並べて載置させるセル載置ステージ３を備え，前記セル載置ステージ３に載置された複数枚の太陽電池セルｃを接続ステージ１０に一括して搬送するセル搬送機構１８を備えた。 - 特許庁

A cascade capacitor C including a high-stage-side (the outside of the refrigerating device) evaporator 4 and a low-stage side (the inside of the device) condenser 6 is shared, and high-stage side circulation circuit A and a low-stage side circulation path B are formed, thus composing a cascade- type binary refrigerating circuit.例文帳に追加

高段側（庫外）蒸発器４と低段側（庫内）凝縮器６とを含むカスケードコンデンサＣを共通として、高段側循環回路Ａと低段側循環経路Ｂとを形成することでカスケード方式の二元冷凍回路を構成する。 - 特許庁

A can body C is held at a transport mechanism 5, transporting can bodies C in and out from an inspection stage (a processing stage), by rotary pedestals 13 situated in a plurality of spots on an outer periphery, and a turret 12 (a first turret) on the transportation side to transport, in order, the can bodies C through rotation in a peripheral direction.例文帳に追加

缶胴Ｃの検査ステージ（処理ステージ）への搬入及び搬出を行う搬送機構５に、外周の複数箇所に設けられる回転台座１３で缶胴Ｃを保持し、周方向に回転することで缶胴Ｃを順次搬送する搬送側ターレット１２（第一のターレット）を設ける。 - 特許庁

Regarding its production method, in the final heat treatment stage, the cooling rate from ≥750 to 550°C is controlled to ≥1°C/s and the cooling rate at ≤550°C is controlled to ≥1°C/s, or holding is performed in the temperature range of ≤550 to ≥300°C for ≥10s.例文帳に追加

その製造方法としては、最終の熱処理工程において７５０℃以上から５５０℃までの冷却速度を１℃／秒以上とし、５５０℃以下の冷却速度を１℃／秒以上とするか５５０℃以下３００℃以上の温度域で１０秒以上保持することを特徴とする。 - 特許庁

In the second-stage cooling, the steel is rapidly cooled so that the average steel temperature falls within the range of from (Ar_3-120)°C to 300-650°C at an average steel cooling rate of not less than 10°C/sec.例文帳に追加

第２段冷却として、鋼材平均温度が（Ａｒ_３−１２０）℃以上から３００℃以上６５０℃以下の範囲まで鋼材平均冷却速度１０℃／秒以上で急冷する。 - 特許庁

Subsequently, the molten product is casted on a die into a plate-like shape while cooling to a temperature lower than the solidus temperature of the aluminum alloy by at least 10°C at a cooling rate of equal to or greater than 150°C/sec and less than 10000°C (a casting stage).例文帳に追加

次いで、アルミニウム合金の固相線温度より少なくとも１０℃低い温度まで溶湯を冷却速度１５０℃／ｓｅｃ以上かつ１００００℃／ｓｅｃ未満で冷却しつつ鋳型によって板状に鋳造する（鋳造工程）。 - 特許庁

Two or more board materials are laminated on the same metal foil in a lamination process, or two or more B stage-conditioned board materials are laminated on the same C stage-conditioned board material in a lamination process, or two or more C stage-conditioned board materials are laminated on the same B stage-conditioned board material making their specific parts abut against each other in a lamination process.例文帳に追加

積層工程において同一の金属箔に対して２枚以上の基板材料を積層するもしくは、積層工程において同一のＣステージ状態基板材料に対して２枚以上のＢステージ状態基板材料を積層するあるいは、積層工程において同一のＢステージ状態基板材料に対して２枚以上のＣステージ状態基板材料を特定部位で互いに当接して積層する構成とする。 - 特許庁

Two or more substrate materials are stacked for an identical metallic foil in a lamination step, or two or more B-stage status substrate materials are stacked for an identical C-stage status substrate material in a lamination step, or two or more C-stage status substrate materials are stacked for an identical B-stage status substrate material in a lamination step.例文帳に追加

積層工程において同一の金属箔に対して２枚以上の基板材料を積層するもしくは、積層工程において同一のＣステージ状態基板材料に対して２枚以上のＢステージ状態基板材料を積層するあるいは、積層工程において同一のＢステージ状態基板材料に対して２枚以上のＣステージ状態基板材料を積層する構成とする。 - 特許庁

Whenever color shift correction processing succeeds continuously a plurality of times, a CPU40 reduces the density D of toner images for correction TMn_Y, TMn_C, TMn_M and TMn_K by one stage, thereby reducing the toner amount required for forming the toner images for correction TMn_Y, TMn_C, TMn_M and TMn_K.例文帳に追加

色ずれ補正処理が連続して複数回成功する毎にＣＰＵ４０が補正用トナー画像ＴＭｎ_Y，ＴＭｎ_C，ＴＭｎ_M，ＴＭｎ_Kの濃度Ｄを１段階ずつ薄くしていくことにより、補正用トナー画像ＴＭｎ_Y，ＴＭｎ_C，ＴＭｎ_M，ＴＭｎ_Kの形成に要するトナー量を削減することができる。 - 特許庁

The first oxidation treatment stage is performed by heating at a temperature in the range of 350 to 600°C, or wet oxidation treatment in a hydrogen peroxide solution.例文帳に追加

第１の酸化処理工程は、３５０〜６００℃の範囲の温度で加熱するか、過酸化水素水中で湿式酸化処理する。 - 特許庁

Stage C: The photosensitive resin layer is UV-irradiated from the substrate 11 side to cure the photosensitive resin 16.例文帳に追加

Ｃ工程：感光性樹脂層に対して、紫外線を基板１１側から照射し、その感光性樹脂１６を硬化させる。 - 特許庁

The second stage gas-liquid separation tank 24 connects the gas outlet (c) thereof with the way D of the outlet side piping of the piping 1 via the communication pipe 7.例文帳に追加

２段目の気液分離タンク２４は、連通管７を介してそのガス出口ｃを配管１の出口側配管の途中Ｄに連結する。 - 特許庁

In the preparation process, the cryoprecipitate is washed with polyethylene glycol at 4 to 10°C and pH 6.8 to 8 at low ionic strength prior to two-stage freeze drying.例文帳に追加

製造方法では、寒冷沈降物は、二段階冷凍乾燥前に、低イオン濃度で、４〜１０℃、ｐＨ6.8〜８で、ポリエチレングリコールで洗浄される。 - 特許庁

Further, the coordinates (cx, cy) of the rotation center C in the stage are calculated using the rotation angle dT and the coordinates of the points, a1, a2, b1, b2.例文帳に追加

さらに、回転角度ｄＴと点ａ１，ａ２，ｂ１，ｂ２の座標とを用いてステージの回転中心Ｃの座標（ｃｘ，ｃｙ）を算出する。 - 特許庁

The gas-liquid separation tank 14 connects a gas outlet (c) thereof with the gas inlet (a) of the second stage blender 21 via a communication pipe 6.例文帳に追加

気液分離タンク１４は、連通管６を介してそのガス出口ｃを２段目の混合器２１のガス入口ａに連結する。 - 特許庁

Pre-stage wavelength converters 7, 8 respectively apply wavelength conversion to the signal light by each of S, L bands obtained from the optical demultiplexer 3 into the signal light with the C band.例文帳に追加

前置波長変換器７，８は、分波器３から得られたＳ，Ｌバンド毎の信号光を、Ｃバンドの信号光にそれぞれ波長変換する。 - 特許庁

A semiconductor device 2 is mounted on a heating stage 6 and the temperature of the semiconductor device 2 is set at 60°C or above but lower than the melting point of solder.例文帳に追加

半導体装置２を加熱ステージ６の上に載置し、半導体装置２の温度を６０℃以上、はんだの融点よりも低く設定する。 - 特許庁

Thereafter, the substrate having these multi-layered films is mounted in a plasma etching chamber and a stage temperature is set to about 310°C.例文帳に追加

その後、これらの多層膜を有する基板２がプラズマエッチングチャンバ内に載置され、ステージ温度を３１０℃程度に設定する。 - 特許庁

A polyethylene film 12 is bonded on a glass slide face at the stage that a surface temperature is sufficiently high (about 150°C) after vulcanization.例文帳に追加

加硫後、表面温度が十分に熱い（１５０℃程度）段階で、ガラス摺動面に、ポリエチレンフィルム１２が貼着される。 - 特許庁

In a third stage, processing of the component C is performed by the person m, and processing of components A and B is performed by two devices a and b.例文帳に追加

次に、第３工程では、人ｍが部品Ｃを加工し、部品Ａ、部品Ｂに対して二台の装置ａ、ｂが加工を行う。 - 特許庁

The elastic modulus obtained when measuring the dynamic viscoelasticity of the bonding sheet 1 in the B-stage state at 25°C and at 900 Hz is smaller than 4,000 MPa.例文帳に追加

Ｂステージ状態の接着シート１の、２５℃で９００Ｈｚにおける動的粘弾性測定による弾性率は４０００ＭＰａ未満である。 - 特許庁

In this case, the electric charges in the capacitor C flows to ground through a resistor R and the first N channel transistor Q10 is turned off in this stage.例文帳に追加

このとき、コンデンサＣの電荷は抵抗Ｒを介しグランドに流れ、その段階で第１ＮチャネルトランジスタＱ１０がオフする。 - 特許庁

Both the heating and cooling stages are rapid, with the temperature of the cells passing through 40-80°C in no more than 30 min in the heating stage.例文帳に追加

加熱及び冷却段階は、共に迅速であり、細胞の温度は、この加熱段階で、３０分以下、４０〜８０℃である。 - 特許庁

The charges excessively charged in the main capacitance C is discharged through an insulating resistor R1 while the workpiece is carried to the measuring stage 7.例文帳に追加

その後、測定ステージ７までワークを搬送する間に、主容量Ｃに過剰に充電した電荷を絶縁抵抗Ｒ１を介して放電する。 - 特許庁

To provide a two-stage dehumidifying device and dehumidifying method capable of manufacturing the low dew point air having ≤-90°C dew- point temperature.例文帳に追加

露点温度が−９０℃以下の低露点空気を製造可能な二段式の除湿装置及び除湿方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor chip test socket 1 attaches the probe 16 to the socket receiving part 10 and attaches a positioning stage 43 of the semiconductor chip C on the socket cover part 40.例文帳に追加

ソケット受部１０にはプローブ１６を取り付け、ソケット蓋部４０には半導体チップＣの位置決めステージ４３を取り付ける。 - 特許庁

An auxiliary capacitor 9 for cooling the refrigerant by a fixed temperature is installed in front of a low-stage side condenser 6 of the cascade capacitor C.例文帳に追加

冷媒を一定温度まで冷却する補助コンデンサ９を、カスケードコンデンサＣの低段側凝縮器６の手前に設置する。 - 特許庁

Each part 11a is assembled right above the holding clip 8a of a holding member mounting plate 8 over the uppermost stage at places (b) and (c).例文帳に追加

（ｂ）（ｃ）では最上段の挟持部材取着板８の挟持クリップ８ａの真上に部品１１ａが組み付けられる。 - 特許庁

In the stage C, a tubular body 34 is obtained by forming the base sheet 20 into a tubular shape and butting both edge parts each other.例文帳に追加

工程Ｃにおいて、素板20を筒状に成形して両側縁部どうしを突き合わせて筒状体34を得る。 - 特許庁

The temperature of the press head 43 is raised thereafter to put the film adhesive 21 and sealing film 41 into a C stage.例文帳に追加

この後、プレスヘッド４３の温度をさらに上昇させてフィルム接着剤２１及び封止フィルム４１をＣステージ化する。 - 特許庁

To correct fluctuations in initial capacitance with a C-V converter circuit at the first stage to enable only sensitivity signals to be taken out and achieve a high S/N ratio.例文帳に追加

初期容量バラツキを初段のＣ−Ｖ変換回路において補正し、感度信号のみを取り出せ、高いＳＮ比を得ることができるようにする。 - 特許庁

The second supply part 500 is for supplying gas of 100°C to the upper-stage cooking object 802 in the heating chamber 130.例文帳に追加

第２の供給部５００は、加熱室１３０内の上段調理物８０２に１００℃よりも高い温度の気体を供給するものである。 - 特許庁

The first supply part 400 is for supplying water vapor of 100°C or lower to the lower-stage cooking object 801 in the heating chamber 130.例文帳に追加

第１の供給部４００は、加熱室１３０内の下段調理物８０１に１００℃以下の温度の水蒸気を供給するものである。 - 特許庁

Also, a value obtained by an expression of B×E/D is expressed by α, and the value α obtained at the initial using stage of developer T and C inside a developing part 23 is expressed by α_0.例文帳に追加

さらに、Ｂ×Ｅ／Ｄなる式で求まる値をαとして、現像部２３内の現像剤Ｔ、Ｃが使用初期のときのαをα_0とする。 - 特許庁

An intermediate material 4 is obtained by drawing the base material 1 in a preforming stage shown in Fig. 2 (B), (C).例文帳に追加

図２（Ｂ），（Ｃ）に示す予備成形工程において、基材１を絞り成形することにより中間材４を得る。 - 特許庁

The wastes 1 are pressurized and heated to 10 atm and 183°C by a steam kettle, such as an autoclave, in a pressurizing and heating stage.例文帳に追加

加圧加熱段階では、オートクレーブなどの水蒸気釜により廃棄物１を１０気圧、１８３℃に加圧加熱する。 - 特許庁

The growing condition temperature of the initial stage of the accumulated electrode-forming step is in the range of 450 to 520°C.例文帳に追加

蓄積電極を形成するステップの初期の段階の成長条件温度が４５０〜５２０℃の範囲の温度である。 - 特許庁

The sustained gap C between the running stage 11 and the substrate W satisfactorily transfers the substrate W.例文帳に追加

助走ステージ１１と基板Ｗとの隙間Ｃが維持されるので，基板Ｗの受け渡しを好適に行うことができる。 - 特許庁

In the stage (c), a molten metal is permeated into a space of the intermediate material within a furnace 50 in a reducing atmosphere, and is thereafter solidified, so as to obtain a composite metallic material.例文帳に追加

工程（ｃ）は、還元雰囲気の炉５０内で、金属溶湯を中間材料の間に浸透させた後、固化させて複合金属材料を得る。 - 特許庁

At the time when the temperature in the furnace has reached 155°C, it is branched into the following step so as to transit to the following temperature control stage.例文帳に追加

炉内温度が１５５℃に到達した際には、次ステップへ分岐することで次の温度制御行程へ移行する。 - 特許庁