「Capacitance」に関連した英語例文の一覧と使い方(68ページ目) - Weblio英語例文検索

Since a variation in output voltage due to this compensation voltage is in synchronism with a variation in the output voltage due to the capacitance offset, the capacitance offset is compensated by appropriately adjusting the magnitude of the compensation voltage.例文帳に追加

この補償電圧に起因する出力電圧の変動は、静電容量のオフセットに起因する出力電圧の変動と同期しているので、補償電圧の大きさを適切に調整することによって、静電容量のオフセットを補償することができる。 - 特許庁

Then, at least one end part of the longitudinal direction of a rectangular plate is supported and fixed, thus detecting acceleration being applied according to the change in the capacitance of the first capacitance element caused by the deformation of the rectangular plate being generated by the applied acceleration.例文帳に追加

そして、矩形板の長さ方向の少なくとも一方の端部を支持固定し、印加された加速度により生ずる矩形板の変形に伴う、第１の静電容量素子の静電容量の変化から印加された加速度を検出する。 - 特許庁

A leakage current quantity when a wiring capacitance of the second wiring 107 is discharged through the resistance element 108 is converted into a potential change resulting from discharge of a wiring capacitance of the first wiring 102 and evaluated by the potential monitoring circuit 103.例文帳に追加

第２の配線１０７の配線容量が抵抗素子１０８を介して放電される際のリーク電流量を、第１の配線１０２の配線容量の放電に伴う電位変化に変換して電位モニタ回路１０３により評価する。 - 特許庁

A standard value about the "measured value" of the multilayer thin film is set by the intersection of a line segment L1 having narrowest film thickness range which satisfies the allowed value of the "capacitance conversion value" required for this multilayer thin film and the tolerance of the "capacitance conversion value".例文帳に追加

そして、この多層薄膜に要求される「容量換算値」の許容値を満たす膜厚範囲が最も狭い線分Ｌ１と「容量換算値」の許容範囲との交点によって、多層薄膜の「測定値」についての規格値を設定する。 - 特許庁

The noise reduction circuit includes a decoupling capacity circuit which includes a capacitance element and a resistive element arranged between a power supply and a ground and, and a diode element connected between a connection point, of the capacitance element and the resistive element, and the ground or power supply.例文帳に追加

ノイズ低減回路は、電源とグランドとの間に配置された容量素子および抵抗素子を含むデカップリング容量回路と、容量素子と抵抗素子との接続点とグランドもしくは電源との間に接続されたダイオード素子とを備える。 - 特許庁

Wirings made of the same material as that of a data line of thin film transistors for displaying a picture 103 are connected electrically to an auxiliary capacitance formation electrode wiring 106 via contact holes formed on the auxiliary capacitance formation electrode wiring 106.例文帳に追加

補助容量形成電極配線１０６に対して補助容量形成電極配線１０６上に形成したコンタクトホールを介して画像表示用薄膜トランジスタ１０３のデータ配線と同一材料からなる配線と電気的に接続する。 - 特許庁

A plurality of capacitance libraries are prepared according to variations, for instance, wiring width, wiring film thickness, interlayer film thickness, in the manufacturing process for the semiconductor integrated circuit, and one among these capacitance libraries is appropriately selected according to object layout.例文帳に追加

例えば配線幅、配線膜厚や層間膜厚などの半導体集積回路の製造プロセスばらつきに応じて複数の容量ライブラリを準備し、これらの容量ライブラリの中から１つを対象レイアウトに応じて適切に選択する。 - 特許庁

To provide an inspection apparatus capable of improving measuring accuracy by reducing the effects of parasitic capacitance caused by probes and a wiring pattern connected to the probes when electric characteristics of a capacitance detection type gyro sensor is inspected.例文帳に追加

静電容量検出方式のジャイロセンサの電気的特性を検査するに際し、プローブおよびプローブに接続された配線パターンによって生じる寄生容量の影響を低減し、測定精度を向上させることができる検査装置を提供する。 - 特許庁

A C-V converting circuit 43 calculates a variation in the capacitance in the sensor electrode 52 per preset specific measuring time as a detecting value on the basis of a change in the capacitance detected by the sensor electrode 52.例文帳に追加

Ｃ−Ｖ変換回路４３は、予め設定された一定の測定時間あたりのセンサ電極５２における静電容量の変化量をセンサ電極５２にて検出された静電容量の変化に基づいて検出値として算出する。 - 特許庁

A switched capacitor circuit 42 outputs a third voltage corresponding to the charging of the capacitance when the first voltage is applied to the column lines, outputs a fourth voltage corresponding to the charging of the capacitance when the second voltage is applied to the column lines.例文帳に追加

スイッチドキャパシタ回路４２は列配線に第１の電圧を加えた時、容量の充電に対応する第３の電圧を出力し、列配線に第２の電圧を加えた時、容量の放電に対応する第４の電圧を出力する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a structure such that a polyimide resin is arranged below a pad electrode to reduce a parasitic capacitance, thereby solving the following problem that an electrode step disappears in a step difference of a polyimide surface, and it becomes hard to reduce the parasitic capacitance through the increase of the step difference.例文帳に追加

パッド電極下にポリイミド樹脂を配して寄生容量を低減する構造を有する半導体光素子において、ポリイミド表面の段差での電極段切れの問題から段差増加による寄生容量の低減が困難となる。 - 特許庁

To solve a problem that, in the capacitor capacitance determination of a power converter, when measuring a charge time from an input voltage and a capacitor voltage, and determining by comparing the result with a time operated from the capacitor capacitance, if disturbance occurs during measurement, erroneous determination is generated.例文帳に追加

電力変換装置のコンデンサ容量判定において、入力電圧とコンデンサ電圧から充電時間を測定し、コンデンサ容量から演算される時間と比較して判定した場合、測定中に外乱が起こった場合、誤判定が生じる。 - 特許庁

The impedance adjusting part 2 includes inductance elements L1, L2 serially connected onto the transmission line and a capacitance element C1 which is provided between the transmission line and a power source voltage terminal and of which the capacitance value changes according to the rotation of the rotating member.例文帳に追加

また、インピーダンス調整部２は、伝送路上に直列に接続されたインダクタンス素子Ｌ１，Ｌ２と、伝送路と電源電圧端子との間に設けられ、回転部材の回転に応じて容量値が変化する容量素子Ｃ１と、を備える。 - 特許庁

To provide a device and method for measuring capacitance to the ground, which can be used even for a power system or the like having small ωC and small resistance between the ground and it, and also enables easy measurement of the capacitance to the ground even by a user.例文帳に追加

ωＣが小さく、対地間抵抗が小さい電力系統などでも使用することができるとともに使用者でも容易に対地静電容量を測定することができる対地静電容量測定装置および方法を提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory with a structure using an island-shaped semiconductor that can enlarge the capacitance between a floating-gate and a control gate, while reducing a parasitic capacitance between a control gate and an island-shaped semiconductor.例文帳に追加

浮遊ゲートと制御ゲート間の容量を大きくすることができるとともに、かつ制御ゲートと島状半導体間の寄生容量を低減する、島状半導体を用いた構造を持つ不揮発性半導体メモリ、およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

A capacitance type input device comprises a touch substrate part 32 having a touch electrode 32a on its top surface for detecting a position on a flat surface on the basis of capacitance change, and a ground electrode 32b on its under surface for the touch electrode 32a.例文帳に追加

静電容量の変化に基づいて平面上の位置を検出するためのタッチ電極３２ａを上面に有するとともに、下面には前記タッチ電極３２ａのためのグランド電極３２ｂを有するタッチ基板部３２を備える。 - 特許庁

The electro-optical device is provided with pixel electrodes (9a), TFTs (30) for controlling to switch the pixel electrodes, scanning lines (3a) connected with these TFTs, and 2nd capacitance lines (3b) for adding storage capacitance (70) on a TFT array substrate (10).例文帳に追加

電気光学装置は、ＴＦＴアレイ基板（１０）上に、画素電極（９ａ）と、画素電極をスイッチング制御するＴＦＴ（３０）と、このＴＦＴに接続された走査線（３ａ）と、蓄積容量（７０）を付加するための第２容量線（３ｂ）とを備える。 - 特許庁

An electrostatic capacitance of an auxiliary capacitor part to be formed between the first electrode 12 and the second electrode 13 in the detection probe 10 is formed to be smaller enough as compared with an electrostatic capacitance between a core wire 16 of the electric wire 15 and the first electrode 12.例文帳に追加

検出プローブ１０の第１電極１２と前記第２電極１３間で形成する補助コンデンサ部分の静電容量は、電線１５の芯線１６と第１電極１２間の静電容量に比べて十分小さくしている。 - 特許庁

To provide an electrical characteristic inspection device of a capacitance system touch screen panel using resonance frequency shift, which functions so as to simultaneously measure ITO resistance R_p and capacitance C_p of a CTSP by change of a resonance frequency.例文帳に追加

共振周波数の変化によりＣＴＳＰのＩＴＯ抵抗Ｒ_ｐと静電容量Ｃ_ｐを同時に測定するように機能する、共振周波数シフトを用いた静電容量方式タッチスクリーンパネルの電気的特性検査装置を提供する。 - 特許庁

To provide a capacitance sensor with the sensitivity of its element enhanced by increasing the surface area of a top face of a weight through forming a thin plate-like member on the weight, thereby increasing capacitance between the weight and an electrode.例文帳に追加

重錘体に薄い板状の部材を形成して重錘体の上面の表面積を増加させ、重錘体と電極間の容量を増加させて素子の感度を上げることができるようにした静電容量型センサを提供すること。 - 特許庁

The employment of the dielectric material for the substrate 50 in this way can avoid occurrence of a state that a capacitance is formed between the substrate 50 and each of the electrode terminals 26, 36 thereby reducing the parasitic capacitance between the electrode terminals 26, 36.例文帳に追加

このように基板５０に誘電体を用いることにより、基板５０と各電極端子２６、３６との間にコンデンサが形成されたような状態を回避することができ、電極端子２６、３６間の寄生容量を低減することができる。 - 特許庁

The solid electrolytic capacitor is provided with a capacitor element 11, having a capacitance formation part, an exterior resin 16 covering the capacitance formation part, an anode terminal 17 and a cathode terminal 18 at least partially arranged on the outside of the exterior resin 16 and lead 19.例文帳に追加

容量形成部を備えるコンデンサ素子１１と、容量形成部を被覆する外装樹脂１６と、少なくとも一部が外装樹脂１６の外部に配置された陽極端子１７および陰極端子１８と、リード１９とを備える。 - 特許庁

This designing method comprises (a) a step which varies the capacitance between an input terminal and the output terminal of the transistor of the circuit, and (b) a step which switches among multiple bands by obtaining the resonant frequency of the circuit, in response to the change of the capacitance.例文帳に追加

この設計方法は（ａ）回路トランジスタの入力端と出力端との間の電気容量値を変えるステップと、（ｂ）電気容量値の改変に応じて回路の周波数を得ることによりマルチバンド間で切替えるステップとを備える。 - 特許庁

To fully charge each pixel capacitance with a data signal even if a chargeable period of each pixel capacitance becomes short or a rise time and likewise at the time of polar change of the data signal increases, in an active matrix type liquid crystal display apparatus.例文帳に追加

アクティブマトリクス型液晶表示装置において、各画素容量の充電可能期間が短くなり又はデータ信号の極性切換時の立上り時間等が増大してもデータ信号により各画素容量を十分に充電できるようにする。 - 特許庁

In the liquid crystal display, auxiliary capacitance lines 103 are arranged in such a way that they overlap pixel electrodes 105 at both ends of the pixel electrodes, and auxiliary capacitance (Cs) 106 is disposed in the space between pixels, that is, a so-called non-pixel part.例文帳に追加

本発明の液晶表示装置においては、補助容量線１０３を画素電極１０５の両端部でそれぞれ重複するように配設してあり、各画素どうしの間のスペース、いわゆる非画素部に補助容量（Ｃｓ）１０６を配置している - 特許庁

In what is called a CS on-gate structure where auxiliary capacitance PCS1 is formed on a scanning line WLn, the conductivity of a switching element transistor NTr1 is different from that of the electrode made of the semiconductor film of the auxiliary capacitance PCS1.例文帳に追加

補助容量ＰＣＳ１が走査線ＷＬｎ上に形成されるいわゆるＣＳオンゲート構造において、スイッチング素子であるトランジスタＮＴｒ１の導電性は、補助容量ＰＣＳ１の半導体膜からなる電極の導電性と異なる。 - 特許庁

A reception section 123 detects a signal caused by a relative difference between a static capacitance of the reception reference electrode 122 with respect to a space around the receiving apparatus 130, and a static capacitance of the reception signal electrode 121 with respect to the communication medium 130.例文帳に追加

受信部１２３は、受信基準電極１２２の受信装置１３０周辺の空間との静電容量と、受信信号電極１２１の通信媒体１３０との静電容量の相対差によって生じる信号を検知する。 - 特許庁

In this configuration, the capacitance of the capacitor C1 is set to be small, and the capacitance of the capacitor C2 is set to be large, so that rising of a charge potential of the capacitor C1 is expedited, and overvoltage is prevented from being generated in the capacitor C1.例文帳に追加

この構成において、コンデンサＣ１の静電容量を小さく、コンデンサＣ２の静電容量を大きく設定し、コンデンサＣ１の充電電位の立ち上がりを早くすると共に、コンデンサＣ１において過電圧が発生することを回避する。 - 特許庁

Since other scanning GL2, GL3,... are all made to be at -15 V and second TFT 2 is turned on, electric charge stored on memory capacitance Cm is moved to the capacitance Cp and a liquid crystal changes its aligning state in accordance with voltage change.例文帳に追加

他の走査線ＧＬ２，ＧＬ３，・・・はすべて−１５Ｖになっていて、第２のＴＦＴ素子２がオンになっていて、メモリ容量Ｃｍに蓄積された電荷が画素容量Ｃｐへ移動し、液晶が電圧変化に伴い配向状態を変化させる。 - 特許庁

This non-contact IC card is provided with a coil part 12a formed by winding a conductor with an insulating coating like a coil and a spiral part 12b arranged by spirally winding one edge of the conductor around the coil part 12a so that a capacitance adding part for adding capacitance can be formed.例文帳に追加

絶縁皮膜付の導線をコイル状に巻いたコイル部１２ａと、導線の一端をコイル部１２ａの周囲に螺旋状に巻き付けて配置した螺旋部１２ｂを設けて、静電容量を付加する静電容量付加部を形成する。 - 特許庁

This semiconductor device is constituted such that an input to an operational amplifier 9 connected in a voltage follower is connected to a pad 6, which is one end of a parasitic capacitance 10 associated with the pad 6, while the follower output end of the operational amplifier 9 is connected to the other end of the parasitic capacitance 10.例文帳に追加

この発明は、ボルテージフォロワに接続されたオペアンプ９の入力をパッド６ならびにパッド６の寄生容量１０の一方端に接続し、オペアンプ９のフォロワ出力端を寄生容量１０の他方端に接続して構成される。 - 特許庁

Thus, when a negative voltage is output to the positive side terminal of the output winding, the voltage of the second output winding is charged in the parasitic capacitance, while when a reverse voltage is output, a voltage obtained by applying the parasitic capacitance to the first output winding is output.例文帳に追加

出力巻線の正側端子に負の電圧が出力したとき、第２の出力巻線の電圧が寄生容量に充電され、逆の電圧が出力したとき、第１の出力巻線と寄生容量を加えた電圧が出力される。 - 特許庁

A capacitor groove 10 is provided inside an interlayer dielectric 9 formed on a semiconductor substrate 1; and a capacitance element is composed of an lower electrode 12, a capacitance insulating film 13, and an upper electrode 15, which are formed on the bottom and side of the groove 10, respectively.例文帳に追加

半導体基板１上に形成された層間絶縁膜９内にキャパシタ溝１０が設けられ、その底面及び側面上に形成された下部電極１２、容量絶縁膜１３、上部電極１５で容量素子を構成する。 - 特許庁

A capacitance terminal on an input side 21 and a capacitance terminal on a comparator side 22 are connected to a fixed voltage supply circuit 24 via first and second analog switches 25 and 26, respectively.例文帳に追加

入力側容量端子２１、比較器側容量端子２２を、それぞれ第１、第２のアナログスイッチ２５、２６を介して、固定電圧供給回路２４に接続し、かつ入力側容量端子２１を、第３のアナログスイッチ２７を介して外部と接続する。 - 特許庁

To provide a system and method for measuring a circuit that detects parasitic capacitance, corrects its effect, and obtains a true circuit characteristic, in measuring the circuit where the measurement value is varied by the parasitic capacitance occurring in a measuring environment.例文帳に追加

測定環境において生じる寄生容量により測定値が変動する回路の測定において、寄生容量を検出してその影響を補正し、真の回路特性を得る回路測定システム及び回路測定方法を提供する。 - 特許庁

The switched capacitor voltage-controlled oscillation circuits are oscillated over a broadband frequency range by changing the capacitance of the variable capacitors C1, C2 with a control voltage and using a switched capacitor control signal to change the total capacitance of the tuning switched capacitors 24 to 27.例文帳に追加

そして、制御電圧により可変容量Ｃ１，Ｃ２の容量値を変化させ、スイッチトキャパシタ制御信号によりチューニング用スイッチトキャパシタ２４〜２７夫々の総キャパシタンス値を変化させることによって、広帯域の周波数範囲で発振する。 - 特許庁

Since the area of the dielectric layer 9 between the opposite electrodes 7 can be varied suitably by adjusting the width of the capacitance adjustment layer 11 suitably, the capacitance can be adjusted easily.例文帳に追加

この構成により本発明の電子部品は、容量調整層１１の幅を適宜調整することにより、対向電極７間における誘電体層９の面積を適宜変化させることができるため、容易に容量値の調整を行うことができる。 - 特許庁

In pixel layout structure for forming the auxiliary capacitance 25 over the two adjacent pixels on the same pixel column, a first metal layer 302 which forms the auxiliary capacitance 25 is electrically connected to an anode electrode 307B of an organic EL element 21B.例文帳に追加

同一画素行上で隣り合う２つの画素に跨って補助容量２５を形成する画素レイアウト構造において、補助容量２５を形成する第１の金属層３０２を有機ＥＬ素子２１Ｂのアノード電極３０７Ｂと電気的に接続する。 - 特許庁

Therefore, the inrush current is suppressed by reducing the capacitance of the capacitor circuit at the lighting of the discharge lamp 2 and the supply of the ripple components to the discharge lamp 2 can be suppressed by increasing the capacitance of the capacitor circuit in the ordinary state.例文帳に追加

そのため、放電灯の点灯時には出力キャパシタ回路の容量を小さくして突入電流を抑え、定常時には出力キャパシタ回路の静電容量を大きくして放電灯へのリップル成分供給を抑えることができる。 - 特許庁

An output processing part 160 partially specifies the capacitance detection circuits 31 by the readout of fingerprint information from the capacitance detection circuits 31 according to a plurality of field scans, and takes out only the detection information to be processed.例文帳に追加

出力処理部１６０は、複数回のフィールド走査による静電容量検出回路３１からの指紋情報の読み出しにより、静電容量検出回路３１を部分的に特定して、処理対象となる検出情報だけを取り出す。 - 特許庁

The semiconductor capacitive device 1 comprises: an upper electrode 12 constituting an MIM (Metal Insulator Metal) capacitance 10; a lower electrode 14; a dielectric 16; an upper electrode 22 constituting an MIM capacitance 20; a lower electrode 24; and a dielectric 26.例文帳に追加

半導体容量装置１は、ＭＩＭ容量１０を構成する上部電極１２、下部電極１４および誘電体１６、ならびにＭＩＭ容量２０を構成する上部電極２２、下部電極２４および誘電体２６を備えている。 - 特許庁

The base has at least one stationary member, and the stationary member is formed by fixing a conduit between the first electrode and the second electrode, so that the capacitance detection array detects a change in the capacitance which represents existence of liquid in the conduit.例文帳に追加

基部は少なくとも1つの固定部材を有し、固定部材はキャパシタンス検出アレイが導管内の液体の有無を示すキャパシタンスの変化を検出するように、第1の電極と第2の電極のとの間に導管を固定して構成されている。 - 特許庁

In this device equipped with a sensor electrode 12 for detecting a capacitance value between itself and an earth electrode GND, existence of a person 1 between the sensor electrode 12 and the earth electrode GND is determined based on the capacitance value detected by the sensor electrode 12.例文帳に追加

アース電極ＧＮＤとの間の静電容量値を検出するセンサ電極１２を備え、センサ電極１２で検出した静電容量値に基づいてセンサ電極１２及びアース電極ＧＮＤ間の人１の有無が判定される。 - 特許庁

Light receiving parts a_i, _j included in the solid-state image pickup device are provided with a photodiode PD, a first capacitance part C11, a second capacitance part C12, an amplification transistor T_1, a transfer transistor T_2, a discharging transistor T_3 and a selection transistor T_4.例文帳に追加

固体撮像装置に含まれる受光部ａ_ｉ,ｊは、フォトダイオードＰＤ、第１容量部Ｃ_１１、第２容量部Ｃ_１２、増幅用トランジスタＴ_１、転送用トランジスタＴ_２、放電用トランジスタＴ_３および選択用トランジスタＴ_４を備える。 - 特許庁

When a reference-voltage potential of a capacitance for delay is changed from a reference side of a sense resistance to a detection side of the sense resistance, an output voltage of the capacitance for delay in a charging start becomes large in proportion to a current flowing in the sense resistance.例文帳に追加

遅延用容量の基準電圧電位をセンス抵抗の基準側から、センス抵抗の検出側に変えることによって、充電開始時の遅延用量の出力電圧はセンス抵抗に流れる電流に比例して大きくなる。 - 特許庁