「Element Type」に関連した英語例文の一覧と使い方(203ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a manufacturing method of an SIT type switching element, by which a gate electrode, which has a sufficiently small gate hole, in which the gate hole is formed uniformly and which has superior durability, can be obtained easily and which displays superior switching characteristics, when a gate electrode for an SIT using an organic semiconductor, capable of being manufactured at a low temperature as an active layer is manufactured.例文帳に追加

本発明は、低温で製造可能な有機半導体を活性層に用いたＳＩＴのゲート電極を作製するにあたり、ゲート孔が十分小さくかつゲート孔を均一に形成し耐久性に優れたゲート電極を容易に得ることができ、良好なスイッチング特性を示すＳＩＴ型のスイッチング素子の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

This ventilation type heat exchanger comprises a heat exchanging element 1 having a plurality of heat exchange flow channels 11 extending in the common direction, a bidirectional air blowing means 2 capable of blowing the air in both of indoor direction i and outdoor direction o to the heat exchange flow channel 11, and a switching means 3 for switching the air blowing direction of the bidirectional air blowing means 2.例文帳に追加

本発明の換気式熱交換器は、共通方向に伸びる複数の熱交換流路１１を有する熱交換素子１と、この熱交換流路１１内へ室内方向ｉ及び室外方向ｏの双方向に送風しうる双方向送風手段２と、この双方向送風手段２の送風方向を切り替える切り替え手段３とを具備することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which can conduct stress relaxation at trench corners without reducing the area of an active region or the transistor width or stably form the resistance of a semiconductor substrate or a well of opposite conductivity type from that of the semiconductor substrate, in element isolation using an STI (shallow trench isolation) method.例文帳に追加

ＳＴＩ法（Ｓｈａｌｌｏｗ Ｔｒｅｎｃｈ Ｉｓｏｌａｔｉｏｎ）を用いた素子分離において、トレンチコーナー部の応力緩和を、アクティブ領域の面積及びトランジスタ幅を減少させること無く実施でき、或いは、半導体基板または半導体基板と導電型が逆タイプのウエルの抵抗を安定に形成できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The diffracting optical element has a laminate structure wherein at least two or more layers of diffraction gratings are stacked; and the sectional phase of the diffraction grating is a relief type shape derived from a shape shift function by the polygonal shape obtained by connecting one or more straight lines in order and the sectional shapes of the diffraction gratings which are put one over another are similar.例文帳に追加

少なくとも２層以上の回折格子が重なり合う積層構造を有する回折光学素子において、前記回折格子の断面形状が、一つの直線または複数の直線を順次連結した多角形形状により、位相シフト関数から導かれるレリーフ型形状に近似した形状を有し、該重なり合う回折格子の断面形状が相似形状を有する。 - 特許庁

Since the parasitic capacitance is reduced by isolating light receiving elements through an insulator or a dielectric isolating region 6 and direct contact is taken from a P type semiconductor substrate 2 becoming an anode region in a region 11 embedded with a low resistance conductor, series resistance is decreased and the frequency characteristics of a light receiving element can be enhanced.例文帳に追加

受光素子間を絶縁体または誘電体の分離領域６で分離することにより寄生容量が低減され、かつ、低抵抗の導電体を埋め込んだ導電体埋め込み領域１１でアノード領域となるＰ型半導体基板２から直接コンタクトを取ることによりシリーズ抵抗が低減されるため、受光素子の周波数特性を向上することができる。 - 特許庁

A photovoltaic device comprises a backside electric field layer composed of a silicon hydride film containing a p-type impurity element and oxygen and disposed between the semiconductor substrate and a back electrode, wherein the backside electric field layer includes an epitaxial layer formed on the semiconductor substrate side and a non-orientation microcrystal layer formed on the back electrode side.例文帳に追加

ｐ型不純物元素及び酸素を含む水素化珪素膜から構成される裏面電界層を半導体基板と裏面電極との間に具備する光起電力装置であって、前記裏面電界層が、前記半導体基板側に形成されたエピタキシャル層と、前記裏面電極側に形成された無配向微結晶層とを含むことを特徴とする光起電力装置とする。 - 特許庁

The integrated circuit device of a type for reconfiguring diversified data paths by changing the connection of a plurality of types of processing elements has a RAM element 21c for switching a RAM mode functioning as a RAM and a feed back mode for generating a RAM address by feeding back at least one portion of the RAM output data of a RAM circuit 51.例文帳に追加

複数種類のプロセッシングエレメントの接続を変えて種々のデータパスを再構成するタイプの集積回路装置において、ＲＡＭとして機能するとＲＡＭモードと、ＲＡＭ回路５１のＲＡＭ出力データの少なくとも一部をフィードバックしてＲＡＭアドレスを生成するフィードバックモードとを切り替え可能なＲＡＭエレメント２１ｃを有する集積回路装置を提供する。 - 特許庁

The image display has a backlight part for emitting sequentially a plurality of kinds of wavelengths of lights, a transmissive type liquid crystal display element of field sequential system for modulating the lights of respective wavelengths emitted from the backlight part in response to an image signal, and a light guide part incident with the modulated lights of respective wavelengths, and for guiding the incident lights of respective wavelengths to a prescribed position.例文帳に追加

複数種類の波長の光を順次射出するバックライト部と、バックライト部から射出された各波長の光に映像信号に応じた変調をかけるフィールドシーケンシャル方式の透過型液晶表示素子と、変調された各波長の光が入射され、該入射された各波長の光を所定位置に導く導光部とを有する映像表示装置を提供する。 - 特許庁

The adhesive is to bond a semiconductor element to a support member; contains (a) a compound, having a polymerizable ethylene carbon-carbon double bond, (b) reactive elastomer having an epoxy group at the end, and (c) at least one type of resin selected from epoxy resin, phenol resin, bismaleimide resin, and cyanate resin and has not higher than 10 wt.% for volatile matter content.例文帳に追加

支持部材に半導体素子を接着させる接着剤であって、（ａ）重合可能なエチレン性炭素−炭素二重結合を有する化合物、（ｂ）エポキシ基を末端に有する反応性エラストマ、及び（ｃ）エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ビスマレイミド樹脂、シアナート樹脂から選ばれる少なくとも１種以上の樹脂、を含有し、揮発分が１０重量％以下である接着剤。 - 特許庁

The external resonator type laser apparatus is so constituted that the first and the second light beams are transmitted in the optical waveguide 117 in one direction to generate the third light beam, the second and the third light beams are transmitted in the direction reverse to the one direction to generate a fourth light beam having the first wavelength and the fourth light beam is returned to the light emitting element 101.例文帳に追加

外部共振器型レーザ装置は、光導波路１１７中を一方向に第１の光と第２の光が伝搬して第３の光を発生するとともにそれとは逆の方向に第２の光と第３の光が伝搬して第１の波長を有する第４の光を発生し、かつ、第４の光が発光素子１０１に帰還するように構成されている。 - 特許庁

The laser light source device provided with a semiconductor laser 1, an optical waveguide type wavelength conversion element 3 for leading light from the laser 1 and outputting visible rays and a DC power supply 5 for supplying power to the laser 5 is also provided with a high frequency superposition circuit 6 for superposing a high frequency component of about 300 MHz to a DC component outputted from the DC power supply 5.例文帳に追加

半導体レーザー１と、半導体レーザー１からの光を導入し可視光を出力する光導波路型の波長変換素子３と、半導体レーザー１に電源を供給する直流電源５とを備えたレーザー光源装置であって、直流電源５からの直流成分に３００ＭＨｚ程度の高周波成分を重畳する高周波重畳回路６を備えた。 - 特許庁

In the manufacturing method of the photoelectric conversion element of a dye-sensitized type, made up of an electrode layer, a semiconductor electrode sequentially formed of semiconductor layers each carrying dyes, and an electrolyte layer on a substrate, the dyes are aromatic amine compounds, and carried on the semiconductor layer and formed at 40°C or more and 100°C or less.例文帳に追加

基体上に電極層、色素を担持してなる半導体層を順次設けて形成される半導体電極、及び電解質層を設けてなる色素増感型の光電変換素子の製造方法において、前記色素が芳香族アミン化合物であり、前記色素を４０℃以上１００℃以下で半導体層に担持して形成することを特徴とする光電変換素子の製造方法。 - 特許庁

To reduce the electric current flowing to an input protective element even when an undershooting waveform or overshooting waveform is inputted by forming a deep P- or N-well area in an n- or p-type semiconductor substrate and setting the well area in an electrically floating state.例文帳に追加

アンダーシュート波形又はオーバーシュート波形が入力された場合であっても、ｎ又はｐ型半導体基板内にＰ又はＮ型の深いウェル領域を形成し、これらＰ又はＮ型の深いウェル領域を電気的にフローティングな状態として入力保護素子に流れる電流を減少させることができる入力保護素子及び入力保護素子を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

In a porous metal supporting type fuel cell provided with gas permeability and constituted, for example, by forming battery element on a metal substrate 10 constituted from ferritic stainless steel, by holding solid oxide electrolyte 14 between electrodes 13 and 15, applying, for example, Ni or Ni contained alloy corrosion-resistant metal 11 to the contact part with gas of the gas permeable metal substrate 10.例文帳に追加

ガス透過性を有し、例えばフェライト系ステンレス鋼などから成る金属基板１０上に固体酸化物電解質１４を電極１３，１５により挟持した電池要素を形成して成る多孔質金属支持型セルにおいて、上記ガス透過性金属基板１０のガス接触部分に、例えばＮｉやＮｉ含有合金などの耐食性金属１１をコーティングする。 - 特許庁

This fibrous structural material is a co-woven or co-knitted fabric consisting of a yarn A containing a polyamide fiber as a constituting element, and a yarn B containing a remaining island component of a sea/island type composite fiber from which the sea component is dissolved and/or decomposed for its removal, and is characterized by having crimps and/or loops of the yarn B.例文帳に追加

本発明の繊維構造物は、ポリアミド繊維を構成要素として含有する糸Ａと、海島型複合繊維の海成分が溶解および／または分解除去して残った島成分を構成要素として含有する糸Ｂとからなる交織織物または交編編物であり、少なくとも該糸Ｂが捲縮および／またはループを有することを特徴とするものである。 - 特許庁

To provide a thermosetting resin composition, a light emitting diode with its light emitting element encapsulated by the same, and a color conversion type light emitting diode encapsulated by the same, excellent in hardening ability and in adhesiveness, high in light resistance and in heat resistance, with the light emitting surfaces not to be stained by foreign matters or damaged by mounting tools during the installation process.例文帳に追加

硬化性および接着性が良好で耐光耐熱耐久性を有し、かつ、実装する際に発光面に異物が付着したり、実装用器具により発光面が損傷を受けたりという問題が生じない熱硬化性樹脂組成物、該熱硬化性樹脂組成物で発光素子を封止した発光ダイオードおよび色変換型発光ダイオードを提供する。 - 特許庁

The dielectric porcelain consists of a grain boundary phase and main crystal particles composed of a perovskite-type compound oxide at least containing Ba, Ti, a rare earth element, Mg, and Mn as metal elements; the content of Al in terms of oxide in the main crystal particles is 0.01 mass% or lower and that in the grain boundary phase is 0.05-2 mass%.例文帳に追加

金属元素として、少なくともＢａ、Ｔｉ、希土類元素、ＭｇおよびＭｎを含有するペロブスカイト型複合酸化物からなる主結晶粒子と、粒界相とからなる誘電体磁器において、酸化物換算したときのＡｌの含有量は、前記主結晶粒子の内部が０．０１質量％以下、粒界相が０．０５〜２質量％であることを特徴とする。 - 特許庁

In this thermal type infrared ray detecting element having an infrared ray refracting film thermally changed by energy of an incident infrared ray, the infrared ray absorptivity and the detecting sensitivity in the specific wave length band and the wide wave length band are enhanced by forming the infrared ray refracting film of a semiconductor film or a film having a level difference in an infrared ray spectrum having the wave length near 10 μm.例文帳に追加

入射赤外線のエネルギーにより熱変化を生じる赤外線屈折膜を備える熱型赤外線検出素子において、上記赤外線屈折膜を、半導体膜、あるいは、波長１０μｍ付近の赤外線スペクトルに段差を有する膜とすることにより、特定波長帯域や広波長帯域における赤外線吸収率および検出感度を高める。 - 特許庁

This head mounted type display 10 is constituted of a picture display part 11 for displaying a picture presented to the user, a transmitted light beam selecting element 12 having property that a light beam in specified wavelength or a specified band is transmitted and concurrently a light beam in a visible area is reflected, and transmitted light source 13a and 13b emitting light beams having a continuous or discrete wavelength band.例文帳に追加

ヘッドマウントディスプレイ１０を、利用者に提示する画像を表示する画面表示部１１と、特定の波長あるいは特定の帯域の光線を透過させると同時に可視領域の光線を反射させる性質を有する透過光線選択素子１２と、連続もしくは離散的な波長帯域を持つ光線を放出する透過光源１３ａ，１３ｂと、から構成する。 - 特許庁

An objective lens 10 as the optical element is provided by molding an optical resin material made of a prescribed alicyclic hydrocarbon type copolymer, wherein, when performing a molecular weight distribution measurement under prescribed measurement conditions, the number average molecular weight Mn and the weight average molecular weight Mw satisfy the relations of 40,000≤Mw≤90,000 and of 1.6≤Mw/Mn≤9.5.例文帳に追加

本発明に係る光学素子としての対物レンズ１０は、所定の脂環式炭化水素系共重合体からなる光学用樹脂材料を成形して得られた光学素子であって、所定の測定条件で分子量分布測定を行ったとき、数平均分子量Ｍｎ，重量平均分子量Ｍｗが４００００≦Mw≦９００００、かつ、１．６≦Mw／Mn≦９．５の関係を満たす。 - 特許庁

To improve the light emitting efficiency of an upper surface light emission type organic electroluminescent element by adopting an anode of a multi-layer structure composed of a hole injection electrode layer and a reflection film layer, injecting a hole into the organic layer from the hole injection electrode layer, and reflecting light produced by a luminous layer in the direction of a cathode by the reflection film layer having high reflectance.例文帳に追加

ホール注入電極層と反射膜層とからなる多層構造のアノードを上面発光型の有機電界発光素子に採用し，ホール注入電極層が有機層へホールの注入を行うと同時に，高い反射率を有する反射膜層が発光層にて生成された光をカソード方向に反射することにより，有機電界発光素子の発光効率を高める。 - 特許庁

By controlling the ON and OFF of the p-ch type TFT 4 through control wiring 11, the charges preaccumulated in a storage capacitive element 5 can be discharged via a discharge path 8 which is embedded into the contact hole 18 provided in the transparent organic insulating film 17 covering the first discharge electrode 6 and the second discharge electrode 7.例文帳に追加

制御配線１１を通じてｐ−ｃｈ型ＴＦＴ４のオン・オフを制御することにより、第１の放電電極６及び第２の放電電極７を覆う透明有機絶縁膜１７に設けられたコンタクトホール１８に埋設され透明有機絶縁膜１７上に配線された放電経路８を介して、予め蓄積容量素子５に蓄積された電荷を放電することができる。 - 特許庁

The transmission type screen comprises a Fresnel lens sheet formed with a Fresnel lens element on the surface of observer side and a light shielding sheet 13 arranged on the observer side of the Fresnel lens sheet.例文帳に追加

観察者側の面にフレネルレンズ要素が形成されたフレネルレンズシートと、そのフレネルレンズシートの観察者側に配置された遮光シート１３とを有する透過型スクリーンであって、遮光シート１３に、観察者側から入射する外光２のうち、フレネルレンズシートの投射光源側の面で全反射し、観察者側に出光する外光を吸収する遮光要素２２を形成することにより、上記課題を解決した。 - 特許庁

LSIs 201e and 201f as integrated circuit chips are fitted with fine tile type elements having a light emitting function or light receiving function, and mounted on a substrate 10, and an optical waveguide 30 which has an optical waveguide material and is optically connected to the fine tile element is provided on the substrate 10.例文帳に追加

集積回路チップであるＬＳＩ２０１ｅ，２０１ｆには、発光機能又は受光機能を有する微小タイル状素子が取り付けられており、そのＬＳＩ２０１ｅ，２０１ｆは、基板１０上に実装されており、基板１０上には、光導波路材を有してなるものであって、前記微小タイル状素子と光学的に接続された光導波路３０が設けられていることを特徴とする。 - 特許庁

In the storage element wherein a plurality of current collection leads, extended to the side of the plate-type laminated electrode body 20, are connected to the external lead terminal mechanically and electrically through ultrasonic welding; the current collection leads and the external lead terminal are connected mutually a plurality number of times by ultrasonic welding, and the plurality of welded locations are partially superimposed.例文帳に追加

平板型積層電極体２０の側方へ延出された複数の集電リード部が外部リード端子に超音波溶接により機械的および電気的に接続されている蓄電素子において、上記集電リード部と上記外部リード端子間を複数回の超音波溶接で接続するとともに、その複数回の溶接個所を部分的に重ね合わせる。 - 特許庁

A nitride semiconductor laser element 10 is constituted so that the main surface of the nitride semiconductor substrate 101 is a (1-100) surface, a resonator end surface intersects with the main surface, in a cleavage constituting the resonator end surface, a digging portion 115 which is a digging region opened toward the nitride semiconductor layer surface is formed aside of at least one side of a stripe type waveguide.例文帳に追加

窒化物系半導体レーザ素子１０は、窒化物半導体基板１０１の主面が（１−１００）面であり、共振器端面は、主面に直交し、共振器端面を構成する劈開面において、ストライプ状導波路の少なくとも片側の脇に、窒化物半導体層表面に向けて開口した掘り込み領域である掘り込み部１１５を備える構成とする。 - 特許庁

In determining surface temperature t1 of a heating roller 3a in a fixing region L1 based on two detection outputs from a noncontact type thermister 61, a control section 55 firstly refers to a temperature correction table Dt1 and determines a temperature correction amount Δtc corresponding to the temperature Tc of a temperature detecting section body 61a itself detected directly by a first thermister element 61-1.例文帳に追加

制御部５５は、非接触型サーミスタ６１からの２つの検出出力に基づいて、定着領域Ｌ１における加熱ローラ３ａの表面温度ｔ１を求めるに際し、まず温度補正テーブルＤｔ1を参照して、第１サーミスタ素子６１-1により直接的に検出された温度検出部本体６１ａ自体の温度Ｔｃに対応する温度補正量Δｔｃを求める。 - 特許庁

The polysilicon film formed like an island as a semiconductor layer 1a constituting a TFT 30 as a switching element is heated by means of a sheet-fed semiconductor manufacturing device using a resistance-heating-type heater as a heat source under temperature conditions for releasing film stress occurring in oxidative reaction on the surface of the polysilicon film to form a gate insulation film 2 made of the silicon oxide film.例文帳に追加

スイッチング素子としてのＴＦＴ３０を構成する半導体層１ａとして島状に形成されたポリシリコン膜に、抵抗加熱式のヒータを熱源とする枚葉式の半導体製造装置を用い、ポリシリコン膜の表面に酸化反応時に発生する膜応力を解放する温度条件で加熱を行ってシリコン酸化膜からなるゲート絶縁膜２を形成する。 - 特許庁

The diffraction grating type optical function element has a Bragg diffraction grating formed halfway in an optical path guiding a light signal along the optical path and uses the transmission peak or reflection peak by the diffraction of the grating, and the diffraction grating is formed by irradiating a high-refractive-index glass material layer on a plane substrate with ultraviolet rays and performing a heat treatment at 510 to 850°C for 10 minutes to 24 hours.例文帳に追加

光信号を導波する光路の途中に、当該光路に沿ってブラッグ回折格子が形成され、その格子の回折による透過ピークあるいは反射ピークを利用する回折格子型光機能素子であって、平面基板上の高屈折率ガラス材料層に対する紫外線照射と、５１０〜８５０℃で１０分〜２４時間の熱処理により回折格子を形成する。 - 特許庁

The method of manufacturing a resistance change type element X like this includes: a step of forming a laminate structure including electrodes 1 and 2, an oxide layer 3, and a non-oxidizer layer 4; and an oxidizing step of making a portion of oxygen in the oxide layer 3 reach the electrode 2 through thermal diffusion to partially oxidize an end surface of the electrode 2 on the side of the oxide layer 3.例文帳に追加

このような抵抗変化型素子Ｘの製造方法は、電極１，２、酸化物層３、および非酸化性物質層４を含む積層構造を形成する工程と、酸化物層３内の酸素の一部を熱拡散によって電極２に至らしめて当該電極２における酸化物層３側の端面を部分的に酸化させる酸化工程とを含む。 - 特許庁

This primer composition is to bond the substrate plate mounting the photosemiconductor element with the cured material of the addition reaction-curing type silicone composition for sealing the photosemiconductor, and contains (A) a polymer of an acrylic ester, a polymer of a methacrylic ester or their copolymer, (B) an alkoxysilane having an epoxy group, (C) a platinum compound and (D) solvent.例文帳に追加

プライマー組成物は、光半導体素子を実装した基板と、前記光半導体素子を封止する付加反応硬化型シリコーン組成物の硬化物とを接着するプライマー組成物であって、（Ａ）アクリル酸エステルの重合体、メタクリル酸エステルの重合体又はこれらの共重合体、（Ｂ）エポキシ基を有するアルコキシシラン、（Ｃ）白金化合物及び（Ｄ）溶剤を含有する。 - 特許庁

In the roll to roll type manufacturing method for the organic electroluminescent element having a least one of a gas barrier layer, an electrode layer, and an organic material layer formed by coating on a flexible support, after forming the organic material layer, a protection film having a desiccant containing layer is wound by overlapping it on the organic material layer.例文帳に追加

可撓性の支持体上に、ガスバリア層、電極層及び塗布により形成される有機材料層を少なくとも１層有する、ロールツーロールによる有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、前記有機材料層を形成した後、乾燥剤含有層を有する保護フィルムを前記有機材料層に重ね合わせて巻き取ることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。 - 特許庁

An organic electroluminescence active matrix type display apparatus 1 comprises; an illuminance detecting part 9 for detecting the brightness of the surroundings; a calculation part 8 for calculating a luminance setting value corresponding to an output of the illuminance detecting part 9; and a duty scan driving circuit 5 as a control means for controlling an emitting period of an organic electroluminescence element 13 with the luminance setting value calculated by the calculation part 8.例文帳に追加

有機ＥＬアクティブマトリクス型表示装置１において、周囲環境の明るさを検出する照度検出部９と、この照度検出部９の出力に対応する輝度設定値を演算する演算部８と、この演算部８にて演算された輝度設定値で有機ＥＬ素子１３の発光時間を制御する制御手段としてデューティ走査駆動回路５を設置する。 - 特許庁

The MOS field effect transistor type quantum dot light-emitting element comprises a semiconductor substrate, a tunnel SiO_2 layer formed on the semiconductor substrate, a quantum dot which includes Ge nucleus within Si shell formed on the tunnel SiO_2 layer, a control SiO_2 layer formed on the quantum dot and tunnel SiO_2 layer, and a gate electrode layer formed on the control SiO_2 layer.例文帳に追加

ＭＯＳ電界効果トランジスタ型量子ドット発光素子は、半導体基板と、該半導体基板上に形成されたトンネルＳｉＯ_２層と、該トンネルＳｉＯ_２層上に形成されたＳｉ殻内にＧｅ核を内包した量子ドットと、該量子ドット上及び前記トンネルＳｉＯ_２層上に形成されたコントロールＳｉＯ_２層と、該コントロールＳｉＯ_２層上に形成されたゲート電極層と、を有する。 - 特許庁

To provide a metallic thin film forming mask that can form, in a chip type electronic component element, a pair of metallic thin film electrodes which range from one of the pair of main faces to the other main face through one of the pair of side faces and which oppositely face across the non-forming region of a metallic thin film on each surface of the pair of main faces.例文帳に追加

チップ型電子部品素子に、前記１対の主面の一方主面から前記１対の側面のうちの１つの側面を経て前記１対の主面の他方主面に至り、前記１対の主面の各表面の薄膜金属非形成領域を隔てて対向する１対の薄膜金属電極を形成できる薄膜金属形成用マスクを提供する。 - 特許庁

In the non-contact type liquid level detector, a detection element 9 is arranged at one portion of a bearing member 4A provided at a body frame 4 of the liquid level detector 1, a magnet 8 arranged at the outer-periphery section of the bearing member 4A is formed in a ring, and a magnetic shield member 15 is arranged while surrounding the ring-like magnet 8.例文帳に追加

非接触式の液面検出装置において、液面検出装置１の本体フレーム４に設けられた軸受部材４Ａの一部に検出素子９を配設し、軸受部材４Ａの外周部に配置されるマグネット８をリング状に形成するとともに、このリング状のマグネット８を取り巻いて磁気シールド部材１５を配置してなることを特徴とする液面検出装置である。 - 特許庁

The thermal type infrared detection element includes: a pixel diode 101; a voltage setting circuit 3000 for setting both-end voltages of the pixel diode; a current reading circuit 1104 for reading the current of the pixel diode; a reference diode 901; a reference voltage setting circuit 4007 for setting both-end voltages of the reference diode; and a reference current reading circuit 4008 for reading the current of the reference diode.例文帳に追加

熱型赤外線検出素子は、画素ダイオード101と、画素ダイオードの両端電圧を設定する電圧設定回路3000と、画素ダイオードの電流を読み取る電流読み取り回路1104と、参照ダイオード901と、参照ダイオードの両端電圧を設定する参照用電圧設定回路4007と、参照ダイオードの電流を読み取る参照用電流読み取り回路4008とを備える。 - 特許庁

To provide a simple matrix driving type display driving device capable of realizing a display device which is superior in response characteristic by quickly charging a junction capacitance or the like of a display element regardless of a driving current set to a relatively small current value and has a satisfactory display image quality and has a low power consumption and to provide a driving control method for the same.例文帳に追加

単純マトリクス駆動方式の表示駆動装置において、比較的小さな電流値に設定された駆動電流であっても、表示素子の接合容量等を迅速に充電して応答特性に優れ、かつ、表示画質が良好な低消費電力の表示装置を実現することができる表示駆動装置及びその駆動制御方法を提供する。 - 特許庁

In a semiconductor laser element, an n-type GaN substrate 21 includes a planar region A in which a semiconductor layers (22 to 30) can vertically grow; and a planar region B located to sandwich the planar region A, in which an interfacial region with the planar region A extends substantially in a [1-100] direction and the semiconductor layers (22 to 30) can grow horizontally.例文帳に追加

この半導体レーザ素子では、ｎ型ＧａＮ基板２１は、半導体層（２２〜３０）が縦方向成長することが可能な平面領域Ａと、平面領域Ａを挟み込むように配置され、平面領域Ａとの境界領域が実質的に［１−１００］方向に延びるとともに、半導体層（２２〜３０）が横方向成長することが可能な平面領域Ｂとを含む。 - 特許庁

In the solid-state imaging apparatus having a light receiving sensor section 1 of silicon semiconductor, a metal silicide layer 20 having a band gap smaller than that of silicon such as β-FeSi_2 and exhibiting high absorptivity in infrared region is provided on the light receiving surface side of a first conductivity type well region 13 constituting a depletion region which constitutes a photoelectric conversion element in the light receiving sensor section 1.例文帳に追加

シリコン半導体による受光センサ部１を有する固体撮像装置であって、受光センサ部１の光電変換素子を構成する空乏化領域を構成する第１導電型のウエル領域１３の受光面側にβ−ＦｅＳｉ_２等のシリコンに比しバンドギャップが小さく赤外領域に高い吸収性を有する金属シリサイド層２０を設ける。 - 特許庁

This integration type multilayer chemical analytical element for measuring the concentration of glucose, cholesterol or lactic acid in blood has a reagent layer 21 containing a composition comprising an oxidase selected from the group consisting of a peroxidase, a leuco pigment having absorption peaks at 600-700 nm wavelengths and exhibiting color development, glucose oxidase, cholesterol oxidase and lactic acid oxidase and having 30-80% porosity.例文帳に追加

ペルオキシダーゼ、６００〜７００ｎｍの範囲の波長に吸収ピークを有する発色を示すロイコ色素、及びグルコースオキシダーゼ、コレステロールオキシダーゼ又は乳酸オキシダーゼからなる群より選ばれる酸化酵素を含む組成物を含有する、空隙率が３０〜８０％の範囲の多孔質材料からなる試薬層を有する全血中のグルコース、コレステロール又は乳酸の濃度測定用一体型多層化学分析要素。 - 特許庁

The radiation irradiator 2 includes: a radiation source 11; an illumination light source 12 for illuminating a subject; a transmission type LCD element 13 for displaying the image information on the subject; a lens group 14 for changing the focus of an image on the subject; a mirror 15 for reflecting light emitted from the illumination light source 12; and an irradiation field diaphragm 16 for limiting the radiation irradiation field.例文帳に追加

放射線照射装置２を、放射線源１１、被写体を照らすための照明用光源１２と、被写体上に画像情報を表示するための透過型ＬＣＤ素子１３と、被写体上における画像のフォーカスを変更するためのレンズ群１４と、照明用光源１２から出射された光を反射させるミラー１５と、放射線の照射野を限定するための照射野絞り１６とから構成する。 - 特許庁

In the organic electroluminescent element having an organic compound layer containing a plurality of luminous layers between a pair of electrodes, each of the plurality of luminous layers contains a luminous material having a mutually different structure, at least one type of the luminous materials is a phosphorescent luminous material, and at least two layers of the plurality of luminous layers contain mutually different host materials.例文帳に追加

一対の電極間に複数の発光層を含む有機化合物層を有する有機電界発光素子にであって、該複数の発光層の各々が相異なる構造を有する発光材料を含み、該発光材料のうち少なくとも１種が燐光発光材料であり、該複数の発光層のうち少なくとも２層が、各々、相異なるホスト材料を含むことを特徴とする有機電界発光素子。 - 特許庁

To provide a cell and a cell plate for a porous metal supporting type solid oxide fuel cell forming a thin film state battery element on a light weight, thin and low cost gas permeating metal substrate provided with reduction resistance and oxidation resistance preventing peeling or cracking of an electrolyte layer due to a difference in heat expansion and furthermore, a fuel cell using them.例文帳に追加

耐還元性及び耐酸化性を備え、軽量、薄肉、且つ安価なガス透過性金属基板に薄膜状の電池要素を形成することができ、ヒートサイクルの繰り返しによっても熱膨張差による電解質層の剥離や割れを防止することができ、耐久性に優れた多孔質金属支持型の固体酸化物形燃料電池用セル及びセル板、さらにこれらを用いた燃料電池を提供する。 - 特許庁

The planar waveguide type optical circuit 1 is composed of a plurality of optical waveguides 20_1 through 20_n, which guide signal lights having respective prescribed wavelengths, formed on a substrate 10 corresponding to a plurality of signal lights, and a light detection element array 30 having light detection elements 31_1 through 31_n which are furnished corresponding to respective optical waveguides and detect signal lights guided in respective corresponding optical waveguides.例文帳に追加

複数の信号光に対応して、基板１０上に形成され、それぞれ所定波長の信号光を導波する複数の光導波路２０_1〜２０_nと、それぞれの光導波路に対して設けられ、対応する光導波路を導波されている信号光を検出する光検出素子３１_1〜３１_nを有する光検出素子アレイ３０とから平面導波路型光回路１を構成する。 - 特許庁