「Element Type」に関連した英語例文の一覧と使い方(197ページ目) - Weblio英語例文検索

In the method for producing the visible light reaction type photocatalyst, a solution containing a titanium alkoxide (for example titanium tetraisopropoxide), a rare earth element compound (for example praseodymium chloride), and an organic solvent (for example 2-methoxyethanol) is hydrolyzed, and the obtained sol is heat-treated at 300°C or above (preferably at 300-750°C).例文帳に追加

本可視光反応型光触媒の製造方法は、チタンアルコキシド（例えば、チタンテトライソプロポキシド等）と、希土類元素化合物（例えば、塩化プラセオジム等）と、有機溶媒（例えば、２−メトシキエタノール等）と、を含む溶液を加水分解させ、その後、得られたゾルを３００℃以上（好ましくは３００〜７５０℃）で熱処理する。 - 特許庁

The optical type touch panel liquid crystal display device includes: a liquid crystal display panel; a backlight unit which is arranged below the liquid crystal display panel and supplies backlight to the liquid crystal display panel; a bezel; at least one light emitting element; and at least one optical sensor.例文帳に追加

本発明は、画像を表示する液晶ディスプレイパネルと、液晶ディスプレイパネルの下方に配設されており、液晶ディスプレイパネルに対してバックライトを供給するバックライトユニットと、ベゼルと、少なくとも１つの発光素子と、少なくとも１つの光センサとを備える光学方式タッチパネル液晶ディスプレイ装置に関する。 - 特許庁

To solve such a problem that a spool valve causes irregular vibration when opening the spool valve element a water side opening or a hot water side opening from a closed state or when closing from an opening state, and the operation of a temperature control valve becomes unstable, in a water discharge instrument using the spool valve type temperature control valve.例文帳に追加

スプール弁形式の温調弁を用いた吐水器具において、そのスプール弁体が水側の開口又は湯側の開口を締切状態から開こうとするとき若しくは開放状態から締め切ろうとするときスプール弁体が不整振動を起こし、温調弁の動作が不安定化する問題を解決する。 - 特許庁

To provide a program, a method, and a system for autonomous action control, which can perform a very precise control in a short time by detecting information concerning a T type junction point even though an input signal is a low resolution image from a photoelectric element with a small number of pixels and also by single eye.例文帳に追加

少ない画素数の受光素子からの低解像度の入力信号であって、しかも単眼による入力信号であっても、Ｔ型接合点に関する情報を検知して短時間にしかも精度の高い制御を行うことができる自律行動制御装置とその方法及びそのプログラムを提供することである。 - 特許庁

To provide a permanent magnet type synchronous motor which can mount a magnetic pole position detecting element to the accurate position, reduce influence of thermal deformation and deterioration with aging changes and control increase of the number of parts by using in common the substrate and holder even in the motors of a plurality of kinds of rotating diameters.例文帳に追加

磁極位置検出素子の取付け位置を正確にすることができ、熱による変形や経年変化による劣化の影響を小さくすることが可能で、そして、複数種類の回転径のモータであっても基板及びホルダを共有化して、部品点数の増加を抑えることができる永久磁石型同期モータを提供する。 - 特許庁

To provide a self-reset type thin and small-sized protection element capable of preventing generation of chattering of a contact against vibration and impact from outside, preventing release of the contact due to deformation caused by temperatures other than an inversed part, and carrying out opening of a circuit only when the inversed part is inversed.例文帳に追加

本発明は、薄型、小型であって、外部からの振動、衝撃に対し、接点のチャタリングの発生防止ができ、しかも、反転部以外の温度による変形による接点解放を妨げ、反転部の反転時のみに回路の開放を行うことができる自己復帰型保護素子を提供することを目的とする。 - 特許庁

In the position detection-type photoelectric sensor outputting a comparison result with a reference interval while measuring an interval to a workpiece by an optical triangular ranging, firstly a reference interval D_ref is roughly established using a optical receiver adjustment mechanism modifying a net angle of the optical receiver including light-sensitive lens and light-sensitive element.例文帳に追加

光を用いた三角測距によってワークまでの距離を測定すると共に基準距離との比較結果を出力する位置検出型光電センサーにおいて、まず、受光レンズ及び受光素子を含む受光部の角度を変更する受光部調整機構を用いて基準距離Ｄｒｅｆを大まかに設定する。 - 特許庁

The liquid crystal display element 10 using a p type liquid crystal composition 14 whose dielectric constant anisotropy is plus (Δε>0) has a vertical alignment film 20 formed on the side of a TFT substrate 11 having larger steps of unevenness and a tilt alignment film 24 of 7.5° in pretilt angle on the side of a counter substrate 12 having small steps of unevenness.例文帳に追加

誘電率異方性が正極性（Δε＞０）のｐ型液晶組成物１４を用いる液晶表示素子１０の、凹凸の段差がより大きいＴＦＴ基板１１側に垂直配向膜２０を成膜し、凹凸の段差が小さい対向基板１２側に７．５°のプレチルト角のチルト配向膜２４を成膜する。 - 特許庁

This film solar cell element is provided with the same back electrode 4 of an alloy layer between a group IB metal and a group IIIA metal as those being deposited and formed for production of a polycrystalline IB- IIIA-VIA absorption layer, between the p-type conductivity polycrystalline group IB-IIIA-VIA absorption layer and a carrier film 1 having a role as a substrate.例文帳に追加

ｐ型導電率の多結晶ＩＢ−IIIＡ−VIＡ族吸収体層と基板としての役割を持つキャリア・フィルムとの間に多結晶ＩＢ−IIIＡ−VIＡ族吸収体層の生成のために沈着形成されるものと同じＩＢ族金属とIIIＡ族金属との合金相のバック電極が設けられる。 - 特許庁

In this crossover type MI element of which the easily magnetized axis Jm_1 of a first magnetic substance 52 is crossed with the easily magnetized axis Jm_2 of a second magnetic substance 54, a magnetization aiding member 3 for aiding anisotropies of the easily magnetized axis Jm_1, Jm_2 is provided between film layers of the first and second magnetic substances 52, 54.例文帳に追加

第１の磁性体５２の磁化容易軸Ｊｍ_１と第２の磁性体５４の磁化容易軸Ｊｍ_２とを交差させた交差型ＭＩ素子において、第１、第２の磁性体５２、５４の成膜層間に、これら磁化容易軸Ｊｍ_１、Ｊｍ_２の異方性を助成する磁化助成体５３を設けた構成となっている。 - 特許庁

The hybrid type working machine includes: an internal combustion engine; a motor generator with a rotating shaft coaxially connected on one side to an output shaft of the internal combustion engine; and a transmission with an input shaft coaxially connected to the other side of the rotating shaft of the motor generator and with an output shaft connected to a drive mechanism of the working element.例文帳に追加

ハイブリッド型作業機械は、内燃機関と、前記内燃機関の出力軸に回転軸の一側が同軸接続される電動発電機と、前記電動発電機の回転軸の他側に入力軸が同軸接続されるとともに、出力軸が作業要素の駆動機構に接続される変速機とを含む。 - 特許庁

To provide a solid electrolyte type carbon dioxide gas sensor element not almost generating a change in electromotive force even if allowed to stand for a long time in an unheated state within an atmosphere high in moisture content such as a high humidity or dewing atmosphere and shortened in the time from the start of operation to a time when electromotive force is stabilized.例文帳に追加

高湿度や結露などのように、水分濃度の高い雰囲気中に非加熱の状態で長時間放置されても起電力の変化をほとんど生じることがなく、また、作動開始から起電力が安定化するまでの時間が短縮された固体電解質型炭酸ガスセンサ素子を提供する。 - 特許庁

Suction of air from a clearance of a through hole 54h communicated to the outside is caused in accordance with increase of capacity of a release chamber 54b at the time when a band brake type friction element 54 using a servocylinder 54c is released by extracting servo apply pressure of a fastening chamber 54a without supplying servo release pressure to the release chamber 54b.例文帳に追加

解放室５４ｂにサーボリリース圧を供給しないで締結室５４ａのサーボアプライ圧を抜くことによりサーボシリンダ５４ｃを用いたバンドブレーキ式の摩擦要素５４を解放したときは、該解放室５４ｂの容積の増大に伴って外部と連通する貫通孔５４ｈの隙間からエアの吸込みが起きる。 - 特許庁

An SV type GMR element 10B, operating in a CPP mode, comprises a laminated ferri-fixed-magnetic layer 14A fitted unidirectionally by a first antiferromagnetic layer 13, and a free magnetic layer 16 which is long-distance exchange-coupled by a second antiferromagnetic layer 18 with a non-magnetic spacer layer 17 in between.例文帳に追加

本発明のＣＰＰモードで作動するＳＶ型ＧＭＲ素子１０Ｂは、第１反強磁性層１３によって一方向に固着された積層フェリ固定磁性層１４Ａと、第２反強磁性層１８により非磁性スペーサ層１７を介して長距離交換結合した自由磁性層１６より構成されている。 - 特許庁

The method for manufacturing the gas sensor comprises a step of baking a composition containing one type or more selected from the group consisting of a main component having at least 57 to 88 mol% of a cobalt oxide and 12 to 43 mol% of a tungsten oxide, and an alkali earth or the like compound or a rare earth element or the like oxide containing yttrium at 600 to 1,000°C.例文帳に追加

少なくとも酸化コバルト５７〜８８モル％と酸化タングステン１２〜４３モル％とからなる主成分と、アルカリ土類化合物又はイットリウムを含む希土類酸化物から選択される一種以上を含有する組成物を６００〜１０００℃で焼成してガスセンサーを製造する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which prevents an outbreak of a chipping or unauthorized cleavage and makes an element separation at a high yield when the semiconductor device having a wurtzite type crystal structure having relatively low Mohs hardness such as a ZnO-based crystal and the like is cut into individual pieces from a wafer state to a chip state.例文帳に追加

ＺｎＯ系結晶等の比較的モース硬度の低いウルツ鉱型の結晶構造を有する半導体装置をウエハ状態からチップ状態に個片化する際にチッピングや不正劈開の発生を防止して、高歩留りで素子分離を行うことができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a display device and a method for driving the display device applied to an active matrix type display device by an organic EL element using a polysilicon TFT to effectively prevent increase of power consumption and the area of a peripheral circuit so as to improve accuracy of a drive signal output to a scanning line in comparison with the conventional manner.例文帳に追加

本発明は、表示装置及び表示装置の駆動方法に関し、例えばポリシリコンＴＦＴを用いた有機ＥＬ素子によるアクティブマトリックス型のディスプレイ装置に適用して、消費電力、周辺回路の面積の増大を有効に回避して、従来に比して走査線に出力する駆動信号の精度を向上する。 - 特許庁

A heat-exchanging element 1a is made into such structure that the same type of heat-exchanging segments are stacked, and one gas passage 3a is supplied with gas A (for example, outside air), and the other gas passage 4a is supplied with gas B (for example, inside air) so as to exchange heat.例文帳に追加

熱交換素子１ａは、同一タイプの熱交換セグメントを積層した構造に設けられ、一方の気体流路３ａに気体Ａ（例えば、室外空気）が供給されると共にそれと直交する方向に形成された他方の気体流路４ａに気体Ｂ（例えば、室内空気）が供給されて熱交換する。 - 特許庁

The subject light from a taking lens 2 is divided to two by a main mirror 3, and one of the divided light is made incident on an imaging element 8 for contrast AF and a portion of the other of the divided light is guided to a focus detector 61 for phase difference type AF and is made incident on an AF sensor provided therein.例文帳に追加

撮影レンズ２からの被写体光をメインミラー３で２つに分割し、分割された一方の光の一部をコントラストＡＦ用の撮像素子８に入射させ、分割された他方の光の一部を位相差式ＡＦ用の焦点検出装置６１に導きそれに設けられたＡＦセンサに入射させる。 - 特許庁

In the ridge waveguide type III group nitride compound semiconductor laser diode element, a ridge part including a first region including a central part and continuing in a lengthwise direction, and a second region sandwiching both the sides of the first region with an average thickness of its layer thinner than that of the second region, is formed.例文帳に追加

リッジ導波路型のＩＩＩ族窒化物系化合物半導体レーザダイオード素子において、中央部を含み且つ長手方向に連続する第１領域と、該第１領域を両側から挟み且つその平均層厚が該第１領域の平均層厚よりも小さい第２領域と、を含むリッジ部を形成する。 - 特許庁

To provide an active matrix type liquid crystal display element capable of obtaining favorable display quality without a display unevenness by decreasing the thickness of liquid crystal layer in a pixel part and increasing the response speed, and also forming a plurality of columnar spacers at a uniform height and uniformalizing the thickness of liquid crystal layer in a plurality of pixel parts.例文帳に追加

画素部の液晶層厚を小さくして応答速度を速くするとともに、複数の柱状スペーサを均一な高さに形成して複数の画素部の液晶層厚を均一にし、表示むらの無い良好な表示品質を得ることができるアクティブマトリックス型液晶表示素子を提供する。 - 特許庁

In the optical pickup, a first objective lens 113 and a second objective lens 207 are arranged in the tangential direction of an information recording medium and they are mounted on an objective lens drive unit 114, and the optical pickup includes an optical path change optical element 107 formed by an integrated type prism which has two internal reflection planes and in which these reflection planes are almost orthogonal.例文帳に追加

第１の対物レンズ１１３と第２の対物レンズ２０７を情報記録媒体の接線方向に配置して対物レンズ駆動ユニット１１４に搭載し、２つの内部反射面を有しそれらの反射面が略直交する一体プリズムにより形成された光路変更光学素子１０７を設ける。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a laminate type piezoelectric element that consists of a ceramic laminate, in which, in two sides of the ceramic laminate of a multi-layer structure where ceramic layers and inner electrode layers are alternately layered, insulating member coating the inner electrode layers of every other layer is formed such that the position thereof is different between the two sides.例文帳に追加

セラミック層と内部電極層とを交互に積層した多層構造のセラミック積層体の２つの側面において，一層おきの内部電極層を被覆する絶縁部材を，上記２つの側面間で位置が異なるように形成したセラミック積層体からなる積層型圧電素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

In the method for manufacturing the shielding type MR element provided with a magnetoresistive film comprising a free layer/a non-magnetic layer (barrier layer)/a fixed layer, after a vertical layer is formed on a lower electrode to be patterned and the magnetoresistive film is layered thereon to be patterned, an insulating layer is formed in the periphery of the magnetoresistive film pattern.例文帳に追加

フリー層／非磁性層（バリア層）／固定層を含む磁気抵抗効果膜を備えたシールド型ＭＲ素子の製造方法において、下電極上に縦バイアス層を形成してパターン化すると共に、磁気抵抗効果膜を積層してパターン化した後、磁気抵抗効果膜パターンの周囲に絶縁層を形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a gas sensor which can homogeneously remove a first binder without exerting the effect of an unbaked electrode having catalytic action and based on a platinum type element on a molded object for the solid electrolyte body in a molded article and having no crack or the like in the solid electrolyte.例文帳に追加

成形物中の固体電解質体用成形体が、触媒作用を有し、白金系元素を主成分とする未焼成電極の影響を受けることなく均質に第一バインダを除去することができ、さらに、固体電解質体にクラック等を有することのないガスセンサの製造方法を提供する。 - 特許庁

The pole position detection device of the rundel type rotor is constituted by providing a magnet resin 19, constituting a detected body on the outer periphery of resin for molding a slip ring 10, and a semiconductor device 20 for detecting the pole position, such as Hall element or Hall IC is provided at a corresponding position.例文帳に追加

被検出体を構成するマグネット樹脂１９を、スリップリング１０をモールドしている樹脂の外周に設け、これに対向する部位に磁極位置検出用半導体素子２０、例えばホール素子或いはホールＩＣを設け、ルンデル型回転子の磁極位置検出手段を構成することによって達成することができる。 - 特許庁

The roller in the fixing device is rotated, in such a state that power supplying is stopped to the heating source in the fixing device, when a fault occurs and when jamming occurs after supplying power; and the winding of the paper round the roller in the fixing device is detected, on the basis of the transition of detected temperature by the non-contact type temperature detection element then.例文帳に追加

電源投入後、故障発生後及びジャム発生後において、定着装置内の加熱源への電力供給を停止した状態で定着装置内のローラを回転させ、その際の非接触式温度検出素子による検出温度の推移を基に定着装置内のローラへの紙の巻き付きを検出する。 - 特許庁

In the photovoltaic element of a back face electrode type, an optical absorbing part is composed of a plurality of areas extending from a light receiving face side to a back face side with a different carrier density, or the optical absorbing part is composed of an opposed conductive area to one conductive area extending from the light receiving face side to the back face side.例文帳に追加

裏面電極型の光起電力素子において、光吸収部が、受光面側から裏面側まで延在するキャリア濃度の異なる複数の領域から成るか、または、光吸収部が、受光面側から裏面側まで延在する一導電型の領域と反対導電型の領域とから成る。 - 特許庁

In a current input type light emitting device, a current equivalent to a video signal is converted to a voltage by causing the current to flow to two nodes out of four nodes which a multi-terminal transistor has, and two nodes other than the two node are short-circuited to convert the voltage to a current again, and the current is supplied to the light emitting element.例文帳に追加

本発明の電流入力型発光装置は、ビデオ信号に相当する電流をマルチ端子トランジスタが有する４つのノードのうちの２つのノード間に流すことで電圧に変換し、次に前記２つのノードと異なる２つのノードを短絡させて、該電圧を再び電流に変換し、発光素子に供給する。 - 特許庁

A syntax element conversion part 15 retrieves a tag name memory 11 and an attribute name memory 12 based on a tag name and an attribute name and converts the tag name and the attribute name into an abbreviated tag name and an abbreviated attribute name and an output part 16 combines converted syntax elements and outputs the combined result as an abbreviated document type definition matching document 3.例文帳に追加

構文要素変換部１５は、構文要素におけるタグ名、属性名により、タグ名メモリ１１，属性名メモリ１２を検索し、タグ名、属性名を短縮タグ名、短縮属性名に変換し、出力部１６は変換した構文要素を結合し短縮文書型定義整合文書３として出力する。 - 特許庁

Functionality usable from an element of a computing system which may cause a cross-application collaboration problem or a cross-version collaboration problem when it is used, is restricted so as not to be usable for creating or editing files different in type of computing system elements or for different versions.例文帳に追加

コンピューティングシステムの要素が使用される際に、クロスアプリケーションコラボレーション問題またはクロスバージョンコラボレーション問題を引き起こす可能性がある、その要素から使用可能な機能性を、コンピューティングシステム要素の異なるタイプまたは異なるバージョン用のファイルの作成または編集に使用するのに使用不能とするように制約する。 - 特許庁

In a planer type bidirectional photothyristor element which has a thyristor of a PNPN structure constituted of a PNP transistor Tr1 and an NPN phototransistor Tr2 on an Si substrate 1, hFE of the NPN phototransistor Tr2 is increased by using an SiGe layer as a base region 3a of the NPN phototransistor Tr2.例文帳に追加

Ｓｉ基板１上にＰＮＰトランジスタＴｒ１とＮＰＮフォトトランジスタＴｒ２とからなるＰＮＰＮ構造のサイリスタを有するプレーナ型双方向フォトサイリスタ素子において、ＮＰＮフォトトランジスタＴｒ２のベース領域３ａにＳｉＧｅ層を用いてＮＰＮフォトトランジスタＴｒ２のｈＦＥを高くする。 - 特許庁

In the imaging apparatus using an XY address scanning type imaging element which performs imaging in cycles 1/2n (n: a natural number) as long as cycles of light quantity variation of lighting, an integration processing section 102 integrates pixel values of pixels in each area obtained by dividing an image into a plurality of images, an integral value holding section 103 holds the integral value.例文帳に追加

照明の光量変動周期の１／２ｎ（ｎは自然数）の周期で撮像するXYアドレス走査型撮像素子を用いた撮像装置において、積分処理部１０２は、画像を複数に分割した各領域内の画素の画素値を積分し、積分知保持部１０３は、積分値を保持する。 - 特許庁

Thus when a p-type impurity is diffusion-doped in the semiconductor layer 104 via the contact layer 105, the element isolation regions 106 at a diffusion depth Xj2 reaching the substrate 102 and light emitting parts 110 at a diffusion depth Xj1 which does not reach the substrate 102 are formed at the same time, in the semiconductor layer 104.例文帳に追加

したがって，コンタクト層１０５を介して半導体層１０４にｐ型不純物を拡散ドープすると，半導体層１０４には，高抵抗基板１０２に達する拡散深さＸｊ２の素子分離領域１０６と高抵抗基板１０２に達しない拡散深さＸｊ１の発光部１１０とが同時形成される。 - 特許庁

To provide a knock type applicator capable of certainly discharging a coating solution even if a highly viscous coating solution is used by using a simple rear part knocking operation system high in operability, capable of using a flexible coating element and enabling a user to easily regulate the discharge amount of the coating solution.例文帳に追加

ノック押圧式塗布具において、簡便かつ操作性の高い後部ノック操作方式を用いて、高粘度塗布液を使用する場合においても確実な塗布液吐出を得るとともに、柔軟な塗布体も使用でき、さらに、使用者が塗布液吐出量を調節しやすいノック式塗布具を提供すること。 - 特許庁

In the display element containing an electrochromic medium at least between a pair of opposing electrodes, the electrochromic medium contains an oxidation coloring type electrochromic compound, a compound indicated by general formula (1), an electrolyte, and a silver salt compound containing silver to be electrochemically dissolved and deposited.例文帳に追加

少なくとも一対の対向する電極間に、エレクトロクロミック媒体を含有した表示素子において、該エレクトロクロミック媒体が、酸化発色型エレクトロクロミック化合物、下記一般式（１）で表される化合物、電解質及び電気化学的に溶解析出する銀を含む銀塩化合物を含有していることを特徴とする表示素子。 - 特許庁

To obtain a non-volatile memory circuit in which write-in voltage is low, data can be read out at high speed and surely even if difference of threshold values between an enhancement state and a depression state of a non-volatile memory element is small, and rewriting can be performed many times, in a non-volatile memory circuit of FLOTOX type.例文帳に追加

ＦＬＯＴＯＸ型の不揮発記憶回路において、書き込み電圧が低く、不揮発性メモリ素子のエンハンスメント状態とデプレッション状態のしきい値の差が小さくても、データを高速かつ確実に読み出すことができ、また書き換え可能な回数の多い不揮発性記憶回路を得ること。 - 特許庁

In the protection method of an electrical communication terminal including a personal element to be needed for electrical communication network access of a chip card type, the terminal T includes a processing device, at least one operation memory including information to be needed for an operation of the terminal, i.e. an operation program of the terminal, and data to be needed for the program.例文帳に追加

チップカードタイプの電気通信ネットワークアクセスに必要な個人的な構成要素を含む電気通信端末の保護方法に関するものであり、端末Ｔは、処理装置、端末の作動に必要な情報すなわち端末の作動プログラムを含む少なくとも一つの作動メモリ、およびこのプログラムに必要なデータを含む。 - 特許庁

Thereby, using heat on the heat dissipation side of the Peltier element 30, for example in a warm-up state after a vehicle is cold-started, the warm air can be provided to the occupant Dr in the compartment before a temperature of the cooling water of a water-cool type engine increases so as to blow the warm air from a heater core.例文帳に追加

これによれば、ペルチェ素子３０の放熱側の熱を利用して、例えば車両を冷間始動した後の暖機状態において、水冷式エンジンの冷却水水温が上がってヒータコアから温風を出せるようになるまでの間にも、車室内の乗員Ｄｒに温風を提供することができる。 - 特許庁

This rear surface irradiation type solid-state imaging element 54 is provided with a semiconductor substrate 1 having an oxide film 2 of 1-50 nm in thickness on it rear surface; a light-receiving section 44 and a charge transfer section 46 formed on the front surface of the semiconductor substrate 1; and a color filter 19 and microlenses 22 formed on the oxide film 44.例文帳に追加

本発明の裏面照射型固体撮像素子５４は、裏面に膜厚１〜５０ｎｍの酸化膜２を備えた半導体基板１と、半導体基板１の表面側に形成された受光部４４と電荷転送部４６と、酸化膜４４上に形成されたカラーフィルター１９とマイクロレンズ２２を備える。 - 特許庁

An antenna element 3 formed in a linear or beltlike shape of a conductive member is put in a strap main body 4 made of a nonconductive member, and exposed at both the end parts of the strip main body 4 as electrodes 5 connected to the portable telephone set to constitute the strap type antenna, which is fitted to the housing 1 of the portable telephone set.例文帳に追加

導電性部材を線状または帯状に形成したアンテナ素子３を非導電性部材からなるストラップ本体４内に収容し、このストラップ本体４の両端部より前記アンテナ素子３を露出させて携帯電話機に接続する電極５としたストラップ型アンテナを携帯電話機の筐体１に取り付ける。 - 特許庁

The projection type video display device using the LED light source as the light source is provided with a temperature detector for detecting the peripheral temperature of the LED light source and a control means for controlling the duty ratio of a driving pulse for an LED element in the LED light source on the basis of the detection temperature of the temperature detector.例文帳に追加

光源としてＬＥＤ光源が用いられている投射型映像装置において、ＬＥＤ光源の周囲の温度を検出する温度検出器、および温度検出器の検出温度に基づいて、ＬＥＤ光源内のＬＥＤ素子の駆動パルスのデューティ比を制御する制御手段を備えている。 - 特許庁

The SIMD type arithmetic operation having N units of processors capable of operating in parallel, is characterized by having a means for allowing a plurality of element processors operating in parallel to encode image signal consisting of a plurality of pixels, and a means for composing a code word obtained by the means to a consecutive bit string are provided.例文帳に追加

Ｎ個の並列動作可能なプロセッサーを有するＳＩＭＤ型演算手段において、複数の並列に動作する要素プロセッサー夫々に複数の画素から成る画像信号の符号化を行わせる手段と、該手段で得られた符号語を連続したビット列に結合する手段を有する事を特徴とする。 - 特許庁

To provide a III nitride semiconductor light emitting element which shows the condition for enabling a clad layer made of a p-type gallium aluminum nitride to be laminated, on a light emitting layer made of a III nitride semiconductor containing In without deteriorating the crystal quality of the emitting layer, and which has an excellent light emitting efficiency.例文帳に追加

Ｉｎを含むＩＩＩ族窒化物半導体からなる発光層上に、ｐ型の窒化アルミニウムガリウムからなるクラッド層を、発光層の結晶品質を劣化させることなく積層することが可能となるための条件を示し、発光効率に優れたＩＩＩ族窒化物半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

The configuration of this detector in which a reflectivity measuring element such as a photo-reflector or the like and a reflectivity measuring circuit are mounted on the same board, is characterized in that a detection output from the thermopile type infrared detector is subjected in an emissivity compensating processing, based on an output measured by the reflectivity measuring circuit.例文帳に追加

フォトリフレクタ等の反射率計測素子、及び、反射率計測回路を同一基板上に実装具備し、反射率計測回路より計測された出力により、サーモパイル型赤外線検出装置からの検出出力に放射率補正処理を行った構成である事を特徴としている。 - 特許庁