「Element Type」に関連した英語例文の一覧と使い方(199ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an image display apparatus, such as a liquid crystal display device, which uses a photodetection type optical modulating element, the image display device being capable of desired gradation display at respectively pixel positions irrelevantly to a light distribution of a back light source, the position relation between the light source and pixels, and the quantity of light emission of each light source.例文帳に追加

本発明は、液晶表示装置等の受光型光変調素子を用いた画像表示装置において、バックライト光源の配光分布、光源と画素との位置関係や各光源の発光量に関わらず、各画素位置において所望の階調表示を行うこと可能が画像表示装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

In this DMD(digital micromirror device), an SRAM(static random access memory) 12 is monolithically formed on the principal surface of a silicon substrate 10 as an address circuit for one cell, and a reflection type digital optical switch or an optical modulation element 16 for one cell made of a metal with three layers such as aluminum is monolithically formed on the SRAM12 through an oxide film 14.例文帳に追加

このＤＭＤにおいては、シリコン基板１０の主面に１セル分のアドレス回路としてＳＲＡＭ１２がモノシリックに形成されるとともに、このＳＲＡＭ１２の上に酸化膜１４を介して三層の金属たとえばアルミニウムからなる１セル分の反射型ディジタル光スイッチまたは光変調素子１６がモノシリックに形成されている。 - 特許庁

In constitution where a toner image on a belt type image carrier is transferred by making a transfer roller abut on the toner surface side of the belt and forming transfer electric field between the transfer roller and a transfer inside roller disposed at a position opposed to the transfer roller, a pre-transfer inside roller is provided on the upstream side of the transfer inside roller and grounded through a current regulating element.例文帳に追加

ベルト状像担持体上のトナー像を、転写ローラをベルトのトナー面側に当接させ、転写ローラに対向する位置に配設した転写内ローラとの間に転写電界を作って転写させる構成において、転写内ローラの上流側に転写前内ローラを有し、該転写前内ローラには電流規制素子を介して接地する。 - 特許庁

In this three-dimensional electronic camera, a half mirror 105 superimposes an object light produced when a light receiving luminance modulation with a 1st frequency by a lighting section 101 onto a reference light that is luminance modulated with a 2nd frequency generated by a reference light generating section 108 to form an image onto a sensitivity modulation type two-dimensional image pickup element 106.例文帳に追加

照明部１０１により第１の周波数で輝度変調された光を物体１００に照射したときの物体光と、参照光生成部１０８によって生成された第２の周波数で輝度変調された参照光とをハーフミラー１０５により重畳して感度変調型２次元撮像素子１０６上に結像させる。 - 特許庁

The induction type proximity sensor includes a U-shaped core 1, a coil 2 as an oscillation element wound around the U-shaped core 1, an oscillation circuit 43 including the coil 2, a comparison circuit 45 for generating a binary ON or OFF signal on the basis of a Q value of the coil, and an output circuit 46 for amplifying an output of the comparison circuit.例文帳に追加

本発明の誘導型近接センサは、Ｕ形コア１と、前記Ｕ形コア１に巻かれた、発振要素としてのコイル２と、前記コイル２を含む発振回路４３と、前記コイルのＱ値に基づいて二値のＯＮまたはＯＦＦ信号を発生させる比較回路４５と、前記比較回路の出力を増幅する出力回路４６と、を有する。 - 特許庁

This light emitting element 100 has a structure in which the light emitting layer 24 is stuck to the main surface MP2 of a conductive n-type single-crystal Si substrate 7 through an Au layer 40 on the Si substrate side 7 and an ITO layer (transparent conductive oxide layer for joining) 10 which is in contact with the Au layer 40 and on the light emitting layer 24 side.例文帳に追加

発光素子１００は、導電性基板であるｎ型Ｓｉ単結晶基板７の主表面ＭＰ２上に、該ｎ型Ｓｉ単結晶基板７側のＡｕ層４０と、これと接する発光層部２４側のＩＴＯ層（接合用透明導電性酸化物層）１０とを介して、発光層部２４が貼り合わされた構造を有する。 - 特許庁

To provide a ring type magnet which has small decrease in magnetic characteristics due to an orientation disorder near a laminated interface of a laminated preformed element, which has a good shape accuracy, and which can be rotated at a skew angle and laminated of a recess part or a protrusion part formed in a peripheral surface of a radial direction of a ring and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

積層した予備成形体の積層界面付近等の配向乱れによる磁気特性の低下が少く、形状精度がよく、リングのラジアル方向周面に形成した凹形状部または凸形状部をスキュー角度回転させて積層することができるリング型磁石及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

When the wavelength dividing optical element 10 is used for the color temperature variable light source apparatus 100 and a rotation-type polarizing plate 14 is rotated around an optical axis, reflected light L(R) and transmitted light L(T) can be extracted as emission light L3, with an arbitrary ratio, corresponding to its rotation angle and color temperature of light from a light source 11 can be changed continuously.例文帳に追加

波長分離光学素子１０を色温度可変光源装置１００に用い、回転型偏光板１４を光軸廻りに回転すると、その回転角度に応じて反射光Ｌ（Ｒ）と透過光Ｌ（Ｔ）を任意の比率で射出光Ｌ３として取り出すことができ、光源１１からの光の色温度を連続的に変えることができる。 - 特許庁

In an insulating gate type semiconductor device 1 having a current density of ≥1,600 A/cm^2, a metal plate 8 is used as a means for connecting an electrode 2 covering the surface of an element region er with leads 13, 14, 15 and a fixing area of the electrode and the metal plate is 25% or larger in an area of an overlapping part 2o of the electrode.例文帳に追加

１６００Ａ／ｃｍ^２以上の電流密度を有する絶縁ゲート型半導体装置１において、素子領域ｅｒの表面を覆う電極２とリード１３、１４、１５との接続手段接続手段として金属プレート８を用い、電極と金属プレートとの固着面積を電極の重畳部２ｏの面積の２５％以上とする。 - 特許庁

The reflection film for constituting an anode layer of the upper-emission-type organic EL element and the sputtering target used for forming the reflection film are each formed from an Al-alloy having a component composition comprising, by mass, 0.05-0.5% of Ca and 2-6% of Ni as alloy components and the balance being Al with inevitable impurities (but, ≤0.01%).例文帳に追加

上部発光型有機ＥＬ素子の陽極層を構成する反射膜、および前記反射膜の形成に用いられるスパッタリングターゲットを、合金成分として、質量％で、Ｃａ：０．０５〜０．５％、Ｎｉ：２〜６％、を含有し、残りがＡｌと不可避不純物（ただし、０．０１％以下）からなる成分組成を有するＡｌ合金で構成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor optical element having a mesa-type buried optical waveguide structure for controlling irregular growth of the buried layer of a curving waveguide region while acquiring thickness of the buried layer of a linear waveguide region by easily controlling growth rate of the curving waveguide region and that of the linear waveguide region.例文帳に追加

メサ状の埋込光導波路構造を有する半導体光素子において、曲線導波路領域の成長速度と直線導波路領域の成長速度とを容易に制御して、直線導波路領域の埋込層の層厚を確保しつつ、曲線導波路領域の埋込層の異常成長を抑制する半導体光素子を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing the solar cell element has steps of preparing a silicon substrate containing a first conductivity-type semiconductor impurity, performing reactive ion etching on a first surface of the silicon substrate, forming the antireflection film on the first surface of the silicon substrate, and printing and sintering silver paste on the antireflection film.例文帳に追加

本発明の太陽電池素子の製造方法は、第1の導電型半導体不純物を含有するシリコン基板を準備する工程と、シリコン基板の第1の面に反応性イオンエッチングを行う工程と、シリコン基板の第1の面に反射防止膜を形成する工程と、反射防止膜に銀ペーストを印刷し焼成する工程と、を有する。 - 特許庁

Adjustment to a desired resonant frequency is made possible as a simple substance of the antenna module 30 without being influence by variation of capacity of capacity fixed type capacitor elements 34b, 34c by constituting the antenna module as a capacitor 34 for tuning constituting the antenna module 30 including at least one capacity variable capacitor element 34a.例文帳に追加

アンテナモジュール３０を構成する同調用コンデンサ３４として、少なくとも１つの容量可変型のコンデンサ素子３４ａを含む構成とすることにより、他の容量固定型のコンデンサ素子３４ｂ，３４ｃの容量のバラツキの影響を受けずにアンテナモジュール３０単体として所望の共振周波数への調整が可能となる。 - 特許庁

The lamination-type gas sensor 20 comprises the ceramic heater 12, including ceramic bases 122 and 123, in which heating resistors are embedded and the plate-like element main body including the solid-state electrolyte layer 111 overlying this ceramic heater 12 and provided with a pair of electrodes at the tip, extending in the longitudinal direction.例文帳に追加

積層型ガスセンサ素子２０は、セラミック基体１２２，１２３の内部に発熱抵抗体が埋設されたセラミックヒータ１２と、このセラミックヒータ１２に積層されるとともに、先端側に一対の電極を配設した検出部が形成された固体電解質層１１１とを含む素子本体であって、長手方向に延びる板状の素子本体を備える。 - 特許庁

To provide a belt fixing type fixing device capable of exactly detecting temperature abnormality that a resistance heating body gets in an overheat state, in a state where malfunction is prevented by an overheat prevention element, preventing a situation that the resistance heating body gets in an overheat state to cause fuming and burning, and thereby securing high safety.例文帳に追加

抵抗発熱体が過熱状態になる温度異常を、過熱防止素子によって誤動作が防止された状態で正確に検知することができ、抵抗発熱体が過熱状態となって発煙や焼損に至ってしまうのを防止し、高い安全性を確保することができるベルト定着方式の定着装置を提供する。 - 特許庁

The organic electroluminescent display element, having a luminous layer between first and second electrodes, comprises first and second hole-injecting layers between the first electrode and the luminous layer, and a charge-generating layer doped with a p-type dopant between the first and second hole-injecting layers.例文帳に追加

第１電極及び第２電極間に発光層を有する有機発光表示素子において、該第１電極と発光層との間に第１正孔注入層及び第２正孔注入層を備え、該第１正孔注入層と第２正孔注入層との間にＰ型ドーパントでドーピングされている電荷発生層を具備した有機発光表示素子である。 - 特許庁

In polymerizing a conjugate diene compound by using (A) a metallocene-type complex, (B) an ionic compound of a non-coordinating anion and a cation, (C) an organic metal compound of 1-3 group element in the periodic table and (D) water, the conjugate diene compound is treated with a metal oxide.例文帳に追加

（Ａ）遷移金属化合物のメタロセン型錯体、（Ｂ）非配位性アニオンとカチオンとのイオン性化合物、（Ｃ）周期律表第１〜３族元素の有機金属化合物、及び（Ｄ）水から得られる触媒を用いて、共役ジエン化合物を重合する際、該共役ジエン化合物を金属酸化物で処理することを特徴とする共役ジエンの重合方法。 - 特許庁

A nonaqueous electrolyte secondary battery including an iron phosphate lithium compound as a main material of positive electrode active material includes a current blockage device 1 that blocks a current path extending from a power generation element 3 to an electrode terminal in a sealed-type battery body 5 as fluid pressure in the battery body 5 reaches set pressure.例文帳に追加

正極活物質の主材料としてリン酸鉄リチウム化合物を含む非水電解質二次電池において、密閉式の電池筐体５内の流体圧が設定圧力に達するに伴って前記電池筐体５内の発電要素３から電極端子に至る電流路を遮断する電流遮断装置１が備えられている。 - 特許庁

In a circuit of the resistance film type touch panel device, the failures of the coupling cable 104, the touch panel element TP and the A/D converter 101 are detected by measuring the voltage at an analog input 102 of the A/D converter 101 by utilizing the voltage drop of a resistance R1 interposed between an electric source and the A/D converter 101.例文帳に追加

抵抗膜式タッチパネル装置の回路において、電源とＡ／Ｄ変換器１０１との間に挿入された抵抗Ｒ１の電圧降下を利用し、Ａ／Ｄ変換器１０１のアナログ入力１０２における電圧を計測することによって、接続ケーブル１０４、タッチパネル素子ＴＰ、およびＡ／Ｄ変換器１０１の故障を検知する。 - 特許庁

To simplify a process for manufacturing a reflection face of a semi- transmission type liquid crystal display device manufactured by many processes, to provide a plastic substrate for display element which has a reflection face on the substrate itself by making the substrate, which has been made of glass conventionally, of plastics, and to provide the semi-transmission liquid crystal display device using this substrate.例文帳に追加

多数の工程によって作製されていた半透過型液晶表示装置の反射面の製造工程を簡易化すると共に、従来ガラスで作られていた基板をプラスチック化することで、基板自体に反射面をもつ表示素子用プラスチック基板を提供し、さらにこれを用いた半透過型液晶表示装置を提供する。 - 特許庁

A multiplexing optical system is composed of a plurality of light emitting elements disposed in an array of projection type image display, a plurality of lens arrays which correspond to respective light emitting elements and covert the light outputted from respective light emitting elements into luminous fluxes coming from infinity and an optical element which commonly converts respective outputted light into finite luminous fluxes.例文帳に追加

投影型画像表示装置のアレイ状に配設した複数の発光素子と各々の発光素子からの出力光を無限遠からの光束に変換する各発光素子に対応した複数のレンズアレイとその各々の出力光を有限の光束に共通に変換する光学素子とで合波光学系を構成したことである。 - 特許庁

To provide a base substrate with a transparent conductive oxide film which has low resistance, high transparency, excellent light scattering performance over the entire wavelength range of sunlight, and especially, has sufficiently small variance in C-light-source haze ratio even when used for a transfer type CVD device; a method for producing the base substrate; and a photoelectric conversion element using the base substrate.例文帳に追加

低抵抗、高透明で、太陽光の全波長域で良好な光散乱性能を有し、特に、搬送型のＣＶＤ装置に用いた場合であってもＣ光源ヘイズ率のばらつきが十分に小さい、透明導電性酸化物膜付き基体およびその製造方法ならびに該基板を用いた光電変換素子の提供。 - 特許庁

To provide an integrated thin film type of photoelectric converter which can change the area of a light-receiving section of each photoelectric conversion element according to the distribution of the film thickness of thin-film silicon, even when the film thickness of the thin-film silicon deposited as a photoelectric conversion layer is nonuniform, from the center to the peripheral part of a substrate.例文帳に追加

光電変換層として成膜した薄膜シリコンの膜厚が、基板の中央から周縁部に向かって不均一であった場合でも、薄膜シリコンの膜厚の分布に応じて各光電変換素子の受光部の面積を変化させることができる集積薄膜型の光電変換装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide an electronic device which supplies electric power suitable for respective programs, and prevents vainly wasting consumption power, the electronic device having: an output unit which outputs an image or a voice based on a received program signal; and a resonant type switching power supply which makes a switching element carry out a switching operation for electric power supply to the output unit.例文帳に追加

受信した番組信号に基づく画像又は音声を出力する出力部と、スイッチング素子をスイッチング動作させて、前記出力部に電力を供給する共振型スイッチング電源装置とを備える電子機器において、各番組に適した電力を供給し、消費電力を無駄に浪費することを防ぐことができる電子機器を提供する。 - 特許庁

To provide a multiferroic element which induces an electric current by an external magnetic field, controls the intensity and direction of electric polarization by the external magnetic field, also controls the intensity and direction of magnetization induced by the external electric field, and operates at the operating environment temperature of room temperature by an M (magnetoplumbite)-type ferrite magnet that has been already produced in the market in large quantities.例文帳に追加

既に市場で大量に生産されているＭ（マグネトプラムバイト）型フェライト磁石により、外部磁場で電流を誘起でき、外部磁場で電気分極の強度や方向を制御でき、また、外部電場で誘起した磁化の強度や方向を制御でき、且つ、室温の動作環境温度において動作可能なマルチフェロイックス素子を提供する。 - 特許庁

In the image data compressing method, image elements contained in a digital image read from a sheet of paper are extracted (S02), each of the extracted image elements (51-53) is subjected to data compression by a compression method corresponding to the type of the image elements (S03-S05), and the compressed image element data (54-56) are stored.例文帳に追加

本発明のイメージデータ圧縮方法は、紙面から読み取ったデジタルイメージに含まれるイメージ要素を抽出し（Ｓ０２）、イメージ要素の種類に応じた圧縮手法を用いて、抽出された各イメージ要素（５１〜５３）をデータ圧縮し（Ｓ０３〜Ｓ０５）、圧縮した各イメージ要素データ（５４〜５６）を記憶格納することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a stack-type display element, in which light emitting units comprising an organic layer are stacked, capable of improving environmental resistance by using a stable material for at least a part of a charge generation layer, capable of improving injection efficiency of a charge from the charge generation layer to the light emitting units, and capable of being manufactured easily.例文帳に追加

有機層からなる発光ユニットを積層させたスタック型の表示素子において、電荷発生層の少なくとも一部に安定材料を用いることで耐環境性の向上を図ることができ、かつ電荷発生層から発光ユニットへの電荷の注入効率の向上を図ることができ、作製の容易な表示素子を提供する。 - 特許庁

To provide a method for stably manufacturing a gas barrier film having high gas barrier properties without causing irregularity by improving coating properties and adhesion at the time when a coating type barrier layer is formed on a base material or film containing an organic resin component, the gas barrier film, and an organic photoelectric conversion element having the gas barrier film.例文帳に追加

本発明の目的は、有機樹脂成分を含有する基材又は膜上に塗布型バリア層を形成する際の塗布性及び密着性を改良し、安定にバラツキなく、高いガスバリア性能を有するガスバリアフィルムを製造する方法及びガスバリアフィルムを提供し、かつ、該ガスバリアフィルムを有する有機光電変換素子を提供することである。 - 特許庁

In a rectifying element 10, a state that a current between a Schottky electrodes 5 and a cathode electrode 4 flows by changing a potential difference between Schottky electrodes 5, 3 and a cathode electrode 4, or a state that a current path is cut off by changing an n^-type semiconductor layer 2 existing between the Schottky electrode 5 and the cathode electrode 4 into a depletion layer is selectable.例文帳に追加

整流素子１０は、ショットキー電極５、３と、カソード電極４との電位差が変化することにより、ショットキー電極５とカソード電極４との間に電流を流す状態と、ショットキー電極５とカソード電極４との間に存在するｎ^-半導体層２を空乏層化することによって電流経路を遮断する状態とを選択可能である。 - 特許庁

An electrostatic induction-type conversion element 100 includes an electret 10 having a substrate 11 made of insulating materials, a plurality of grid connection electrodes 12, a plurality of base electrodes 13, and an insulating material layer 14; a movable part 20 disposed facing the electret 10; and a resistor 30 in connection with the electret 10 and the movable part 20.例文帳に追加

静電誘導型変換素子１００は、絶縁材料からなる基板１１と、複数のグリッド接続用電極１２と、複数のベース電極１３と、絶縁材料層１４とを有しているエレクトレット１０と、エレクトレット１０に対向して配設されている可動部２０と、エレクトレット１０と可動部２０とに接続されている抵抗３０とを備えている。 - 特許庁

In the mesa formation step S15, width of the active layer is determined so that the difference between the oscillation wavelength of the distributed feedback type semiconductor laser element which depends on the width of the active layer in a direction crossing the predetermined direction and the period of the grating, and the gain peak wavelength of the active layer obtained at the measurement step falls within a predetermined range.例文帳に追加

メサ形成工程Ｓ１５において、所定方向と交差する方向における活性層の幅及び回折格子の周期に依存する、当該分布帰還型半導体レーザ素子の発振波長と、測定工程において得られる活性層の利得ピーク波長との差が所定の範囲内となるように、活性層の幅を決定する。 - 特許庁

The method of manufacturing the GaN-based LED element includes: a step of forming a first metal film containing a specified metal on a portion of an upper surface of the TCO film; and the step of partially increasing the resistance between the p-type contact layer and the TCO film in the region below the first metal film by thermally processing a semiconductor wafer.例文帳に追加

特定の金属を含有する第１金属膜をＴＣＯ膜の上面の一部に形成する工程と、半導体ウェハを熱処理することによって、ｐ型コンタクト層とＴＣＯ膜との間の抵抗を前記第１金属膜の下方の領域において部分的に増加させる工程と、を含むＧａＮ系ＬＥＤ素子の製造方法が提供される。 - 特許庁

In the projection type display apparatus 100 with the position detecting function, position detecting light L2 is emitted from a light emitting element 12 in a position detecting light source part 11 built in an image projector 200 and position detecting light L3 reflected by the target object is received by a photodetector 30 to detect the coordinates of the target object.例文帳に追加

位置検出機能付き投射型表示装置１００においては、画像投射装置２００に設けた位置検出用光源部１１の発光素子１２から位置検出光Ｌ２を出射し、対象物体で反射した位置検出光Ｌ３を光検出器３０で受光することにより、対象物体の座標を検出する。 - 特許庁

The beam structure flexure element has both ends respectively as a load side terminal part and a fulcrum and is composed of a parallel plate beam structure, a parallel beam structure (H groove type parallel beam) having a cross section of an H groove shape, a simple veneer beam structure, or a beam structure having a plurality of concaves or protrusions in a venner beam between both the end parts.例文帳に追加

はり構造起歪体が、両端部を各々荷重側端部および支点側端部として有し、両端部の間に平行平板はり構造、Ｈ溝形状の断面を持つ平行はり構造（Ｈ溝型平行はり）、単純な単板はり構造、または、単板はりに複数の凹部もしくは凸部を有するはり構造から成る。 - 特許庁

To provide an inexpensive bulk type manganese silicide single crystal or polycrystal doped with Ga or Sn that is effectively used as a thermoelectric conversion material, an optical sensor, an optical element, etc., expected to have a high performance index at an intermediate temperature of approximately 300 to 600°C, and to provide a method of manufacturing the same in which the manufacture is easily and safely achieved in a short time.例文帳に追加

約３００〜６００℃の中温で高い性能指数が期待できる熱電変換材料や光センサ、光学素子などとして有効利用できる安価なＧａあるいはＳｎでドーピングされたバルク状マンガンシリサイド単結晶体あるいは多結晶体の提供および短時間でしかも安全に容易に製造できる製造方法の提供。 - 特許庁

An upper heating element 3 which heats a single semiconductor wafer W arranged in a processing chamber 2 of the single wafer type heat treatment apparatus 1 from above is area-divided into a plurality of first to third upper heating zones 31a to 31c, and first to third upper heaters 5a to 5c which are brought individually under temperature control are arranged in the first to third upper heating zones 31a to 31c.例文帳に追加

枚葉式熱処理装置１の処理室２に配置された単一の半導体ウエハＷを上方から加熱する上加熱体３を、複数の第１〜第３の上加熱ゾーン３１ａ〜３１ｃに領域分割し、第１〜第３の上加熱ゾーン３１ａ〜３１ｃには個別に温度制御される第１〜第３の上ヒータ５ａ〜５ｃを配置する。 - 特許庁

Layers contacting with electrodes of the light-emitting element are made of layers for generating holes, such as a layer containing a P-type semiconductor and an organic compound layer containing an electron-accepting substance; a light-emitting layer has a structure which isi sandwiched between the layers to generate holes; and a layer for generating electrons is formed between the layer to generate holes on the negative electrode side and the light-emitting layer.例文帳に追加

発光素子における電極に接する層をP型の半導体を含む層又は電子受容性の物質を含む有機化合物層等の正孔を発生する層とし、発光層を正孔を発生する層で挟み込むような構成とし且つ陰極側の前記正孔を発生する層と発光層との間に電子を発生する層を形成する。 - 特許庁

Between a pair of electrodes 1 and 3, for example, a periodic structure 2 is provided which is formed by alternately laminating a plurality of semiconductor layers 2a such as n-type ZnO and a plurality of metal layers 2b such as Al, the thermoelectric conversion element is constituted by installing an insulating plate on the electrode 1 according to the necessity, and a heat generating source 4 abuts on the electrode 3 or the insulating plate.例文帳に追加

一対の電極１，３間に、例えばｎ型のＺｎＯ等の半導体層２ａとＡｌ等の金属層２ｂとが交互に複数積層された周期構造体２を設け、必要に応じて電極１上に絶縁板を設けて熱電変換素子を構成し、電極３上又は絶縁板上に発熱源４が当接する。 - 特許庁

Powder of Z-type hexagonal ferrite comprises: a component A comprising at least one alkaline earth metal element and Pb; a component M comprising one or more metal elements excluding bivalent Fe; Fe; and oxygen, wherein the hexagonal ferrite has a composition satisfying a relation 1.2≤x≤2.5, when the molar ratio between the component M and Fe is assumed to satisfy M component:Fe=x:24.例文帳に追加

下記Ａ成分、下記Ｍ成分およびＦｅと、酸素で構成され、Ｍ成分とＦｅのモル比を、Ｍ成分：Ｆｅ＝ｘ：２４とするとき、１.２≦ｘ≦２.５が成立する組成のＺ型六方晶フェライトの粉体であって、当該粉体を構成する前記Ｚ型六方晶フェライト粒子の平均アスペクト比が４以上である電波吸収体用磁性粉体。 - 特許庁

The cap type optical part 13 is equipped with an included angle light diffusion reflecting section 25 for reflecting included angle radiation light Pn emitted from a semiconductor light emitting element 3 in almost all directions from the central axis Ax with an included angle relative to the central axis Ax smaller than a preset angle θ1 so that the light goes out from the peripheral surface 24.例文帳に追加

キャップ型光学部品１３は、中心軸Ａｘとの間の挟角が所定角度θ１よりも小さい角度で半導体発光素子３から出射される挟角放射光Ｐｎを、中心軸Ａｘを中心に略放射状に反射して外周面２４から出射させる挟角光拡散反射部２５を有する。 - 特許庁

Heat from the laser diode 2, the lens 3, the grating 5, etc. which constitute an external resonator type semiconductor laser is spread through the second supporting portion 6, the Peltier element 9, the heatsink 10 and the base substrate 11, however, heat conduction to the laser 8 is intercepted effectively by maintaining distance between the base substrate 11 and the laser 8 at a fixed value or more.例文帳に追加

外部共振器型半導体レーザを構成するレーザ・ダイオード２、レンズ３、グレーティング５等からの熱は、第２支持部６、ペルチェ素子９、ヒートシンク１０、およびベース基板１１を通って伝搬するが、ベース基板１１とレーザ部８との間の距離を一定以上に保つことによって、レーザ部８への熱伝導が効果的に遮断される。 - 特許庁

To propose the structure of an array substrate for a reflection and transmission type liquid crystal display device which uses a reflecting plate where a reflecting electrode is electrically floated and separately drives a pixel area by a transparent electrode and to improve the yielding of a liquid crystal panel by improving an opening rate by preventing an operation defect of a switching element due to a leak current.例文帳に追加

反射電極を電気的にフローティングさせた反射板を用い、別途透明電極で画素領域を駆動する反射透過型液晶表示装置用アレー基板の構造を提案し、並びに漏れ電流によるスイッチング素子の作動不良を防止して開口率を改善することにより液晶パネルの収率を改善する。 - 特許庁

The loosely moving vibration control core separated from the frame is erected in the vertical direction as a loosely moving type supporting the lowermost part at one point, connected to the frame by a trigger mechanism part elastically deforming by horizontal force exceeding a certain size, and the horizontal contact point of the loosely moving vibration control core and the frame is connected by an energy absorption element.例文帳に追加

架構の内部に、同架構と縁切りされた遊動制震コアを、その最下部を一点で支持された遊動型として鉛直方向に立て、遊動制震コアは、一定大きさを越える水平力で弾性的に変形するトリガ機構部によって架構と連結すると共に、遊動制震コアと架構との水平方向の接点をエネルギー吸収要素で連結する。 - 特許庁

Thus, the high-optical-performance imaging lens having a retrofocus type constitution comprising three lenses having positive refractive power and two lenses having negative refractive power, realizing the reduction of cost, capable of securing an appropriate back focus, restraining an emitting angle to be small, having a wide angle of view and made bright and capable of coping with the high-density solid-state image pickup element.例文帳に追加

これにより、正の屈折力をもつ３枚のレンズと負の屈折力をもつ２枚のレンズとからなるレトロフォーカスタイプの構成であり、コストを低減でき、適切なバックフォーカスを確保でき、射出角度を小さく抑えた、広画角で明るく、高密度の固体撮像素子にも対応できる光学性能の高い撮像レンズが得られる。 - 特許庁

The composition of the resistor body is constituted so as to contain the particles of ceramics with semiconductor nature in which a temperature coefficient of the electrical resistance value shows a positive value or a comparatively small negative value of absolute value (for example TiO2 particles having rutile type crystal structure, titanates or zirconate or the like of an alkaline-earth metal element, and titanium suboxides), or to contain metal titanium.例文帳に追加

抵抗体組成物は、電気抵抗値の温度係数が正の値、又は絶対値の比較的小さい負の値を示す半導体性セラミック粒子（例えばルチル型結晶構造を有するＴｉＯ２粒子、アルカリ土類金属元素のチタン酸塩あるいはジルコン酸塩、亜酸化チタン等）、あるいは金属チタンを含有するものとして構成される。 - 特許庁