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Element Typeの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 10216件
To provide a scanning type optical system which has two spectroscopic elements simultaneously, to perform minute separation of wavelength of white light, such as several nano meters or less, and uses a spatial modulation element such as a CMOS which can singly control color separating adjustment, to control all the wavelength distributions to reproduce spectral distribution.例文帳に追加
本発明は、2つの分光素子を同時に有し、白色光の波長を数ナノメートル以下の細かい分解を行い、色分け調整を単独に制御可能なCMOS等の空間変調素子を用いて、全ての波長分布を制御して分光分布を再現可能な走査型光学系を提供する。 - 特許庁
A single wavelength UV-ray of faint light is taken out from continuous wavelength UV-rays emitted from a nitride deep ultraviolet semiconductor light emitting element 119 by optical filters 200-208 and influences of re-ozonization of ozone and active oxygen are eliminated, thereby, an UV ray absorption type ozone concentration measurement can be correctly carried out.例文帳に追加
窒化物系深紫外半導体発光素子119から発する紫外線の連続波長から光学フィルタ200〜208で微弱光の紫外線の単一波長を取り出し、オゾンの再オゾン化、活性酸素の影響を無くす事によって正しい紫外線吸収式オゾン濃度測定が可能になる。 - 特許庁
A cerium compound 36 is deposited on the surface, when the chromium layer formed on a n-type amorphous silicon layer 32 is etched with the etching solution using resist patterns 34 and 35 as masks, to form a drain electrode 18 and a source electrode 19 of a thin film transistor as a switching element of a liquid crystal display.例文帳に追加
液晶表示装置のスイッチング素子としての薄膜トランジスタのドレイン電極18およびソース電極19を、n型アモルファスシリコン層32上に成膜されたクロム層をレジストパターン34、35をマスクとしてクロムエッチング液を用いてエッチングして形成すると、表面にセリウム化合物36が沈着する。 - 特許庁
Spherical particles 9 high in light reflectance are present on an insulating film 2 formed on an active element, and a transparent conductive film 3 is formed so as to cover the spherical particles 9 and the insulating film 2 to realize the reflection type liquid crystal display device having the reflection area in a smooth rugged shape.例文帳に追加
アクティブ素子上に形成した絶縁膜2上に、光反射率の高い球状粒子9を配置し、この球状粒子9および絶縁膜2を覆うように透明導電性膜3を形成することにより、滑らかな凹凸形状の反射領域を有する反射型液晶表示装置を実現する。 - 特許庁
To provide a sealing material suppressing occurrence of crack, having high adhesiveness and transparency to an object to be sealed and capable of reducing deterioration with time, and to provide a surface mounting type LED (light emitting diode) element in which it is suppressed that the radiant intensity becomes small with time.例文帳に追加
クラックの発生が抑制されると共に、封止対象体に対する高い密着性および透明性を有し、しかも、経時的に劣化することを抑制することのできる封止材を提供すること、その放射強度が経時的に小さくなることを抑制することのできる面実装型LED素子を提供すること。 - 特許庁
The IR imaging microscope of a type used for implementing FT-IR measurement in particular is provided with an assembly (40) movable into a beam propagated to a microscope detector (32) or to the outer side thereof in order to change the magnifying power provided by the optical element of the microscope.例文帳に追加
特にFT−IR計測を実施するために使用されるタイプの赤外線イメージングマイクロスコープは、前記マイクロスコープの光学エレメントによって提供される拡大率を変化させるため、マイクロスコープ検出器(32)へ伝播するビーム内またはその外側へ移動され得るアセンブリ(40)が設けられている。 - 特許庁
In the epitaxial wafer for compound semiconductor element including the InGaAs non-alloy layer as a contact layer with an electrode on the uppermost layer, an n-type InGaAs non-alloy layer 12 or 28 is provided as the contact layer of the uppermost layer in which C is added as the dopant and In composition is larger than 50%.例文帳に追加
最上層に電極とのコンタクト層としてInGaAsノンアロイ層を有する化合物半導体素子用のエピタキシャルウェハにおいて、上記最上層のコンタクト層として、ドーパントとしてCが添加され、且つIn組成が50%より大きいn型のInGaAsノンアロイ層12又は28を具備する構成とする。 - 特許庁
On the SiC substrate 102 of the light emitting diode element 100, a porous layer 124 composed of porous single-crystal 6H type SiC to which B and N are added is formed, and when the porous layer 124 is excited with ultraviolet light emitted from a nitride semiconductor layer, visible light of blue to green can be obtained.例文帳に追加
発光ダイオード素子100のSiC基板102に、B及びNが添加されたポーラス状の単結晶6H型SiCからなるポーラス層124を形成し、窒化物半導体層から発せられる紫外光によりポーラス層124が励起されると、青色から緑色の可視光が得られるようにした。 - 特許庁
To provide a condenser lens for improving condensing efficiency by enabling uniform and sure condensing an entire face of a condensing region (a light receiving region of a solar battery element), and to provide a condenser lens structure, its manufacturing and a condensed type photovoltaic system using the condenser lens structure.例文帳に追加
集光領域(太陽電池素子の受光領域)全面で均等かつ確実な集光が可能で集光効率を向上することができる集光レンズ、集光レンズ構造体、その製造方法、そのような集光レンズ構造体を用いた集光型太陽光発電装置を提供する。 - 特許庁
This organic light-emitting element is obtained by using a compound having ≥2 asymmetric carbon atoms in one molecule, more preferably having a primary to a tertiary amine parts or a condensed or an uncondensed type aromatic heterocyclic compound in excess of π electrons having the ≥2 asymmetric carbon atoms in the one molecule and ≤10,000 and ≥100 molecular weight.例文帳に追加
1つの分子中に不斉炭素原子を2つ以上有し、更に好ましくは1〜3級アミン部を有する化合物、または1つの分子中に不斉炭素原子を2つ以上有する、分子量が10000以下100以上である縮合もしくは非縮合型のπ電子過剰芳香族ヘテロ環化合物を用いる。 - 特許庁
The GaN-based semiconductor laser element comprises: a nitride semiconductor layer that is formed above an n-type GaN substrate 10 and includes an active layer 14; a stripe-shaped waveguide structure formed in the nitride semiconductor layer; and a p-side electrode 22 that is formed above the nitride semiconductor layer and has wire-bond regions 22a.例文帳に追加
このGaN系半導体レーザ素子は、n型GaN基板10上に形成され、活性層14を含む窒化物半導体層と、窒化物半導体層に形成されたストライプ状導波路構造と、窒化物半導体層上に形成され、ワイヤボンド領域22aを有するp側電極22とを備えている。 - 特許庁
To provide an image processing apparatus capable of realizing encoding and decoding processing for image data compatible with all of differences and can reduce a recording capacity to record the image data even when there are the differences in the resolution, the aspect ratio, the type (moving picture, still picture) of images for a recording and reproducing apparatus adopting an imaging element with the great number of pixels.例文帳に追加
高画素の撮像素子を採用した記録再生装置の解像度や、アスペクト比、画像の種類(動画、静止画)等の相違があっても、すべてに対応可能な画像データの符号化及び復号化処理を実現し、また、当該画像データを記録する記録容量の削減を行えるようにする。 - 特許庁
To provide an alloy type thermal fuse using a fuse element of which, alloy composition is In-Sn-Bi group, having an operation temperature ranging between 65°C-75°C to fulfill the demand of environment protection, having very fine diameter of about 300 μmϕ, restrained from self-heat generation, with good heat resistant stability.例文帳に追加
ヒューズエレメントの合金組成にIn−Sn−Bi系を用い、作動温度65℃〜75℃の範囲で、環境保全の要請を充足し、ヒュ−ズエレメント径をほぼ300μmφ程度に極細化し得、自己発熱をよく抑え得、しかも耐熱安定性を良好に保証できる合金型温度ヒュ−ズを提供する。 - 特許庁
To carry out a foreign matter removing process by overdriving before packet lid is closed and to perform an excitation test of a piezoelectric vibrating element as to a single-seal type piezoelectric oscillator, which has its package recessed part completely sealed only by fixing a lid at one place.例文帳に追加
一か所に蓋等を固定するだけでパッケージ凹陥部の封止作業が完了するシングルシールタイプの圧電発振器において、回路部品搭載前に圧電振動素子を凹陥部内に搭載することを可能にすることにより、パッケージ閉蓋前のオーバードライブによる異物除去工程等や、圧電振動素子に対する励振テスト等を実施する。 - 特許庁
A method for manufacturing a perovskite type compound oxide having a composition represented by the formula: ABO_3 (where A and B each denote a metal element) is provided which includes a step of drying a slurry or solution of inorganic metal compounds by bringing pulse combustion gas into contact with it.例文帳に追加
一般式ABO_3(式中、A、Bは金属元素を示す。)で表わされる組成を有するペロブスカイト系複合酸化物の製造方法であって、無機金属化合物のスラリーまたは溶液にパルス燃焼ガスを接触させて乾燥させる工程を含むペロブスカイト系複合酸化物の製造方法である。 - 特許庁
The method of manufacturing the ferroelectric memory element includes the stages of: forming a first electrode 33a on a substrate; forming a ferroelectric film 34a whose crystal structure is a perovskite type on the first electrode 33a; and forming a second electrode 35a on the ferroelectric film 34a.例文帳に追加
本発明の強誘電体メモリ素子の製造方法は、基板の上方に第1電極33aを形成する工程と、第1電極33a上に、結晶構造がペロブスカイト型の強誘電体膜34aを形成する工程と、強誘電体膜34a上に第2電極35aを形成する工程と、を含む。 - 特許庁
To surely prevent performance deterioration caused by shortage of an electrolyte and stably maintain the performance of an element for a long time in a lithium ion occlusion/release type organic electrolyte storage battery conducting a charge discharge process with anions and cations in an electrolyte solution which is an electrolyte component.例文帳に追加
電解質成分である電解液中のアニオンとリチウムイオンを使って充放電プロセスを行わせるリチウムイオン吸蔵・放出型有機電解質蓄電池にあって、その電解質の不足による性能劣化を長期にわたって確実に回避させ、これにより、素子の性能を長期にわたって安定に維持させる。 - 特許庁
To provide a display panel connected to a circuit board by wire bonding, and a laminate type display element equipped with the same such that a transparent electrode can be prevented from being damaged as a bonding wire is connected to the transparent electrode.例文帳に追加
本発明は、ワイヤボンディングにより回路基板に接続される表示パネル及びそれを備えた積層型表示素子に関し、透明電極にボンディングワイヤを接続したことによる透明電極の損傷を防止することのできる表示パネル及びそれを備えた積層型表示素子を提供することを目的とする。 - 特許庁
To more surely reduce flicker through processing more simplified on comparison with the prior art by applying a video signal processing apparatus, video signal processing method, video signal processing program and recording medium with the video signal processing program recorded thereon to a video camera using an XY address scan type imaging element, for example.例文帳に追加
本発明は、映像信号処理装置、映像信号の処理方法、映像信号の処理プログラム及び映像信号の処理プログラムを記録した記録媒体に関し、例えばXYアドレス走査型の撮像素子を用いたビデオカメラに適用して、従来に比して一段と簡易な処理により確実にフリッカを低減する。 - 特許庁
The method for manufacturing a semiconductor light emitting element contains an N-type gallium nitride compound semiconductor, an I layer 36 made of a semi-insulating gallium nitride compound semiconductor, and an electrode 40 comprises the steps of forming the electrode 40 on at least the layer 36, and then heat treating the electrode.例文帳に追加
半導体発光素子の製造方法は、N型の窒化ガリウム系化合物半導体と、半絶縁性の窒化ガリウム系化合物半導体からなるI層36と、電極40と、を含む半導体発光素子の製造方法において、少なくとも前記I層36上に電極40を形成した後、熱処理する。 - 特許庁
The variable delay type oscillator is composed of an oscillation loop, which includes an SAW element and a variable phase circuit for changing the phase based on an input signal, and an output driving circuit for driving an outer circuit by using one contact of the oscillation loop as an output.例文帳に追加
SAW素子と入力信号に基づいて位相を変える可変位相回路とを含む発振ループと、この発振ループの1接点を出力として外部回路を駆動するための出力駆動回路とにより可変遅延型発振器を構成し、前記出力駆動回路としてヒステリシスコンパレータを用いる。 - 特許庁
To provide a visible light reaction type photocatalyst which is doped with a rare earth element and exhibits excellent photocatalytic activity even in a visible light region besides an ultraviolet light region and a method which can easily produce the catalyst by low temperature heat treatment without needing an expensive apparatus.例文帳に追加
希土類元素がドープされており、紫外線領域だけでなく可視光領域においても優れた光触媒活性を発現する可視光反応型光触媒、及びこの光触媒を高価な装置を必要とせず、低温の熱処理により容易に製造できる可視光反応型光触媒の製造方法を提供する。 - 特許庁
A three-level IGBT module is used which comprises an antiparallel connection circuit of a switching element series circuit and a reverse-blocking type IGBT having one end connected to a series connection point, and the other end of the antiparallel series connection circuit is connected to the plus electrode or minus electrode of a DC power source in accordance with a control operation mode.例文帳に追加
スイッチング素子直列回路と直列接続点に一端を接続した逆阻止型IGBTの逆並列接続回路からなる3レベル用IGBTモジュールを用いて、制御動作モードに応じて前記逆並列接続回路の他端を直流電源の正極又は負極に接続する。 - 特許庁
The molding die is configured by forming a second recessed part 10 for structuring a part of a cavity 29, which forms an outer package of the resin molded type capacitor, on a lower die 2, and forming a pot 3 having an opening part, which is opened to the second recessed part 10 and is formed at an area larger than a projection area of a capacitor element.例文帳に追加
本発明の成形金型は、樹脂モールド型コンデンサの外装体を形成するためのキャビティ29の一部を構成する第2の凹部10を下型2に設け、さらにこの第2の凹部10に向けて開口した開口部がコンデンサ素子の投影面積より大きい面積にて形成されたポット3を設けた構成とした。 - 特許庁
An organic electroluminescent element includes a compound, represented by a general expression (1) in a light-emitting layer or an adjacent layer of the light-emitting layer, and at least two types of phosphorescence emission compounds in the light-emitting layer; and at least one type of a maximum phosphorescence emission wavelength of the phosphorescence emission compound is not more than 480 nm.例文帳に追加
下記一般式(1)で表される化合物を発光層または該発光層の隣接層に含み、少なくとも2種のリン光発光性化合物を前記発光層に含み、且つ、該リン光発光性化合物の少なくとも1種の極大リン光発光波長が480nm以下であることを特徴とする。 - 特許庁
The liquid type optical element 101 is provided with a liquid amount adjustment portion including first adjustment means that communicates the spaces and changes the amount of the liquids 108 and 109 in the spaces, and second adjustment means that communicates the spaces and changes the amount of the liquids 108 and 109 in the spaces at the rate of change smaller than that of the first adjustment means.例文帳に追加
液体型光学素子101は、空間に連通して空間内の液体108、109の量を変化させるための第1の調整手段と、空間に連通して第1の調整手段よりも小さい変化率で空間内の液体108、109の量を変化させるための第2の調整手段とを含む液量調整部を備える。 - 特許庁
To provide a belt-fixing type fixing device configured to prevent a heat-generating resistor from being energized while a temperature detection element is not electrically connected, prevent the heat-generating resistor from becoming an overheated state, prevent the heat-generating resistor from fuming or being burnt, and also, secure high safety.例文帳に追加
温度検出素子が電気的に未接続の状態で発熱抵抗体に通電されるのを防止して、発熱抵抗体が過熱状態になるのを防止し、発熱抵抗体が発煙や焼損に至ってしまうのを防止するとともに、高い安全性を確保することができるベルト定着方式の定着装置を提供する。 - 特許庁
The heat exchange apparatus 24 includes a duct 20 with a flat ventilation passage 34 whose passage cross section corresponding to a ventilation direction has a long axis and a short axis; the fin type heat exchanger 41 disposed in the ventilation passage 34 of the duct 20; and a Peltier element 42 thermally connectedly disposed to the heat exchanger 41.例文帳に追加
熱交換装置24は、通気方向に対応する通路断面が長軸と短軸を有する扁平状の通気路34を有するダクト20と、ダクト20の通気路34に配置されるフィン型の熱交換器41と、熱交換器41に熱的に連結して配置されるペルチェ素子42とを備える。 - 特許庁
A method is for manufacturing a semiconductor device, including a semiconductor substrate forming a semiconductor element having a P-type semiconductor region on the rear face, and a rear electrode, having a first layer brought into contact with the rear face of the semiconductor substrate and a second layer brought into contact with the rear face of the first layer from a semiconductor wafer.例文帳に追加
裏面にP型の半導体領域を有する半導体素子が形成されている半導体基板と、半導体基板の裏面に接する第1層と、第1層の裏面に接する第2層とを有する裏面電極とを備えている半導体装置を、半導体ウェハから製造する方法。 - 特許庁
A photoelectric conversion element 100 comprises a substrate 11 having a flat surface S, a plurality of semiconductor nanowires 2 which are arrayed on the flat surface S and extend in a tapered shape from the flat surface S, and a semiconductor layer 30 which fills gaps between the plurality of semiconductor nanowires 2 and has a carrier type different from that of the semiconductor nanowires 2.例文帳に追加
平坦面Sを有する基板11と、平坦面S上に配列され、平坦面Sから先細り状に延びる複数の半導体ナノワイヤー2と、複数の半導体ナノワイヤー2同士の間隙を充填し、半導体ナノワイヤー2とは異なるキャリアタイプの半導体層30と、を備える光電変換素子100。 - 特許庁
To provide a liquid crystal aligning agent which can impart a good pretilt angle when a liquid crystal aligning film is formed therefrom by a photo-alignment method and this film is applied to a VA type liquid crystal display element, and which can form a liquid crystal aligning film excellent in stability with time of the imparted pretilt angle.例文帳に追加
光配向法によって液晶配向膜を形成したときに、これをVA型の液晶表示素子に適用した場合にあっては良好なプレチルト角を付与することができ、且つ付与されたプレチルト角の経時的安定性に優れる液晶配向膜を形成することができる液晶配向剤を提供すること。 - 特許庁
The tuning fork type bent crystal vibration element includes a base part having a first grooved recessed part in a direction where the vibration arm extends, and a pair of two vibration arms extending from the base part, wherein the base part is provided with a predetermined space while having first recessed parts on front and rear face principal planes.例文帳に追加
本発明の音叉型屈曲水晶振動素子は、振動腕部が延出する方向に溝状の第一の凹部を有する基部と、前記基部から延出する2本一対の振動腕部とを備え、前記基部が前記第一の凹部を表裏主面に有しつつ、所定の間隔をあけて設けられていることを特徴とする。 - 特許庁
To analyze collision between an impact absorber and a vehicle by reproducing the collision naturally with high accuracy using a finite element model, without producing drag characteristics, deformation portion, deformation sequence and deformation shape (deformation type (break, crushed destruction)) which are different from actual characteristics in a wide characteristic range of a stress-distortion characteristic.例文帳に追加
衝撃吸収体と車両との衝突を有限要素モデルにより、応力−歪特性の幅広い特性領域で実際の特性と異なる抗力特性、変形部位、変形順序及び変形形状(変形種類(折れ・圧壊))が発生することなく衝突を自然に精度良く再現して解析する。 - 特許庁
To provide a nonvolatile memory device and a method of programming the same, in which program time can be decreased by determining the propriety of program fail through a verification line, without adding a circuit to a page buffer of a nonvolatile memory element, and at the same time, by executing a cache program and intelligence-type verification.例文帳に追加
不揮発性メモリ素子のページバッファーに回路を追加せずに検証ラインを介してプログラムフェイルの可否を判断し、知能型検証を遂行させることによってキャッシュプログラムと知能型検証を同時に遂行するようにしてプログラム時間を減らすことができる不揮発性メモリ素子及びプログラム方法を提供する。 - 特許庁
By selecting an impurity concentration of the second selective impurity introduction region 18, the first conductivity type in the region expanded by a lateral impurity diffusion from the first selective impurity introduction region 17 is cancelled to suppress a practical expansion of the element isolation region 16 in a lateral direction.例文帳に追加
第2の選択的不純物導入領域18の不純物濃度の選定によって第1の選択的不純物導入領域17からの不純物の横方向拡散による広がり領域における第1導電型の打消しを行って、素子分離領域16の横方向の実質的広がりを抑制する。 - 特許庁
To provide a non-contact type IC card system of a non-contact IC card with a display element mounted thereon, which prevents, especially in an IC card reader/writer, load variation from being wrongly recognized as load modulation to cause an error, secures communication speed and large antenna reception power.例文帳に追加
表示素子を搭載した非接触型ICカードの非接触型ICカードシステムに関し、特にICカードリーダライタ側において、負荷変動を誤って負荷変調とみなすことによるエラー発生を無くし、通信速度を確保し、大きなアンテナ受信電力を確保する非接触型ICカードシステムを提供するものである。 - 特許庁
When a TFT for driving the liquid crystal element is an n-channel type one, the shift register sets the scanning signal to the selected scanning line 112 to an H level during display operation, and outputs the scanning signal at potential above an L level and below the H level, desirably, at ground potential Gnd before turning off the power supply in an off-sequence operation.例文帳に追加
液晶素子を駆動するTFTがnチャネル型である場合、シフトレジスタは、表示動作時では、選択された走査線112への走査信号をHレベルとし、オフシーケンス動作にあって電源遮断前では、Lレベルを上回る電位であってHレベルを下回る電位、望ましくは接地電位Gndとする。 - 特許庁
A core wire Ca of a coaxial cable C is connected to a first feed point P1 of the antenna element A, by having a mesh wire Cb of the coaxial cable C connected to a second feed point P2 of the trunk lid 1 for constituting a slot-antenna type antenna device having a gap between the trunk lid 1 and opening edge 2S as a slot S.例文帳に追加
このアンテナエレメントAの第1給電ポイントP1に同軸ケーブルCの芯線Caを接続し、トランクリッド1の第2給電ポイントP2に同軸ケーブルCの網線Cbを接続することにより、トランクリッド1と開口縁2Sとの隙間をスロットSとするスロットアンテナ型のアンテナ装置を構成する。 - 特許庁
To provide a waste gate valve with a swing type valve element, allowing smooth control of the responsiveness of an exhaust turbine over all opening degrees of the waste gate valve by bringing a passing flow ratio close to proportional increase to the valve opening degree, particularly in a part where the valve opening degree is very small.例文帳に追加
揺動式の弁体を備えたウエストゲートバルブにおいて、特にバルブ開度が極めて小さい部分で、通過流量比をバルブ開度に比例的に増加するように近づけて、排気タービンの応答性の制御をウエストゲートバルブの全開度においてスムーズになし得るようにした、ウエストゲートバルブを提供する。 - 特許庁
The switching power supply device E includes a transformer 1 which receives a first AC voltage shaped like sine waves from a commercial power supply and converts it into a second AC voltage lower than this first AC voltage, and a MOS type FET11 which serves as a switch element in which an applied voltage and a flowing current have linear properties.例文帳に追加
商用電源Eからの正弦波状の第1の交流電圧を入力とし、この第1の交流電圧よりも低い第2の交流電圧に変換するトランス1と、印加する電圧と流れる電流が線形の特性を持つスイッチ素子としてMOS型FET11とを備える。 - 特許庁
A manufacturing method of an electrode mixture for an electrochemical element made of a compound capable of occluding and releasing lithium, the conductive material, the binder and a solvent, is characterized by including a kneading process of condensing a solid content concentration at 50-80 wt.% by using the high-speed rotating shear type kneader.例文帳に追加
リチウムを吸蔵放出可能な化合物と、導電材料と、バインダと、溶剤からなる電気化学素子用電極合材の製造方法であって、高速回転剪断型混練機を用いて固形分濃度が50〜80重量%となる混練工程を経ることを特徴とする電気化学素子用電極合材の製造方法。 - 特許庁
To make a rotational operation body not revolve too much when a writing tip of a writing element is maintained in the condition of having projected from a tip opening of a shaft cylinder, and when making the writing tip of all writing elements into the condition of being absorbed from the tip opening of the shaft cylinder, in a composite writing utensil of a rotation delivery type.例文帳に追加
回転繰出式の複合筆記具において、筆記体の筆記先端部を軸筒の先端開口部より突出した状態に維持する際に、かつ全ての筆記体の筆記先端部を軸筒の先端開口部より没入した状態にする際に、回転操作体を回転し過ぎないようにする。 - 特許庁
A substrate provided with wiring, a spring type terminal provided at a predetermined interval with the surface of the substrate, and the light emitting device which has an external terminal protruding from a case storing a light emitting element, formed in a lead shape thinner than the case, and arranged substantially in level with the reverse surface of the case, and is mounted on the top surface of the substrate, are prepared.例文帳に追加
配線が設けられた基板と、基板の表面と所定の間隔を空けて設けられたバネ状端子と、発光素子を収納するケースより突出し、ケースより薄いリード状に形成され、ケースの裏面と略同一面に配置された外部端子を有し、基板の表面に搭載された発光装置とを準備する。 - 特許庁
The resistance change element X includes: an electrode 1 composed of a non-oxidizing metal; an electrode 2 composed of an oxidizing metal; an oxygen defective oxide layer 3 disposed between the electrodes 1 and 2 and contacting with the electrode 2; and an oxide layer 4 disposed between the electrode 1 and the oxide layer 3 and having a p-type semiconductivity.例文帳に追加
抵抗変化型素子Xは、非酸化性金属からなる電極1と、酸化性金属からなる電極2と、電極1,2間に位置し且つ電極2と接する酸素欠損型の酸化物層3と、電極1および酸化物層3の間に介在し且つP型半導性を有する酸化物層4とを含む。 - 特許庁
A multiplexer (36) includes a number of switches for multiplexing imaging data between a transducer element (26) and a beam former channel (28) and a controller for selectively arranging the switches in response to reception of a multiplexer state command, and enables dynamic selection of numerous row type apertures and control of beam formation.例文帳に追加
マルチプレクサ(36)は、トランスデューサ素子(26)とビームフォーマ・チャネル(28)との間でイメージング・データを多重化する多数のスイッチと、マルチプレクサ状態コマンドの受信に応答して前記スイッチを選択的に構成するコントローラとを含んでおり、多数行型のアパーチャの動的な選択及びビーム形成の制御を可能にする。 - 特許庁
To provide a detachable supporting element of a differential side gear, which facilitates machining exacted after machining internal components of a differential case to prevent gear movement in the differential case by positioning and supporting the differential side gear in a two-split type automobile differential case.例文帳に追加
二分割型自動車デフ・ケース22内にデフ・サイド・ギヤ14、18を位置決めし支えて前記デフ・ケース22内のギヤ移動を防ぐように前記デフ・ケース22の内部構成品を機械加工した後に、行なわれる機械加工を容易にする、デフ・サイド・ギヤ14、18の取りはずしできる支持体38を提供することにある。 - 特許庁
In condition that this device body is in the energy saving mode, a resistance value is higher than the time of the switch element 75 being ON, so the oscillation frequency of the PWM controller 70 drops rather than the time of type impression of the device, and the switching action of an FET6 for drive of a transformer becomes slow.例文帳に追加
この装置本体が省エネモードにある状態においては、スイッチ素子75がON状態にある時よりも抵抗値が高くなっているため、PWM制御部70の発振周波数は装置の印字動作時よりも低下し、トランス駆動用FET6のスイッチング動作が遅くなる状態となる。 - 特許庁
A molten metal 6 of alloy containing rare-earth element and transition metal is spouted from a nozzle 3, made to collide against a peripheral surface 53 of a cooling roll 5 and by quenching it, and thin belt type magnet material (quenched thin belt 8) of this bonded magnet is obtained.例文帳に追加
本発明の薄帯状磁石材料(急冷薄帯8)は、希土類元素と遷移金属とを含む合金の溶湯6をノズル3から噴出させ、冷却ロール5の周面53に衝突させて急冷することにより得られ、その構成組織は、ソフト磁性相とハード磁性相とが相隣接して存在する組織となっている。 - 特許庁
The film type heater 33 includes: a heat resistant insulating layer 34; a heating element 35 formed on one side surface of the heat resistant insulating layer 34 to have pattern shape comprising a plurality of lines and generating heat by application of voltage; and a heat transfer layer 36 formed in a surface state on the other side surface of the heat resistant insulating layer 34.例文帳に追加
フィルム状ヒータ33は、耐熱絶縁層34と、複数本の線からなるパターン形状を有するように耐熱絶縁層34の一側の面に形成されるとともに電圧の印加により発熱する発熱体35と、前記耐熱絶縁層34の他側の面に面状に形成される伝熱層36と、を含む。 - 特許庁
To stabilize brightness and prevent deterioration in use of an active matrix driving type display device in which TFTs are arranged in a matrix form, by completely repairing a defective portion through application of a reverse-direction voltage and by repairing a short circuit or a leakage portion of a light-emitting element.例文帳に追加
TFTをマトリクス状に配列させて成るアクティブマトリクス駆動方式の表示装置において、逆方向電圧の印加による欠陥部分の修復を完全に行い、発光素子のショートやリーク箇所を修復することにより輝度の安定化及び使用時における劣化を防ぐことを目的とする。 - 特許庁
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