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Isolationを含む例文一覧と使い方

該当件数 : 7498



例文

The opening 18 is provided to the light shielding film 41 so that each PD 12 may be exposed, and has an interval with the VCCD 13 larger than a predetermined value P, and the shortest interval Q across the element isolation region is smaller than the shortest interval R across a VCCD 13.例文帳に追加

開口18は、各々のPD12が露呈されるように遮光膜41に設けられ、VCCD13との間隔が所定値P以上になっているとともに、素子分離領域を介した最短の間隔Qが、VCCD13を介した最短の間隔Rよりも小さい。 - 特許庁

Similarly, the MOS transistor M12 is provided, at a boundary to the active region AR2 of the trench isolation oxide film 21, with a groove GP surrounding the active region AR2 and a gate electrode 32A is buried in the groove GP through the gate oxide film 30.例文帳に追加

また、MOSトランジスタM12においても、トレンチ分離酸化膜21の活性領域AR2との境界部分において活性領域AR2を囲むように溝部GPが配設され、ゲート電極32Aは溝部GPにもゲート酸化膜30を間に挟んで埋め込まれている。 - 特許庁

The semiconductor device has a structure wherein a silicon oxide film 3 is embedded within a first groove 2 as an element isolation region in a p-type silicon substrate 1, and an n-type polycrystalline silicon resistor 6 is embedded within a second groove 5 further formed in that silicon oxide film 3.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、p型シリコン基板1に、素子分離領域となる第1の溝2の内部にシリコン酸化膜3が埋め込まれ、さらにその内部に形成された第2の溝5の内部にn型多結晶シリコン抵抗体6が埋め込まれた構造となっている。 - 特許庁

A signal attenuation means that attenuates a specific frequency band is provided between a branch point of the data line or the clock signal line and the 1st and 2nd PLL synthesizer sections to improve isolation between the 1st and 2nd PLL synthesizer sections and to prevent frequency interference.例文帳に追加

このデータ信号線またはクロック信号線の分岐点と第1及び第2PLLシンセサイザ部との間に特定の周波数帯域を減衰する信号減衰手段を設けることにより、第1及び第2PLLシンセサイザ部の間のアイソレーションが向上し、周波数干渉を防止できる。 - 特許庁

例文

Thereafter, first conductivity type impurities are introduced into the second conductivity type semiconductor layer 20 located above the periphery of the second conductivity type impurity region 13, thus forming first conductivity type isolation regions 24c and 24d being connected with the first conductivity type semiconductor layer 30.例文帳に追加

その後、第2導電型不純物領域13の周囲の上方に位置する第2導電型半導体層20に第1導電型不純物を導入することにより、第1導電型半導体層30に接続する第1導電型の素子分離領域24c,24dを形成する。 - 特許庁


例文

A booster wiring NHV is wound on the secondary of an isolation converter transformer PIT forming a switching power circuit, and alternating voltage VHV is inputted into a multiplying-rectifier circuit 2 to obtain the high DC voltage to be kept at a prescribed high voltage level.例文帳に追加

スイッチング電源回路を構成している絶縁コンバータトランスPITの二次側に対して昇圧巻線NHVを巻装し、この昇圧巻線NHVにて得られる交番電圧VHVを多倍圧整流回路2に入力することで、所定の高圧レベルとされる直流高電圧EHVを得る。 - 特許庁

To continue linear amplification by keeping isolation between transmitting signals and preventing diffusion of adaptive predistortion processing even when one of high output amplifiers comprising a multi-port amplifier is failed in an adaptive predistortion type multi-port amplifier and a transmitting apparatus equipped with the same.例文帳に追加

適応プリディストーション型マルチポート増幅器及びそれを備えた送信装置に関し、マルチポート増幅器を構成する各高出力増幅器の中の1つが故障した場合でも、各送信信号の間のアイソレーションを保ち、適応プリディストーション処理の発散を防ぎ、線形増幅を継続可能にする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a method for manufacturing the same which can enhance an isolation breakdown strength between a source region and a drain region of a planar gate type MOSFET and a semiconductor substrate without increasing an on resistance Ron of a trench gate type VDMOSFET.例文帳に追加

トレンチゲート型VDMOSFETのオン抵抗Ronを増大させることなく、プレーナゲート型MOSFETのソース領域およびドレイン領域と半導体基板との間の分離耐圧を向上させることができる、半導体装置およびその製造方法を提供するこ。 - 特許庁

The (base isolation structure) block product and the block structure strong against vibration without collapsing the joining part of the block product, can be provided by installing recessed-projecting cylindrical packing made of a rubber or resilient raw material in a joint part.例文帳に追加

ジョイント部分にゴムまたは弾力性のある素材で出来た凹凸ある円筒状のパッキンを取りつけることにより、ブロック製品の接合部が壊れにくく、振動に強い(免震構造)特徴を有するブロック製品およびブロック構造体を提供することを可能とした。 - 特許庁

例文

To provide the element isolation formation method of a semiconductor device, that can reduce aspect ratio for forming an element separation film without voids, by minimizing loss in a thermal oxide film on the sidewall of a trench, by completely removing the thermal oxide film on the bottom surface of the trench for normally growing silicon.例文帳に追加

トレンチ側壁の熱酸化膜の損失を最小化し、トレンチ底面の熱酸化膜を完全に除去して正常的にシリコンを成長させて、アスペクト比を減らしてボイドの無い素子分離膜を形成できる半導体素子の素子分離膜形成方法を提供する。 - 特許庁

例文

The isolation and refining of the cubic spinel-type silicon nitride comprises accommodating a mixed power 12 comprising the cubic spinel-type silicon nitride and the low pressure phase silicon nitride and a mixed acid solution 13 comprising hydrofluoric acid and nitric acid or sulfuric acid in a reaction vessel 1 and reacting them while heating.例文帳に追加

立方晶スピネル型窒化ケイ素の分離、精製は、反応容器1内に立方晶スピネル型窒化ケイ素と低圧相窒化ケイ素の混合粉末12と、フッ化水素酸及び硝酸又は硫酸の混酸溶液13とを収容し、加熱状態で反応させることにより行われる。 - 特許庁

An impurity diffused layer 141 functions as one of the electrodes of a capacitor C, a data transmission path, and a window W which generates a tunnel current in a TN region in element regions 131 and 132 surrounded by an element isolation region 12 on a substrate 11.例文帳に追加

素子分離領域12に囲まれた基板11上の素子領域131,132において不純物拡散層141はキャパシタCの一方電極、不純物拡散層141はデータ伝送経路及び領域TNでトンネル電流を発生させるためのウィンドウWとして機能する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing semiconductor device which can reduce an isolation width on the occasion of electrically isolating in distance between wells and between well and source or drain and thereby can reduce the size not only in the lateral direction but also in the depth direction.例文帳に追加

本発明は、ウェルとウェルとの間またはウェルとソースまたはドレインとの間を距離的、電気的に分離するに際し、その分離幅を縮小することができ、その結果、横方向のみならず深さ方向の寸法の縮小を可能にする半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

This device contains a silicon substrate 10 on which a MOS element 14 and an element-isolation region 12 are formed, a first interlayer insulation layer 20 formed on the silicon substrate 10, and a metallic wiring layer 30 (and 50) formed on the first interlayer insulation layer 20.例文帳に追加

多層配線構造を有する半導体装置は、MOS素子14および素子分離領域12が形成されたシリコン基板10、シリコン基板の上に形成された第1の層間絶縁層20、および第1の層間絶縁層より上に形成された金属配線層30(および50)を含む。 - 特許庁

The base isolation structure is arranged between a building and the ground, and constructed by stacking a plurality of rubber layers and hard plate layers alternately and horizontally to the ground surface.例文帳に追加

建築物と地盤との間に配置され、ゴム層と硬質板層とをそれぞれ複数個、交互にかつ地盤表面に水平に積層してなる免震構造体であって、下記の等価剛性Keq及び等価減衰定数Heqに関する特性を有することを特徴とする免震構造体。 - 特許庁

To provide a thermosetting resin composition for mounting an electronic part, having high reliability of junction between an electrode of the electronic part and an electrode on a circuit board, and capable of connecting the electrode of the electronic part with the circuit board at a low cost while securing the reliability of isolation between neighboring electrodes.例文帳に追加

電子部品の電極と回路基板上の電極との接合の信頼性が高く、また、隣接電極間の絶縁信頼性を確保しつつ、低コストで電子部品の電極を回路基板に接続できる電子部品実装用熱硬化性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

The trench isolation insulating film 4 is embedded through the SOI layer 3 in a central portion and reaches an oxide film 2 to form a completely isolated structure, and has a merged isolated structure which forms a partially isolated structure by containing the SOI layers 3 at its lower parts at both edges thereof.例文帳に追加

トレンチ分離絶縁膜4は、中央部分においてはSOI層3を貫通して埋め込み酸化膜2に達して完全分離構造となり、両端縁部においては、その下部にSOI層3を有して部分分離構造となった併合分離構造を有している。 - 特許庁

In the isolation insulation film 4, the upper surface of a periphery 4b provided around the active region 1b is positioned below the upper surface of the active region 1b, and the upper surface of a periphery 4c provided around the active region 1c is positioned below the upper surface of the active region 1c.例文帳に追加

素子分離絶縁膜4では、活性領域1bの周辺に位置する周辺部分4bの上面が活性領域1bの上面よりも下方に位置し、活性領域1cの周辺に位置する周辺部分4cの上面が活性領域1cの上面よりも下方に位置している。 - 特許庁

In an infusion container 16 with a plurality of separate rooms 8, 9 divided by a communicable isolation means 1, the infusion 13 is injected into the separate room 8 and a discharge region 2 is arranged therein, and the separate room 9 is equipped with an injection region 4 but is a vacant room.例文帳に追加

連通可能な隔離手段1で区切られた複数の分室8,9を備えた輸液容器16において、分室8には輸液13が注入されておりそして排出部位2を備えており、分室9は注入部位4を備えているが空室となっている。 - 特許庁

In addition, heat isolation plates or an air cooling device is simultaneously disposed to suppress a rise in air temperature in the glass lamp shell, thus preventing the LED emitters from bursting, together with the glass lamp shell, due to a rise in air temperature in the glass lamp shell during the high temperature welding in the stem assembly unit.例文帳に追加

他に隔熱板もしくは同時に気体冷却装置を設置して、ガラス球内の空気の温度上昇を減らし、LEDライト芯がガラス球と芯柱ユニット内で高温加熱溶接過程に於いてガラス球内の空気温度上昇によって高温破裂するのを防止する。 - 特許庁

In this manufacturing method, a pad oxide film 9 and a SiN film 10 are stacked on a silicon substrate 1, an element isolation groove (STI) 6 is formed, an embedded oxide film 8 is stacked in STI 6 and on the surface of the silicon substrate 1, and a corrosion-resistant layer (polysilicon layer) 12 covering the whole face is formed.例文帳に追加

シリコン基板1上にパッド酸化膜9、SiN膜10を積層し、素子分離用溝(STI)6を形成した後、STI6内およびシリコン基板1表面に埋め込み酸化膜8を堆積させ、さらに全面を被覆する耐腐食層(ポリシリコン層)12を形成する。 - 特許庁

To provide a manufacture of a semiconductor device capable of preventing increase in parasitic capacitance and reduction of an operation speed even when an upper layer gate electrode and a lower layer gate electrode have an extension part from an SOI layer to an element isolation region in a back gate MOSFET of an SOI-type semiconductor layer.例文帳に追加

SOI型半導体層のバックゲートMOSFETにおいて上層及び下層ゲート電極がそれぞれSOI層から素子分離領域まで延伸部を有しても寄生容量の増加と動作速度の低下を防止できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a waterpfoof structure preventing rainwater from infiltrating up to the undefloor inside even if the rainwater infiltrates from the under side of a throating cover suspended from a building body and reducing the possibility of damaging even in a big earthquake in the waterproof structure for supporting the building body in a floating state via a base isolation element.例文帳に追加

建物本体を免震要素を介して浮かした状態で支承するものにおいて、建物本体より垂らした水切カバーの下側から雨水が浸入しても床下内までは浸入することがなく、また、大地震の際にも破損する恐れの少ない防水構造を提供する。 - 特許庁

To provide a damping device for sufficiently developing the primary effect of a base isolation device while more quickly damping vibration by properly rotating a rotor including a nut member relative to a screw rod to selectively adjust the position of a fixed outer cylinder in the axial direction of the rod.例文帳に追加

スクリューロッドに対してナット部材を含むロータを適宜回転させることで、かかるロッドの軸方向における固定外筒の位置を任意に調整し、振動をいち早く減衰させ、免震装置本来の効果を十分に発揮させることが可能な減衰装置を提供する。 - 特許庁

Then, purge gas is introduced into the chamber 1 from a purge gas supply source 31 via a gas introduce part 26 to replace the atmosphere in the chamber 1 with the purge gas, and after returning the pressure in the chamber 1 to the atmospheric pressure, the sealing member 21 is lowered to release the isolation of the precise discharge nozzle 5.例文帳に追加

次に、ガス導入部26を介してパージガス供給源31からパージガスをチャンバ1内に導入し、チャンバ1内雰囲気をパージガスで置換するとともに、チャンバ1内の圧力を大気圧に戻した後、封止部材21を下降させて精密吐出ノズル5の隔離を解除する。 - 特許庁

An element area 122 is formed in a part of the active layer 106 of an SOI substrate 100 wherein a p-type base layer 102, an embedded insulating layer 104, and an active layer 106 are stacked, and an element area isolation insulating wall 124 is formed around the element area.例文帳に追加

p型基層102と埋め込み絶縁層104と活性層106が積層されているSOI基板100の活性層106の一部に素子領域122が形成されており、素子領域を一巡する素子領域分離用絶縁壁124が形成されている。 - 特許庁

A planar ground pattern 411 is formed on a printed circuit board 41 at a position opposed to a sub LCD unit 43, and a plurality of circuit components 412, 413 mutually requiring electromagnetic and thermal isolation are mounted apart from each other with the ground pattern 411 inbetween.例文帳に追加

印刷配線基板41上のサブLCDユニット43と対向する位置に面状の接地パターン411を形成し、この接地パターン411を隔てて電磁的及び熱的に相互にアイソレートが必要な複数の回路部品412,413を離間させて実装するようにしている。 - 特許庁

In the trench forming a trench gate structure, an inter-diffusion-layer isolation insulating film is selectively wet etched to a diffusion layer so that the diffusion layer is projected, and the projected diffusion layer is selectively epitaxially grown so that the projected portion of the diffusion layer forms an eaves structure.例文帳に追加

溝ゲート構造となる溝内において、拡散層間分離絶縁膜を拡散層に対して選択的にウェットエッチングして拡散層が突出部した構造を形成し、さらに突出した拡散層を選択エピタキシャル成長させることで拡散層の突出部に庇状の構造を形成する。 - 特許庁

To provide nonwoven cloth for a dye-sensitized solar cell which includes both a separator function of sufficiently keeping isolation properties of an anode and a cathode and a high sealing function due to thermal fusion, which simplifies a manufacturing process of a dye-sensitized solar cell, and which improves reliability of the cell.例文帳に追加

アノードとカソードの隔離性を十分に保持するセパレーター機能と、熱融着による高い封止機能の両方を備え、色素増感型太陽電池の製造工程を簡略化し、電池の信頼性を向上させる色素増感型太陽電池用不織布を提供する。 - 特許庁

To improve a semiconductor device in transistor characteristic, by a method wherein the element isolation film of the semiconductor device is lessened in crystal defect and interface level so as to restrain a leakage current from occurring in it, and a rapid thermal annealing is carried out so as not to affect an impurity profile.例文帳に追加

半導体装置における素子分離絶縁膜での結晶欠陥及び界面準位を改善して素子分離絶縁膜におけるリーク電流を抑制するとともに、不純物プロファイルへの影響を無くしてトランジスタ特性を改善した半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A power factor improving circuit for regenerating switching output current obtained in the primary winding N1 of the power isolation transformer PIT as power and feeding it back to a rectified current path into which a switching diode D1 is inserted, and a clamp circuit for reducing withstand voltage of the switching element are also provided.例文帳に追加

また、絶縁コンバータトランスPITの一次巻線N1に得られるスイッチング出力電流を電力として回生してスイッチングダイオードD1が挿入された整流電流経路に帰還する力率改善回路、さらには、スイッチング素子の耐圧を低減するためのクランプ回路を備える。 - 特許庁

An intermediate base isolation layer 1 which has a relatively low rigidity than other layers and in which deformation in an earthquake is concentrated to absorb most of the earthquake energy is provided in an arbitrary layer of an extension section S or an existing section B, when a plurality of extension structures are erected on a plurality of existing buildings.例文帳に追加

複層の既存建物の上部に複層の増築を行うに際し、増築部分Sもしくは既存部分Bの任意の層に、他の層よりも相対的に低剛性とされて地震時の変形が集中し地震エネルギーの大半を吸収する中間免震層1を設ける。 - 特許庁

To provide a locking device for a base isolation building, being excellent in reliability of operation while maintaining the advantages of a powder chamber type locking device so that a sufficient locked condition can be achieved, and not requiring much space under the floor of the building so that it will not interfere with degrees of freedom of building design.例文帳に追加

粒状体チャンバ式のロック装置の長所を活かしたまま、動作信頼性に優れ、充分なロック状態を得ることができ、しかも、建物の床下スペースを多く必要とすることがなく、建物の設計の自由度を損ねることがない免震建物のロック装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for reducing an oxidized type glutathion, producing a reduced type glutathion used for a food, medicine, cosmetic, etc., simply and industrially advantageously, without requiring a special equipment, progressing a reaction in a good yield even in an aqueous solution and easy for isolation/purification of an objective substance.例文帳に追加

食品、医薬品、化粧品等に使用される還元型グルタチオンを簡便で工業的に有利に製造できる、特殊な設備を必要とすることなく、水溶液中でも収率よく反応が進行し、目的物の単離・精製が容易な、酸化型グルタチオンの還元方法を提供する。 - 特許庁

The system has a scaling system for downscaling serial sets of original pixels to slightly downscaled pixels, and for geometrically scaling a binary image so as to hold transition and isolation attributes, and an encoding system for encoding the binary image, after being scaled.例文帳に追加

オリジナル・ピクセルの連続するセットをより少ないスケーリング済みピクセルに縮小する、遷移および孤立属性が保持されるように二値画像を幾何学的にスケーリングするためのスケーリング・システムと、スケーリング済みの二値画像を符号化する符号化システムとを有する、システムが開示される。 - 特許庁

An isolation insulating layer 6 isolates a region where the source-drain region 11 is formed from the impurity diffusion region 14 for control gate by surrounding the periphery of the impurity diffusion region 14 for control gate while reaching the buried insulating layer 2 from the surface of the semiconductor layer 3.例文帳に追加

分離絶縁層6は、半導体層3の表面から埋め込み絶縁層2に達しながらコントロールゲート用不純物拡散領域14の周囲を取り囲むことで、ソース/ドレイン領域11が形成された領域とコントロールゲート用不純物拡散領域14とを分け隔てている。 - 特許庁

When the diodes D4 and D6 go to conductive state, transmission line DSL2 becomes substantially open state for a transmission signal, as viewed from the diode D3 and transmission line DSL3 becomes substantially open state, as viewed from the switch circuit SW2 side thus having specified isolation, respectively.例文帳に追加

ダイオードD4,D6が導通状態となることで、送信信号に対してダイオードD3から見て伝送線路DSL2は略開放状態となり、スイッチ回路SW2側から見て伝送線路DSL3は略開放状態となり、それぞれ所定のアイソレーションを有する。 - 特許庁

To provide a new structure fluid sealed vibration isolator capable of efficiently exhibiting a high vibration isolation effect based on fluid resonance action for a plurality of kinds of vibration of different amplitudes without requiring a special actuator, a control device or the like.例文帳に追加

特別なアクチュエータや制御装置等を必要とすることなく、異なる振幅の複数種類の振動に対して、何れも、流体の共振作用に基づく防振効果を効率的に且つ高度に得ることの出来る、新規な構造の流体封入式防振装置を提供すること。 - 特許庁

A second groove which is formed in accordance with the formation of a first groove provided so as to surround a light-receiving region and used for element isolation is provided in the light-receiving region, and a conduction wiring for extracting electric charges accumulated in the semiconductor substrate in the light-receiving region is provided in the second groove.例文帳に追加

受光領域内には、受光領域を囲繞して設けた素子分離に用いる第1の溝の形成にともなって形成した第2の溝を設け、この第2の溝内に、受光領域内の半導体基板に蓄積された電荷を取出す導通配線を設ける。 - 特許庁

This base isolation device 20 is installed on at least one of upper and lower ens of a center pillar 10 erected between the floor surface and the ceiling part of a cylindrical underground structure to support between the floor part and the ceiling part, and formed by stacking a center pillar side member 21 and an underground structure side member.例文帳に追加

免震装置20は、筒型の地下構造物の床部と天井部との間に立設されて床部と天井部間を支持する中柱10の上下端部の少なくとも一方に取り付けられて、中柱側部材21と地下構造物側部材31とが重ね合わされて構成される。 - 特許庁

For a portion of a positional deviation occurred between the lower foundation 1 placed on the ground and the upper base isolation foundation 2 integrally formed with the building, high pressure air is filled into a squashed air bag 3, so that the squashed air bag 3 is swollen and thus the positional deviation can be restored by the push-out effect.例文帳に追加

地面に設置された下基礎(1)と建物と一体の免震上基礎(2)との間で位置ずれが生じた分、潰れた空気袋(3)に高圧空気を注入する事により、潰れた空気袋(3)が膨らみ、その押し出し効果により位置ずれが修復出来る様にする。 - 特許庁

A load receiving device 1 bearing vertical load and horizontal load of the superstructure 5 in a using state is set in a space between the superstructure 5 and a lower structure 6 divided into up and down in a state to connect it to the supersurface or the lower surface of the base isolation device 4 in series.例文帳に追加

上下に区分される上部構造5と下部構造6との間の空間に、使用状態で上部構造5の鉛直荷重と水平荷重を負担する荷重受け装置1を免震装置4の上面、もしくは下面に直列に接合した状態で設置する。 - 特許庁

In a high-frequency switch, constituted of a finger-type MOSFET formed on an Si substrate, a p+-type well contact region 105 for applying a fixed potential to a p-type well 102 is formed in an element isolation layer 101, and a capacitor 109 is formed between the p+ well contact region 105 and the p-type well.例文帳に追加

Si基板に形成されたフィンガー型MOSFETからなる高周波スイッチにおいて、p型ウエル102に固定電位を与えるp+型ウエルコンタクト領域105を素子分離層101の中に設け、p+型ウエルコンタクト領域105とp型ウエルとの間に容量109を設ける。 - 特許庁

The angle of inclination of an element isolation trench provided to a semiconductor substrate such as an SOI substrate or the like is set at an angle of 88 degrees or 89 degrees, and an insulating material where NSG(non- doped silicate glass) or HTO(high-temperature oxide film) and NSG are laminated is grown and buried in the trench.例文帳に追加

SOI基板等の半導体基板に形成する素子間分離用のトレンチの傾斜角度を88度、あるいは89度に形成し、かつ減圧CVD法によりNSGまたはHTOとNSGとが積層された絶縁材料を成長してトレンチ内に埋設する。 - 特許庁

In a method of processing a material to be processed which is formed on a semiconductor substrate 101 or a material to be processed which comprises a plurality of multilayer films using a desired double patterning method, processing for defining the element isolation width can be performed twice when a pattern is formed.例文帳に追加

半導体基板上に形成された被加工材料、若しくは複数の積層膜から構成される被加工材料を所望のダブルパターンニング法を用いて加工する製造方法において、パターンを形成する際、素子分離幅を規定する加工を2回行うことで解決できる - 特許庁

The method for producing an indolylazaphthalide compound (6) comprises converting a quinolinecarboxylic acid derivative (1) to an quinolinecarboxylic anhydride (2), successively reacting the quinolinecarboxylic anhydride without isolation with an indole derivative (3) in one pot to obtain a pyridinecarboxylic acid derivative (4), and then reacting the pyridinecarboxylic acid derivative with an aniline derivative (5).例文帳に追加

キノリン酸誘導体(1)をキノリン酸無水物誘導体(2)に変換後、これを取り出すことなく引き続きワンポットでインドール誘導体(3)と反応させてピリジンカルボン酸誘導体(4)を得、次いでアニリン誘導体(5)と反応させることを特徴とするインドリルアザフタリド化合物(6)の製造方法。 - 特許庁

With this constitution, an element isolation region 9 formed by embedding the trench 5a with the insulating film 7, a 1st alignment mark 10 formed by embedding the trench 5b with the insulating film 7 and the 2nd alignment mark 11 consisting of the trench 5c are provided on the surface side of the substrate 1.例文帳に追加

これによって、基板1の表面側に、トレンチ5a内に埋め込み絶縁膜7を埋め込んでなる素子分離9と、トレンチ5bに埋め込み絶縁膜7を埋め込んでなる第1のアライメントマーク10と、トレンチ5cからなる第2のアライメントマーク11とを形成する。 - 特許庁

This magnetic recording medium is provided at least with a substrate 10, the magnetic layer 10 formed on the substrate, and a segregation promotion layer 70 formed on the magnetic layer 60, and the segregation promotion layer 70 contains segregation promotion elements which diffuse on the surface layer part of the magnetic layer and promote the isolation of the magnetic particles of the surface layer part.例文帳に追加

少なくとも、基板10と、この基板上に形成された磁性層60と、この磁性層60上に形成された偏析促進層70とを備え、且つ、前記偏析促進層70は、前記磁性層表層部に拡散し該表層部の磁性粒子の孤立化を促進する、偏析促進元素を含有する。 - 特許庁

To prevent the formation of a shadow in a light transmitting part by a shading resin material and to suppress the occurrence of a sink in the surface of a resin product when an isolation part isolated from a main body part is formed in a shading part in the resin product comprising the light transmitting part and the shading part.例文帳に追加

透光部と遮光部とからなる樹脂製品において、遮光部に本体部分から隔離された隔離部分を設ける場合に、遮光性樹脂材による影が透光部にできないようにし、しかも、樹脂製品の表面にヒケが発生するのを抑制する。 - 特許庁

例文

Two kinds of large and small dummy patterns 11 serving as a dummy active region is provided in an isolation region 10 wherein a large dummy pattern 11b is located at a position remote from a main pattern 9 and a small dummy pattern 11a is arranged regularly in a gap on the periphery of the main pattern 9.例文帳に追加

分離領域10内に、ダミーのアクティブ領域となる大小2種のダミーパターン11を設け、本番パターン9から遠方位置に大きなダミーパターン11bを配置し、本番パターン9周辺にできた隙間に小さなダミーパターン11aを規則的に配列して配置する。 - 特許庁




  
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