「Isolation」に関連した英語例文の一覧と使い方(143ページ目) - Weblio英語例文検索

Subsequently, a lower layer gate insulating film and a lower layer gate electrode are formed in the opening, a second insulating film is formed on the lower layer gate electrode and the upper layer of the first insulating film, a second substrate is laminated on top thereof, and a first semiconductor substrate is ground using the first insulating film in the element isolation region as a stopper.例文帳に追加

次に、開口部内に下層ゲート絶縁膜と下層ゲート電極を形成し、下層ゲート電極および第１絶縁膜の上層に第２絶縁膜を形成し、その上面から第２基板を張り合わせ、素子分離領域の第１絶縁膜をストッパとして第１半導体基板を研磨する。 - 特許庁

The field effect transistor comprises an N-type epitaxially grown layer 2 provided on a P-type semiconductor substrate 1, a P^+-type isolation diffusion layer 4 provided on the layer 2 of the circumference of the FET forming unit to electrically independently form the FET forming unit, and a P^++-type gate diffused layer 5 provided on the surface side of the layer 2.例文帳に追加

Ｐ型の半導体基板１上にＮ型のエピタキシャル成長層２が設けられ、ＦＥＴ形成部を電気的に独立させるため、ＦＥＴ形成部周囲のエピタキシャル成長層２にＰ^+型の分離拡散層４が設けられ、そのエピタキシャル成長層２の表面側にＰ^++型のゲート拡散層５が設けられている。 - 特許庁

A first interlayer insulating film 205 is formed on a semiconductor substrate 201 where an element isolation film 202 and a Tr are formed, then a bit line connection hole 206 and a connection conduction pad connection hole 207 are provided, and a first conductive layer is formed and patterned for the formation of a bit line 208 and a connection conduction pad 209.例文帳に追加

素子分離膜２０２とＴｒが形成された半導体基板２０１上に第１層間絶縁膜２０５を形成後、ビット線用接続孔２０６と接続導通パッド用接続孔２０７を形成し、全体の上に第１伝導層を形成しパターニングしてビット線２０８及び接続導通パッド２０９を形成する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor storage device that reduces a voltage applied to an inter-poly insulating film by increasing a capacity coupling rate on an active area in a dummy cell region, and prevents wire breaking of a control gate caused by a hollow of the control gate on an element isolation region, and to provide a method of manufacturing the nonvolatile semiconductor storage device.例文帳に追加

ダミーセル領域において、アクティブエリア上の容量カップリング比を大きくしてインターポリ絶縁膜にかかる電圧を低減できると共に、素子分離領域上の制御ゲートの窪みによって発生する制御ゲートの断線を防止することができる不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

This compressor is provided with a compression mechanism part compressing working fluid, a hermetic vessel 2 storing the compression mechanism therein, a delivery pipe 4 provided in the hermetic vessel 2 and having working fluid from the compression mechanism flow therein, and a vibration isolation coil 5 wound in the delivery pipe 4 and including formation film 6 in a space with the delivery pipe 4.例文帳に追加

作動流体を圧縮する圧縮機構部と、この圧縮機構部を内部に収める密閉容器２と、密閉容器２内に配設され圧縮機構部からの作動流体が流れる吐出管４と、吐出管４に巻装され吐出管４との間に化成皮膜６を有する防振コイル５とを備えた。 - 特許庁

To restrain the local destruction of a rubber shape elastic layer as much as possible, even under a high bearing pressure and make a horizontal spring constant to nearly constant, regardless of the strain applied to the piled part, in a base isolation structure having a piled part with a rubber shape elastic layer and rigid layer alternately piled in the vertical direction.例文帳に追加

ゴム状弾性層６と剛性層７とが上下方向に交互に積層された積層部５を備えた免震構造体に対して、高面圧下であってもゴム状弾性層６の局所破壊を出来る限り抑えると共に、積層部５に加わるひずみに関係なく水平バネ定数を略一定にする。 - 特許庁

A ring shaped center conductor 10 having a substantially uniform line width, isolation ports 11 formed radially from the center conductor 10, a couple of in-phase input ports 12, 14 and a synthesis output port 13 are clamped by dielectric spacers 20 whose diameter is slightly larger than that of the center conductor 20.例文帳に追加

実質的に等しい線幅のリング状中心導体１０、この中心導体１０から放射状に形成されたアイソレーションポート１１、１対の同相入力ポート１２、１４および合成出力ポート１３を、中心導体１０より僅かに大きい直径の誘電体スぺーサ２０で挟む。 - 特許庁

Between low/high floor part buildings through a base isolation device 25, a guide rail 70a, 70b of strength higher than that of a guide rail 7a, 7b installed in a hoistway between the low/high floor part buildings is installed, and landing gate devices 22, 23 are supported by suspending them from the high floor part building.例文帳に追加

免震装置２５を介した低層部建屋と高層部建屋間に、低層部建屋と高層部建屋の昇降路内に設置されたガイドレール（７ａ，７ｂ）よりも高強度のガイドレール（７０ａ，７０ｂ）を設置すると共に、乗場出入口装置（２２，２３）を高層部建屋から吊下げて支持したのである。 - 特許庁

This panel comprises the housing 1, a thermal partition 5 which are provided in the housing 1 and has thermal isolation for storing an apparatus 6 for constituting the distribution panel therein; and ventilation openings 2a and 2b, provided in the housing 1 and for ventilating air in the housing 1 outside the thermal partitioning 5.例文帳に追加

筐体１と、筐体１内に設けられ、配電盤を構成するための機器６を内部に収納するための熱遮蔽性を有する熱仕切り板５と、筐体１に設けられ、熱仕切り板５の外側の筐体１内の空気の換気を行うための換気口２ａおよび２ｂとを備えている。 - 特許庁

To provide an isolation circuit perfectly separating the ground with one electronic circuit component connected thereto from the ground with the other electronic circuit component connected thereto in transmitting a signal in a high-frequency region, and transmitting not only the signal in the high-frequency region but also a signal in a low-frequency region.例文帳に追加

高周波域の信号を伝送する際に、一方の電子回路部品が接続されたグランドと他方の電子回路部品が接続されたグランドとを完全に分離することができ、しかも、高周波域の信号だけでなく、低周波域の信号をも伝送することができるアイソレーション回路を提供する。 - 特許庁

For this semiconductor device, a silicon region 4 insulated by an insulating layer 2 and a dielectric isolation region 3 is formed on an SOI substrate 1, a polysilicon resistor 6 is formed via an insulation protective film 5 at the upper part of the silicon region 4, the polysilicon resistor 6 and the silicon region 4 are electrically connected, and the polysilicon resistor 6 is used as a resistor.例文帳に追加

ＳＯＩ基板に絶縁層２や誘電体分離領域３で絶縁されたシリコン領域４を形成し、そのシリコン領域４上部に絶縁保護膜５を介してポリシリコン抵抗６を形成し、そのポリシリコン抵抗６とシリコン領域４を電気的に接続して、ポリシリコン抵抗６を抵抗体として使用する。 - 特許庁

When an antenna device is in an open state, switches SW1 and SW2 are electrically opened, and as a result, an antenna element 1 and a ground conductor 3 operate as a first dipole antenna, and a second antenna element 2 and the ground conductor 3 operate as a second dipole antenna with a specified isolation from the first dipole antenna by a non-excitation slit S.例文帳に追加

アンテナ装置が開状態にあるときスイッチＳＷ１，ＳＷ２は開き、これにより、アンテナ素子１と接地導体３とは第１のダイポールアンテナとして動作し、アンテナ素子２と接地導体３とは、非励振スリットＳにより第１のダイポールアンテナとの間に所定のアイソレーションを有して第２のダイポールアンテナとして動作する。 - 特許庁

In the case that amplitude and phases of two systems of input signals are deviated from a mixing condition of the power mixer 18 due to amplitude and phase deviation in outputs of power amplifiers 16, 17, a high frequency power produced at the isolation terminal 5 can be regenerated to a DC power by a rectifier circuit 20.例文帳に追加

電力増幅器１６および１７の出力の振幅および位相偏差により、二系統の入力信号の振幅，位相が電力合成器１８の合成条件からずれた場合、アイソレーション端子５に発生した高周波電力は、整流回路２０により直流電力として回収することができる。 - 特許庁

The photodiode array PDA1 includes: a p^--type semiconductor layer 33 formed on an n-type semiconductor layer 32; a resistor 24 that is provided for each light detection channel CH and has one edge connected to a signal conductor 23; and an n-type isolation section 40 formed among the plurality of light detection channels CH.例文帳に追加

フォトダイオードアレイＰＤＡ１は、ｎ型半導体層３２上に形成されたｐ^−型半導体層３３と、光検出チャンネルＣＨ毎に設けられると共に信号導線２３に一端部が接続される抵抗２４と、複数の光検出チャンネルＣＨの間に形成されるｎ型の分離部４０とを備える。 - 特許庁

In base isolation reinforcement enhancing the earthquake resistance of the existing building by fixing a reinforcing frame to the existing building frame, a connecting steel member 16 is fixed to the building frame 11 through post-driven anchor bolts 17, and the reinforcing frame 13 is fixed to the connecting steel member 16.例文帳に追加

既存建物の躯体に補強架構を固定することにより当該既存建物の耐震性を高める耐震補強において、上記躯体１１にあと施工アンカーボルト１７を介して連結用鋼材１６を固定し、この連結用鋼材１６に上記補強架構１３を固定したことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a perpendicular medium in which an isolation structure of an underlayer is formed wherein a magnetic cluster size can be reduced while orientation dispersion is suppressed in a magnetic recording layer and high recording performance by the thin film thickness of the underlayer is made possible using a simple method as in a conventional manufacturing process for a medium of continuous films.例文帳に追加

従来の連続膜媒体の作製プロセスに近い簡便な方法を用い、磁気記録層において配向分散を抑制しつつ磁気クラスターサイズを減少させることができる下地層の分離構造を形成し、かつ下地層の薄膜化による記録性能の高性能化が可能な垂直媒体の提供。 - 特許庁

The multi-domain liquid crystal display device with a concave structure comprises a substrate with a pixel electrode layer, another substrate with a common electrode layer, an isolation layer formed on the electrode layer of the one of those substrates, a liquid crystal layer formed between two pieces of the substrates and multiple concave structures formed in the electrode layer, at least, one of the substrates.例文帳に追加

画素電極層を具えた基板、共電極層を具えたもう一つの基板、そのうち一方の基板の電極層の上方に形成された隔離層、２片の基板の間に形成された液晶層、及び少なくとも一方の基板の電極層に形成された複数の凹構造を具えている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a high-voltage transistor of a flash memory element, which can restrain the punch leakage current of an element isolation film, while not requiring a mask process for the field stop of the high-voltage transistor, an ion implantation process, and a mask removing process, and satisfying the active property of the high-voltage transistor.例文帳に追加

高電圧トランジスタのフィールドストップのためのマスク工程、イオン注入工程及びマスク除去工程を必要とすることなく、高電圧トランジスタのアクティブ特性を満足させながら、素子分離膜のパンチ漏洩電流を抑制することが可能なフラッシュメモリ素子の高電圧トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

A solid-state imaging device comprises: a plurality of photodiodes PD that are provided in a substrate 15 and each have a semiconductor region 17 of a first conductivity type; and an element isolation region 19 that is provided in the substrate 15, is composed of semiconductor regions of a second conductivity type, and isolates the plurality of photodiodes PD.例文帳に追加

固体撮像装置は、基板１５内に設けられ、かつ第１導電型の半導体領域１７をそれぞれが有する複数のフォトダイオードＰＤと、基板１５内に設けられ、かつ第２導電型の半導体領域から構成され、かつ複数のフォトダイオードＰＤをそれぞれ分離する素子分離領域１９とを含む。 - 特許庁

In the semiconductor device 1 hybridly mounted with a logic transistor 10 and a high breakdown voltage transistor 20, an isolation film with an opening region 28, whose outer circumference is formed thick is formed on a low-concentration drain region 24b formed in an Si substrate 2, on both sides of a gate electrode 22 of the high breakdown voltage transistor 20.例文帳に追加

ロジックトランジスタ１０と高耐圧トランジスタ２０が混載された半導体装置１において、高耐圧トランジスタ２０のゲート電極２２両側のＳｉ基板２内に形成された低濃度ドレイン領域２４ｂ上に、外周部が厚く形成された開口領域２８を有する絶縁膜を形成する。 - 特許庁

A coupling resonance circuit is formed by the electromagnetic coupling of a power isolation transformer PIT by providing a secondary series resonance circuit formed at least of a secondary winding N2 (N2A, N2B) and a secondary series resonance capacitor C2 (C2A, C2B) together with a primary series resonance circuit forming a current resonance converter.例文帳に追加

電流共振形コンバータを形成する一次側直列共振回路とともに、少なくとも二次巻線Ｎ2（N2A、N2B）及び二次側直列共振コンデンサＣ2（C2A、C2B）とにより形成される二次側直列共振回路を備えることで、絶縁コンバータトランスＰＩＴの電磁結合による結合形共振回路を形成する。 - 特許庁

In an insulated space section formed between a bracket 4 and a stator 16 and a rotor 17 in the axial direction of the rotor, a first control board 12 having a high voltage system motor drive circuit 19 and an insulating circuit 20 is built in integrally with a second control board 21 having a low voltage system control board 23 in isolation.例文帳に追加

回転子軸方向でブラケット４と固定子１６及び回転子１７との間に形成される絶縁空間部に高電圧系のモータ駆動回路１９と絶縁回路２０を有する第１の制御基板１２が低電圧系の制御回路２３を有する第２の制御基板２１と分離して一体に組み込まれる。 - 特許庁

To provide a vibration damper, by which vibrations to be caused by a small earthquake and a strong wind force can be surely prevented while improving the workability of installation works and removal works and cost of which is reduced, regarding the damper for preventing the vibrations of a building with a vibration isolation device.例文帳に追加

本発明は、例えば、免震装置を有する建物の揺れを防止する抑制装置に係り、小さな地震や強大な風力に対して確実に揺れない様にするとともに、設置作業や撤去作業の作業性の良いもので、低コストにした揺れ抑制装置を提供することが課題である。 - 特許庁

On the other hand, the manufacturing method of the duplexer utilizing the air gap type FBAR includes the steps of: manufacturing a first substrate part wherein a plurality of laminated resonant parts are produced; manufacturing a second substrate part wherein a plurality of air gaps and isolation parts formed therebetween are produced; and bonding the first substrate part and the second substrate part.例文帳に追加

一方、このエアギャップ型ＦＢＡＲを利用したデュプレクサの製造方法は、積層共振部が複数製作された第１基板部の製造段階、複数のエアギャップおよびその間に形成されたアイソレーション部が製作された第２基板部の製造段階および第１基板部と第２基板部を接合させる段階を含む。 - 特許庁

A quarantine network system 10 comprises: a relay device 400 disposed on a communication path between virtual terminals 720 to 740 and a remote terminal 100; a quarantine server 500 for determining conformity to a security policy; and a terminal isolation device 710 for connecting a virtual terminal which is not conformable to the policy to a quarantine network.例文帳に追加

検疫ネットワークシステム１０は、仮想端末７２０〜７４０とリモート端末１００との通信経路に設置される中継装置４００と、セキュリティポリシーへの適合を判定する、検疫サーバ５００と、適合しない仮想端末を検疫ネットワークに接続させる端末隔離装置７１０とを備える。 - 特許庁

The antenna includes a plurality of magnetic wires 1 with isolation processed surfaces, a first shorting member 2 and second shorting member 3 connecting these magnetic wires 1 at both ends, a means for passing radio-frequency pulse current through the magnetic wires 1, and an impedance-detecting means for detecting impedance of the magnetic wires 1.例文帳に追加

表面を絶縁処理した磁性ワイヤ１を複数本有し、これらの磁性ワイヤ１を両端で接続する第一短絡部材２・第二短絡部材３と、高周波パルス電流を前記磁性ワイヤ１に通流する手段と、磁性ワイヤ１のインピーダンス検出手段とを含み、ＭＩ効果を利用してアクティブアンテナを実現する。 - 特許庁

A spindle 21 for an angle detector for achieving a sensor tilt angle detecting function is disposed in an air chamber 20 for ultrasonic sensor audio isolation, and a tilt angle detecting circuit 22 is connected to a thermistor 15 for a temperature sensor in parallel, and is integrally formed to a terminal plate 16 of an ultrasonic sensor circuit.例文帳に追加

センサ傾斜角度検出機能を実現するための角度検出器用の錘２１は、超音波センサ音響アイソレーション用の空気室２０内に設けられ、傾斜角検出回路２２は温度センサ用のサーミスタ１５と並列接続されるとともに超音波センサ回路の端子板１６に一体化して形成されている。 - 特許庁

The inside space S of the vibration damping member 14 is defined so that its force becomes a degree that the vibration damping member 14 relatively loosely fastens the flexible member 10, while changing the force generated when the isolation part 18 is deformed in the installation with the flexible member 10, to force for pressing the flexible member 10 by the contact part 17.例文帳に追加

制振部材１４の内部空間Ｓは、離隔部分１８がフレキシブル部材１０との組付け時に変形することで生じた力を接触部分１７がフレキシブル部材１０を押圧する力に変えつつ、その力は制振部材１４がフレキシブル部材１０を相対的に緩く締め付ける程度となるように画成する。 - 特許庁

A load supporting area formed by the laminated rubbers 14a, 14b between the plates 12 is expanded successively in the horizontal direction from the upper layer portion to the lower layer portion, and thus, the position of center of gravity of the input load is not deviated from an effective load supporting area even when the upper layer portion of the base isolation device is largely displaced in the horizontal direction.例文帳に追加

各プレート１２間の積層ゴム１４ａ，１４ｂにより形成される荷重支持領域が上層部から下層部に向かって順次水平方向に拡大しているため、免震装置の上層部が大きく水平変位しても、入力荷重の重心位置が荷重支持有効領域から外れることはない。 - 特許庁

To provide a method for forming a semiconductor device having a fin structure which comprises a step of etching a silicon substrate with a recess gate mask, and performing a selective etching process on a device isolation film having a double oxide film structure with a rapid oxide film etching speed and a slow oxide film etching speed to form the fin structure, thereby simplifying the process and maximizing a current driving operation.例文帳に追加

リセスゲートマスクを利用してシリコン基板を食刻し食刻速度の速い酸化膜と、食刻速度の遅い酸化膜の二重酸化膜構造の素子分離膜に対し選択的食刻を行いフィン構造を形成することにより、工程を単純化し電流駆動能力を最大化する。 - 特許庁

In this base isolation supporter device, a structural body 4 is supported to a foundation floor 1 by interposing an elastic unit, an anchor bar 5 implanted in the foundation floor 1 is fit into a shock absorbing member 6 buried in the structural body 4, and the elastic unit 13 of this shock absorbing member 6 is formed in a shape having a space part 30.例文帳に追加

基礎床１に弾性体３を介在して構造体４を支承し、基礎床１に植設したアンカーバー５を構造体４内に埋設した緩衝部材６に嵌挿し、この緩衝部材６の弾性体１３は空間部３０を有する形状とした構造体の免震支持装置である。 - 特許庁

A semiconductor device comprises: an element isolation (102) formed in a semiconductor layer (101); a first-conductivity-type impurity layer (104); a first-conductivity-type source region (106); a first-conductivity-type drain region (107); a second-conductivity-type gate region (105); and a control electrode (109) formed via an insulating film (108).例文帳に追加

半導体装置は、半導体層（１０１）に形成された素子分離（１０２）、第１導電型の不純物層（１０４）、第１導電型のソース領域（１０６）、第１導電型のドレイン領域（１０７）、第２導電型のゲート領域（１０５）、絶縁膜（１０８）を介して形成された制御電極（１０９）を備える。 - 特許庁

Thereby the element isolating oxide film 2 in the vicinities of the resistance elements 4 can be partitioned in necessary regions, and the formation of a recessed part in a central part of the element isolation oxide film 2 can be restrained, when the film 2 is polished by a CMP method, so that the dimensional accuracy of the shapes of the resistive elements 4 can be improved.例文帳に追加

抵抗素子４近傍の素子分離酸化膜２を必要な範囲に区切ることができ、ＣＭＰ法による素子分離酸化膜２の研磨の際に素子分離酸化膜２の中央部に凹みが形成されてしまうことを抑止できるため、抵抗素子４の形状の寸法精度を向上させることが可能となる。 - 特許庁

A gate electrode 15 is formed on a prescribed channel region 13 on a substrate 11 of a monocrystal Si enclosed with an element isolation oxide film 12 via a gate oxide film 14 of a combination structure, and a source/ drain diffusion layer 16 is formed away from the channel region 13 on the both-side substrates 11.例文帳に追加

素子分離酸化膜１２に囲まれた単結晶Ｓｉの基板１１上における所定のチャネル領域１３上には組み合わせ構成のゲート酸化膜１４を介してゲート電極１５が形成され、その両側の基板１１上にはチャネル領域１３を隔ててソース／ドレイン拡散層１６が形成されている。 - 特許庁

To solve the problem, the crane base isolation supporting beam structure for supporting the frame of a tower crane comprises an outrigger for the crane frame passing through an opening formed at the web of a supporting beam, the supporting beam and the crane frame fixed to each other via the vibration damping means.例文帳に追加

上記課題を解決するため、タワークレーンの架台を支持するクレーン基礎免震受け梁構造において、受け梁のウェブに設けた開口部に該クレーン架台のアウトリガーを貫通させ、該受け梁とクレーン架台とを振動減衰手段を介して固定してなるクレーン基礎免震受け梁構造を特徴とする。 - 特許庁

A clock isolation function separates a card edge side port of a PCI Express bridge chip 13 and an optical cable side port as domains operating separate clocks, and a clock (first clock) used in the optical cable side port is supplied from a clock source 14 on a PCI Express/optical cable conversion board 10.例文帳に追加

クロックアイソレーション機能によりＰＣＩ Ｅｘｐｒｅｓｓブリッジチップ１３のカードエッジ側ポートと光ケーブル側ポートとを別々のクロックで動作する領域として分離し、光ケーブル側ポートで用いるクロック（第１のクロック）を、ＰＣＩ Ｅｘｐｒｅｓｓ／光ケーブル変換ボード１０上のクロック源１４から供給する。 - 特許庁

To provide a technology capable of easily forming elements by filling a gap between elements with a brittle light-transmissive insulator, executing substrate separation such as sapphire after that and executing the element isolation of a portion of the brittle light-transmissive insulator by dicing, in a nitride-based semiconductor light-emitting element.例文帳に追加

本発明は、窒化物系半導体発光素子において素子間が脆性透光性絶縁体部によって充填され、しかる後に、サファイアなどの基板剥離を実施し、脆性透光性絶縁体部の部分をダイシングにより素子分離することにより、容易で素子化しやすい技術を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that has good-linearity gate voltage to gate current characteristics by preventing a reverse narrow-channel effect without changing a threshold voltage depending upon the wide or narrow channel width, and is provided with a trench isolation type MISFET with a constitution that can be manufactured without increasing the manufacturing process.例文帳に追加

逆狭チャネル効果を防止することにより、チャネル幅の広狭に依存してしきい値電圧が変動することがなく、また良好な直線性のゲート電圧−ドレイン電流特性を示し、かつ工程数を増やすことなく作製できる構成を有する溝分離型ＭＩＳＦＥＴを備えた半導体装置を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device is provided with a transistor region 3 subjected to element isolation by a first DTI 2 formed on a semiconductor substrate 1; and an inductor region 5 formed on a second DTI 4, a silicon oxide film 6 and a polysilicon 7 are filled in the first DTI, and the silicon oxide film 6 is filled in the second DTI.例文帳に追加

半導体基板１に形成された第１のＤＴＩ２により素子分離されたトランジスタ領域３と、第２のＤＴＩ４上に形成されたインダクタ領域５を備え、前記第１のＤＴＩ内をシリコン酸化膜６とポリシリコン７により充填し、前記第２のＤＴＩ内はシリコン酸化膜６により充填している。 - 特許庁

In dry etching employing a resist pattern 13 for patterning a silicon nitride film 12 and a silicon oxide film 11, a defect introduced into a silicon substrate 10 at the time of growth to cause a conical pattern defect is removed by digging down the surface of an isolation trench forming region on a silicon substrate at the time of overetching.例文帳に追加

シリコン窒化膜１２及びシリコン酸化膜１１をパターン化するためのレジストパターン１３を用いたドライエッチングにおいて、オーバーエッチング時にシリコン基板１０における分離用溝形成領域の表面部を掘り下げることにより、円錐状パターン欠陥の原因となるシリコン基板１０中の成長時導入欠陥を除去する。 - 特許庁

To provide a turnbuckle, easily removable, without transmitting a load to the turnbuckle even if the load not less than a preload is applied after installation, while applying the load by being installed before applying its preload, when applied as a tool for holding the preload of, for example, a base isolation device.例文帳に追加

例えば免震装置の予荷重保持のための治具として適用した場合、その予荷重を付与する前に取り付けて荷重をかけることができ、また取付け後に予荷重以上の荷重が加わってもターンバックルには伝達することがなく、取り外しを簡単に行うことができるターンバックルを提供する。 - 特許庁

To reduce risk of damaging an isolator protective device itself by its tensile force, while inexpensively realizing the isolator protective device for protecting an isolator by reducing the tensile force in the vertical direction acting on the isolator, in a base isolation device of interposing the isolator between a foundation and a structure on the foundation.例文帳に追加

基礎と該基礎上の構造物との間にアイソレータを介在させる免震装置において、アイソレータに作用する上下方向の引っ張り力を低減させてアイソレータを保護するアイソレータ保護装置を低コストに実現しつつ、その引っ張り力でアイソレータ保護装置自体が損傷してしまう虞を低減させる。 - 特許庁

To provide a wavelength multiplexed light coupler that has a high isolation and that can be used for separation of multi-wavelength of three or more wavelengths, in an optical coupler in which a bandpass filter is inserted between a double-core collimator composed of two optical fibers and a collimator lens and a single-core collimator composed of one optical fiber and a collimator lens.例文帳に追加

２本の光ファイバとコリメートレンズからなる２芯コリメータと１本の光ファイバとコリメートレンズからなる単芯コリメータの間にバンドパスフィルタを挿入した光カプラにおいて、高いアイソレーションを有し、３波長用以上の多波長の分離に用いることができる波長多重光カプラを提供する。 - 特許庁

Interposing the base isolation members can reduce the swinging of the jamb itself even if swings exists due to earthquake and absorb and relieve the differential portion of the dislocation amount with respect to the side wall coupled with the jamb, so that it is practicable to avoid damage and/or breakage of the glass plates eventually adopted to the side walls 2.例文帳に追加

本発明によれば、免震部材を介在させたことにより、地震による揺れがあっても、三方枠自体の揺れの軽減と、三方枠と連結された側壁との間のずれ量の差分が吸収緩和するので、たとえ側壁２にガラス板が採用されてもそのガラス板の損傷や破損を回避できる。 - 特許庁

Contaiminated water 16 having a high content of bacteria is stored in a feed tank 18, and dilution water 19 poorer in bacteria and nutrient than the water 16 is added, agitated and mixed, hence the bacteria are weakened due to a deficiency in nutrient and isolation from coexistent bacteria, and the activity of all the bacteria is lowered.例文帳に追加

細菌を高密度に含む汚染原水１６はフィードタンク１８に貯えられ、汚染原水１６に比べて細菌数も栄養分も少ない希釈用水１９を加えて撹拌混合すると、栄養分の不足と共存菌との隔絶により細菌は弱体化し、細菌群全体の活性が低下する。 - 特許庁