「Isolation」に関連した英語例文の一覧と使い方(40ページ目) - Weblio英語例文検索

The width w1 of a doped isolation region 11 for insulating/isolating adjoining drain regions 7 (source regions 9) is smaller than that w2 of an element isolation region 3.例文帳に追加

隣り合うドレイン領域７（ソース領域９）どうしを絶縁分離する不純物領域分離領域１１の幅ｗ１は、素子分離領域３の幅ｗ２よりも小さい。 - 特許庁

A first trench for an element isolation region of a memory cell region and a second trench for an element isolation region of a peripheral circuit region of the memory cell are simultaneously formed in the surface of a semiconductor substrate.例文帳に追加

メモリセル領域の素子分離領域用の第１の溝と、メモリセルの周辺回路領域の素子分離領域用の第２の溝を半導体基板上に同時に形成する。 - 特許庁

In this case, the ceramic layer is provided as the isolation layer 6 by making the content of the base metallic materials constituting the internal electrode 1 higher than that of ceramic constituting the ceramic layer 2 other than the isolation layer 6.例文帳に追加

遮断層６として、遮断層６以外のセラミック層２を構成するセラミックよりも内部電極１を構成する卑金属材料の含有率を高くしたセラミック層を設ける。 - 特許庁

The base isolation system 10 is provided with a sliding member 1 engaged with the pallet support frame 54 slidably along the support frame 54, and conducts base isolation in accompaniment to the slide of the sliding member.例文帳に追加

この免震装置１０は、パレット支持架台５４に沿ってスライド可能に該パレット支持架台に嵌合するスライド部材１１を備え、該スライド部材のスライドに伴い免震を行う。 - 特許庁

Then, the nitride film 106 is removed, the isolation film 108 of the cell region is secondarily etched, and the device isolation films 108 of the cell region and the peripheral region are thirdly etched.例文帳に追加

続いて、窒化膜１０６を除去し、セル領域における素子分離膜１０８を第二次エッチングし、セル領域と周辺領域における素子分離膜１０８を第三次エッチングする。 - 特許庁

The first element isolation insulating film 31 does not bury evenly an element isolation groove 13, but deposits completely by a reduced pressure CVD method in the thickness in which a hollow part 31v is formed.例文帳に追加

第１素子分離絶縁膜３１は、素子分離溝１３が平坦に埋まらず、窪み部３１ｖが形成されるような厚さで、減圧ＣＶＤ法によって全面堆積される。 - 特許庁

The base isolation mechanism is suitable by respectively arranging a plurality of base isolation devices above and below a a rocking support structure in an inclined state so as to turn to the virtual rotational center.例文帳に追加

免震機構としては、揺動支持構造体の上下に複数の免震装置をそれぞれ仮想の回転中心を向くように傾斜状態で配置するものが好適である。 - 特許庁

The height of the top face of an element-isolation insulating film 4 in a drain-side region is constituted so as to be lower than that H2 of the element-isolation insulating film 4 in a source-side region A2.例文帳に追加

ドレイン側領域の素子分離絶縁膜４の上面高さを、ソース側の領域Ａ２の素子分離絶縁膜４の上面高さＨ２に比較して低く構成している。 - 特許庁

The function for positioning an anchor bolt is imparted to this base isolation rubber plate used when constructing the base isolation structure to simplify a process when constructing the wooden building.例文帳に追加

免震構造構築の際に使用される免震ゴム板にアンカーボルト位置決めのための機能を持たせることにより、木造建築物を構築する際の工程を簡易なものとする。 - 特許庁

To provide a method for forming an element isolation structure of a semiconductor device and the element isolation structure of the semiconductor device, in which the generation of stress in an STI structure can be prevented.例文帳に追加

ＳＴＩ構造におけるストレスの発生を防止することが可能な半導体装置の素子分離構造の形成方法及び半導体装置の素子分離構造を提供する。 - 特許庁

Then, the semiconductor board 1 is subjected to heat treatment at a second heat treatment temperature which is lower than the first heat treatment temperature, and thereby an isolation oxide film 9 is formed in an isolation region.例文帳に追加

次に、半導体基板１を前記第１の熱処理温度より低い第２の熱処理温度で熱処理することにより前記素子分離領域に素子分離酸化膜９を形成する。 - 特許庁

To prevent an occurrence of a smear due to an unnecessary charge in an element isolation part in a solid state image pickup element including the element isolation part provided between a photoelectric conversion part and a charge transfer part.例文帳に追加

光電変換部と電荷転送部との間に素子分離部が設けられた固体撮像素子において、素子分離部での不要電荷にともなうスミアの発生を防止する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, capable of forming a hollow part on the bottom side of an element isolation groove, without removing an insulating layer formed on the opening side of the element isolation groove.例文帳に追加

素子分離溝の底側の中空部を、素子分離溝の開口側に形成した絶縁層を除去することなく形成できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The base isolation device 1 is mounted on the precast concrete panel 10, and the base isolation device 1 is fixed to the precast concrete panel 10 by tightening an anchor bolt 9 to the box nut 3.例文帳に追加

そして、プレキャストコンクリート盤１０に免震装置１を上載するとともに、アンカーボルト９を袋ナット３に締結して免震装置１をプレキャストコンクリート盤１０に固定する。 - 特許庁

The height of the element isolation insulation film 4 at the location of a drain contact diffusion region 15' is set higher than that of the element isolation insulation film 4 at the locations of the memory transistors MC.例文帳に追加

ドレインコンタクト拡散領域１５’の位置における素子分離絶縁膜４の高さは、メモリトランジスタＭＣの位置における素子分離絶縁膜４の高さよりも高くされている。 - 特許庁

An upper device isolation film filling the groove and the trench is formed on the lower device isolation film, and the hard mask film and the buffer insulation film are removed by etching, until the semiconductor substrate is exposed.例文帳に追加

下部素子分離膜上にグルーブ及びトレンチを満たす上部素子分離膜を形成し、ハードマスク膜及びバッファ絶縁膜を半導体基板が露出するまでエッチングして除去する。 - 特許庁

Thus, by comparison, in the same volume part of the trench 12, the volume of the embedded oxide film 13 is smaller in the element isolation region 142 than that in the element isolation region 141.例文帳に追加

これにより、トレンチ１２の同じ容積部分で比較すると、素子分離領域１４２の方が素子分離領域１４１よりも埋め込まれる酸化膜１３の体積が小さい。 - 特許庁

This semiconductor memory comprises a semiconductor substrate 1, an element isolation insulating film 7 embedded in the semiconductor substrate 1, cell section gate insulating films 2 isolated by the element isolation insulating film 7, and first conductive layers 3.例文帳に追加

半導体基板１と、半導体基板１に埋め込まれた素子分離絶縁膜７と、素子分離絶縁膜７により分離されたセル部ゲート絶縁膜２、第一導電層３を備える。 - 特許庁

The film thickness of a silicon oxide film 9 left in an element isolation groove having a relatively narrow width is a less than a film thickness of the silicon oxide film 9 left in an element isolation groove having a relatively wide width.例文帳に追加

相対的に幅が狭い素子分離溝に残されるシリコン酸化膜９の膜厚が、相対的に幅が広い素子分離溝に残されるシリコン酸化膜９の膜厚よりも薄い。 - 特許庁

To provide a trigger device of a base isolation device for a container crane in which the restriction is reliably released at an earthquake above the predetermined level, and the base isolation device is effectively operated.例文帳に追加

所定のレベル以上の地震時において拘束を確実に開放し、免震装置を有効に作動させることができるようにしたコンテナクレーン用免震装置のトリガ装置を提供する。 - 特許庁

Since the isolation characteristic is superposition of plural peaks, even when number of stages of the unit switch systems is the same as that of a conventional switch, the isolation band is made much more wider.例文帳に追加

このため、アイソレーション特性は異なる複数のピークの重ね合わせとなるので、単位スイッチ系の段数が従来と同数であってもアイソレーション帯域をより広帯域化することができる。 - 特許庁

Also, the temperature of the isolation chamber 8 can be kept lower than the temperature of the engine compartment 7 by circulating a cooling wind supplied to the radiator 10 or the like on the lower side of the isolation chamber 8.例文帳に追加

また、隔離室８の下側でラジエータ１０等に供給する冷却風を流通させることにより、隔離室８の温度をエンジン室７よりも低い温度に保つことができる。 - 特許庁

To provide a vibration isolation support device capable of providing vibration isolation performance for both of light floor shock sound and heavy floor shock sound and reducing transmission of vibration effectively.例文帳に追加

軽量床衝撃音及び重量床衝撃音の双方に対する防振性能を発揮でき、振動伝播を効果的に低減することのできる防振支持具を提供すること。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which can make the embedding depth of the element isolation film of a high voltage transistor different from the embedding depth of the element isolation film of a low voltage transistor.例文帳に追加

高電圧トランジスタの素子分離膜の埋め込み深さを、低電圧トランジスタの素子分離膜の埋め込み深さと異ならせることができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A cooling speed is slowed down by the temperature rise of the isolation layers 6 in a region (channel forming region 5) pinched by the isolation layers 6 whereby big crystal grains are formed.例文帳に追加

分離層６に挟まれた領域（チャネル形成領域５）では、分離層６の温度上昇によりその冷却速度が遅くなり、大きな結晶粒が形成されるようになる。 - 特許庁

To make feasible connecting a source region more reliably in a non- volatile semiconductor memory adopting an STI(shallow trench isolation) structure in the interelement isolation.例文帳に追加

本発明は、素子間分離にＳＴＩ構造を採用する不揮発性半導体記憶装置において、ソース領域をより確実に接続できるようにすることを最も主要な特徴とする。 - 特許庁

Especially, this isolation technique includes operation or isolation of a piezoelectric material layer between the devices, in order to restrain the quantity of acoustic energy which leaves the device and propagates in the lateral direction.例文帳に追加

特に、この分離技術は、該デバイスから離れて横方向に伝搬する音響エネルギーの量を制限するために、該デバイスの間における圧電材料層の操作または分離を含む。 - 特許庁

An isolation member (54) can be moved between the isolation position for isolating the thread passing part of the thread (24) from rubber and the contact position for attaching the thread passing part of the thread (24) to the rubber.例文帳に追加

隔離部材（５４）は、スレッド（２４）のスレッド通過部分をゴムから隔離する隔離位置と、スレッド（２４）のスレッド通過部分をゴムに接触させる接触位置との間で動くことができる。 - 特許庁

(2) The period of isolation pursuant to the provision of the preceding paragraph shall be three months. However, if there is a special necessity to continue the isolation, then the warden of the penal institution may renew the period for one month upon expiration thereof, and every month thereafter. 例文帳に追加

２　前項の規定による隔離の期間は、三月とする。ただし、特に継続の必要がある場合には、刑事施設の長は、一月ごとにこれを更新することができる。 - 日本法令外国語訳データベースシステム

A control part 33 of a P-type diffusion layer which controls a signal read voltage and an isolation part 32 of the P-type diffusion layer which is used for layer isolation are formed on the side parts of the N-type diffusion layer 4.例文帳に追加

このｎ型拡散層４の側方に、信号読み出し電圧を制御するｐ型拡散層の制御部３３と、層分離用のｐ型拡散層の分離部３２を形成する。 - 特許庁

Each switching panel 12 has a couple of fitting parts 13 and 13 at an isolation interval along the axis of rotation while isolation intervals are made different, and can rotate by 180°.例文帳に追加

各切替えパネル１２は、一対の取付部１３、１３を回転軸方向に沿って離間させて備え、それぞれ離間間隔を異ならせてあり、それぞれ１８０度の回転が可能である。 - 特許庁

An element isolation trench is formed in a semiconductor device via a mask pattern, the element isolation trench is embedded by a dielectric, and subsequently an unneeded dielectric is removed by chemical-mechanical polishing.例文帳に追加

半導体基板中にマスクパターンを介して素子分離溝を形成し、さらに前記素子分離溝を絶縁膜で埋め込んだ後、化学機械研磨して余計な絶縁膜を除去する。 - 特許庁

A first sound isolation rubber 81 is provided at a portion to contact a second lever 36 in the adjustment screw 62, and a second sound isolation rubber 82 is provided at a portion to which the second lever 36 in a second location contacts.例文帳に追加

調整ネジ６２に、第２レバー３６と当接する部位に第１防音ゴム８１を設け、第２の位置にある第２レバー３６が当接する部位に第２防音ゴム８２を設ける。 - 特許庁

To provide a base isolation system capable of producing a base isolation effect, even if an earthquake occurs while a building and the foundation are connected and fixed for preventing the vibration due to wind.例文帳に追加

風による振動を防止するため、建物と基礎とを連結固定しているときに地震が発生しても、免震効果を発揮することができる免震システムを提供すること。 - 特許庁

The first element isolation insulating film 31 is deposited over the entire surface by low-pressure CVD method, with such a thickness that an element isolation groove 13 is not embedded evenly and that a concave part 31v is formed.例文帳に追加

第１素子分離絶縁膜３１は、素子分離溝１３が平坦に埋まらず、窪み部３１ｖが形成されるような厚さで、減圧ＣＶＤ法によって全面堆積される。 - 特許庁

The containment installation and the reactor building are downsized by the installing of the isolation wall 21 and by the existence of the wet well 12 between the isolation wall 21 and the containment vessel 1.例文帳に追加

隔離壁２１の設置、及び隔離壁２１と原子炉格納容器１の間におけるウェットウェル１２の存在により、原子炉格納施設及び原子炉建屋が小型化される。 - 特許庁

A base isolation device 11 comprises first and second linear bearing mechanisms 14 and 16 to guide a frame 12 in X-and Y-directions; and first and second base isolation mechanism 18 and 20.例文帳に追加

免震装置１１は、架台１２をＸ，Ｙ方向にガイドする第１、第２リニアベアリング機構１４，１６と、架台１２を免震する第１、第２免震機構１８，２０が設けられている。 - 特許庁

To make an element finer in side and to reduce the stress produced in an element isolation trench by realizing a method of forming element isolation trench by which the structure of a liner composed of a silicon nitride film can be controlled easily.例文帳に追加

窒化シリコン膜ライナーの構造制御が容易な素子分離溝の形成方法を実現し、素子の微細化と素子分離溝に発生する応力の低減を両立させる。 - 特許庁

A large number of bearings and springs for a dwelling without anxiety are arranged horizontally and vertically in the base isolation-resistant bandles, and the base isolation-resistant bandles cope with quakes in all directions by a large number of points, surfaces and spirals.例文帳に追加

耐免震束とは安心して住まうための数多くのベアリングと、スプリングを水平水直に配置し、多数の点と面とら線であらゆる方向の揺れに対処するものであります。 - 特許庁

To make the source/drain of a transistor low in resistance and to reduce the leakage current in a semiconductor device which is formed on a SOI substrate and equipped with a partial trench isolation as an inter-element isolation.例文帳に追加

ＳＯＩ基板に形成され、素子間分離として部分トレンチ分離を有する半導体装置において、トランジスタのソースドレインの低抵抗化およびリーク電流の低減を図る。 - 特許庁

The crane foundation 20 is formed by installing a base isolation device such as a laminated rubber 8 on an improved ground 7 and installing a crane installation plate 2 on which the crane 1 is fixed on the base isolation device.例文帳に追加

このクレーン基礎２０は、改良地盤７上に積層ゴム８などの免震装置を設置し、上面にクレーン１を固定するクレーン設置板２をこの免震装置に設置する。 - 特許庁

To provide a seismic isolation device preventing the reduction in performance or damage of a laminated rubber and utilizing the maximum performance of the laminated rubber, and also to provide a building having the seismic isolation device.例文帳に追加

積層ゴムの性能低下又は損傷を防ぐと共に、積層ゴムの性能を最大限に利用することができる免震装置、及びこの免震装置を有する建築物を提供する。 - 特許庁

To provide a base isolation device capable of effectively preventing rocking vibration while attaining a long period of a base isolation object by using air springs capable of minimizing the height.例文帳に追加

高さを低く抑制することができる空気ばねを用いて免振対象物の長周期化を達成しつつ、ロッキング振動を効果的に防止することができる免振装置を提供する。 - 特許庁

To provide a base isolation device of a mechanism capable of activating the kinetic energy of an earthquake without using the electric power to allow the base isolation to properly function even under a condition of service interruption in the occurrence of the earthquake.例文帳に追加

地震発生時に起こりやすい停電の状態でも、免震が的確に機能するよう電気動力を使わずに、地震の運動エネルギーを活用する機構の免震装置を得る。 - 特許庁

To restrain lowering of a base isolation effect as much as possible on an upper part stage without reducing the maximum static friction coefficient of a sliding part against a sliding type base isolation device.例文帳に追加

摺動タイプの免震装置に対して、摺動部の最大静止摩擦係数を小さくすることなく上部階において免震効果が低下するのを可及的に抑制する。 - 特許庁