「Line element」に関連した英語例文の一覧と使い方(63ページ目) - Weblio英語例文検索

A drain of a driving transistor Qd constituting a pixel 20 is connected through a second switching transistor Qsw 2 to a data line Xm and is connected through a transistor QL for controlling a light emission period to an organic EL element OLED.例文帳に追加

画素２０を構成する駆動トランジスタＱｄのドレインを、第２のスイッチングトランジスタＱｓｗ２を介してデータ線Ｘｍに接続するとともに発光期間制御用トランジスタＱＬを介して有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに接続した。 - 特許庁

An observation signal switch 401 selects a signal indicative of the horizontal displacement of the laser beam receiving device of a leading element during construction work along a straight line and selects a signal indicative of the horizontal displacement of an induced magnetic field generator during construction work along a curve.例文帳に追加

観測信号切替器４０１は、先導体のレーザ受光装置の水平変位を示す信号を直線施工時に選択し、誘導磁界発生装置の水平変位を示す信号を曲線施工時に選択する。 - 特許庁

When the respective pixels for the lines to which the second mode is specified are outputted, each of a plurality of the light emitting elements E is driven by feeding a driving electric current in accordance with the image data G of this line and the correction value Ab of the light emitting element E.例文帳に追加

第２モードが指定されたラインの各画素の出力時には、複数の発光素子Ｅの各々が、このラインの画像データＧと当該発光素子Ｅの補正値Ａbとに応じた駆動電流の供給によって駆動される。 - 特許庁

Winding of the cell element material is carried out using the core with the cross-section of the polygon in which cross-sectional longer end parts 1 and 2 attached to a winding shaft are on a line and a first insertion section of the separator with any angle, are provided.例文帳に追加

巻回軸に取り付けられた断面長端部１及び２が一線上にあり、かつ任意の角度を持ったセパレーター第一挿入部を有する断面多角形の巻芯を用いて電池素子材料を捲回する。 - 特許庁

Diagonal line parts in each region of inter-element separation groove wiring layers 22a, 22b, 22c, 22d are electrically connected to wiring layers 22a, 22b, 22c, 22d and ridge electrodes on ridge parts of each laser light emitting parts LD1 to LD4.例文帳に追加

素子間分離溝配線層２２ａ、２２ｂ、２２ｃ、２２ｄの各領域における斜線部が、配線層２２ａ、２２ｂ、２２ｃ、２２ｄと各レーザ発光部ＬＤ１〜ＬＤ４のリッジ部上のリッジ電極とが電気的に接続される。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for manufacturing an electronic component, capable of fully pressing resin without causing mechanical damages on an element-mounting substrate and accurately setting the thickness, in a normal line direction of a sealing layer.例文帳に追加

素子搭載基板に機械的ダメージを作用させることなく樹脂を十分に加圧でき、且つ、封止層の基板法線方向の厚みを精緻に設定することが可能な電子部品の製造方法および製造装置の提供。 - 特許庁

The processor 11 is provided with a resetting part extraction circuit 77 which receives the output signal Vout from the signal line 48d and extracts the resetting part, which is caused by the resetting operation of the solid-state imaging element 42, from the output signal Vout.例文帳に追加

信号線４８ｄから出力信号Ｖｏｕｔを受信し、出力信号Ｖｏｕｔから固体撮像素子４２のリセット動作に起因するリセット部を抽出するリセット部抽出回路７７をプロセッサ装置１１に設ける。 - 特許庁

Rigidity increase members (3-1, 3-2) are provided on at least one of the elastic member and the electromechanical energy conversion element to increase the rigidity of the vibrator in the nodal line direction of the vibration.例文帳に追加

そして、前記振動体の前記振動の節線方向の剛性を増大させる剛性増大部材（３−１、３−２）が、前記弾性部材又は前記電気機械エネルギ変換素子の少なくとも一方に設けられていることを特徴とする。 - 特許庁

Then a feeding point to the feeding section 3 is changed by displacing the moving part to change a feeding phase with respect to each straight line array antenna and feeding power to each element antenna thereby changing a direction of beams.例文帳に追加

そして可動部の変位によって給電部３に対する給電点を変えて、各直線アレーアンテナに対する給電位相および各素子アンテナに対する給電電力を変化させ、これによってビームの方向を変化させる。 - 特許庁

In a one-layer drawn-up winding process in S1, six pieces, in one layer, of coil wires are wound in line, and in a multilayer conversion process in S3, the slot section is converted from one-layer lined-up lap winding into three-layer lined-up lap winding so as to form a cassette coil element piece.例文帳に追加

Ｓ１の一層整列巻き工程で、一層で６本のコイル線を整列巻きし、Ｓ３の多層変換工程で、スロット部分を、一層整列重ね巻きから三層整列重ね巻きに変換し、カセットコイル素片を形成する。 - 特許庁

The capacitive element (Cf) is driven by a correction signal (ϕj) supplied through a correction signal line (131) and compensates changes in the potential of the node (N), that is, the electrode potential of the pixel electrode (9a) according to the correction signal (ϕj).例文帳に追加

容量素子（Ｃｆ）は、補正信号線（１３１）を介して供給された補正信号（φｊ）によって駆動され、当該補正信号（φｊ）に応じて、ノード（Ｎ）の電位、即ち、画素電極（９ａ）の電極電位の変化を補償する。 - 特許庁

The exposure region of the semiconductor substrate surface other than the element formation region includes a ring-like region from a peripheral exposure region boundary of a semiconductor wafer to a film formation region boundary of a high-melting-point metal, and a scribe line region.例文帳に追加

素子形成領域以外の半導体基板表面の露出領域は、半導体ウェハの周辺露光領域境界から高融点金属の成膜領域境界までのリング状の領域、スクライブラインの領域を含む。 - 特許庁

This solenoid driven valve comprises the armature shaft 21 for fixing an electromagnetically driven armature and a valve stem 12 that is disposed in a same axial line as the armature shaft 12 a predetermined distance spaced from the shaft and has a valve element at its one end.例文帳に追加

電磁駆動弁は、電磁駆動されるアーマチャが固定されたアーマチャシャフト２１と、同アーマチャシャフト２１と同じ軸線上に所定に離間して配設されてその一端に弁体が設けられるバルブステム１２等とを備えて構成される。 - 特許庁

In the reverse bias application period, the potential of a power supply line (V) and the potential of a counter power source 109 are inverted in high/low relation and a reverse bias is applied to the light emitting element while a TFT 115 for erasure is held ON.例文帳に追加

なお逆バイアス印加期間においては、消去用ＴＦＴ１１５がオン状態を保持した状態で、電源供給線（Ｖ）の電位と、対向電源１０９の電位の高低を逆にして、発光素子に逆バイアスを印可する。 - 特許庁

To precisely form a wiring which is formed above a bit line and a capacitor using a ferroelectrics material or high-dielectric material, related to a semiconductor device comprising a memory element, while degradation of the capacitor is prevented.例文帳に追加

メモリ素子を有する半導体装置に関し、強誘電体材料又は高誘電体材料を用いたキャパシタとビット線のさらに上方に形成される配線を精度良く形成するとともに、キャパシタの劣化を防止すること。 - 特許庁

The other edge part of each electromagnetic horn element 1 is provided with a coaxial waveguide converter 2 having first and second converting parts 2a and 2b for converting two orthogonally crossing polarization between a coaxial line and a waveguide.例文帳に追加

この電磁ホーン素子１のそれぞれの他端部に、直交する２つの偏波をそれぞれ同軸線路と導波管との間で変換する第１および第２の変換部２ａ、２ｂを有する同軸導波管変換器２が設けられている。 - 特許庁

The liquid crystal display element includes a color filter including at least one kind of organic pigment nano particles having a mean particle size of ≤50 nm and the three-wavelength type backlight having a peak of green bright line between 520 nm and 540 nm.例文帳に追加

平均粒径５０ｎｍ以下の有機顔料ナノ粒子を少なくとも１種類含むカラーフィルタと、緑色の輝線のピークが５２０ｎｍ〜５４０ｎｍの間にある三波長型バックライトとを有してなる液晶表示素子。 - 特許庁

When the internal temperature exceeds a prescribed temperature, it is determined by an abnormality detection means 68 that the abnormality of oxygen (air) inflow into the hydrogen line occurs to thereby generate combustion caused by the high-temperature sensor element 61 working as an ignition source.例文帳に追加

異常検知手段６８では、前記内部温度が所定温度を超える場合に、水素ラインに酸素（空気）が流入する異常が生じ、高温のセンサ素子６１を着火源として燃焼が発生しているものと判断する。 - 特許庁

Accordingly, the silicone adhesive for supporting the piezoelectric element 4 in the holder 3 from the side with respect to a reference line FL is prevented from flowing out to the moving area MR on the driving shaft 6 while regarding the flange member 20 as a barrier.例文帳に追加

そのため、鍔部材２０がバリアとなって、基準線ＦＬに対して側方から圧電素子４をホルダ３に支持させるためのシリコーン接着剤が、駆動軸６の移動領域ＭＲに流れ出すのを防止することができる。 - 特許庁

When the voltage is applied from the EL drive voltage generating circuit 4 to the drain via the voltage line VL, the organic EL element 12 emits light if the light emission is memorized in the corresponding double-gate memory transistor 11 according to the voltage.例文帳に追加

ＥＬ駆動電圧発生回路４から電圧ラインＶＬを介してドレインに電圧が印加されると、有機ＥＬ素子１２は、その電圧に応じて、対応するダブルゲートメモリトランジスタ１１に発光がメモリされたものが発光する。 - 特許庁

A serial circuit composed of a diode D5 as a rectification means and a relay 32 as a switching means is connected between one of the electrodes (surface electrode 13) of the ion generating element 10 and a grounding line (point B).例文帳に追加

イオン発生素子１０の電極の一方（表面電極１３）と接地線（点Ｂ）との間に、整流手段としてのダイオードＤ５及び開閉手段としてのリレー３２により構成される直列回路が接続される。 - 特許庁

The oscillator oscillates a signal with a frequency close to the resonance frequency of the main dielectric resonator 5 through the magnetic field coupling of a semiconductor active element, a microstrip line and the main dielectric resonator 5 placed on a dielectric board 2.例文帳に追加

誘電体基板２上に設置した半導体能動素子及びマイクロストリップラインと主誘電体共振器５が磁界結合することにより、主誘電体共振器５の共振周波数付近で発振する発振器が得られる。 - 特許庁

To provide a polybenzoxazole imide film useful as a protecting film of a semiconductor element and plastic substrate plate for a display by using a hydroxyamide group-containing alicyclic polyimide having a high transmission at an i-line (365 nm), or its precursor.例文帳に追加

ｉ線（３６５ｎｍ）において高い透過率を有するヒドロキシアミド基含有脂環式ポリイミド又はその前駆体を用いて、半導体素子の保護膜及びディスプレー用プラスチック基板として有用なポリベンゾオキサゾールイミド膜を提供する。 - 特許庁

That is, this wire bonding apparatus includes the bond site region which holds a semiconductor element during wire bonding operation, and a gas supply line which is configured to supply the gas to the bond site region from its upper side.例文帳に追加

すなわちこのワイヤーボンディング装置は、ワイヤーボンディング作業中に半導体素子を保持するボンドサイト領域と、前記ボンドサイト領域の上方から前記ボンドサイト領域にガスを提供するように構成されたガス供給ラインとを含む。 - 特許庁

In partial display mode, ON-precharging is performed in the precharge circuit 210 during a period of precharging in a display region, and picture image signals corresponding to gradation are supplied for picture element 110 from a data line driving circuit 190.例文帳に追加

そして、部分表示モードにおいて、表示領域では、プリチャージ期間にプリチャージ回路２１０でＯＮプリチャージを行った後、画素１１０に対して、データ線駆動回路１９０から階調に応じた画像信号を供給する。 - 特許庁

In this constitution, the ON or OFF state of the MOS transistor M3 is determined in accordance with the state of the phase shifting element PC1 which is written as a set or reset state with a low voltage from a control line DL, etc.例文帳に追加

そして、このような構成において、ＭＯＳトランジスタＭ３のオンまたはオフは、制御線ＤＬなどから低電圧にてセット状態またはリセット状態に書き込まれた相変化素子ＰＣ１の状態に応じて定められる。 - 特許庁

Each frame 21 comprises a plurality of rail-like frame elements 21a arranged in a line and interconnected by joints 41, with an inter-element gap G1 provided between the frame elements 21a adjoining to one another in the longitudinal direction of the frame 21.例文帳に追加

各架台２１は、直線状に並べられた複数のレール状架台要素２１ａ同士を継手４１で接続してなり、架台２１の長手方向に隣接する架台要素２１ａ間に要素間間隙Ｇ１を設ける。 - 特許庁

The radiation element 13 and the opposed earth plate 11 are located to make their opposite faces non-parallel by inclining them at an inclination angle θ1 of about 4° in the direction of a center line passing through the feeding point position of the radiator 13.例文帳に追加

放射素子１３とその向かい合うアース板体１１とを、互いに向かい合う面が放射素子１３の給電点位置を通る中心線方向に略４°の傾斜角θ１で傾斜して非平行になるように配置する。 - 特許庁

When a drainage line 30 is opened by operating an opening/closing operating valve 31, stored water in the water chamber 20 is discharged to a secondary side 3 of a channel, and concurrently with that, a valve element 11 ascends with the driver part 14, so that water supply can be started.例文帳に追加

開閉操作弁３１の操作で排水管路３０を開くと、水室２０の貯留水が流路二次側３へ排出されると同時に駆動体部１４と共に弁体１１が上昇し給水が開始される。 - 特許庁

Each of pixel circuits U includes a light emitting element E, a drive transistor TDR, a holding capacitor C1 disposed between a gate and source of the drive transistor TDR, a selection switch TSL and a control switch TCR1 disposed between the gate of a drive transistor TDR and a signal line 14.例文帳に追加

画素回路Ｕは、発光素子Ｅおよび駆動トランジスタＴDRと、駆動トランジスタＴDRのゲート−ソース間の保持容量Ｃ1と、駆動トランジスタＴDRのゲートと信号線１４との間の選択スイッチＴSLおよび制御スイッチＴCR1とを含む。 - 特許庁

A high-potential power supply line 50 for supplying the power source potential VEL to the light emitting element E includes an on-substrate part 50G and an on-flexible substrate part 50F, and the part 50G and the part 50F are alternately arranged.例文帳に追加

電源電位ＶELを発光素子Ｅに供給する高電位電源線５０は基板上の部分５０Ｇとフレキシブル基板上の部分５０Ｆとを有し、基板上の部分５０Ｇとフレキシブル基板上の部分５０Ｆとは交互に配置される。 - 特許庁

The housing and the valve element have respectively a pair of opposite openings 50 and a through hole 56 which are capable of being aligned on a straight line perpendicular to the axis 54 of the housing for defining a path of movement for the fluid.例文帳に追加

ハウジングおよび弁体はそれぞれハウジングの軸線（５４）に対して直交する直線上に整列可能である、流体のための移動通路を規定する互いに相対する一対の開口（５０）および貫通孔（５６）を有する。 - 特許庁

When a first impedance element for removing noise is connected electrically to a transmission line, a current peak position of a noise frequency which lies beyond a prescribed limiting value are measured or selected by simulated calculation (step S5).例文帳に追加

第１のノイズ除去用インピーダンス素子を伝送線路上に電気的に接続しても所定の限度値から外れているノイズ周波数の電流ピーク位置を、測定あるいはシミュレーションによる算出で選定する（ステップＳ５）。 - 特許庁

In this driving circuit, the driving method of an EL (electroluminescent) panel in which a voltage to be applied to a data line is made to be a binary voltage and fluctuation of the characteristic of the EL element can be suppressed by applying a reverse bias voltage to the elements for a fixed period is provided.例文帳に追加

データ線に与えられる電圧を２値電圧とし、ＥＬ素子に対して一定期間、逆バイアス電圧を印加することでＥＬ素子の特性変動を抑えることが可能となるＥＬパネルの駆動方法を提案する。 - 特許庁

As for a video signal inputted to a pixel from a source signal line, a desired potential is applied to the gate electrode of a TFT 107 for supplying a current to an EL element 109 via a TFT 105 connected across the gate and drain.例文帳に追加

ソース信号線より画素に入力される映像信号は、ゲート・ドレイン間を接続したＴＦＴ１０５を経て、ＥＬ素子１０９に電流を供給するためのＴＦＴ１０７のゲート電極に所望の電位が印加される。 - 特許庁

In the second element, a cathode electrode layer comprising a dielectric oxide coating film 14, a solid electrolyte 15, and a conductive member 16 is provided on both surfaces of a valve action metal substrate 1 to form a cathode part 20 for transmission line formation.例文帳に追加

第２の素子は、弁作用金属基体１の両面に誘電体酸化被膜１４、固体電解質１５および導電性部材１６からなる陰極電極層を設けて、伝送線路形成用の陰極部２０とする。 - 特許庁

The normal line direction (z'-axis direction) of the incident surface in the X-ray detection element is inclined with respect to a z-axis direction within the zx plane parallel to the irradiation direction (z-axis direction) of the X rays and the feed direction (x-axis direction).例文帳に追加

Ｘ線検出素子における入射面の法線方向（ｚ´軸方向）は、Ｘ線６の照射方向（ｚ軸方向）と搬送方向（ｘ軸方向）とに平行なｚｘ平面内で、ｚ軸方向に対して傾斜させる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having such a structure that, when a semiconductor element of a high density is mounted on a low-cost substrate, a bonding wire can be extended parallel to an electrode of a high speed signal line, and the bonding wire can be shortened.例文帳に追加

高密度化された半導体素子をローコスト基板に搭載する場合に、高速信号ラインの電極に対して、ボンディングワイヤを平行に張ることができ、且つボンディングワイヤを短くできる構成の半導体装置を提供する。 - 特許庁

The variable capacitance element includes a signal line 1 arranged on a substrate 10, movable electrodes 3a, 3b, 3c arranged to cross over the signal line 1 and with both ends fixed on the substrate 10, and fixed capacitances 4a, 4b, 4c arranged between at least one end of both ends of the movable electrodes 3a, 3b, 3c and the substrate 10.例文帳に追加

可変容量素子は、基板１０に設けられた信号線路１と、前記信号線路１を跨ぐように設けられ、両端が基板１０に対して固定された可動電極３ａ、３ｂ、３ｃと、可動電極３ａ、３ｂ、３ｃの両端のうち少なくとも一端と基板１０との間に設けられる固定容量４ａ、４ｂ、４ｃを有する。 - 特許庁

To provide a signal line and a cable for high speed transmission wherein attenuation of a signal of a low-frequency-component is enhanced, a waveform required for transmission of a high-speed transmission signal is maintained, and an additional element having the same function is not necessary so that the length of the signal line or the cable itself can be extended and a large eye pattern can be attained.例文帳に追加

信号線またはケーブル自身の長尺を可能にし、大きなアイパタンが得られるようにすべく、低周波成分の信号の減衰を大きくし、高速伝送信号の伝送に必要な波形を維持し、別に同様な機能を持った素子を不要にした高速伝送用信号線および高速伝送用ケーブルを提供することにある。 - 特許庁

Accordingly, by forming the drive power supply line 93 and the common potential line 91 on the TFT array substrate 10 and forming the interlayer insulating film 43 between these lines, a capacitance can be constituted by using the multilayer structure, as it is, formed on the TFT array substrate 10, without having to install a capacitor element that is to be a capacitance.例文帳に追加

したがって、ＴＦＴアレイ基板１０上に駆動電源線９３及び共通電位線９１と、これら配線間に層間絶縁膜４３を形成することによって、容量とされるコンデンサ素子を設けることなく、ＴＦＴアレイ基板１０上に形成された多層構造をそのまま利用して容量を構成することが可能である。 - 特許庁

An operational knob 47 for turning an electrode unit 5 about an axial line of a scope 4 along the circumference of a sheath 2 is provided at a working element 3 of the resectoscope, and a loop part 27 of the electrode unit 5 is turned about the axial line of the scope 4 in the axial rotation direction by the operation of the operational knob 47.例文帳に追加

レゼクトスコープのワーキングエレメント３に、スコープ４の軸線を中心に電極ユニット５をシース２の周方向に沿って回動させる操作ノブ４７を設け、この操作ノブ４７の操作によってスコープ４の軸線を中心に電極ユニット５のループ部２７をスコープ４の軸線を中心に軸回り方向に回動させるものである。 - 特許庁

An exchange position element comparison part 9 compares whether marks of four first elements on a diagonal line are equal to marks of four remaining second elements on a diagonal line adjacent to the first elements among marks of eight elements of layout becoming a rectangular parallelepiped or a cube in the table, which is set in the storage arrangement.例文帳に追加

入替位置要素比較部９は、記憶用配列１０に設定された表の中の直方体又は立方体となる配置の８つの要素の記号のうち、対角線上にある４つの第１の要素の記号と、第１の要素に隣接する対角線上にある残りの４つの第２の要素の記号とがそれぞれ互いに等しいかどうか比較する。 - 特許庁

To provide a semiconductor element manufacturing method which buries an insulating film between gate patterns in place of a photo-sensitive film when implanting ions into a semiconductor substrate of lower portion of a bit line contact area, etches it to expose the bit line contact area without a residue of etching, thereby, can prevent a leakage current of a cell transistor.例文帳に追加

ビットラインコンタクト領域下部の半導体基板にイオンを注入するときゲートパターン等の間を感光膜の代わりに絶縁膜で埋め、これを食刻して食刻残留物なくビットラインコンタクト領域を露出することにより、セルトランジスタの漏洩電流を防止することができる半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a downsized temperature variable attenuator having a simple structure by adopting a circuit mainly using distributed constants such as a microstrip line and a coplanar line so as to keep the specified impedance constant only with one temperature variable resistive element, thereby adjusting the attenuation depending on temperature and stabilizing a temperature compensation operation of an amplifier.例文帳に追加

本発明はマイクロストリップラインや、コプレーナラインのような、主に分布定数を使用する回路を採用することにより、１個の温度可変抵抗素子を用いるのみで、特定インピーダンスが一定に保ちつつ、温度に応じて減衰量を調整できるようにして、増幅器の温度補償動作を安定させ、小型で、構造が簡単な温度可変型減衰器を得るにある。 - 特許庁