「Memory elements」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

A method includes steps of extracting a set of elements from the list of structure representation of an Extensible Markup Language (XML) documents, storing the set of elements in continuous packed vectors of a memory position and searching the set of elements in parallel.例文帳に追加

本発明の方法は、拡張マークアップ言語（XML）ドキュメントのリスト構造表現から要素のセットを抽出し、前記要素のセットを連続したメモリ位置のパック・ベクトルに格納し、前記セットの要素が並列に検索されることを可能にすることを有する。 - 特許庁

A semiconductor memory device is provided with a plurality of memory cell arrays 1 provided with memory cells which can be re-written electrically and which consist of variable resistance elements for storing a resistance value as data, a column control circuit 2, and a row control circuit 3.例文帳に追加

半導体記憶装置は、電気的書き換え可能で抵抗値をデータとして記憶する可変抵抗素子からなるメモリセルを備えた複数のメモリセルアレイ１と、カラム制御回路２及びロウ制御回路３とを備える。 - 特許庁

The semiconductor memory device is provided with a memory cell array MA in which memory cells MC in which diodes Di and variable resistance elements VR are connected in series respectively are arranged at cross parts of a plurality of bit lines BL and a plurality of word lines WL.例文帳に追加

半導体記憶装置は、ダイオードＤｉと可変抵抗素子ＶＲとを直列接続してなるメモリセルＭＣが複数のビット線ＢＬ及び複数のワード線ＷＬの交差部に配置されたメモリセルアレイＭＡを備える。 - 特許庁

A fuse element corresponding to a memory cell column being redundancy-replaced among fuse elements Fcs11-Fcs24 is cut off, supply of a ground potential for a replaced normal memory cell column is stopped.例文帳に追加

ヒューズ素子Ｆcｓ１１〜Ｆcｓ２４のうち、冗長置換をされるメモリセル列に対応するヒューズ素子は切断され、置換される正規メモリセル列への接地電位の供給が停止される。 - 特許庁

To enable to easily correct unbalance of a changing threshold, in the direction of magnetization of memory elements (e.g., deviation of the center of asteroid curve from the original point), without modifying the memory device itself.例文帳に追加

記憶素子自体の変更を伴うことなく、その記憶素子における磁化方向の変化閾値の不均衡（例えば、アステロイド曲線の中心と原点とのずれ）を容易に補正可能とする。 - 特許庁

To connect arithmetic devices with the minimum number of memory elements, and to certainly perform data transfer by address designation even if minimizing a data number stored in a cache memory.例文帳に追加

演算装置同士を最小の記憶素子数で接続することが可能で、キャッシュメモリに記憶するデータ数を最小にしても確実にアドレス指定によるデータ転送を行えるようにする。 - 特許庁

A conductive layer which includes three elements such as an antenna, a memory element and a transistor and functions as the antenna, is provided on the same layer as the conductive layer included in the transistor or the memory element.例文帳に追加

アンテナ、記憶素子及びトランジスタの３つを含み、アンテナとして機能する導電層は、トランジスタ又は記憶素子が含む導電層と同じ層に設けることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit device provided with a memory circuit wherein high speed memory operations and low power consumption are attained while preventing the number of elements from being substantially increased.例文帳に追加

実質的な素子数の増加を防止しつつ、合理的にメモリ動作の高速化と低消費電力化を可能にしたメモリ回路を搭載した半導体集積回路装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device wherein elements in the peripheral circuit are further microfabricated for improvement in the degree of integration without degradation in the charge retention characteristics of the memory cell, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

メモリセル部の電荷保持特性を劣化させずに周辺回路部の素子の微細化、集積度の改善が可能となる半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The magnetic memory device includes a memory cell array MCA having a plurality of MTJ elements provided on a coordinate (x, y) on a first plane consisting of perpendicular x- and y-axes.例文帳に追加

磁気記憶装置は、直交するｘ軸およびｙ軸からなる第１平面上の座標（ｘ，ｙ）上に設けられた複数のＭＴＪ素子を有するメモリセルアレイＭＣＡを含む。 - 特許庁

The twin memory cell 312 has first and second non-volatile memory elements 108A, 108B which are controlled by a word gate 104 and controlled respectively by first and second control gates 106A, 106B.例文帳に追加

ツインメモリセル３１２は、１つのワードゲート１０４と、第１，第２のコントロールゲート１０６Ａ，１０６Ｂにより制御される第１および第２の不揮発性メモリ素子１０８Ａ，１０８Ｂとを有する。 - 特許庁

The image processing processor 51 after transferring the input data from the main memory 56 to the local memory 54 uses the minimums and maximums by the elements of the input data to calculate an LUT transfer range needed for data processing and the LUT transfer range is transferred by the DMA controller 52 from the main memory 56 to the local memory 54.例文帳に追加

画像処理プロセッサ51は、メインメモリ56からローカルメモリ54に入力データの転送後、入力データの要素毎の最小値及び最大値を使用し、データ処理に必要なLUT転送範囲を計算し、LUT転送範囲をDMAコントローラ52によりメインメモリ56からローカルメモリ54に転送する。 - 特許庁

To provide a convenient, high capacity and low power consumption nonvolatile memory element by employing a stack structure of nonvolatile memory elements and arranging a recording material on the side face of the stack structure, and to provide a nonvolatile memory circuit, a nonvolatile memory card and a recorder employing them.例文帳に追加

不揮発性記憶素子を積層構造とし、かつ、積層構造の側面に記録材料を配設することにより、大容量、低消費電力であり、かつ、利便性に優れた不揮発性記憶素子、不揮発性記憶回路、不揮発性記憶カード、及び、それらを用いた記録装置を提供することにある。 - 特許庁

In the memory cells 81 of the memory elements 80 mounted on ink cartridges 107K, 107F, a second memory region wherein the residual quantities of inks of the ink cartridges 107K, 107F are rewritten is arranged to a region accessed prior to the first memory region storing reading exclusive data.例文帳に追加

インクカートリッジ１０７Ｋ、１０７Ｆに搭載の記憶素子８０のメモリセル８１において、インクカートリッジ１０７Ｋ、１０７Ｆのインク残量が書き換えられる第２の記憶領域については、読み出し専用データが記憶される第１の記憶領域よりも先にアクセスされる領域に配置する。 - 特許庁

A voltages is applied so as to perform setting operation on storage elements 21 in memory cells 20nn positioned on one word line WLn and also to perform resetting operation on storage elements 21 in memory cells 20n(n+1) positioned on the word line WLn.例文帳に追加

一のワード線ＷＬｎ上に位置するメモリセル２０nn内の記憶素子２１に対してセット動作を行うと共に、このワード線ＷＬｎ上に位置するメモリセル２０n(n+1)内の記憶素子２１に対してリセット動作を行う際に、以下のように電圧の印加を行う。 - 特許庁

Memory- functional liquid crystal display elements which constitute a 1st and a 4th page are provided in the top cover 11 and back cover 13 and memory-functional liquid crystal display elements which constitute a 2nd and a 3rd page are provided on both the surfaces of the intermediate display body 12.例文帳に追加

表紙１１及び裏表紙１３には第１ページ及び第４ページを構成するメモリ性液晶表示素子が設けられ、中間表示体１２にはその両面に第２ページ及び第３ページを構成するメモリ性液晶表示素子が設けられている。 - 特許庁

The discrimination part 2 compares magnetic information obtained from the first MI elements 11 and 21 and the second MI elements 12 and 22 with the magnetic information stored in the memory to determine the authenticity of the paper sheet 1.例文帳に追加

そして、鑑別部２により、第１のＭＩ素子１１、２１及び第２のＭＩ素子１２、２２から得られた磁気情報とメモリに記憶された磁気情報とを比較して紙葉類１の真偽を判定する。 - 特許庁

The image data is read out from the image memory 13 for each scanning part and the drive control circuit 11 acquires a ratio of an electroluminescence (EL) elements whose lighting is to be controlled (a lighting ratio of the light emitting elements for each scanning).例文帳に追加

画像メモリ１３からは１走査分毎に画像データが読み出され、駆動制御回路１１は、発光制御させるべきＥＬ素子の割合（１走査毎の発光素子の点灯率）を取得する。 - 特許庁

Capacitor elements (S) having the same structure as a memory cell capacitor (MS) are arranged along a row or column direction, these capacitor elements are coupled in parallel, and a capacitor type anti-fuse is realized.例文帳に追加

メモリセルキャパシタ（ＭＳ）と同一構造を有する容量素子（Ｓ）を、行または列方向に沿って整列して配置し、これらの容量素子を並列に結合して、キャパシタ型アンチヒューズを実現する。 - 特許庁

The image data are read out by each one scanning from the image memory 13, while the drive control circuit 11 acquires the proportion of EL elements to be subjected to light emission control (a lighting rate of light emitting elements per one scan).例文帳に追加

画像メモリ１３からは１走査分毎に画像データが読み出され、駆動制御回路１１は、発光制御させるべきＥＬ素子の割合（１走査毎の発光素子の点灯率）を取得する。 - 特許庁

When the power is turned on, the wiring information of the magnetic memory elements MTJ1 to MTJn are latched by latch elements LT1 to LTn and output to a switch circuit 6 for interconnecting logic blocks.例文帳に追加

電源投入時には、磁気記憶素子ＭＴＪ１〜ＭＴＪｎの接続情報がラッチ素子ＬＴ１〜ＬＴｎにラッチされ、論理ブロックを相互に接続するためのスイッチ回路６に出力される。 - 特許庁

To use in common the main body case of a cartridge incorporating a memory element and the main body case of a standard-specification cartridge incorporating no such elements.例文帳に追加

メモリ素子を内蔵するカートリッジの本体ケースと、それを内蔵しない標準仕様のカートリッジの本体ケースとの共用化を図る。 - 特許庁

Stored data of the memory cell is set in accordance with combination of resistors set to the magnetoresistive elements TR101 and TR102.例文帳に追加

このメモリセルの記憶データは磁気抵抗素子ＴＲ１０１およびＴＲ１０２に設定される抵抗の組み合わせに応じて設定される。 - 特許庁

The plurality of the memory elements are each an element in which a first conductive layer, an organic compound layer and a second conductive layer are sequentially laminated.例文帳に追加

複数の記憶素子の各々は、第１の導電層と、有機化合物層と、第２の導電層が順に積層された素子である。 - 特許庁

Resistance elements 119a, 119b are connected across a 2nd switch element 17 and memory control lines 19a, 19b, respectively.例文帳に追加

第２のスイッチ素子１７とメモリ制御信号線１９ａ，１９ｂとの間に、それぞれ抵抗素子１１９ａ，１１９ｂを接続する。 - 特許庁

To obtain a non-volatile semiconductor memory in which the dispersion of characteristics between storage elements connected in series is reduced, and quality is high.例文帳に追加

直列に接続された記憶素子間の特性のバラツキを低減し、品質の高い不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

Nonvolatile memory elements 110 included in a predetermined one of the plurality of circuit blocks 100 are arranged in a region A1.例文帳に追加

複数の回路ブロック１００のうち、所定の回路ブロックに含まれる不揮発性記憶素子１１０は領域Ａ１に配置されている。 - 特許庁

The shape memory elements 20 can take a first shape wherein they can be housed in the seats and a second shape wherein they can project from the seats.例文帳に追加

形状記憶要素20は、受部に収容されうる第１の形状と、受部から突出しうる第２の形状をとることができる。 - 特許庁

The magnetic memory element has a magnetic tunnel junction layer C, which is cylindrically formed having coaxially arranged constituent elements.例文帳に追加

磁気トンネル接合層Ｃを備える磁気メモリ素子において、磁気トンネル接合層Ｃは、構成要素が同心に備えられた円筒形である。 - 特許庁

In the optical memory head reproducing device, a plurality of surface emitting semiconductor laser elements are arranged in a matrix state in a laser element substrate part.例文帳に追加

光メモリヘッド再生装置において、レーザ素子基板部には、複数の表面発光半導体レーザ素子が行列に配列されている。 - 特許庁

To provide multiplex coincidence detection circuit for detecting multiplex coincidence of storage contents of associative memory elements within a short time by a simple circuit.例文帳に追加

簡単な回路で短時間に連想メモリ素子の記憶内容の多重一致を検出する多重一致検出回路を提供する。 - 特許庁

A memory cell 100 utilizes a storage element 18, a multiplexer 121, first and second bit lines 32, 34, first and second switching elements 26, 28, and a switching mechanism 137.例文帳に追加

本発明のメモリセル(100)は、記憶素子(18)、マルチプレクサ(121)、第1と第2のビットライン(32,34)、第1と第2のスイッチング素子(26,28)、及びスイッチング機構(137)を利用する。 - 特許庁

To provide a test system carrying out an actual speed test of a desired route among a plurality of synchronizing memory elements.例文帳に追加

複数の同期式記憶素子間の経路の内の所望の経路の実速度テストを行うことのできるテストシステムを提供すること。 - 特許庁

Respective line storage memories can be programmed, so as to receive data with one of the PPP elements, to transmit and receive data with the memory by the controller.例文帳に追加

コントローラによりPPP要素の１つとのデータの受信し、メモリとのデータの送受信を行うように各ライン格納メモリのプログラムが可能。 - 特許庁

The LTM control part 22 realizes the memory chain function in cooperation with the mutual respective RBF elements of the hierarchical LTM network 21.例文帳に追加

ＬＴＭ制御部２２は、階層型ＬＴＭネットワーク２１の各ＲＢＦ素子同士を連携させて記憶連鎖の機能を実現する。 - 特許庁

Namely, it is possible to mount the redundant sub-arrays which can replace defective sub-arrays within the memory constituent elements of the integrated circuit.例文帳に追加

すなわち、集積回路のメモリ構成要素内に、欠陥サブアレイを交換することができる冗長サブアレイを実装することができる。 - 特許庁

(a) For computational elements, all of which function simultaneously and share a memory device, obtain the theoretical performance in accordance with Row 3. 例文帳に追加

イ　すべてが同時に動作し、かつ、記憶装置を共有する複数の計算要素についてそれぞれ三に従い理論性能を求める。 - 日本法令外国語訳データベースシステム

A correction value memory is shared by holding a light quantity correction value in common by two organic EL elements to be made the same correction value.例文帳に追加

２つの有機ＥＬ素子で光量補正値を共有化して同一の補正値とする事で、補正値メモリを共通化している。 - 特許庁

This display 10 is equipped with liquid crystal elements 100 constituting a display screen by using the reflection type liquid crystal having memory property.例文帳に追加

メモリ性を有する反射型液晶を用いて表示画面を構成した液晶表示素子１００を備えたディスプレイ装置１０。 - 特許庁

To provide a functional element having extreme excellency in storage stability applicable to various applications of recording elements, memory devices, etc.例文帳に追加

保存安定性においてきわめて優れ記録素子、メモリーデバイス等の各種の用途に適用され得る新規な機能素子を提供する。 - 特許庁

A communication device of battery pack includes condensing elements 3 provided at a battery pack 1, memory elements 6 for storing information of the condensing elements 3, a monitoring circuit 5 for detecting voltage, current or temperature of the condensing elements 3, a microcomputer 4 for calculating remainder of condensing elements 3 from detected value of the monitoring circuit 5, and a decoder 7 for converting command code to data.例文帳に追加

バッテリパックの通信装置は、バッテリパック１が備える蓄電素子３と、当該蓄電素子３の情報を記憶するメモリ素子６と、当該蓄電素子３の電圧や電流や温度を検出する監視回路５と、当該監視回路５の検出値より前記蓄電素子３の残量を演算するマイクロプロセッサ４と、命令コードをデータ変換するデコーダ７とを有している。 - 特許庁

To provide a game machine which can store display image data and voice data, which is arranged in different memory elements heretofore, in the same memory element within a memory element case for improving convenience when change to other game machines is made.例文帳に追加

他の遊技機に変更するに当たっての利便性の向上を図り、今まで別々の記憶素子に配されていた表示画像データと音声データとを、記憶素子ケース内の同じ記憶素子に記憶させておくことができる遊技機を提供する。 - 特許庁

The circuit further includes control circuitry for replacing an addressed column of memory cells with a redundant column of memory cells upon an affirmative determination that a set of storage elements identify the addressed column of memory cells as being defective.例文帳に追加

本回路は、更に、１組の格納要素がメモリセルからなるアドレスされた列が欠陥性であることを識別する肯定的決定により、メモリセルからなるアドレスされた列をメモリセルからなる冗長列と置換させる制御回路を有している。 - 特許庁

Heat-insulating material members (114, 218, 318) are disposed between electrically conductive portions (110, 214, 314) and the magnetic memory cells, the magnetic elements have at least one guiding portion, extending toward the memory cells from the electrically conductive elements, and the guiding portion guides the magnetic flux, to at least a part of surroundings of the adiabatic material members.例文帳に追加

断熱材(114,218,318)は、導電性部分(110,214,314)と磁気メモリセルとの間に配置され、磁性構成要素は、少なくとも１つの誘導部分を有し、その誘導部分は、導電性構成要素から磁気メモリセルの方へ延在し、断熱材の少なくとも一部の周りに磁束を誘導する。 - 特許庁

The system and method for inspecting nonstandard memory elements in an actual operating environment are applicable to nonstandard memory elements by using an interface substrate 100 for adapting a nonstandard pin configuration to a standard pin configuration on a substrate 170 to be inspected.例文帳に追加

実際の動作環境で非標準メモリ素子を検査する検査システム及び方法は、検査基板１７０上において非標準ピン構成を標準ピン構成に対応させたインタフェース基板１００を使用することによって、非標準メモリ素子に適用することができる。 - 特許庁