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セーフサーチについて

Off-currentの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 4098



例文

When the eddy current flaw detection probe is installed on a circumference surface of a cylindrical inspected body T and the disc DS is rotated, the distance (lift off) between the detection coils DC1, DC2 and an inspected surface changes, accordingly, detection sensitivity of flaw signal also changes.例文帳に追加

円筒状の被検査体Tの周面に渦電流探傷プローブを設置し、ディスクDSを回転すると、検出コイルDC1,DC2と検査面の距離(リフトオフ)が変化するため、キズ信号の検出感度も変化する。 - 特許庁

Responding to this leak detection, a back bias setting circuits 180 sets back bias for a P channel MOS transistor and an N channel MOS transistors so that off-leak current of transistors in each try-state buffers 111, 112 are made small.例文帳に追加

このリーク検知に応答して、各トライステートバッファ111,112中のトランジスタのオフリーク電流が小さくなるように、バックバイアス設定回路180がPチャネルMOSトランジスタ用及びNチャネルMOSトランジスタ用のバックバイアスを設定する。 - 特許庁

The high level voltage VINT of the word line is made higher voltage than memory main power source voltage VDD being high level voltage of the bit line by approximately 0.5V so that an off-leak current of a memory cell having a PMOS memory cell transistor is minimized.例文帳に追加

ワード線のハイレベル電圧VINTは、PMOSメモリセルトランジスタを有するメモリセルのオフリーク電流を最小化するように、ビット線のハイレベル電圧であるメモリ主電源電圧VDDよりも0.5V程度高い電圧とする。 - 特許庁

An overcurrent detection circuit 502b of the circuit part 502 regularly performs overcurrent detection based on a current value and a detection time necessary for the overcurrent detection which are set in a nonvolatile memory 502a, and instantaneously turns off, upon the detection of a set overcurrent, the power supply of the board concerned regardless of the delay operation of the power supply on/off-control signal.例文帳に追加

電源制御回路部502の過電流検知回路502bでは、不揮発メモリ502aに設定された過電流検知に必要な電流値と検知時間を基に常に過電流検知を行い、設定の過電流の検知時、電源ON/OFF制御信号の遅延動作に関わりなく、該当ボードの電源を即時OFFする。 - 特許庁

例文

If the current comparison signal Icmp is asserted during a period when the voltage comparison signal Vcmp is asserted, a logic unit 20 sets a control signal Spfm to a second level at which the switching transistor M1 is turned off, and sets the control signal Spfm to a first level at which the switching transistor M1 is turned on after the lapse of a predetermined off time Toff.例文帳に追加

ロジック部20は、電圧比較信号Vcmpがアサートされる期間中、電流比較信号Icmpがアサートされると、制御信号SpfmをスイッチングトランジスタM1がオフする第2レベルにセットし、所定のオフ時間Toffの経過後に、制御信号SpfmをスイッチングトランジスタM1がオンする第1レベルにセットする。 - 特許庁


例文

A Zener function device is connected between the source and gate of a field effect transistor for driving a load in a load drive circuit, and an on/off switch circuit for supplying an on potential and an off potential alternatively to the gate of the field effect transistor is provided, thus limiting a current flowing through the Zener function device when the field effect transistor for driving a load conducts.例文帳に追加

負荷駆動回路においける負荷駆動用の電界効果トランジスタのソースゲート間にツェナー機能デバイスを接続する一方、前記電界効果ドランジスタのゲートにオン電位及びオフ電位を択一的に供給するオンオフスイッチ回路を設け、前記負荷駆動用電界効果トランジスタが導通した場合に前記ツェナー機能デバイスに流れる電流を制限する。 - 特許庁

Moreover, the solenoid drive device comprises a PWM duty drive unit which generates a PWM duty signal corresponding to an input of the on-duty value and turns on/off the switching element by the PWM duty signal, and a reverse voltage applying circuit capable of impressing to the solenoid corresponding to the input of the off-duty value by using the voltage of the current as a reverse voltage.例文帳に追加

ソレノイド駆動装置は更に、オンデューティ値の入力に応じてPWMデューティ信号を生成し、このPWMデューティ信号によりスイッチング素子をオンオフするPWMデューティ駆動ユニットと、スイッチング素子がオフのとき、オフデューティ値の入力に応じて電源の電圧を逆電圧としてソレノイドに印加可能な逆電圧印加回路を含んでいる。 - 特許庁

The start of the drive transistor threshold detection operation for boostrap is determined by off of the first detecting transistor T1 and the end of the threshold detection operation is determined by off of the switching transistor T3 connecting the drain of the drive transistor and a power source potential, thereby averting the sharpness defect caused by the current that the drive transistor flows after the threshold detection operation.例文帳に追加

そしてブートストラップ用ドライブトランジスタ閾値検出動作の開始を、第1の検知トランジスタT1のオフで決定し、また閾値検出動作の終了をドライブトランジスタのドレインと電源電位を接続しているスイッチトランジスタT3のオフで決定することにより、閾値検出動作後にドライブトランジスタが流す電流によって生じる画質不良を回避する。 - 特許庁

Accordingly, when the user is carrying out a turning-off control of the first relay 2 or the second relay 3 by remote control of a control part 7, if the photo coupler 6 detects current flow, it becomes possible that the first or the second relay displays and informs the user of remote control operation side of the occurrence of a failure of turning-off operation such as contact point melting.例文帳に追加

よって、ユーザが制御部7を遠隔操作して第1のリレー2または第2のリレー3をオフにする制御を行っているときに、フォトカプラ6が通電を検出した場合、第1または第2のリレーは接点溶着等のオフ動作ができない状況が発生したことを遠隔操作元のユーザに表示,通知することが可能となる。 - 特許庁

例文

A resistor 12 is connected in series with a circulation diode 11 connected in parallel with a field coil 2 and damping is quickened by short- circuiting the resistor under the condition where an exciting current to be fed is subjected to ON-OFF chopper control and releasing short circuit when OFF state continues for a given time.例文帳に追加

界磁コイル2と並列に接続した還流ダイオード11と直列に抵抗体12を接続し、供給する励磁電流をチョッパ制御によりON−OFF制御している状態では前記抵抗体を短絡し、OFF状態が所定時間継続すると短絡を解除して還流電流を抵抗体に流すことにより減衰速度を早める。 - 特許庁

例文

In one of the interface, an upper layer part of the separable tape is peeled off, removed together with the active material layer thereon, and since the remaining separable tape and the active material layer are adjusted so as to have almost the same height, the whole surface is pressed with a roll press, and the remaining separable tape is peeled off to form the non-painting part on the current collector.例文帳に追加

その後、前記界面の一つにおいて、前記剥離性テープの上層部をはがしてその上の活物質層とともに除去し、残留した剥離性テープと活物質層の高さがほぼ同等となるようにしてから、全面にロールプレスを行い、残留した剥離性テープを剥離して集電体上に未塗工部分を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device hard to be damaged even though a minus voltage is applied to a collector side when an IGBT part is turned off, suppressing a parasitic transistor operation in a control circuit part by decreasing current from the collector side to the control circuit part at the time of turning-off to make a latch-up breakdown of the IGBT part hard to occur without increasing a chip size very much.例文帳に追加

IGBT部がオフに移る際にコレクタ側に負電圧が生じても破壊され難く、オン時にはコレクタ側から制御回路部への電流を少なくして制御回路部での寄生トランジスタ動作を抑制し、IGBT部のラッチアップ破壊を起こり難くした半導体装置を、チップサイズをそれほど大きくすることなく提供すること。 - 特許庁

The multi-port memory device has the data transmitting/receiving structure of a current sensor system and includes a data transmitting/receiving block for exchanging data with the global data bus, wherein the unnecessary charging source is cut off and also a desirable switch on/off control model is presented when driving a global data by locating a switch between the receiver of the data transmitting/receiving block and the global data bus.例文帳に追加

電流センサ方式のデータ送受信構造を備えて、グローバルデータバスとデータを交換するデータ送受信ブロックを備えるマルチ−ポートメモリ素子において、データ送受信ブロックの受信機とグローバルデータバスとの間にスイッチを配置してグローバルデータの駆動時、不要な充電ソースを遮断すし、合せて、好ましいスイッチオン/オフ制御モデルを提示する。 - 特許庁

To provide an electro-optical device and electronic apparatus having a configuration capable of surely preventing light from coming into a channel area of a semiconductor layer of a transistor, and also surely preventing the transistor from malfunctioning to cause off-leakage current which causes the occurrence of display unevenness, cross-talk, and flickers and further causes the occurrence of fall-off of contrast in display.例文帳に追加

トランジスタの半導体層のチャネル領域に光が入射してしまうことを確実に防止するとともに、トランジスタが誤動作し、オフリーク電流に起因する表示ムラ、クロストーク、フリッカが発生してしまう他、表示におけるコントラストの低下が発生してしまうことを確実に防止することができる構成を有する電気光学装置、電子機器を提供する。 - 特許庁

A control circuit 27 switches a second switching element 32 to an OFF state while a first switching element 24 is in an ON state and switches it to the ON state when the first switching element 24 is in the OFF state and the voltage value of a primary coil 22 is larger than a driving power supply voltage value after a current flow through a first diode 26.例文帳に追加

制御回路27は、第1のスイッチング素子24がON状態の間に、第2のスイッチング素子32をOFF状態に切換え、第1のスイッチング素子24がOFF状態で、第1のダイオード26に電流が流れた後、一次コイル22の電圧値が駆動電源電圧値よりも大きい時にON状態に切換えるようにした構成である。 - 特許庁

When the circuit cannot be cut off by troubles of a control section 70, a temperature detection switch 71 turns on by the heating of the control section 70, and a current flows from a power supply 80 to a resister 30b, and the heating of the resistor 30b makes an igniter 30a fired, and the circuit can be surely cut off in a short time.例文帳に追加

制御部70の故障により回路を遮断できない場合には、制御部70の発熱により温度検知スイッチ71がオン動作するため、電源80から抵抗体30bに電流が流れてこの抵抗体30bの発熱により着火剤30aを着火させて、回路を短時間で且つ確実に遮断することができる。 - 特許庁

Since the IC 11B turns the main FET 17B on in synchronism with a sync signal V4 rising upon turning the main FET 17A off when the closing signal V3 is H and turns the main FET 17B off when the detection voltage Vcs of a current iB rises up to a specified level, the currents iA and iB flow alternately without overlapping for a long period of time.例文帳に追加

IC11Bは投入信号V3がHの間は、主FET17Aのオフ時に立上がる同期信号V4に同期して主FET17Bをオンし、電流iBの検出電圧Vcsが所定値迄上昇すると主FET17Bをオフするので電流iAとiBが長時間、重ならずに交互に流れる。 - 特許庁

An inverter is inserted between a switching TFT and a driving TFT in each pixel and then even if the potential accumulated in the holding capacitor in the pixel varies with the OFF current of the switching TFT, the gate-source voltage of the driving TFT does not vary, so that the drain current of the driving TFT can be held constant.例文帳に追加

各画素内のスイッチング用TFTと駆動用TFTの間にインバータを挿入することで、スイッチング用TFTのOFF電流により画素内の保持容量に蓄えられる電位が変化したとしても、駆動用TFTのゲート・ソース間電圧は変化せず、駆動用TFTのドレイン電流を一定に保つことができる。 - 特許庁

The polyelectrolyte fuel cell testing method comprises a step of supplying fuel gas and oxidant gas to the fuel cell and running it at a current density lower than that during a rated operation, and a step of detecting the amount of decomposition products of a polyelectrolyte membrane in an emitted off-gas while the cell is driven at low current densities.例文帳に追加

燃料電池に燃料ガスと酸化剤ガスを供給し、定格運転時よりも低い電流密度で運転するステップと、低い電流密度で運転する際に、排出されるオフガスに含まれる高分子電解質膜の分解生成物の量を検出するステップとを備えた、高分子電解質型燃料電池の試験方法を用いる。 - 特許庁

The device has stored a plurality of kinds of applications into a memory and is equipped with an external power supply input part for supplying external power to the device and a current limiting part for cutting off or decreasing a current to be supplied from the external power supply input part in accordance with an initiation state of the applications.例文帳に追加

本発明の携帯無線装置は、複数種類のアプリケーションをメモリに記憶させた携帯無線装置であって、前記携帯無線装置に外部電力を供給する外部電源入力部と、前記アプリケーションの起動状況に応じて前記外部電源入力部から供給される電流を遮断または減少させる電流制限部とを備えている。 - 特許庁

Since a determination of step S4 becomes Yes right after an ignition key is turned off, an engine ECU 20 supplies a linear solenoid 31 with drive current for operating the same to an advancing position in step S5 (drives the linear solenoid 31 with 100% drive duty), and supplies an electromagnetic shut valve 17 with drive current in step S6.例文帳に追加

イグニッションキーがOFFにされた直後にはステップS4の判定がYesになるため、エンジンECU20は、ステップS5でリニアソレノイド31に対して進角位置に作動させる駆動電流を供給し(リニアソレノイド31を100%の駆動デューティをもって駆動し)、ステップS6で電磁シャットバルブ17にも駆動電流を供給する。 - 特許庁

The semiconductor device has the current supply means, a transistor, a comparison control circuit, and a switch, wherein the comparison control circuit can control supply of a charge to the gate of the transistor by controlling the switch to turn on and off a wiring electrically connected to the gate of the transistor and a means other than the current supply means.例文帳に追加

電流供給手段と、トランジスタと、比較制御回路と、スイッチと、を有し、前記比較制御回路は、前記トランジスタのゲートに電気的に接続された配線と、前記電流供給手段以外の手段とを、導通又は非導通とするように前記スイッチを制御することによって、前記トランジスタのゲートへの電荷の供給を制御することができる。 - 特許庁

In concrete terms, when starting reset, the surge current flowing through all scanning electrodes Row_1 to Row_4 is limited and when releasing the reset, the surge current flowing through the scanning electrodes Row_1 to Row_4 in which scanning electrode selecting switches RS_1 to RS_4 remain OFF is limited.例文帳に追加

具体的には、リセット開始状態となるときにすべての走査電極Row_1〜Row_4を通じて流れるサージ電流を制限できると共に、リセット解除状態のときに走査電極選択スイッチRS_1〜RS_4のうちオフのままとされるものの走査電極Row_1〜Row_4を通じて流れるサージ電流を制限できる。 - 特許庁

Just after peeling off the oxide layer generated on the anode 4 surface by the water flow of a circulating pump 7, the direction of electric current is reversed to completely remove the oxide layer by hydrogen generated from the anode 4 surface, thereby the anode 4 surface can expose a constantly conductive metal surface to facilitate current flow.例文帳に追加

循環ポンプ7の水流が陽極4表面に発生する酸化被膜を剥がし落とし、その直後、電流の向きを反転させ、陽極4表面から発生する水素によって酸化被膜を完全に除去するので、陽極4表面は常に導電性のある金属表面を露出させることができ、電流が流れやすくなる。 - 特許庁

A controller 13 for controlling the switches in a power converting circuit 5 is arranged to turn off switches Fu, Fv constituting the upper side of a switch simultaneously, when the main current of the power converting circuit 5 is interrupted and a current is fed by conducting both switches Fu, Fv, when energy stored in the coils L1, L2 constituting a filter circuit 6 is released.例文帳に追加

電力変換回路5の主電流を遮断する際に、ブリッジの上辺を構成するスイッチFu,Fvを同時にオン状態にするように、電力変換回路5のスイッチを制御する制御装置13を構成し、フィルタ回路6を構成するコイルL1 ,L2 に蓄積されたエネルギを開放する際に、スイッチFu,Fvの双方を通して電流を流す。 - 特許庁

Upon request of cold blow from the microcomputer 151, the drive circuit 100 turns ON/OFF the transistors T10 to T40 in a small current region in which a fuel injection is not actually carried out, based on a current value flowing in a solenoids 101a to 104a of the injectors 101 to 104, and the cold blow by the injectors 101 to 104 is performed thereby reducing the common rail pressure.例文帳に追加

また、駆動回路100は、マイコン151からの空打ち要求に際し、インジェクタ101〜104のソレノイド101a〜104aに流れる電流値に基づき、実際には燃料噴射を行わない程度に小さい電流域でトランジスタT10〜T40をオン/オフし、インジェクタ101〜104による空打ちを実施してコモンレール圧を減圧する。 - 特許庁

In a rectifying element 10, a state that a current between a Schottky electrodes 5 and a cathode electrode 4 flows by changing a potential difference between Schottky electrodes 5, 3 and a cathode electrode 4, or a state that a current path is cut off by changing an n^-type semiconductor layer 2 existing between the Schottky electrode 5 and the cathode electrode 4 into a depletion layer is selectable.例文帳に追加

整流素子10は、ショットキー電極5、3と、カソード電極4との電位差が変化することにより、ショットキー電極5とカソード電極4との間に電流を流す状態と、ショットキー電極5とカソード電極4との間に存在するn^-半導体層2を空乏層化することによって電流経路を遮断する状態とを選択可能である。 - 特許庁

A cathode of the temperature sensor element is coupled to an output circuit, and the output circuit absorbs a bias current through the temperature sensor element and measures a voltage generated as a result when the switch transistor is turned off, and the bias current is short-circuited around the temperature sensor element when the switch transistor is turned on.例文帳に追加

温度センサ素子のカソードは出力回路と結合されており、上記スイッチトランジスタがオフにされるとき、上記出力回路は、上記温度センサ素子を通してバイアス電流を吸い込み、結果として生じる電圧を測定し、上記スイッチトランジスタがオンにされるとき、上記バイアス電流は、上記温度センサ素子の周囲で短絡される - 特許庁

In the state where a bias voltage is applied to a first input terminal so as to allow a current to flow to the first MOS transistor and the fourth MOS terminal, the current source circuit synchronously controls ON/OFF of the second MOS transistor and the third MOS transistor in accordance with a switch voltage applied to a second input terminal.例文帳に追加

この電流源回路は、第1のMOSトランジスタおよび第4のMOSトランジスタに電流が流れるように第1の入力端子にバイアス電圧が印加された状態で、第2の入力端子に印加されるスイッチ電圧に応じて、第2のMOSトランジスタおよび第3のMOSトランジスタのオン/オフを同期して制御する。 - 特許庁

To solve such a problem that a scope determined to be a reflux mode is small, wherein, when the reflux mode at which a current flows to a freewheel diode is determined on the basis of the output current of a micro-electrode formed on a semiconductor substrate configuring a power switching element forming an inverter, and the power switching element is turned off when a mode is determined to be the reflux mode.例文帳に追加

インバータを構成するパワースイッチング素子を構成する半導体基板上に形成される微小電極の出力電流に基づき、フリーホイールダイオードに電流が流れる還流モードを判断し、還流モードと判断される場合にパワースイッチング素子をオフとする場合、還流モードと判断できる領域が狭くなること。 - 特許庁

In the second state, after a current from the second node ND2 to the first node ND1 flows to the coil L in a state where the coil L and the load 30 are electrically cut off, the coil L and the load 30 are electrically connected, and the current from the second node ND2 to the first node ND1 flows to the load 30 and charged to the capacitive element C.例文帳に追加

第2状態では、コイルLと負荷30とが電気的に切り離された状態で、第2ノードND2から第1ノードND1へ向かう電流がコイルLに流れた後、コイルLと負荷30とが電気的に接続されて、第2ノードND2から第1ノードND1へ向かう電流が負荷30を流れるとともに容量素子Cに充電される。 - 特許庁

When the camera shake correction function is set to ON (YES in step S10), the CPU 50 turns OFF the current applied to the energizing coil 35c, so as not to apply the current to the energizing coil 35c (step S12), and the correction of image blur of a subject image formed on the imaging element 23 is started by an image blur correction mechanism 24 (step S13).例文帳に追加

手ブレ補正機能がONに設定されている場合(ステップS10でYES)には、CPU50は、付勢コイル35cへの電流をOFFにし、付勢コイル35cに電流が流れないようにし(ステップS12)、像ブレ補正機構24により撮像素子23に結像される被写体像の像ブレの補正を開始する(ステップS13)。 - 特許庁

This switching converter is constitutes in its circuit so as to change the input current and the output voltage severally at the same time, by changing the time when a switching element 3 is turned on and the cycle of repeating its ON and OFF severally, and suppresses the energy loss in the circuit for power factor improvement, by controlling the input current and the output voltage severally.例文帳に追加

本発明では、スイッチング素子がオンである時間と、オンおよびオフを繰り返す周期をそれぞれ変化させることにより、入力電流と出力電圧を同時にそれぞれ変化させるように回路を構成し、かつ入力電流と出力電圧をそれぞれ制御することによって、力率改善の為の回路におけるエネルギー損失を抑えた。 - 特許庁

To obtain a circuit breaker that operates by the prescribed releasing characteristics without increasing the contact resistance at the contact part of the movable contactor and the fixed contactor even if there have happened wear and tear of the contact part due to cutting off a large current such as short circuit current, or dimension changes due to creep phenomenon of the resin part constituting the circuit breaker.例文帳に追加

短絡電流などの大電流を遮断することによる可動接触子と固定接触子の接触部の消耗や、回路遮断器を構成する樹脂部品のクリープ現象による寸法変化が生じても、可動接触子と固定接触子の接触部の接触抵抗が増加することなく、所定の引外し特性で動作する回路遮断器を得る。 - 特許庁

In this underground electromagnetic surveillance method, electromagnetic surveillance of cutting off energization to a transmission loop, producing a smoke ring phenomenon in which an eddy current propagates to the bedrock, and measuring attenuation of the eddy current as a change of a time function of an electromagnetic field using a receiving loop is repeatedly performed along a plurality of measurement points in a ground surface side (S1-S4).例文帳に追加

この地下電磁探査方法では、送信ループへの通電を遮断し地山に渦電流が伝播するスモークリング現象を発生させ、前記渦電流の減衰を受信ループを用い電磁場の時間関数の変化として測定する電磁探査を、地表面側の複数の測定ポイントに沿って繰り返し行なう(S1〜S4)。 - 特許庁

The 193-nm point light source lamp 100 is provided with a nozzle 102 blowing off ArF mixture gas containing argon gas and fluorine gas, a pair of electrodes 103a, 103b arranged in the vicinity of an exhaust port of the nozzle 102, and a direct-current power source 111 to impress direct-current voltage on the pair of electrodes 103a, 103b.例文帳に追加

本発明の一態様に係る193nm点光源ランプ100は、アルゴンガスとフッ素ガスを含むArF混合ガスを噴出するノズル102と、ノズル102の噴出口の近傍に配置された一対の電極103a、103bと、一対の電極103a、103bに直流電圧を印加するための直流電源111とを有する。 - 特許庁

A light sensing section 500 outputs a current PC corresponding to the light quantity of the second light made incident on the display element 300 from the outside and a comparison judgment section 600 outputs a sensing signal SS 1 or SS 2 according to the current and a first driving section 200 turns the light generating section 100 on or off in response to the sensing signal.例文帳に追加

光感知部500は、外部から表示部300に入射される第2光の光量に対応する電流PCを出力し、該電流に応じて比較判定部600は感知信号SS1又はSS2を出力し、第1駆動部200は、該感知信号に応答して光発生部100をオン又はオフさせる。 - 特許庁

To provide a method by which a semiconductor device can be manufactured by using a laser-beam crystallization method which can prevent the remarkable fall of the mobility of a TFT due to grain boundaries formed in the channel forming region of the TFT, the decrease of an on-current, and the increase of an off-current, and to provide a semiconductor device manufactured by the method.例文帳に追加

TFTのチャネル形成領域に形成された粒界によりTFTの移動度が著しく低下したり、オン電流が低減したり、オフ電流が増加したりするのを防ぐことができるレーザー結晶化法を用いた半導体装置の作製方法及び該作製方法を用いて形成された半導体装置の提供を課題とする - 特許庁

In the diode operation, by impressing a voltage equal to or lower than a threshold voltage of a gate electrode G to the gate electrode G with the potential of a first ohmic electrode S as a reference, a current is applied from the first ohmic electrode S to a second ohmic electrode D, and the current from the second ohmic electrode D to the first ohmic electrode S is shut off.例文帳に追加

ダイオード動作は、ゲート電極Gの閾値電圧以下の電圧を第1のオーミック電極Sの電位を基準としてゲート電極Gに印加することにより第1のオーミック電極Sから第2のオーミック電極Dへの電流を通電し、第2のオーミック電極Dから第1のオーミック電極Sへの電流を遮断する動作である。 - 特許庁

To suppress an off-state current and also to eliminate reduction in on current, to form lightly doped regions (LDD regions) and a gate electrode in a self-alignment manner to lessen the parasitic capacitance between the LDD regions and the gate electrode and to make it possible to lessen the area occupied by a thin film transistor.例文帳に追加

OFF電流を抑えるとともにON電流の減少がなく、低濃度不純物領域(LDD領域)とゲート電極を自己整合的に形成して寄生容量を小さくし、占有面積を小さくすることができる薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタを用いたC−MOSインバータ回路、及びそれらの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The other two switching elements connected in series between the DC power sources are connected at the center to the center of the DC power sources through the other inductor and the capacitor, and the other two switching elements are controlled ON, OFF in a reverse relation between the other two switching signals controlled under the difference of an output current and the current flowing to the other inductor.例文帳に追加

直流電源間に直列接続した他の2個のスイッチング素子の接続中点を他のインダクタ及び上記コンデンサを介して直流電源の中点に接続し、他の2個のスイッチング素子を、出力電流と他のインダクタに流れる電流との差で制御された他の2個のスイッチング信号で互に逆関係にオン・オフ制御させる。 - 特許庁

Furthermore, in the CPU 23a, when the overcurrent state continues throughout a predetermined time, it is determined that a short-circuiting failure has occurred in a solenoid driving circuit 23c inputting a control signal Ls into the solenoid 106a, and flowing of the short-circuit current through the solenoid 106a is prevented by cutting off a direct-current power supply 26 and the solenoid driving circuit 23c.例文帳に追加

さらにCPU23aは、過電流状態が所定の時間に亘って継続したときには、ソレノイド106aに制御信号Lsを入力するソレノイド駆動回路23cに短絡故障が発生したと判定し、直流電源26とソレノイド駆動回路23cを遮断してソレノイド106aに短絡電流が流れることを防止する。 - 特許庁

This motor with the torque limiter is so formed that operation points of a plurality of proximity switches 9 are varied, a first proximity switch SW1 cuts off the current of the motor, another proximity switch SW2 is connected to another circuit part implementing a different operation from the motor current cutoff, and the other proximity switch SW2 is made to operate before operating the first proximity switch SW1.例文帳に追加

複数個の近接スイッチ9の動作点を変え、第一の近接スイッチSW1でモータ電流の遮断動作をさせ、他の近接スイッチSW2をモータ電流遮断とは異なる動作をさせる別回路部に接続し、第一の近接スイッチSW1が動作する前に他の近接スイッチSW2が動作するようにしたトルクリミッタ付モータである。 - 特許庁

When a current transiently flows through the secondary winding w2, respective ends of the series circuit of the detection windings wd1, wd2 generate a voltage to turn on one of field effect transistors Q1, Q2 and to turn off the other according to a direction of the transient current, such that a voltage having prescribed polarity is generated between respective electrodes of output terminals of a rectification circuit.例文帳に追加

検出用巻線wd1及びwd2の直列回路の各端は、二次巻線w2に電流が過渡的に流れると、その向きに応じて、整流回路の出力端の各極に所定の極性の電圧が発生するように、電界効果トランジスタQ1及びQ2の一方をオンし他方をオフさせるような電圧を発生させる。 - 特許庁

To provide a probe for eddy current examination capable of always keeping lift-off between the probe and a measuring object constant, acquiring an action effect similar to the case of holding vertically without intentionally holding the probe vertically, and thereby quickly performing accurate and precise measurement without requiring any skill in an eddy current examination work.例文帳に追加

プローブと測定対象物とのリフトオフを常に一定に保ち、且つ、プローブを意識的に垂直に保持することなく、垂直に保持したと同様の作用効果が得られ、以て、渦流探傷作業に際し、何ら熟練を要することなく、正確で精密な測定を迅速に行なうことが可能な渦流探傷用プローブを提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a process for fabricating a semiconductor device using a laser crystallization process for preventing formation of a grain boundary in the channel forming region of a TFT, significant lowering in mobility of the TFT due to the grain boundary, reduction of on current, or increase of off current, and to provide a semiconductor device fabricated by that method.例文帳に追加

TFTのチャネル形成領域に粒界が形成されるのを防ぎ、粒界によってTFTの移動度が著しく低下したり、オン電流が低減したり、オフ電流が増加したりするのを防ぐことができるレーザー結晶化法を用いた、半導体装置の作製方法及び該作製方法を用いて作製された半導体装置の提供を課題とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device using a laser crystallization method which can prevent a grain boundary from being formed in a channel formation area of a TFT, and can prevent a conspicuous reduction in mobility of the TFT, a reduction in an on-current, or an increase in an off-current, and to provide a production system of the semiconductor device.例文帳に追加

TFTのチャネル形成領域に粒界が形成されるのを防ぎ、粒界によってTFTの移動度が著しく低下したり、オン電流が低減したり、オフ電流が増加したりするのを防ぐことができるレーザー結晶化法を用いて形成される半導体装置及び半導体装置の生産システムの提供を課題とする。 - 特許庁

In an inverter for driving a motor by inverting a DC voltage into an AC three-phase voltage, offset voltage of a DC current detector outputting a voltage according to a current flowing through an inverter bus is regulated when all the PWM signals for controlling the upper arm switching elements of an inverter are entirely turned on or off during driving of the motor.例文帳に追加

直流電圧を三相交流に変換してモータを駆動するインバータ装置において、モータの駆動中、インバータの上アームスイッチング素子を制御するPWM信号が、すべてオフ、またはすべてオンであるタイミングで、インバータ母線に流れる電流の大きさに応じた電圧を出力する直流電流検出器のオフセット電圧の調整を行う。 - 特許庁

An AC voltage supplied from an AC power supply 1 is converted to a DC bus bar voltage 9 by a rectifier circuit 2, and a control section 7 controls the heating value of the heater 5 by switching on/off a switching element 4 based on values of current and voltage of the DC bus bar voltage 9 detected by a current detecting section 6 and a voltage detecting section 8.例文帳に追加

交流電源1から供給される交流電圧を整流回路2で直流母線電圧9に変換し、制御部7はその直流母線電圧9の電流と電圧とを電流検出部6と電圧検出部8との検出値に基づいてスイッチング素子4のON/OFFを切り替えることで、ヒータ5の発熱量を制御する。 - 特許庁

例文

When a detection result by an element temperature sensor 41 for detecting a temperature in the vicinity of FETs 31 to 33, which are switching elements, exceeds a predetermined temperature, and a detection result by a current sensor 51 corresponding to, for example, the FET 31 exceeds a predetermined current value, the abnormally high temperature is caused by the FET 31, and therefore the FET 31 is turned off.例文帳に追加

スイッチング素子であるFET31〜33の近傍の温度を検出する素子温度センサ41の検出結果が所定温度を超えており、且つ、例えばFET31に対応する電流センサ51の検出結果が所定電流値を超えているときは、異常高温の原因がFET31であるため、FET31をオフにする。 - 特許庁




  
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