「Radical 12」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

At first, the medium is added with the radical scavenger and the growth factor, then cultured for about 12-24 h, and next, the matrix material, the radical scavenger, the nerve growth factor and a growth factor are supplemented.例文帳に追加

培地を最初にラジカルスカベンジャー及び増殖因子で補足し、約１２〜２４時間培養後にマトリックス材料、ラジカルスカベンジャー、神経増殖因子及び増殖因子を補足する。 - 特許庁

A non-discharge portion 12 is provided to surround a discharge portion 11 and discharges nitrogen gas so as to enclose the nitrogen radical jet.例文帳に追加

非放電部１２が放電部１１を囲むように設けられ、窒素ラジカルジェットを囲むように窒素ガスを放出する。 - 特許庁

A stable free radical compound is added to the bottom liquid of a distillation column in a manner to keep the value of [stable free radical compound × the number of free radicals in the molecule of the compound] to 3-12 μmol/kg (bottom liquid).例文帳に追加

蒸留塔塔底液中に安定フリーラジカル化合物を、［安定フリーラジカル化合物×該化合物分子中のフリーラジカルの数］が３〜１２μｍｏｌ／ｋｇ（塔底液）となるように添加することを特徴とする。 - 特許庁

Subsequently, the metal film 12 is oxidized with an oxygen radical 13 to form a metal oxide film 2 which acts as a gate insulation film.例文帳に追加

続いて、酸素ラジカル１３を用いて金属膜１２を酸化させることにより、ゲート絶縁膜となる金属酸化膜２を形成する。 - 特許庁

On at least one of opposite surfaces of the pair of substrates of the display medium 12, a processing layer is provided which contains a silane coupling agent expressed by general formula (1) R^1-Si(OR^2)_3 (where R^1 represents a monovalent aliphatic hydrocarbon radical with ≥C7 and R^2 represents a monovalent aliphatic hydrocarbon radical with ≤C4).例文帳に追加

一般式（１）Ｒ^１−Ｓi（ＯＲ^２）_３（上記一般式（１）中、Ｒ^１は、炭素数７以上以下の１価の脂肪族炭化水素基を表し、Ｒ^２は、炭素数４以下の１価の脂肪族炭化水素基を表す。） - 特許庁

The transparent conductor 10 is provided with a conductive layer 15 including conductive particles 11, a binder 12, a polymerization initiator 13, and a radical trapping agent 14.例文帳に追加

本発明の透明導電体１０は、導電性粒子１１、バインダ１２、重合開始剤１３、及びラジカル捕捉剤１４を含む導電層１５を備える。 - 特許庁

A plasma processing apparatus includes: a processing gas supply source 8 installed outside a vacuum chamber 12; and a radical emitter 10 for discharging processing gas supplied from the processing gas supply source 8.例文帳に追加

真空槽１２の外部に設けられた処理ガス供給源８と、処理ガス供給源８から供給された処理ガスを放電させるラジカル放出器１０とを備える。 - 特許庁

Since reaction between the etching gas and the radical takes place on the surface of the substrate 15, and intermediate products of reaction between the etching gas and the radical react quickly on the etching object, the intermediate products are not discharged excessively from the processing chamber 12 and high etching efficiency is ensured.例文帳に追加

また、エッチングガスとラジカルとの反応は基板１５表面で起こるため、エッチングガスとラジカルとの反応により生成される中間生成物は速やかにエッチング対象物と反応するため、中間生成物が過剰に処理室１２から排気されることなく、エッチング効率が高い。 - 特許庁

The liquid droplet delivering apparatus 110 is provided with a vaporizing instrument 12 as a vaporizing means for vaporizing a radical polymerization type ultraviolet-curing liquid and discharging it in a box body 114.例文帳に追加

液滴吐出装置１１０には、ラジカル重合型紫外線硬化液体を気化して筐体１１４の内部に放出する気化手段としての気化器１２が設けられている。 - 特許庁

A radical generation means 12 includes an ultrasonic generator placed so as to apply ultrasonic waves into the liquid or injection equipment 51 placed so as to direct a jet of high-pressure water into the liquid.例文帳に追加

ラジカル発生手段１２が、液体中に超音波を照射可能に設けられた超音波発生装置、または、液体中に高圧水を噴射可能に設けられた噴射装置５１から成る。 - 特許庁

The negative image forming material provided with a photosensitive layer containing an infrared adsorbent A, a radical generating agent B, a radical polymerizable compound C and a binder polymer D on a supporting body is image-exposed with the infrared laser and developed with a weak alkaline aqueous solution containing a carbonate and a surfactant and having pH 7-12.例文帳に追加

支持体上に、（Ａ）赤外線吸収剤と、（Ｂ）ラジカル発生剤と、（Ｃ）ラジカル重合性化合物と、（Ｄ）バインダーポリマーを含む感光層を設けてなるネガ型画像形成材料を、赤外線レーザで画像露光した後、炭酸塩と界面活性剤を含有し、ｐＨが７〜１２の範囲にある弱アルカリ性水溶液を用いて現像することを特徴とする。 - 特許庁

When a GaN crystal is grown on an AlN layer after sequentially forming an SiC layer and the AlN layer on an Si substrate 12 by a chemical vapor deposition method, the Si substrate 12 having a nitride semiconductor thin film is manufactured by generating nitrogen-based radical by blowing ammonia gas onto a heated mesh-shaped tungsten catalyst 14 and growing the GaN crystal by reacting the generated radical and an organic gallium compound on the AlN layer.例文帳に追加

化学気相成長法によりＳｉ基板１２上にＳｉＣ層及びＡｌＮ層を順次形成した後に、ＡｌＮ層上にＧａＮ結晶を成長させる際に、加熱したメッシュ状タングステン触媒１４にアンモニアガスを吹付けて窒素系ラジカルを生成させ、ＡｌＮ層上で有機ガリウム化合物と反応させてＧａＮ結晶を成長させることにより窒化物半導体薄膜を有するＳｉ基板１２を製造する。 - 特許庁

In December 1999, the Small and Medium Enterprise Basic Law underwent its first radical overhaul in 36 years, expanding the range of SMEs eligible for support measures and enhancing support for startups and SMEs engaging in business innovation. 例文帳に追加

99年12月には「中小企業基本法」が36年ぶりに抜本改正され、施策の対象となる中小企業の範囲を拡大したほか、創業・経営革新などに取り組む中小企業への支援策充実が図られた。 - 経済産業省

The hologram recording medium comprises a recording layer 13 including a matrix material, a monomer having radical polymerizable ethylene unsaturated bond dispersed in the matrix material, and a light radical polymerization initiator, and polymerization stop layers 12 and 14 which are provided on at least one surface of the recording layer 13, for suppressing a dark reaction by the exposure to natural light, or the like.例文帳に追加

マトリックス材料と、前記マトリックス材料中に分散されたラジカル重合可能なエチレン性不飽和結合を有するモノマーおよび光ラジカル重合開始剤とを含む記録層１３と、前記記録層１３の少なくとも一方の表面に設けられた自然光の露光などによる暗反応を抑制する重合停止層１２，１４とを具備したことを特徴とするホログラム記録媒体。 - 特許庁

The cosmetic contains (a) an acrylic-silicone-based graft copolymer obtained by copolymerizing an organopolysiloxane compound having a radical-polymerizable group at one terminal of the molecular chain, and a radical-polymerizable monomer consisting essentially of a 12-30C alkyl methacrylate, and (b) an ester compound of isostearic acid and glycerol and/or diglycerol in a specific structure.例文帳に追加

次の成分（ａ）および（ｂ）；（ａ）分子鎖の片末端にラジカル重合性基を有するオルガノポリシロキサン化合物と炭素数１２〜３０のアルキル（メタ）アクリレートを主体とするラジカル重合性モノマーを共重合して得られるアクリル−シリコーン系グラフト共重合体、（ｂ）特定構造のイソステアリン酸とグリセリンおよび／またはジグリセリンとのエステル化合物を含有することを特徴とする化粧料に関する。 - 特許庁

The membrane-electrode assembly 1 for fuel cell is provided with an electrolyte membrane 11, electrode catalyst layers 12, 13, and gas diffusion layers 15, 17, and the electrode catalyst layers 12, 13 and the gas diffusion layers 15, 17 are adhered through radical capturing compounds 16, 18.例文帳に追加

本発明は、電解質膜１１と、電極触媒層１２、１３と、ガス拡散層１５、１７とを備え、電極触媒層１２，１３とガス拡散層１５，１７とがラジカル捕捉性化合物１６，１８を介して接着されていることを特徴とする燃料電池用膜電極接合体１を提供する。 - 特許庁

The negative photosensitive lithographic printing plate has, on an aluminum support, a photopolymerizable photosensitive layer containing a compound which generates a radical under light or heat and a polymerizable compound, and an oxygen blocking layer adjusted to pH 7-12.例文帳に追加

アルミニウム支持体上に、光または熱によりラジカルを発生する化合物と重合性化合物とを含有する光重合性感光層とｐＨ７〜１２に調整された酸素遮断層を有することを特徴とするネガ型感光性平版印刷版。 - 特許庁

The anisotropic conductive film 21 for electrically connecting a first electronic component 11 having a terminal 10 formed thereon to a second electronic component 13 having a terminal 12 formed thereon includes: a conductive particle-containing layer 22 containing a radical hardener, an acrylic resin, an epoxy resin and conductive particles 20; and an insulating adhesive layer 23 containing a cationic hardener, an epoxy resin, an acrylic resin, and a radical hardener.例文帳に追加

端子１０が形成された第１の電子部品１１と、端子１２が形成された第２の電子部品１３とを電気的に接続する異方性導電フィルム２１において、ラジカル系硬化剤と、アクリル樹脂と、エポキシ樹脂と導電性粒子２０とを含有する導電性粒子含有層２２と、カチオン系硬化剤とエポキシ樹脂とアクリル樹脂とラジカル系硬化剤とを含有する絶縁性接着層２３とを有する。 - 特許庁

The method for manufacturing the polymer electrolyte membrane 10 where polymer electrolyte is impregnated in the porous reinforcing member 11, includes at least: a step of immersing the porous reinforcing member 11 into a dispersion liquid L1 where the radical scavenging particles to scavenge hydroxyl radical to be produced from hydrogen peroxide are dispersed; and an impregnation step of impregnating the polymer electrolyte into the porous reinforcing member 12 after the immersion.例文帳に追加

多孔質補強材１１に高分子電解質が含浸された高分子電解質膜１０の製造方法であって、過酸化水素から生成されるヒドロキシラジカルを捕捉するためのラジカル捕捉粒子が分散された分散液Ｌ１に、多孔質補強材１１を浸漬する工程と、浸漬後の多孔質補強材１２に、高分子電解質を含浸させる含浸工程と、を少なくとも含む。 - 特許庁

In order to form film on a substrate (22) by plasma enhance chemical vapor growth at a temperature considerably lower than the temperature of a conventional thermal CVD, an activated free radical of a first gas is generated by arranging the substrate in a reaction chamber (12) and exciting the first gas at a preceding stage of the substrate.例文帳に追加

プラズマエンハンス化学気相成長により、従来の熱ＣＶＤの温度よりかなり低い温度で基板（２２）上に成膜するため、基板を反応室（１２）内に配置し、第１のガスを基板の前段で励起して、第１のガスの活性化ラジカルを発生する。 - 特許庁

Plasma is generated in a gas region inside the liquid 17 in the liquid housing part 4 by generating discharge between the first electrode 12 and the second electrode 13, and a hydroxyl radical is produced from water contained in the liquid 17 and oxygen contained in the gas.例文帳に追加

そして、第１電極１２と第２電極１３との間に放電を発生させることで、液体収容部４中の液体１７内における気体の領域においてプラズマを生成し、液体１７に含まれる水および気体に含まれる酸素からヒドロキシラジカルを生成するようにした。 - 特許庁

The polymer actuator 1 is a conductive layer which contains: a conductive polymer in which at least one selected from an electrolyte layer 20 and electrode layers 11, 12 is polydioxythiophene or a dopant doped with the polydioxythiophene, and which contains the dopant having a plurality of acid radicals; and a polymer having a sulphonate radical.例文帳に追加

電解質層２０及び電極層１１，１２から選ばれる少なくとも１つが、ポリジオキシチオフェンと該ポリジオキシチオフェンにドープされたドーパントであって複数の酸基を有するドーパントとを含む導電性ポリマーと、スルホン酸基を有するポリマーと、を含有する導電層である、高分子アクチュエータ１。 - 特許庁

A nickel compound layer 13 on a gold film 12 formed by gold plating is removed by the physical etching effect of the generated ion and the generated oxygen radical reacts with particles 14a or 10b of the organic material scattered from the organic layer 14 or the resin substrate surface 10a to gasify.例文帳に追加

発生したイオンの物理的エッチング効果によって金メッキによる金膜１２上のニッケル化合物層１３を除去するとともに、発生した酸素ラジカルは有機物層１４や樹脂基板面１０ａから飛散する有機物の粒子１４ａや１０ｂと反応してガス化させる。 - 特許庁

A monomer mixture is supplied to a reaction vessel 11 through the first supply tube 12, a radical polymerization initiator is supplied to the vessel 11 through the second supply tube 13, thereby both are supplied to the vessel 11 without coming into contact with each other.例文帳に追加

単量体混合物を第１供給管１２を経て反応容器１１に供給し、ラジカル重合開始剤を第２供給管１３を経て反応容器１１に供給することにより、両者は互いに接触することなく反応容器１１に供給される。 - 特許庁

The semiconductor device includes: a semiconductor substrate 11; a gate insulating film 12 which is formed by radical oxidation or plasma oxidation, on the surface of the semiconductor substrate 11, including at least the interior of a hole formed in the semiconductor substrate 11; a gate electrode 14 which is formed to be embedded in the hole; and a vertical MOS transistor which is constituted including the gate insulating film 12 and the gate electrode 14.例文帳に追加

半導体基体１１と、この半導体基体１１に形成された穴の内部を少なくとも含む半導体基体１１の表面に形成され、ラジカル酸化又はプラズマ酸化によって形成された、ゲート絶縁膜１２と、穴に埋め込まれて形成されたゲート電極１４と、ゲート絶縁膜１２及びゲート電極１４を含んで構成される縦型のＭＯＳトランジスタを含む半導体装置を構成する。 - 特許庁

Thereafter, a high-frequency voltage is applied between a shower head 12 arranged inside the processing chamber 2 and an electrode 5 while a second cleaning gas containing NF_3 and Ar is supplied into the processing chamber 2, F radical and Ar ion are generated, and remaining HfO_2 or the like is removed out of the processing chamber 2.例文帳に追加

その後、処理チャンバ２内にＮＦ_３及びＡｒを含んだ第２のクリーニングガスを供給するとともに処理チャンバ２内に配設されたシャワーヘッド１２と電極５との間に高周波電圧を印加し、Ｆラジカル及びＡｒイオンを発生させて、残りのＨｆＯ_２等を処理チャンバ２内から取り除く。 - 特許庁

The liquid crystal display element 10 has a liquid crystal layer 16 held between a pair of substrates 11 and 12 which are stuck with a sealing material 15 so that alignment layers are opposed to each other at prescribed intervals, wherein the content of a photo-radical polymerization initiator is less than 0.05 wt.% based on 100 pts.wt. sealant mother material.例文帳に追加

配向膜が所定間隙で対向するようにシール材１５で貼り合わせた一対の基板１１，１２間に液晶層１６が挟持された液晶表示素子１０であって、シール剤の母体１００重量部に対して、光ラジカル重合開始剤の含有量は、０．０５重量％未満である。 - 特許庁

Tenguto no Ran (Rebellion of Tenguto) was raising of an army at Mt. Tsukuba on May 2, 1864 by the radical party of Sonno Joi (19th century slogan advocating reverence for the Emperor and the expulsion of foreigners) including Koshiro FUJITA, a feudal retainer of Mito Domain and others, as well as the following related conflicts occurred all over the country (the main leader surrendered on January 14, 1865). 例文帳に追加

天狗党の乱（てんぐとうのらん）とは、元治元年3月27日(旧暦)（1864年5月2日）に起きた、水戸藩藩士藤田小四郎ら尊皇攘夷過激派による筑波山での挙兵と、その後これに関連して各地で発生した争乱のことである（元治元年12月17日(旧暦)（1865年1月14日）に主導者投降）。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The radical of a process gas having fluorine atoms in chemical construction is fed to a cleaning room 6 in which a substrate 10 is placed, and the substrate 10 is cleaned after the substrate 10 is deactivated by plasma of a hydrogen gas, by which the insulating film 12 is not damaged by high-energy substances such as an ion.例文帳に追加

本発明の成膜方法によれば、水素ガスのプラズマで基板１０の不活性化処理を行った後、基板１０が置かれたクリーニング室６に、化学構造中にフッ素原子を有する処理ガスのラジカルを供給し、基板１０のクリーニングを行うので、絶縁膜１２がイオンのような高エネルギー物質でダメージを受けることがない。 - 特許庁

This plasma CVD device has a hollow structure of plasma confinement electrode plate 5 for plasma isolation being provided with a plurality of holes, between a plasma generation region and a substrate processing region, and the plasma confinement electrode plate 5 is provided with a radical passage hole and a neutral gas passage hole, and plural sheets of gas diffusion plates 7 (11 and 12) having holes are provided inside the plasma confinement electrode plate.例文帳に追加

プラズマ生成領域と基板処理領域との間に、複数の孔が設けられたプラズマ分離用の中空構造のプラズマ閉込電極板５を有し、プラズマ閉込電極板５には、ラジカル通過孔と中性ガス通過孔が設けられ、プラズマ閉込電極板の内側には、孔を有するガス拡散板７（１１，１２）が複数枚設けられている。 - 特許庁

This heterogeneous polymerization catalyst comprises a radical generating substance (A), a metal halide (B) containing a metal element selected from the group consisting of elements of the group 4 to the group 12 of the periodic table and a halogen element selected from the group consisting of chlorine, bromine and iodine and a carrier (C) supporting a ligand to be coordinated with the metal halide (B).例文帳に追加

ラジカル発生物質（Ａ）と、周期表第４〜第１２族元素からなる群より選ばれる金属元素、及び、塩素、臭素、ヨウ素からなる群より選ばれるハロゲン元素を含むハロゲン化金属（Ｂ）と、該ハロゲン化金属（Ｂ）に配位可能な配位子を担持した担体（Ｃ）と、を含有することを特徴とする不均一系重合触媒である。 - 特許庁

The dimensional conversion difference of the etching pattern corresponding to the resist pattern 13 is adjusted within a prescribed range by generating the plasma by adjusting the ratio of the mixed gas and by varying the vertical etching rate of the polycrystalline silicon layer 12 to be reflected in the control of the duration of isotropic etching using the fluorine radical by changing the etching rate by controlling the bias power which accelerates bromine ions to the wafer 10 side.例文帳に追加

この混合ガスの比率を調整しつつプラズマ化し、少なくとも臭素イオンをウェハ側へと加速するバイアスパワーを制御して多結晶シリコン層１２の垂直方向のエッチング速度を変化させることにより、フッ素ラジカルによる等方性エッチング時間の制御に反映させ、レジストパターン１３に応じたエッチングパターンの寸法変換差を所定範囲で調整する。 - 特許庁

A plasma 16 is generated between a processed article 11 coated with a thin compound film with its processed face containing carbon and a tool electrode 13 by impressing voltage on the tool electrode 13 while supplying gas including oxygen between the processed article 11 and the tool electrode 13, and the thin compound film 12 on the processed face is processed with oxygen radical generated from the plasma 16.例文帳に追加

加工面が炭素を含む化合物薄膜１２で被覆された被加工物１１と工具電極１３の間に酸素を含むガスを供給しつつ、工具電極１３に電圧を印加することにより、被加工物１１と工具電極１３の間にプラズマ１６を発生させ、プラズマ１６から発生した酸素ラジカルにより加工面の化合物薄膜１２を加工するようにした。 - 特許庁

An electrolytic means 13 electrolyzing the waste water introduced into a treatment tank 11 to precipitate and recover heavy metals in the waste water on a cathode 13a and having an anode 13b generating ozone (O3) and hydroxy radicals (OH radicals) and a hydroxy radical generation means 14 for separately generating hydroxy radicals in the waste water 12 within the treatment tank 11 are provided.例文帳に追加

処理槽１１内に導入された排水１２を電気分解して該排水中の重金属を陰極１３ａに析出回収すると共に、オゾン（Ｏ_3 ），ヒドロキシラジカル（ＯＨラジカル）を発生させる陽極１３ｂを有する電気分解手段１３と、処理槽１１内の排水１２中に別途ヒドロキシラジカルを発生するヒドロキシラジカル発生手段１４とを備えてなる。 - 特許庁

The atmospheric pressure discharge surface treatment device 1, carrying out surface treatment on an object for treatment such as a glass member with the use of an active species such as an OH radical, is provided with a blower 7 blowing humidified gas 12 with moisture on the surface of the object for treatment 10, and a high-voltage electrode 2 generating discharge plasma 11.例文帳に追加

例えばＯＨラジカルなどの活性種を使用して、ガラス部材などの処理対象物１０に対する表面処理を行なう大気圧放電表面処理装置１において、水分を含む多湿化ガス１２を処理対象物１０の表面に吹き付けるブロア７及び放電プラズマ１１を発生する高電圧電極２を有する大気圧放電表面処理装置である。 - 特許庁