「Single-Substrate Processing」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

To prevent damages or cracks of a quartz substrate during processing or handling, to prevent warpage of a quartz substrate due to adhesion of the substrate and to decrease a separation width of an optical low-pass filter in an optical low-pass filter and its manufacturing method in which many pieces of optical low-pass filters are produced from a single wafer.例文帳に追加

１つのウエハから多数個の光学ローパスフィルタを製造する光学ローパスフィルタおよびその製造方法において、加工時や取り扱い時における水晶基板の破損や割れを無くすとともに水晶基板の接着による水晶基板の反りも無くし、かつ、光学ローパスフィルタの分離幅を小さくする。 - 特許庁

With respect to the processing method of the nitride semiconductor substrate, first, there is prepared a disk-like nitride semiconductor substrate 20 having a plurality of stripe regions 12 each of which comprises a defect concentrating region having a crystal-defect density higher than the ones of its peripheral single-crystal regions 14.例文帳に追加

この窒化物半導体基板の加工方法では、まず、周囲の単結晶領域１４よりも結晶欠陥密度が高い欠陥集中領域からなる複数のストライプ領域１２を備えた円盤状の窒化物半導体基板２０を準備する。 - 特許庁

Marks Ma are formed near the boundary between a single density part and a density gradient part of the ND film of a substrate 32 and outside the region, and by using the marks Ma, the deviations due to the size removal when cutting out the triangular ND filter 10 from the substrate 32 by image processing are reduced.例文帳に追加

基板３２のＮＤ膜の単一濃度部と濃度勾配部の境界付近でかつ領域外にマークＭａを形成し、これらのマークＭａにより基板３２から三角形状のＮＤフィルタ１０を画像処理により切り取る際の寸法抜きのずれを減少させる。 - 特許庁

To realize high-speed modulation, and to prevent processing distortion and a mode pattern of an optical waveguide from remaining and being deformed in a substrate, respectively, in a traveling-wave optical modulator for modulating light traveling in an optical waveguide in an optical waveguide substrate formed out of a ferroelectric electro-optical single crystal.例文帳に追加

強誘電性電気光学単結晶からなる光導波路基板中の光導波路中を伝搬する光を変調する進行波形光変調器において、高速変調を可能とし、基板内における加工歪みの残留、光導波路モードのパターンの変形を防止する。 - 特許庁

A method of manufacturing the substrate of magnetic recording medium includes a process to cut a single crystal silicon wafer with diameter of ≥150 mm and ≤300 mm into a plurality of quadrangles, and a core removing process for obtaining a doughnut-like substrate with an outer diameter ≤65 mm by processing of core-removal to this quadrangle.例文帳に追加

直径１５０ｍｍ以上で３００ｍｍ以下の単結晶シリコンウェハを複数の四角形に切断する工程と、該四角形をコア抜き加工して外径６５ｍｍ以下のドーナツ状基板を得るコア抜き工程を含んでなる磁気記録媒体用基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

Further, a conveyance frequency adjustment unit 93 adjusts a frequency of conveyance of substrates so that a conveyance mechanism conveys a substrate associated with a processing recipe only in a single cycle operation among n times cycle operations (n: a natural value defined characteristically of the processing recipe).例文帳に追加

また、搬送頻度調整部９３が、搬送機構がｎ回（ただし、ｎは処理レシピについて固有に規定された自然数値）のサイクル動作を行ううちの１回の動作においてのみ当該処理レシピに係る基板を搬送させるように、基板を搬送する頻度を調整する。 - 特許庁

To obtain a single wafer cleaning apparatus and cleaning method in which the cost of chemical and the quantity of waste liquid are reduced while improving environmental issues by realizing in-plane uniformity of substrate processing process and shortening of processing time using a minimum necessary quantity of chemical.例文帳に追加

本発明は、基板加工プロセスの面内均一化および処理時間短縮化を必要最小限の薬液使用量で実現して薬液コスト・廃液量の低減化および環境問題の改善を図る枚葉式洗浄装置および枚葉式洗浄方法を得る。 - 特許庁

To realize a semiconductor device having enhanced uniformity in the film thickness and characteristics of a semiconductor substrate by providing a cold wall type single wafer processing lamp heating furnace in which halogen gas or N2O gas can reach a wafer under thermally decomposed state when thermal oxidation is conducted in an atmosphere containing halogen gas or N2O gas using a cold wall type single wafer processing lamp heating furnace.例文帳に追加

コールドウォール型枚葉式ランプ加熱炉を用いてハロゲンガスあるいはＮ_２Ｏガスを含んだ雰囲気で熱酸化を行う際に、ハロゲンガスやＮ_２Ｏガスがウェーハ直上ではなく、事前に加熱分解された状態でウェーハに到達することが可能なコールドウォール型枚葉式ランプ加熱炉を提供し、半導体基板の膜厚や特性の均一性を向上させた半導体装置を提供する。 - 特許庁

The SOI wafer is obtained by using the silicon wafer having a cup-like warpage where the central part of a thin disc wafer is recessed by single wafer processing etching as a supporting substrate, as well as the recessed-surface side of the silicon wafer as the main surface of a laminating surface.例文帳に追加

ＳＯＩウェーハは、薄円板状のウェーハを枚葉式エッチングにより中央部が凹んだお椀状の反りが付与されたシリコンウェーハを支持基板とし、シリコンウェーハの凹部面側を貼り合わせ面の主面とすることにより得る。 - 特許庁

To perform joint processing in the nearly same time as the time when a single printed circuit board is joined to a panel substrate even when the printed circuit board is divided into a plurality of parts and to thereby perform panel assembly at high speed.例文帳に追加

、印刷回路基板を複数分割した場合でも、単一の印刷回路基板をパネル基板に接合するのとほぼ同じ時間で接合処理を行えるようになし、もってパネルの組立を高速で行えるようにする。 - 特許庁

The evaluating method for the crystal defect of the semiconductor single-crystal substrate is performed at least by detecting the crystal defect obviously developed on the surface of the thermally processed semiconductor single-crystal substrate after thermally processing it under a hydrogen atmosphere at 800 to 1,100°C.例文帳に追加

半導体単結晶基板の結晶欠陥評価方法であって、少なくとも、前記半導体単結晶基板を水素雰囲気下８００〜１１００℃で熱処理した後、該熱処理した半導体単結晶基板の表面に顕在化した結晶欠陥の検出を行うことによって、前記半導体単結晶基板の結晶欠陥の評価を行うことを特徴とする半導体単結晶基板の結晶欠陥評価方法。 - 特許庁

The single chip data processing device is characterised by being provided with a first conductive-type substrate having a first doping concentration, a first well formed on the substrate, a first conductive-type second well which is deeper than the first well and has a higher concentration than the first doping concentration and a nonvolatile memory cell formed on the second well.例文帳に追加

第１ドーピング濃度を有する第１導電型の基板と、この基板に形成された第１ウェルと、第１ウェルより深く、第１ドーピング濃度より高い濃度を有する第１導電型の第２ウェルと、第２ウェル上に形成された不揮発性メモリセルとを備えることを特徴とする単一チップデータ処理装置である。 - 特許庁

To provide a substrate processing apparatus for appropriately sucking a side edge of a liquid crystal panel using a warpage correcting unit when a process of fabricating components or the like on long and short side lines of a liquid crystal panel is carried out in a single apparatus.例文帳に追加

液晶パネルの長辺及び短辺の部品実装等の処理を単一の装置で行うような場合において、反り矯正ユニットを用いた液晶パネルの側縁部の吸着処理を適切に行うことができる基板処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a pattern forming method, a substrate processing method, a replication method of a mold structure, which can duplicate the mold structure with high precision by single imprint, is low in defect generation and can form a micropattern efficiently, and the mold structure.例文帳に追加

モールド構造体の複製を１回のインプリントで高精度に行え、欠陥の発生が少なく、微細パターンを効率よく形成することができるパターン形成方法、基板加工方法、モールド構造体の複製方法、及びモールド構造体の提供。 - 特許庁

Since the substrate processing apparatus having such an arrangement includes the single arm moving mechanism for moving the cleaning brush 7 and the two-fluid nozzle 9, the arrangement of the apparatus can be simplified and a cleaning performance thereof can be further enhanced.例文帳に追加

このように構成される基板処理装置によれば、洗浄ブラシ７と二流体ノズル９を移動させる単一のアーム移動機構を備えているので、装置構成を簡略化しつつ、洗浄性能が一層向上させることができる。 - 特許庁

One embodiment is related to a method of forming a pattern formation feature section which has more reduced pitches in two dimensions on the substrate, as compared with pitches realized using a standard photolithography processing technique which uses a single high resolution photomask.例文帳に追加

本発明の実施形態は、単一の高解像度フォトマスクを使用する標準のフォトリソグラフィ処理技法を使用して可能なものに比較して、２次元において減少ピッチを有するパターン形成特徴部を基板上に形成する方法に関する。 - 特許庁

A digital processing circuit 11 and a latch circuit 12 are formed on a single semiconductor substrate by being integrated with a CD-ROM decoder 19 composed of an input interface circuit 13, an error correcting/detecting circuit 14 and an output interface circuit 15.例文帳に追加

デジタル処理回路１１及びラッチ回路１２を、入力インタフェース回路１３、誤り訂正／検出回路１４及び出力インタフェース回路１５からなるＣＤ−ＲＯＭデコーダ１９と共に単一の半導体基板上に集積化して形成する。 - 特許庁

To eliminate the feed mistake of a molded body, which is caused by the badness of the mold releasability of a ceramic substrate small in single size and having a large number of split grooves from a mold in the split groove processing of a green sheet and the reduction in the thickness of the green sheet, and to prevent the damage of the mold.例文帳に追加

単体サイズが小さく、分割溝の数が多いセラミック基板のグリーンシートの分割溝加工における金型からの離型性の悪さと、グリーンシート厚みが薄くなることから発生する成型体の搬送ミスをなくし、金型の損傷を防止する。 - 特許庁

Since an IPA water vapor can be supplied in the chamber 5 or the chamber 5 can be decompressed, ozone treatment, surface treatment with a process liquid, and a dry process are carried out in a single chamber 5, resulting in a smaller footprint of the substrate processing equipment 1.例文帳に追加

さらに、チャンバ５内へのＩＰＡ蒸気供給やチャンバ５内の減圧を行うこともできるため、オゾン処理、処理液による表面処理、乾燥処理を一つのチャンバ５内にて行うことができ、基板処理装置１のフットプリントを小さくすることができる。 - 特許庁

A signal processing LSI is disposed at the center of the principal plane of a semiconductor substrate, and an input/output section for transmitting and receiving optical wavelength divided and multiplexed light is mounted in the form of MCM in the periphery of the principal plane of the semiconductor substrate, to be integrated into a single package, reducing the wire length and expanding physical signal band of a connection wire.例文帳に追加

信号処理ＬＳＩを半導体基板の主表面の中央部内に配置し、その半導体基板主表面の周辺に光波長多重光を送受信する入出力部をマルチチップ実装することにより単一パッケージに集積化し、配線長の低減と接続配線の物理的信号帯域を拡大することができる。 - 特許庁

The method has a process for forming a resist pattern on a film formed on a semiconductor substrate, performing the dry etching using the resist pattern as a mask to form the micro pattern, a process for supplying a resist removing liquid to the micro pattern formation plane of the semiconductor substrate to remove the resist pattern by single wafer processing, and a process for performing rinsing on the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板に設けられた膜上にレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクに用いてドライエッチングを行い、前記膜の微細パターンを形成する工程と、前記半導体基板の微細パターン形成面にレジスト除去液を供給し、枚葉式処理により前記レジストパターンを除去する工程と、前記半導体基板をリンス処理する工程と、を有する半導体装置の製造方法。 - 特許庁

The surface of a flat homoepitaxial diamond film of low surface level density grown on a diamond (111) single-crystal substrate by a vapor-phase growing method using carbon hydride is terminated with oxygen atoms by boiling and washing processing using mixed acid, processing using oxygen plasma, or atmospheric annealing to obtain p-type surface conductive oxygen-terminated (111) diamond.例文帳に追加

ダイヤモンド(111)単結晶基板上に炭化水素による気相成長法で成長させた平坦かつ低表面準位密度のホモエピタキシャルダイヤモンド膜の表面を、混酸による沸騰洗浄処理または酸素プラズマによる処理または大気中アニールにより酸素原子で終端し、ｐ型表面伝導性酸素終端(111)ダイヤモンドとした。 - 特許庁

Furthermore, by keeping the temperature of an n^+ type single crystal silicon substrate 1 at 5°C in processing the gate electrode 9a, the reattachment of an etching residue to the processed surface can be prevented, and by making the shape of the processed surface smooth, the yield and reliability of the trench gate MOSFET can be improved.例文帳に追加

また、ゲート電極９ａの加工時のｎ^＋型単結晶シリコン基板１の温度を５℃とすることで、エッチング残渣が加工表面へ再付着するのを防ぎ、加工表面を滑らかな形状にすることにより、トレンチゲート型ＭＯＳＦＥＴの歩留まりおよび信頼性を高めることができる。 - 特許庁

The silicon processing method includes: forming a mask pattern on a single-crystal silicon substrate 100 of which principal surface is (100) an equivalent face 103 or (110) an equivalent face; and applying crystal anisotropic etching to form a structure comprising (111) an equivalent face and having width W1 and length L1.例文帳に追加

シリコンの加工方法で、主面が（１００）等価面１０３或いは（１１０）等価面である単結晶シリコン基板１００上に、マスクパターンを形成し、結晶異方性エッチングを施して、（１１１）等価面で構成され幅Ｗ１と長さＬ１を有する構造体を形成する。 - 特許庁

To provide a means for efficiently transferring a plurality of exposure patterns by exposure by a single apparatus employing a scanning exposure system, in particular, to provide an exposure apparatus for successively processing a color filter substrate having two color filter patterns of different types by a single scanning exposure apparatus over different two color processes without interruption, and to provide an exposure method for patterns of different types by using the apparatus.例文帳に追加

スキャン露光方式において、複数の露光パターンを１台の装置で効率良く露光するための手段を提供することであり、特に、異種の２つのカラーフィルタパターンを有するカラーフィルタ基板を、異なる２つの色工程にまたがって、１台のスキャン露光装置により停滞無く引き続いて処理するための露光装置及びそれを用いた異種パターンの露光方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a polishing slurry that can establish highly accurate surface polishing at high surface flatness, small surface roughness without generating micro scratches or micro pits and processing deteriorated layers on the surface, as well as high polishing speed when precisely polishing a silicon carbide single crystal substrate.例文帳に追加

炭化珪素単結晶基板の精密研磨において、表面平坦性が高く、表面粗さが小さく、表面の微小スクラッチや微小ピット、加工変質層が生じないような精度の高い表面研磨を達成しつつ、かつ速い研磨速度を達成することができる研磨スラリーを提供することにある。 - 特許庁

To provide a single composite film which realizes imaging functionality in desired color, thickness, or density, immediately before or just upstream of usual actual imaging by finally providing an appropriate substrate comprising a desired LAT film on demand and then executing an on-site toner processing.例文帳に追加

最終的に所望のＬＡＴフィルムを備える適切な基板のオンディマンド供給及び次にそのような基板へにその場で（ｏｎ−ｓｉｔｅ）トナー処理を実施して、通常の実際の画像化の直前またはすぐ上流に所望の色または所望の厚さまたは密度での画像化機能性を有する単一の複合フィルムを提供すること - 特許庁

To provide a method of forming a patterned feature portion on a substrate having a higher density (that is, a low pitch) as compared to what is possible using a standard photolithography processing technique using a single high-resolution photomask, while changing both the width of the patterned feature portion and a spacing (trench width) between the patterned features portions are in an integrated circuit.例文帳に追加

パターン形成特徴部の幅とパターン形成特徴部の間の間隔（トレンチ幅）の双方を集積回路内で変化させつつ単一高解像度フォトマスクを用いた標準フォトリソグラフィ処理技術を用いて可能であるものと比較して高密度（即ち、低ピッチ）を持つ基板上にパターン形成特徴部を形成する方法を提供する。 - 特許庁

This photodetector includes a single semiconductor substrate 10 and the sample light photodiode array 7a and reference light photodiode array 7b formed on the surface of the substrate 10 and the spectra of both sample and reference lights are respectively detected by the photodiode arrays 7a, 7b and absorbancies are calculated at every wavelength from the sample light signal and reference light signal at the same time by a signal processing circuit 9.例文帳に追加

この検出器は単一の半導体基板１０とその表面に形成されたサンプル光用フォトダイオードアレイ７a及びリファレンス光用フォトダイオードアレイ７bとを含み、サンプル光のスペクトル及びリファレンス光のスペクトルはサンプル光用フォトダイオードアレイ７a及びリファレンス光用フォトダイオードアレイ７bによってそれぞれ検出され、信号処理回路９により、同一時刻におけるサンプル光信号及びリファレンス光信号から波長毎に吸光度が求められる。 - 特許庁

In a cold wall type single wafer processing lamp heating furnace where oxidizing gas is produced after thermal decomposition and thermal oxidation is conducted using a reactive gas for forming an oxide film on a semiconductor substrate, a plurality of heating lamps 3 are arranged above the semiconductor substrate 1 placed in a reaction chamber 2 and a plurality of gas introduction holes 22 are made between the heating lamps 3 in order to introduce the reaction gas.例文帳に追加

加熱分解した後に酸化性ガスを生成し、半導体基板に酸化膜を形成する反応性ガスを用いて熱酸化を行うコールドウォール型枚葉式ランプ加熱炉において、半導体基板１を収容する反応チャンバー２の、半導体基板の上方に複数の加熱用ランプ３を設け、さらに加熱用ランプ３の間において複数のガス導入孔２２を形成し、このガス導入孔を通して反応性ガスを導入するように構成したことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method by which degradation of superconductive characteristics can be suppressed and the superconductive thin film wiring material can be obtained at a superior yield rate, and productivity can be improved sufficiently, when manufacturing a lengthy superconductive thin film wiring material by continuously forming an intermediate layer on a lengthy orientation metal substrate at a single time of processing, and furthermore by continuously forming an oxide superconductor thin film.例文帳に追加

長尺の配向金属基板上に中間層を１回の処理で連続的に形成し、さらに酸化物超電導体薄膜を連続的に形成して長尺の超電導薄膜線材を製造するに際して、超電導特性の低下を抑制することができ、歩留まりよく超電導薄膜線材を得て、充分に生産性を向上させることができる製造方法を提供する。 - 特許庁