「Step on the gas」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

This method of restoring a fuel cell catalyst includes a first step of adhering Pt ions onto a carbon black carrier on the side of degraded electrode, and a second step of providing hydrogen and gas containing hydrogen to an electrode opposite to the degraded electrode and reducing the Pt ions adhered to the carbon black carrier to Pt by applying a voltage between both electrodes.例文帳に追加

劣化電極側のカーボンブラック担体上にＰｔイオンを付着させる第１の工程と、該劣化電極に対する反対電極に水素または水素含有ガスを供給し、前記両電極間に電圧を印加してカーボンブラック担体上に付着したＰｔイオンをＰｔに還元する第２の工程とを含む燃料触媒の修復方法。 - 特許庁

This active oxygen component supply quantity adjusting unit arithmetically operates a required active oxygen component supply quantity required for purifying exhaust gas, based on the value of the temperature sensor (Step S261 to S264), and restricts a delivery quantity of an active oxygen component of the active oxygen component generator in response to the required active oxygen component supply quantity (Step S265 to S267).例文帳に追加

この活性酸素成分供給量調整ユニットは、温度センサの値に基づいて、排気ガスの浄化に必要とされる必要活性酸素成分供給量を演算し（ステップＳ２６１〜Ｓ２６４）、必要活性酸素成分供給量に応じて、活性酸素成分生成装置の活性酸素成分の吐出量を制限する（ステップＳ２６５〜Ｓ２６７）。 - 特許庁

The manufacturing method of a substrate with a transparent conductive film includes: a step of depositing an Sn-containing indium oxide film on a transparent substrate by a sputtering method; and a step of exposing the substrate having the Sn-containing indium oxide film in plasma generated from gaseous oxygen while the gas pressure of gaseous oxygen in a chamber is ≥300 Pa.例文帳に追加

透明基板上に、Ｓｎ含有酸化インジウム膜をスパッタリング法により形成する工程と、チャンバー中の酸素ガスのガス圧を３００Ｐａ以上とし、酸素ガスより生成したプラズマ中に、前記Ｓｎ含有酸化インジウム膜付き基板を曝露する工程とを、含むことを特徴とする透明導電膜付き基板の製造方法である。 - 特許庁

The forming method of the metal silicide film has a step 1 for preparing a substrate having the silicon part on a surface, a step 2 for forming the metal film on a surface of the silicon part by CVD using the metal compound including nitrogen as the film forming raw material, and a step 3 for forming the metal silicide by reaction of the metal film and the silicon part by annealing the substrate under hydrogen gas atmosphere.例文帳に追加

金属シリサイド膜の形成方法は、表面にシリコン部分を有する基板を準備する工程（ステップ１）と、窒素を含有する金属化合物を成膜原料として用いたＣＶＤによりシリコン部分の表面に金属膜を成膜する工程（ステップ２）と、その後、基板に水素ガス雰囲気でアニールを施して金属膜とシリコン部分との反応により金属シリサイドを形成する工程（ステップ３）とを有する。 - 特許庁

This method for estimating the extrusion force of the coke is provided by comprising a step of estimating the extrusion force on extruding the coke after completing dry distillation by using a specific characteristic amount extracted from the temperature transition of generated gas generated by the dry distillation of coal.例文帳に追加

コークスの押出力推定方法は、石炭を乾留することによって発生する発生ガスの温度推移より抽出した特徴量を用いて、乾留終了後のコークスを押出す際の押出力を推定するステップを含む。 - 特許庁

The problems can be solved by using a method for forming a silica film 4 which is characterized by comprising a step of forming a polysilazane containing film 3 on the surface 1a of a substrate 1 and a step of converting the polysilazane containing film 3 into a silica film 4 by spraying a carrier gas P which has passed through an atmospheric pressure plasma region.例文帳に追加

基材１の表面１ａにポリシラザン含有膜３を形成する工程と、大気圧プラズマ領域を通過させたキャリアガスＰを前記ポリシラザン含有膜３に吹き付けてシリカ膜４へ転化させる工程と、を有することを特徴とするシリカ膜４の形成方法を用いることにより、上記課題を解決できる。 - 特許庁

When manufacturing aluminum-based group III nitride crystal by vapor phase-growing it on a substrate by reacting a group III halide gas containing an aluminum halide such as aluminum trichloride with a nitrogen source gas such as ammonia on the substrate, there is employed a two step growing method where the both gases are reacted preliminarily at 300-550°C and then at 1,100-1,600°C.例文帳に追加

三塩化アルミニウム等のハロゲン化アルミニウムを含むIII族ハロゲン化物ガスとアンモニア等の窒素源ガスとを基板上で反応させることにより基板上に気相成長させてアルミニウム系III族窒化物結晶を製造する際に、予め３００〜５５０℃で前記両ガスを反応させ、次いで１１００℃〜１６００℃で同両ガスを反応させる二段成長法を採用する。 - 特許庁

An oxidizing agent is added to the residual liquid of dyeing in a dyebath in an inert gas atmosphere without carrying out a liquid- discharging operation after allowing the fiber product to adsorb the dye in a dyeing step for dyeing the fiber product in the inert gas atmosphere by using the vat dye to fix the dye adsorbed on the fiber product in the same bath.例文帳に追加

繊維製品を、不活性ガス雰囲気中で、建染染料を用いて染色する染色工程において、繊維製品に染料を吸着させた後、排液処理を行なわず、不活性ガス雰囲気下で染色浴の染色残液に酸化剤を添加し、同浴中で、繊維製品に吸着した染料の固着をさせる。 - 特許庁

The method and the apparatus for processing the semiconductor include a step of irradiating the amorphous silicon laminated on the different type substrate with a laser beam oscillated from a semiconductor laser in an inert gas atmosphere while scanning and obtaining of a crystal silicon.例文帳に追加

不活性ガス雰囲気中において、異種基板上に積層させた非晶質シリコンに、半導体レーザーから発振されたレーザー光を走査しながら照射し、結晶シリコンを得る半導体加工方法および半導体加工装置。 - 特許庁

Further, the method may include a flattening process for removing the step bunching 3 generated on the surface of the SiC epitaxial film 2 by CMP (chemomechanical polishing), gas etching in a hydrogen atmosphere, or the like, for producing a device.例文帳に追加

また、デバイスを作製するために、このＳｉＣエピタキシャル膜２の表面に発生させたステップバンチング３をＣＭＰ（化学的機械研磨）あるいは水素雰囲気中でのガスエッチング等により除去する平坦化工程を追加しても良い。 - 特許庁

The method of etching a carbon-containing film includes a step of forming a mask pattern on a carbon-containing film to partially expose the top surface of the carbon-containing film, and anisotropically etching the carbon-containing film with a plasma of a mixture gas composed of O_2- and Si-containing gases using the mask pattern as an etching mask.例文帳に追加

炭素含有膜上に炭素含有膜の上面を一部露出させるマスクパターンを形成し、マスクパターンをエッチングマスクとして利用して、Ｏ_２、及びＳｉ含有ガスからなる混合ガスのプラズマによって炭素含有膜を異方性エッチングする炭素含有膜エッチング方法である。 - 特許庁

Thus, condensate generated in the exhaust gas is prevented from being retained on the second step surface of the second valve seat 5, retention and intrusion into the second press-in part 42 is also suppressed, and progress of corrosion of the second press-in part 42 can be restrained.例文帳に追加

これにより、排気ガス中に発生した凝縮水が、第２バルブシート５の第２段差面上に滞留し難くなり、第２圧入部４２への滞留および浸入も抑制されるので、第２圧入部４２の腐食の進行が抑制される。 - 特許庁

When the engine restarts as an accelerator is stepped on, the trap performance of the lean NOx trap is recovered by limiting sucked air quantity (Step S6) and controlling air/fuel ratio to a richer side, thus securing the purification performance for the exhaust gas.例文帳に追加

そこで、アクセルが踏み込まれるエンジン再始動時には、吸入空気量を制限して(ステップＳ６)空燃比をリッチ側に制御することにより、ＮＯｘ吸蔵触媒の吸蔵能力を回復させて排気ガスの浄化性能を確保するようにしている。 - 特許庁

In a step 12, when the set flow rate exceeds 2L per minutes, on the other hand, a case to perform breathing synchronization (to perform supply only during the inhalation period of a respiration cycle) is decided and the oxygen condensed gas is continuously supplied with the continuous base flow rate.例文帳に追加

一方、ステップ１２０では、設定流量が毎分２Ｌを上回る高流量であるので、呼吸同調を行う（呼吸サイクルの吸気期間にのみ供給する）場合であるとして、連続ベース流量にて酸素供給気体を連続供給する。 - 特許庁

The housing 4 has a tool fitting section 41 for fitting a mounting tool for mounting the gas sensor 1 to a measurement part at the outer periphery, and an insulator receiving surface 400 for receiving a step-like contacting section 300, provided at an outer-periphery section 30 in the element-side insulating insulator 3, is formed on the inner surface 40.例文帳に追加

ハウジング４は、ガスセンサ１を測定箇所に取り付けるための取り付け工具を嵌合させる工具嵌合部４１を外周に有するとともに、素子側絶縁碍子３の外周部３０に設けた段状当接部３００を受ける碍子受け面４００を内側面４０に形成してなる。 - 特許庁

In the method of manufacturing the resin sheet with color filter consisting of at least an easily releasable resin layer, a color filter layer, a gas barrier layer and a plastics substrate layer, the method is characterized by containing a step to successively laminate the color filter layer, the gas barrier layer and the plastics substrate layer on a supporting body covered with the easily releasable resin layer.例文帳に追加

少なくとも易剥離性の樹脂層、カラーフィルター層、ガスバリア層、プラスチック基材層からなるカラーフィルター付き樹脂シートを製造する方法において、易剥離性の樹脂層にて被覆した支持体上にカラーフィルター層、ガスバリア層、プラスチック基材層を順次積層させる工程を含むことを特徴とするカラーフィルター付き樹脂シートの製造方法。 - 特許庁

We recognize the work done by the GMEP Experts Sub-Group and take note of the progress made on reviewing international regulation of offshore oil and gas exploration, production and transport with respect to marine environmental protection as a first step to implement the Toronto mandate. 例文帳に追加

我々は，GMEP専門家サブグループが行った作業を認識するとともに，海洋環境の保護の観点からトロント・サミットのマンデートを実施する第一歩として沖合石油及びガスの採掘，生産及び輸送の国際的規制のレビューの進ちょくに留意する。 - 財務省

The oxide film forming step combines a process of depositing a silicon oxide on the thin film 5 with a process of thermally oxidating the thin film 5 in a pressured atmosphere containing a gas having an oxidation power to form a silicon oxide film, thereby reducing the heating time.例文帳に追加

ここで、酸化膜形成工程は、半導体薄膜５の上にシリコンの酸化物を堆積する堆積処理と、酸化能力が有る気体を含む加圧雰囲気下で半導体薄膜５を熱酸化してシリコンの酸化膜を生成する熱酸化処理とを組み合わせて行い、加熱時間を短縮する。 - 特許庁

This method includes a step to grow the active region using a combination of (i) plasma-assisted molecular beam epitaxy; and (ii) molecular beam epitaxy using a gas including nitrogen-containing molecules which dissociate on the surface of the substrate at a temperature at which the active region is grown.例文帳に追加

当該方法は、活性領域を、（ｉ）プラズマアシスト分子線エピタキシーと、（ｉｉ）上記活性領域が成長される温度で上記基板の表面において解離する窒素含有分子を含むガスを使用した分子線エピタキシーと、の組み合わせを用いて成長させるステップを含んでいる。 - 特許庁

The method of depositing the transparent optical film includes the step of depositing an optical film that is transparent on a substrate 11 by a reactive sputtering process using a Mg-Si metal target 4 in an atmosphere into which a gas 7 of a fluorine-containing compound is introduced and in which the total pressure is adjusted to 8 Pa or more.例文帳に追加

フッ素を含む化合物のガス７を導入して全圧８Ｐａ以上とした雰囲気下で、Ｍｇ−Ｓｉメタルターゲット４を用いた反応性スパッタリング法により、基板１１上に透明な光学膜を成膜する。 - 特許庁

An exhaust gas sensor characteristic evaluation device 10 performs a frequency changing step (S140) for changing an air-fuel ratio switching frequency when switching the air-fuel ratio at a certain switching frequency so as to detect the response delay time based on a changed waveform of the air-fuel ratio and a changed waveform of the sensor output.例文帳に追加

排気ガスセンサ特性評価装置１０は、一定の切替周波数で空燃比を切り替えて、空燃比の変化波形およびセンサ出力の変化波形に基づき応答遅れ時間を検出するにあたり、空燃比の切替周波数を変更する周波数変更ステップ（Ｓ１４０）を実行する。 - 特許庁

This method for annealing a copper layer includes a step (301) that forms the copper layer on a substrate by electroplating in an integrated treatment device, and steps (303, 305, and 307) that treat the copper layer in gas environment inside the chamber of the integrated treatment device.例文帳に追加

一体化された処理装置において電気めっきすることによって、基板上に銅の層を形成するステップ（３０１）と、一体化された処理装置のチャンバ内のガス環境において銅の層を処理するステップ（３０３，３０５，３０７）を有する銅の層をアニーリングする方法である。 - 特許庁

A restored or regenerated article is provided, particularly a component for use in a gas turbine engine, restored or regenerated by a method comprising a step 80 of preparing a damaged component comprising a first material, a step 84 of evaluating wall thickness of a residual substrate and steps 86A and 86B of depositing a second material on at least a portion of the residual substrate.例文帳に追加

修復又は再生した物品であり、特に、第一の材料を含む損傷部品を準備する段階８０と、残存基板の壁厚を評価する段階８４と、残存基板の少なくとも一部の上に第二の材料の層を堆積させる段階８６Ａ、８６Ｂとを含む方法で修復又は再生したガスタービンエンジン用の部品。 - 特許庁

This method comprises: a bismuth-substituted rare earth iron garnet includes a crystal growth step of growing a crystal on a single crystal substrate by a liquid phase epitaxial growth method in an oxygen concentration of 0 to 16% (excluding 0); and a heat treatment step of heat treating the grown magneto-optical garnet thick film single crystal in a N_2 or Ar gas atmosphere containing H_2.例文帳に追加

ビスマス置換希土類鉄系ガーネットからなる磁気光学ガーネット厚膜単結晶の製造方法であって、単結晶基板上に液相エピタキシャル成長法によって酸素濃度０〜１６％（０は含まず）で結晶育成させる結晶育成工程と、育成された磁気光学ガーネット厚膜単結晶を、Ｈ_２を含有する、Ｎ_２もしくはＡｒガス雰囲気において熱処理する熱処理工程とを備えている。 - 特許庁

The method of depositing a III-V semiconductor material on a substrate includes a step of sequentially introducing a gaseous precursor of a group III element and a gaseous precursor of a group V element to the substrate by altering spatial positioning of the substrate with respect to a plurality of gas columns.例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族半導体材料を基板に堆積させる方法は、複数のガスコラムに対する基板の空間的位置づけを変更することによってＩＩＩ族元素のガス状前駆体及びＶ族元素のガス状前駆体を基板に連続的に導入するステップを含む。 - 特許庁

An annular end surface of the second valve seat 5 is partially covered by a second block 62 protruded on the annular end surface of the second valve seat 5, and thereby, an area of a second step surface 92 formed between an exhaust gas flow passage 54 and a second flow passage hole 12 is reduced.例文帳に追加

そして、第２バルブシート５の環状端面上に張り出した第２ブロック６２によって、第２バルブシート５の環状端面を部分的に被覆することで、排気ガス流路５４と第２流路孔１２との間に形成される第２段差面９２の面積を小さくしている。 - 特許庁

After introducing wafers into the reactor tube, each region is heated up to a first processing temperature, then it is transferred up to a second processing temperature corresponding to each region, and a processing gas is introduced into the reactor tube to form, e.g. a film on the wafer in this temperature transfer step.例文帳に追加

ウエハを反応管内に搬入した後、各領域を第１のプロセス温度まで昇温させ、次いで各領域に対応する第２のプロセス温度まで移行させ、この温度移行工程において反応管内に処理ガスガスを導入してウエハに対して例えば成膜を行う。 - 特許庁

The plasma treatment method comprises a step of performing plasma treatment on a surface to be plasma-treated in plasma in which particles constituting the plasma caused by a plasma treatment material gas containing molecules to be negative ions in the plasma and gas-like molecules relieving an electric function of the negative ion are mixedly present.例文帳に追加

本発明に係るプラズマ処理方法は、プラズマ中で負イオンとなる分子を含むプラズマ処理用原料ガスで生じるプラズマを構成する粒子と、前記負イオンの電気的作用を緩和するガス状分子とが混在するプラズマ中で、プラズマ処理をされる被処理面にプラズマ処理を施すことを含む。 - 特許庁

To provide a catalyst for converting a gas, which is generated at a gasification step of biomass and based on hydrogen and carbon monoxide, into gaseous or liquid hydrocarbons which are used easily at a production site and to provide a method for manufacturing the catalyst and a method for producing hydrocarbons by using the catalyst.例文帳に追加

バイオマスのガス化工程等で発生する水素および一酸化炭素を主成分とするガスを生産現場で利用しやすい気体もしくは液状の炭化水素類に変換するための触媒とその製造方法およびそれを用いた炭化水素類の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method for producing multi-layered fullerene involves a step to integrate a generated material which contains multi-layered fullerene generated by pyrolysis of a carbon compound with irradiation of laser 40 to 60C fullerene, for example, under the existence of an optical sensitizer in an inert gas atmosphere on a heated grid substrate 60.例文帳に追加

多層フラーレンを製造する方法は、不活性ガス雰囲気中で光増感剤の存在下に例えばＣ_60フラーレン化合物にレーザー４０を照射して炭素化合物を熱分解し、生成した多層フラーレンを含む生成物を加熱したグリッド基板６０に集積する工程を含む。 - 特許庁

The method for producing mannitol for direct compression, having >90% β modification content comprises, (a) in a first step, mixing an aqueous solution of D-mannitol as a starting raw material with a spraying gas and fine powder β-mannitol and a high-temperature gas, (b) precipitating the obtained fine powder product on a fluidized bed, absorbing, fluidizing and transporting the product.例文帳に追加

ａ）第１ステップにおいて、出発原料としてのＤ‐マンニトール水溶液、噴霧ガス、微粉状β−マンニトールおよび高温ガスを混合すること、ｂ）得られた微粉状生成物を、流動床に析出させ、吸収、流動化させてさらに移送することを特徴とする、β修飾含有率が９０％を超える直接圧縮用マンニトールの製造方法。 - 特許庁

A fuel cell FC1 to achieve this gas flow passage structure is used as a fuel cell stack FCS1 by combining the plurality of fuel cells, and so that the fuel gas is oriented toward a fuel electrode 40 of the neighboring fuel cell FC1, and a step part 80 is installed on an interconnector part 50.例文帳に追加

このガス流路構造を実現するための燃料電池セルＦＣ１は、複数個組み合わせて燃料電池セルスタックＦＣＳ１として用いられるものであって、隣接する燃料電池セルＦＣ１の燃料極４０に向けて燃料ガスを方向づけるように、段部８０をインターコネクタ部５０上に設けている。 - 特許庁

The method for processing a silicon-based insulating film 2 formed on a silicon substrate 1 and having a hole k comprises a step for deforming the hole k by sputter etching using inert gas to which CxHyFz-based reactive gas (x>0, y≥0, z>0) is added, and suppressing generation of a space (Void) in the silicon-based insulating film 2.例文帳に追加

シリコン基板１上に形成された、孔部ｋを有するシリコン系絶縁膜２の加工方法であって、不活性ガスにＣｘＨｙＦｚ系の反応性ガス（ｘ＞０，ｙ≧０，ｚ＞０）を添加したガスを用いたスパッタエッチングにより孔部ｋを変形させて、シリコン系絶縁膜２内に空間部（Ｖｏｉｄ）が発生するのを抑制する工程を含む。 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor device includes: a step of selectively dry-etching a silicon substrate 101 with a first etching gas to form a first trench 109; and a step of further dry-etching the silicon substrate 101 on the bottom of the trench 109 with a second etching gas to form a second trench 113 including a part radially expanding downwardly from the bottom of the first trench 109.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法は、第１エッチングガスを用いてシリコン基板１０１を選択的にドライエッチングして第１トレンチ部１０９を形成する工程と、第２エッチングガスを用いて、第１トレンチ部１０９の底部においてシリコン基板１０１をさらにドライエッチングし、第１トレンチ部１０９の底部から下方向に向かって拡径した部分を含む第２トレンチ部１１３を形成する工程と、を含む。 - 特許庁

Next, in a step S102, a carbon thin film 103 in which a carrier has been doped is formed on the metal layer 102 by a heat chemical vapor deposition method using a raw material gas consisting of at least one of benzylamine and triisopropyl borate.例文帳に追加

次に、ステップＳ１０２で、ベンジルアミンおよびホウ酸トリイソプロピルの少なくとも１つからなる原料ガスを用いた熱化学気相成長法により、金属層１０２の上にキャリアがドープされた炭素薄膜１０３を形成する。 - 特許庁

The aromatic compound is efficiently produced in a single step from a gas containing carbon monoxide and hydrogen by using a catalyst obtained by mechanically mixing a catalyst having a palladium supported on a fire-resistant inorganic oxide containing a silica and a ZSM-5 zeolite-containing catalyst.例文帳に追加

シリカを含有する耐火性無機酸化物にパラジウムを担持した触媒とＺＳＭ−５ゼオライトを含有した触媒とを物理的に混合した触媒を用いることにより、一酸化炭素と水素を含むガスから１段で芳香族化合物を収率良く製造することが出来る。 - 特許庁

The method for manufacturing a thin film solar cell includes a step of forming a photoelectric conversion layer 230 on a substrate 200 using a plasma CVD method by introducing a reactive gas into a reaction chamber 100 and applying a high frequency to an RF electrode 120 to generate plasma.例文帳に追加

この薄膜太陽電池の製造方法は、反応室１００内に反応ガスを導入し、かつ高周波電極１２０に高周波を印加してプラズマを生成することにより、プラズマＣＶＤ法を用いて基板２００に光電変換層２３０を形成する工程を備える。 - 特許庁

A nitride semiconductor substrate having a two-monolayer step structure on the substrate surface is obtained by heat treating a GaN single crystal substrate 1 having a polished substrate surface in an atmosphere containing H_2 gas at a substrate temperature of 800°C or higher and 1,000°C or lower.例文帳に追加

基板表面が研磨されたＧａＮ単結晶基板１をＨ2ガスを含んだ雰囲気中、基板温度８００℃以上１０００℃以下で熱処理することにより、基板表面が２モノレイヤーステップ構造となった窒化物系半導体基板が得られる。 - 特許庁

The method for producing dimethyl ether (DME) at a high yield in one step from a gas containing a synthesis gas as a main component is carried by using a catalyst obtained by forming a ZSM-5 coating by hydrothermal synthesis using aluminum-free silica as a main raw material on the surface of granular solid containing aluminum, Cu, and Zn.例文帳に追加

アルミニウム、ＣｕおよびＺｎを含む粒子状固体の表面にアルミニウムを含まないシリカを主原料とした水熱合成により形成されたＺＳＭ−５膜でコーティングしてなる触媒を用いることで、合成ガスを主成分とするガスからジメチルエーテル（ＤＭＥ）を１段反応で収率良く製造することが出来る。 - 特許庁

The anisotropic etching method includes a crystal anisotropic etching step for performing crystal anisotropic etching of a substrate having a mask of a prescribed shape on the surface under prescribed conditions, by reactive ion etching using a mixed gas containing SF_6 and C_4F_8, or a mixed gas containing SF_6 and C_4F_8 and O_2.例文帳に追加

異方性エッチング方法は、表面に所定形状のマスクを有した基板に対して、ＳＦ_６とＣ_４Ｆ_８とを含む混合ガス、又は、ＳＦ_６とＣ_４Ｆ_８とＯ_２とを含む混合ガスを用いた反応性イオンエッチングによって、所定条件下で結晶異方性エッチングを行う結晶異方性エッチング工程を有している。 - 特許庁

The epitaxial growth method includes a cleaning treatment step of etching and removing a silicon deposit that adheres to the inside of an epitaxial growth furnace 2 by a hydrogen chloride containing gas, and a polysilicon depositing step of forming a polysilicon film having a grain size of 0.7 μm -0.3 μm on the surface of a susceptor by supplying a silicon source gas to the inside of the epitaxial growth furnace, following the cleaning process.例文帳に追加

エピタキシャル成長炉２内に付着したシリコン堆積物を塩化水素含有ガスによりエッチング除去するクリーニング処理工程と、クリーニング処理工程に引き続き、エピタキシャル成長炉内にシリコンソースガスを供給してサセプタ表面にグレーンサイズが０．７μｍ〜０．３μｍのポリシリコン膜を形成するポリシリコン成膜工程とを有することを特徴とするエピタキシャル成長方法である。 - 特許庁

This manufacturing method for the organic electroluminescent element comprises a step preparing a substrate provided with a first electrode, an organic film containing at least luminous layer and a second electrode and a step forming the insulating film formed by a reaction of a first radical generated by first gas passing a plasma generation area and a heating body and a second radical generated by second gas passing the heating body on the second electrode.例文帳に追加

第１電極、少なくとも発光層を含む有機膜、および第２電極が形成された基板を準備する段階と、第１ガスがプラズマ発生領域および加熱体を通過することによって形成された第１ラジカルと、第２ガスが加熱体を通過することによって形成された第２ラジカルとが反応して生成した絶縁膜が、前記第２電極上に形成される段階と、を含むことを特徴とする有機電界発光素子の製造方法である。 - 特許庁

The new propylene block copolymer satisfies specific requirements and is produced by a process comprising continuously performing a multi-step polymerization composed of a former step in which a propylene homopolymer component or a specific propylene copolymer component is produced in the presence of a metallocene catalyst carried on a support and a latter step in which a specific copolymer component of propylene and a comonomer is produced by gas phase polymerization.例文帳に追加

担体に担持されたメタロセン触媒の存在下で、プロピレン単独重合体成分、または特定のプロピレン共重合体成分を製造する前段工程と、引き続き、気相重合によって、プロピレンと特定の共重合体成分を製造する後段工程とからなる多段重合を連続的に行って得られるプロピレン系ブロック共重合体であって、特定の要件を満たすことを特徴とする新規なプロピレン系ブロック共重合体。 - 特許庁

Then, a third special-purpose finish paint in an arbitrary color is coated on the second special-purpose finish paint by means of a roller or the trowel, or sprayed on the same by means of a gas compressor, and immediately thereafter, pattern spraying for producing a pattern on a painted portion or a sprayed portion is carried out (at a step 17).例文帳に追加

その後、下吹きと同様にして第２の専用仕上げ塗材の仕上げ吹きを行った後（ステップ１６）、第２の専用仕上げ塗材上に、任意の色の第３の専用仕上げ塗材をローラやコテで塗り付け、又は圧送機で吹き付け、その直ぐ後から塗り付けた又は吹き付けた部分に模様付けを行う模様吹きを行う（ステップ１７）。 - 特許庁

The method comprises the step of forming an SiO_2 film of a substrate having a photocatalytic film on the surface by chemical vapor deposition with a raw material gas containing a monosilane and an alcohol to obtain a substrate fitted with a hydrophilic film and having the TiO_2 film and the SiO_2 film on the substrate in the given order.例文帳に追加

表面に光触媒性のＴｉＯ_２膜を有する基板の前記ＴｉＯ_２膜上に、モノシランおよびアルコールを含有する原料ガスを用いて、化学蒸着法によりＳｉＯ_２膜を形成させて、基板上にＴｉＯ_２膜およびＳｉＯ_２膜をこの順に有する親水膜付き基板を得る工程を具備する、親水膜付き基板の製造方法。 - 特許庁