「Step on the gas」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

The method includes a step of removing a liquefied natural gas tank 11 from a hull 10 of an LNG carrier by using a crane 61, and a step of mounting the liquefied natural gas tank on a hull 20 different from the hull 10 by using the crane 61.例文帳に追加

クレーン６１を用いて液化天然ガス運搬船の船体１０から液化天然ガスタンク１１を取り除くステップと、クレーン６１を用いて液化天然ガスタンクを船体１０とは異なる船体２０に搭載するステップとを具備する。 - 特許庁

In the SOI wafer manufacturing method, HCl gas is mixed in reactant gas in a step (f) of forming the silicon epitaxial layer on all the surface of the SOI layer of the SOI wafer having the oxide film at the terrace portion.例文帳に追加

テラス部に酸化膜を有するＳＯＩウェーハのＳＯＩ層の全面にシリコンエピタキシャル層を形成する工程（ｆ）において、反応ガスにＨＣｌガスを混合することを特徴とするＳＯＩウェーハの製造方法。 - 特許庁

The process comprises a step for forming a nickel compound coated with gelatin by adsorbing gelatin on preformed nickel compound particles with different size and shape (Step (A)), and another step for converting the nickel compound coated with gelatin into fine particles containing metallic nickel and nickel oxide by heating the nickel compound coated with gelatin produced in Step (A) in an inert gas atmosphere (Step (B)).例文帳に追加

事前に形成された異なる大きさと形状を有するニッケル化合物粒子にゼラチンを吸着させてゼラチン被覆ニッケル化合物を形成させる工程（Ａ）と、工程（Ａ）で製造されたゼラチン被覆ニッケル化合物を不活性ガス雰囲気下に加熱処理することにより、該ゼラチン被覆ニッケル化合物を金属ニッケルと酸化ニッケルを含む微粒子に変換させる工程（Ｂ）とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

A method of etching a silicon oxide film includes a decomposition step of feeding a blended gas containing a hydrogen-fluoride gas HF and an ammonia gas NH_3 over a surface of the silicon oxide film, making chemical reaction carried out on the silicon oxide film and the blended gas, and decomposing the silicon oxide film to produce a reaction product; and a heating step of then heating and removing the reaction product.例文帳に追加

シリコン酸化膜をエッチングする方法において，シリコン酸化膜の表面に，フッ化水素ガスＨＦ及びアンモニアガスＮＨ_３を含む混合ガスを供給し，シリコン酸化膜と混合ガスとを化学反応させ，シリコン酸化膜を変質させて反応生成物を生成する変質工程を行い，その後，反応生成物を加熱して除去する加熱工程を行う。 - 特許庁

A film forming method of forming the antireflective film of a silicon nitride (SiN_x) film on the semiconductor surface of the solar cell includes a preprocessing step of cleaning the semiconductor surface by ion irradiation through plasma processing using N_2 gas and inert gas, and a film forming step of forming the silicon nitride (SiN_x) film on the semiconductor surface through plasma processing after the preprocessing step.例文帳に追加

太陽電池の半導体表面に窒化シリコン（ＳｉＮ_ｘ）膜の反射防止膜を形成する成膜方法において、半導体表面をＮ_２ガスおよび不活性ガスを用いたプラズマ処理によるイオン照射によって半導体表面を洗浄する前処理工程と、この前処理工程の後、半導体表面にプラズマ処理により窒化シリコン（ＳｉＮ_ｘ）膜を成膜する成膜工程とを備える。 - 特許庁

The repair method of repairing the gas turbine member comprises the step of placing oxide ceramics in a defective part on a surface of the gas turbine member, and welding-and-repairing the member as the defective part being allowed to remain as is.例文帳に追加

本発明のガスタービン部材の補修方法は、ガスタービン部材表面の欠陥部に酸化物系セラミックスを付与し、前記ガスタービン部材の欠陥部を残存させた状態のまま溶接補修する。 - 特許庁

Also, the method for manufacturing the vertical magnetic recording medium characterized by adding Ar gas and oxygen gas to a target containing the SiC in a step of depositing the magnetic layer by the reactive sputtering on the soft magnetic layer is provided.例文帳に追加

また、軟磁性層上に反応性スパッタリングにより磁性層を成膜するステップにおいて、SiCを含有するターゲットに、Arガスと酸素ガスとを添加することを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法を提供する。 - 特許庁

Based on the detected variation in the output, the output of respective gas sensors 11a, 11b is adjusted so that the variation in the output between the gas sensors 11a and 11b becomes equal (a step S03).例文帳に追加

検出した出力変動に基づき、各ガスセンサ１１ａ，１１ｂ間の出力変動が同等となるように、各ガスセンサ１１ａ，１１ｂの出力を調整する（ステップＳ０３）。 - 特許庁

A method for producing the processed food comprises a step for directly roasting meat with charcoal fire and a step for carrying out vacuum packaging by a synthetic resin film having a gas barrier property under temperature state in which heat of the meat is removed after finishing the above step and proliferation of various germs on meat surface is suppressed.例文帳に追加

食肉を炭火で直焼き調理する工程と、前記工程終了後あら熱を取るとともに食肉表面温度が雑菌の繁殖が抑制される温度状態下でガスバリア性合成樹脂フィルムにより真空包装を行う工程とを備えている構成とした。 - 特許庁

In the method for manufacturing the gas barrier film by laminating the coating layer composed of the polysiloxane polymer on the base film which comprises a step of preparing the base film and a step of forming the coating layer composed of the polysiloxane polymer on the base film, the base film is previously allowed to absorb water before coating the prescribed composition on the base film.例文帳に追加

基材フィルムを準備する段階と、ポリシロキサン系重合体からなる被覆層とが積層したガスバリア用フィルムの製造方法において、前記組成物を基材フィルム上に塗布する前に、予め基材フィルムに水分を吸収させる。 - 特許庁

The manufacturing technology includes a step for forming a plurality of gas-phase cell dies 302 on a first wafer 300 provided with an inner surface area 306 and an outer peripheral part 308, and a step for forming a plurality of ventilation channels 304 to be mutually connected.例文帳に追加

内部表面領域３０６および外周部３０８を備える第１ウェハ３００に複数の気相セルダイ３０２を形成するステップと、複数の相互接続される通気チャネル３０４を形成するステップと、を有する。 - 特許庁

After the passage of a predetermined period, further supply of the group III stock gas is started, while continuing the supply of the mixed gas (step S6), to make a group III nitride crystal film grow epitaxially on the underlaying substrate.例文帳に追加

所定の時間経過後、混合ガスの供給を維持しつつ、さらにIII族原料ガスの供給を開始（ステップＳ６）して、下地基板上にIII族窒化物結晶膜をエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

Then, the inflow volumes Q1-Q7 of the reaction gas are calculated on a set certain zone basis by using a flow velocity distribution of the reaction gas flowing in the porous body 18 which is obtained from the analysis result (step S330).例文帳に追加

次に、解析結果から得られた多孔体１８に流入する反応ガスの流速分布を用いて、設定された一定区間ごとの反応ガスの流入量Ｑ１〜Ｑ７を算出する（ステップＳ３３０）。 - 特許庁

A method and a system for controlling a gas turbine 10 includes a step for calculating effects of the fuel composition 16 on performance of the gas turbine 10 and a step for comparing one or more performance parameters to one or more parameter limit values 40.例文帳に追加

ガスタービン（１０）を制御するための方法及びシステムは、該ガスタービン（１０）の性能に対する燃料組成（１６）の影響を算出するステップと、１以上の性能パラメータを１以上のパラメータ限界値（４０）と比較するステップとを含む。 - 特許庁

A sensing electrode forming step forms a sensing electrode 6 for sensing changes in electrical characteristics of a gas sensing layer 4, on a substrate 15, and a subsequent thin film forming step forms a thin film of a metal element forming a principal component of the gas sensing layer 4, over the sensing electrode 6.例文帳に追加

まず、検知電極形成工程にて、基体１５上にガス検知層４における電気的特性の変化を検出するための検知電極６を形成し、続く薄膜形成工程にて、ガス検知層４の主成分をなす金属元素からなる薄膜を、検知電極６を覆うよう形成する。 - 特許庁

The method for forming a silicon nitride film comprises a step for forming a silicon film on a basic material using a silicon compound gas containing no hydrogen as a material gas, and a step for supplying a nitrogen gas or a nitrogen compound gas containing no hydrogen above the silicon film and nitriding the silicon film by irradiating it with electromagnetic waves.例文帳に追加

基材上に水素非含有シリコン化合物ガスを材料ガスとしてシリコン膜を形成するシリコン膜形成工程と、上記シリコン膜上に窒素ガス又は水素非含有窒素化合物ガスを配し、さらに上記シリコン膜に電磁波を照射して上記シリコン膜を窒化する窒化工程とを備える。 - 特許庁

The method, for manufacturing a semiconductor device for generating the oxide film on a substrate 5 to be treated by a combustion gas 14 from external combustion equipment 2 having a hydrogen gas supply line 11, an oxygen gas supply line 12 and a dilute gas supply line 13, includes the step of distributing the dilute gas to the dilute gas supply line, when the oxidation film forming treatment is conducted without diluting.例文帳に追加

水素ガス供給ライン１１、酸素ガス供給ライン１２、希釈ガス供給ライン１３を有する外部燃焼装置２からの燃焼ガス１４により被処理基板５に酸化膜を生成する半導体装置の製造方法に於いて、希釈を行わない酸化成膜処理を行う際、前記希釈ガス供給ラインに希釈ガスを流す。 - 特許庁

While an inert gas such as argon gas is introduced into a chamber, a plasma is generated in the chamber by outputting a high frequency electric power, to perform a sputter etching on the surface of the metal material installed in the chamber (step S3).例文帳に追加

アルゴンガス等の不活性ガスをチャンバ内に導入しながら、高周波電力の出力によりチャンバ内にプラズマを発生して、チャンバ内に設置された金属材料の表面のスパッタエッチングを行う（ステップＳ３）。 - 特許庁

A method of manufacturing an SiC semiconductor device comprises a step of preparing a silicon carbide semiconductor including a first surface at least a part of which includes implanted impurity, a step of forming a second surface by performing dry etching on the first surface of the silicon carbide semiconductor using gas including hydrogen gas, and a step of forming an oxide film included in an SiC semiconductor device on the second surface.例文帳に追加

ＳｉＣ半導体装置を製造する方法は、少なくとも一部に不純物が注入された第１の表面を含む炭化珪素半導体を準備する工程と、炭化珪素半導体の第１の表面を、水素ガスを含むガスを用いてドライエッチングすることにより、第２の表面を形成する工程と、第２の表面上に、ＳｉＣ半導体装置を構成する酸化膜を形成する工程とを備える。 - 特許庁

This etching method which etches a fluorine-added carbon film formed on a substrate by plasma, comprises the steps of a first step of performing etching with plasma of an oxygen-containing treatment gas; and a second step of performing etching with plasma of a fluorine-containing treatment gas.例文帳に追加

基板上に形成されたフッ素添加カーボン膜をプラズマによりエッチングするエッチング方法は、酸素を含む処理ガスのプラズマによりエッチングを行う第１段階と、フッ素を含む処理ガスのプラズマによりエッチングを行う第２段階とを有する。 - 特許庁

A method of manufacturing a polycrystal silicon layer is provided including a step of forming an amorphous silicon layer using a gas containing silicon atoms and a hydrogen gas on a substrate, and a step of crystallizing the amorphous silicon layer into a polycrystal silicon layer using a crystallization induction metal.例文帳に追加

基板上に、シリコン原子を含むガス及び水素ガスを用いて非晶質シリコン層を形成する工程と、前記非晶質シリコン層を、結晶化誘導金属を用いて多結晶シリコン層に結晶化させる工程とを含むことを特徴とする多結晶シリコン層の製造方法を提供する。 - 特許庁

A method for dispensing a liquid on a substrate includes an arranging step of arranging a pattern of a plurality of spaced-apart droplets such that gas pockets are formed, particularly, between mutually adjacent droplets, namely, a step of forming the pattern so that a plurality of gas pockets are minimum in volume.例文帳に追加

液体を基板上に分配する方法であって、とりわけ相隣る液滴間にガスポケットが生じる複数の互いに相隔たる液滴のパターンを基板上に配置する配置ステップで、パターンを複数のガスポケットの容積が最小となるように形成するステップ、を含む方法に関する。 - 特許庁

The exhaust gas cleaning method includes the step of contacting an exhaust gas cleaning catalyst with an exhaust gas while controlling the voltage applied to the exhaust gas cleaning catalyst, wherein the exhaust gas cleaning catalyst has the permanent NEMCA effect including an anode electrode having a catalytic action, an oxygen ion conductive solid electrolyte disposed on the anode electrode, and a cathode electrode disposed on the solid electrolyte and having the catalytic action.例文帳に追加

触媒作用を有するアノード電極と、前記アノード電極上に配置された酸素イオン伝導性固体電解質と、前記固体電解質上に配置された触媒作用を有するカソード電極とを備える永久ＮＥＭＣＡ効果を有する排ガス浄化用触媒と排ガスとを、前記排ガス浄化用触媒に印加する電圧を制御しながら接触せしめる排ガスの浄化方法。 - 特許庁

The step device 20 comprises a baseplate 21 mounted on a rear portion of a vehicle body, a step 22 mounted on the baseplate for turning motion between two positions of a substantially horizontal position and a substantially vertical position, and a gas spring 23 disposed between the step and the baseplate to urge the step to the vertical position.例文帳に追加

ステップ装置２０が、車輌本体の後部に取り付けられるベースプレート２１と、このベースプレートに、略水平位置と略鉛直位置との２位置間において回動可能に装着されたステップ２２と、このステップと、前記ベースプレートとの間に設けられ、前記ステップを鉛直位置へ向けて付勢するガススプリング２３とによって構成されている。 - 特許庁

An underlaying substrate obtained by epitaxially forming a growing underlaying layer, consisting of AlN on a sapphire single crystal is placed in a manufacturing apparatus (step S1), then supply of hydrogen gas is started in a state of room temperature (step S2), and further rise in the temperature is started (step S3).例文帳に追加

サファイア単結晶上にＡｌＮからなる成長下地層をエピタキシャル形成してなる下地基板を製造装置内に載置（ステップＳ１）した後、室温の状態で水素ガスの供給を開始（ステップＳ２）し、さらに昇温を開始する（ステップＳ３）。 - 特許庁

The control device includes an abnormality detection means (step 204) for detecting abnormalities of a flow rate lead-out means for leading out a flow rate of fuel gas based on fluctuation values of flow rates of the oxidant gas supplied to the burner.例文帳に追加

制御装置は、バーナに供給される酸化剤ガスの流量の変動値に基づいて燃料ガスの流量を導出する流量導出手段が異常であると検知する異常検知手段（ステップ２０４）を有する。 - 特許庁

On condition that a state in which the actual intake GN exceeds the given amount GNC1 has lasted for a predetermined time (step S120 and S130), the controller determines that the amount of exhaust gas recirculation by the exhaust gas recirculation control device tends to be less than a standard amount corresponding to the stable idling state, and sets a recirculation exhaust gas deficiency flag XS to 'ON' (step S140).例文帳に追加

そして、実吸入空気量ＧＮが所定量ＧＮＣ１を上回っている状態が所定時間経過したことを条件に（ステップＳ１２０，Ｓ１３０）、排気再循環制御装置の再循環排気量がアイドル安定状態に対応する標準量よりも不足する傾向にあるとして、再循環排気量不足フラグＸＳを「ＯＮ」に設定する（ステップＳ１４０）。 - 特許庁

The film deposition method comprises a step of generating a carboxylate gas by reacting a carboxylic acid with an oxygen-containing metal compound, a step of depositing a carboxylate film 2 by feeding the carboxylate gas on a substrate 1, and a step of decomposing the carboxylate film 2 and depositing a metal film 3 by supplying the energy to the substrate 1 with the carboxylate film 2 deposited thereon.例文帳に追加

カルボン酸と酸素含有金属化合物とを反応させてカルボン酸塩ガスを生成する工程と、基板１上にカルボン酸塩ガスを供給してカルボン酸塩膜２を堆積させる工程と、カルボン酸塩膜２が堆積された基板１にエネルギーを与えてカルボン酸塩膜２を分解して金属膜３を形成する工程とを有する。 - 特許庁

The casket is manufactured by a first step of preparing the gasket 13 by molding rubber or resin, a second step of exposing to at least one kind of gas plasma selected from gaseous hydrogen, gaseous nitrogen, gaseous oxygen, gaseous fluorine, gaseous fluoride and inactive gas, and a third step of forming the film 16 on the exposed surface of the gasket 13 by exposing to the plasma of a gaseous hydrocarbon.例文帳に追加

また、ゴムや樹脂を成形してガスケット１３を作成する第１の工程と、水素ガス、窒素ガス、酸素ガス、フッ素ガス、及びフッ化物ガス、不活性ガスから選ばれた少なくとも一種のガスのプラズマに上記ガスケット１３を曝す第２の工程と、炭化水素ガスのプラズマに曝すことにより上記ガスケット１３の暴露面に非晶質炭素膜１６を形成する第３の工程とからなる。 - 特許庁

A production method of the gas cell includes: a coating step of forming a coating layer on a surface of a plate material; an assembling step of assembling a plurality of the plate materials having the coating layer formed thereon so as to form a cell surrounded by the surfaces having the coating layer formed thereon; and a filling step of filling the formed cell with an alkali metal gas.例文帳に追加

ガスセルの製造方法は、板材の面にコーティング層を形成するコーティング工程と、前記コーティング層が形成された複数の前記板材を、前記コーティング層が形成された面で囲まれたセルを形成するように組み立てる組立工程と、前記形成されたセル内にアルカリ金属ガスを充填する充填工程とを有する。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device having wiring and a plug connected to wiring is provided with a step for forming an insulating film on wiring, a step for forming an opening in the insulating film by dry etching for forming the plug, and a step for removing the reaction product generated by dry etching with plasma discharge by hydrogen simple substance gas or gas comprising nitrogen.例文帳に追加

配線と、配線に接続されるプラグとを有する半導体装置の製造方法であって、配線上に絶縁膜を形成する工程と、プラグを形成するためにドライエッチングにより絶縁膜に開口を形成する工程と、水素単体ガスまたは窒素を含むガスによるプラズマ放電により上記ドライエッチングにより生じた反応生成物を除去する工程とを有するものである。 - 特許庁

This method includes a step for forming, on a specified material layer 21, a photoresist pattern which exposes the part where the ions are implanted, a step for ion-implanting impurity elements into the specified material layer 21 with the photoresist pattern as an ion implantation barrier, and a step for stripping the photoresist pattern by using plasma of a mixed gas containing at least a hydrocarbon-based gas.例文帳に追加

所定の物質層２１上に、イオンを注入する部分を露出させたフォトレジストパターンを形成するステップと、フォトレジストパターンをイオン注入バリアとして、所定の物質層２１に不純物元素をイオン注入するステップと、少なくとも炭化水素系ガスを含む混合ガスのプラズマを用いて、フォトレジストパターンをストリップするステップとを含む。 - 特許庁

The etching method for the semiconductor element includes a step of introducing a semiconductor substrate having a material film and a photoresist film formed thereon in increasing order, into a chamber, a step of injecting a precursor gas not containing fluorine into the chamber to form a hydrocarbon film on the photoresist film, and a step of injecting an etching gas into the chamber to etch a material to be etched.例文帳に追加

物質膜上にフォトレジスト膜が形成された半導体基板をチャンバーに導入する段階と、前記チャンバーにフッ素を含有しない前駆ガスを注入することで、前記フォトレジスト膜上に炭化水素膜を形成する段階と、前記チャンバーにエッチングガスを注入することで、エッチング対象物質をエッチングする段階とを含んで半導体素子のエッチング方法を構成する。 - 特許庁

This method for manufacturing the exhaust gas cleaning catalyst comprises a step of depositing ruthenium as an active metal by adsorption on a porous wash-coated carrier and a step of depositing platinum of 1.5-10 parts weight on the basis of 1 part weight of ruthenium on the ruthenium-deposited carrier by impregnation.例文帳に追加

ウォッシュコートを施した担体に、活性金属としてルテニウムを吸水担持後、該ルテニウム１重量部に対して１．５〜１００重量部の白金を含浸担持することを特徴とする排気ガス浄化触媒の製造方法。 - 特許庁

This device for judging abnormality judges whether gas molecules adhering on a coating layer and a detection side electrode of the oxygen concentration sensor are oxygen molecules or un-burned component molecules (step 915) when abnormality judgment execution conditions are satisfied (step 910), and applies predetermined voltage corresponding to the judgment result between a base side electrode and a detection side electrode (step 920, 925) to remove the adhering gas molecules.例文帳に追加

この異常判定装置は、異常判定実施条件が成立すると（ステップ９１０）、酸素濃度センサの検出側電極及びコーティング層に付着しているガス分子が酸素分子であるか未燃成分分子であるかを判別し（ステップ９１５）、その判別結果に応じた所定の電圧を基準側電極と検出側電極との間に印加し（ステップ９２０、９２５）、同付着しているガス分子を除去する。 - 特許庁

The process where the gate electrode 201 is left unremoved comprises a step, where a disused part is removed from the gate electrode 201 through an isotropic reactive ion etching method, where an etching gas that contains HBr gas and Cl2 gas is used so as to enable the electrode 201 to be provided with an undercut on its each lower sectional side.例文帳に追加

ゲート電極２０１を残す前記工程は、ＨＢｒガスおよびＣｌ_2ガスを含むエッチングガスを用いた等方性反応性イオンエッチング法によりゲート電極２０１が断面両側下方にアンダーカット部を備えるように不要な部分を除去するステップを含んでいる。 - 特許庁

The piston ring 2 is arranged on an outer circumference of a piston to suppress distribution of gas between the piston and a cylinder, and integrally comprises a first step-cut part 12 formed on an outer circumferential part, a second step-cut part 13, and an inner ring part 8 formed on an inner circumferential part.例文帳に追加

ピストンの外周に配置されることにより、ピストンとシリンダとの間のガスの通流を抑制するピストンリング２であって、外周部に形成された第一ステップカット部１２、および第二ステップカット部１３と、内周部に形成されたインナーリング部８と、を一体として備える。 - 特許庁

Malfunction of process in the plasma enhanced CVD system is confirmed by a method comprising a step for determining the historical gradient of partial pressure line as a function of time, a step for calculating a new gradient of line based on partial pressure measurements by the residual gas analyzer 63, a step for comparing the historical gradient with the new gradient, and a step for delivering a signal to an operator.例文帳に追加

時間の関数として分圧のラインのヒストリカルな勾配を求めるステップと、残留ガス分析器６３による分圧測定に基づいたラインの新規な勾配を計算するステップと、ヒストリカルな勾配と新規な勾配を比較するステップと、オペレータに信号を送るステップとを含む方法により、プラズマ増強型化学気相堆積システム内のプロセス不調を確認する。 - 特許庁

The method for treating carbon dioxide comprises a step to adsorb carbon dioxide in the exhaust gas on an adsorbent consisting of zeolite at relatively lower temperature and a step to heat the carbon dioxide-adsorbed adsorbent to relatively higher temperature and desorb the carbon dioxide adsorbed on the adsorbent.例文帳に追加

排ガス中の二酸化炭素をゼオライトからなる吸着剤によって相対的低温で吸着した後、該吸着剤を相対的高温に加熱して二酸化炭素を脱着することを特徴とする二酸化炭素の処理方法を提供する。 - 特許庁

The method for forming a polysilicon (p-Si) film in a process for manufacturing an integrated circuit(IC) comprises a step for sputtering an amorphous silicon (a-Si) material on a substrate, a step for supplying mixture gas containing hydrogen by about 4 vol.% during gas supply, and a step for forming an amorphous silicon film containing hydrogen.例文帳に追加

集積回路（ＩＣ）製造プロセスにおける多結晶シリコン（ｐ−Ｓｉ）膜を形成する方法は、基板上にアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）材料をスパッタリングする工程と、ガス供給中に水素含有量が４体積％程度のガス混合気を供給する工程と、水素を含有するアモルファスシリコン膜を形成する工程とを包含する。 - 特許庁

The method of manufacturing the photoelectric conversion device 100 includes a step of forming a photoelectric converting layer 3 of silicon on a substrate 1 by using a plasma CVD technique using a gas containing a silane gas and a hydrogen gas as a raw material gas under the condition where a flow rate of the hydrogen gas per unit area of the substrate 1 is 80 slm/m^2 or more.例文帳に追加

基板１上に、シラン系ガスと水素ガスとを含むガスを原料ガスとするプラズマＣＶＤ法を用いて、前記基板１の単位面積当たりの前記水素ガス流量８０ｓｌｍ／ｍ^２以上の条件で、シリコン系の光電変換層３を形成する工程を含むことを特徴とする光電変換装置１００の製造方法。 - 特許庁

When the n-side electrode is provided on the n-type conductive substrate, first of all, the n-type conductive substrate is irradiated with plasma in an atmosphere of a chlorine-based compound gas containing Si to form an ion irradiation layer on the n-type conductive substrate (an irradiation step, a step S52).例文帳に追加

ｎ側電極をｎ型導電性基板上に設けるときには、まず、ｎ型導電性基板にＳｉを含む塩素系化合物ガスの雰囲気中でプラズマ照射してｎ型導電性基板にイオン照射層を形成する（照射工程、ステップＳ５２）。 - 特許庁

The method of manufacturing the nonaqueous electrolyte secondary battery includes a step of forming a positive active material layer 12 on a separator 11 by injecting an active material together with carrier gas to the separator 11; and a step of forming a current collecting layer 13 in a vacuum process on the positive active material layer 12.例文帳に追加

セパレータ１１に対して活物質をキャリアガスと共に噴射することにより、セパレータ１１上に正極活物質層１２を形成する工程と、正極活物質層１２上に、真空プロセスにより集電層１３を形成する工程とを包含する。 - 特許庁

The electronic control device stores the operating condition of the engine when the operating condition of the engine is changed (Step S110), and restricts the start of the increase/reduction of the amount of the exhaust gas recirculation based on the hysteresis in accordance with a change mode of the operating condition of the engine with the stored value as a reference value (Step S140).例文帳に追加

電子制御装置は、機関運転状態が変化したときの機関運転状態を記憶し（ステップＳ１１０）、この記憶値を基準値とする機関運転状態の変化態様に基づいて前述のヒステリシスに基づく排気再循環量の増減開始を制限する（ステップＳ１４０）。 - 特許庁

The electronic control device stores the operated condition of the engine when changed (Step S110), and restricts the start of the increase/reduction of the recirculation amount of the exhaust gas on the basis of the hysteresis in accordance with a change mode of the operated condition of the engine with the stored value as a reference value (Step S140).例文帳に追加

電子制御装置は、機関運転状態が変化したときの機関運転状態を記憶し（ステップＳ１１０）、この記憶値を基準値とする機関運転状態の変化態様に基づいて前述のヒステリシスに基づく排気再循環量の増減開始を制限する（ステップＳ１４０）。 - 特許庁