「Step on the gas」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a movable air vent capable of smoothly exhausting a gas from a cavity provided at a mold of a mold forming apparatus, thereby the occurrence of bubbles in a molded resin or a step on a surface of it can be dissolved.例文帳に追加

モールド成形装置の型に設けられたキャビティからガスを円滑に排出でき、したがって樹脂成形体中の気泡や表面段差の発生を解消できるものを提供すること。 - 特許庁

A thin part 20 is formed without generating a step height on an inner surface by reducing an outer diameter of the opening end part of a cylinder 1 of a single cylinder type gas containing hydraulic shock absorber.例文帳に追加

単筒式ガス入り油圧緩衝器のシリンダ１の開口端部の外径を縮径して、内面に段差を生じさせないで薄肉部２０を形成する。 - 特許庁

Then, an impurity diffusion step is performed to dispose a heating device 920 such as a laser annealing device, a heat gas annealing device, or a lamp annealing device on the one surface 10s side and heat the semiconductor layer 1a with the temperature on the one surface 10s side being higher than that on the other surface 10t side.例文帳に追加

その後、不純物拡散工程において、一方面１０ｓ側にレーザーアニール装置、ヒートガスアニール装置、ランプアニール装置等の加熱装置９２０を配置し、一方面１０ｓ側を他方面１０ｔ側より温度を高くした状態で半導体層１ａを加熱する。 - 特許庁

Substrate treating equipment having an operation screen on which recipes constituted by a plurality of steps are prepared, and treating a substrate by executing the recipes with an instruction from this operation screen includes a display means sequentially displaying each step name of the recipes, displaying an icon showing a content corresponding to each step on the operation screen, and displaying a gas piping figure G2 on the operation screen.例文帳に追加

複数のステップから構成されるレシピの作成を行う操作画面を有し、この操作画面上からの指示で前記レシピを実行させることにより、基板の処理を行う基板処理装置であって、前記レシピの各ステップ名を順番に表示すると共に、各ステップに対応する内容を示すアイコンを前記操作画面に表示し且つガス配管図Ｇ２を前記操作画面に表示する表示手段を備える。 - 特許庁

Its manufacturing method comprises a step of forming the silicon oxide film on one or both sides of the original resin transparent substrate while giving treatment thereto with the flames of fuel gas containing a silicon-containing compound and oxygen, and a step of forming the conductive layer on the surface of the silicon oxide film while applying conductive highpolymer solution containing the π conjugated conductive highpolymer, the polyanion and solvent.例文帳に追加

本発明の透明導電体の製造方法は、樹脂製の透明基板原板の片面または両面に、ケイ素含有化合物および酸素を含む燃料ガスの火炎による処理を施して酸化ケイ素膜を形成させる工程と、前記酸化ケイ素膜の表面に、π共役系導電性高分子とポリアニオンと溶媒とを含有する導電性高分子溶液を塗布して導電層を形成する工程とを有する。 - 特許庁

A wafer 12 is temporarily held by lift pins 16 inserted in the through-holes, thereafter the wafer is stored in the recessed part by mounting the undersurface of the circumferential part of the wafer on the step part, and a material gas is made to flow in the reaction vessel to form an epitaxial layer on a surface of the wafer.例文帳に追加

貫通孔に挿通されたリフトピン１６でウェーハ１２を一時的に保持した後にウェーハの外周部下面を段差部に載せてウェーハを凹部に収容し、原料ガスを反応容器に流通させて凹部内のウェーハ表面にエピタキシャル層を形成する。 - 特許庁

To provide a method for condensing gas in which high-boiling point impurities that deposit in the gas inlet of a cooling tower when gas containing the impurities is condensed in the cooling tower, are easily removed during operation without increasing load on a subsequent step and the process can stably be operated over a prolonged period of time.例文帳に追加

凝縮対象物よりも沸点が高い不純物を含む気体を冷却塔で凝縮する際に冷却塔の気体の入口部に析出した高沸点不純物をプロセス運転中に簡便に、また、後の工程の負荷を増大することなく除去し、プロセスを長期間安定に運転できる気体の凝縮方法を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method of the catalyst for the purification of the exhaust gas having palladium supported on the carrier comprises a first step of supporting palladium on the catalyst carrier 10, a second step of calcining the catalyst carrier 10 having palladium supported thereon at least for one hour at a temperature of from 600°C or more to 800°C in atmospheric air.例文帳に追加

坦体にパラジウムを坦持させてなる排ガス浄化触媒の製造方法において、触媒担体１０にパラジウムを坦持させる第１工程と、パラジウムを坦持させた前記触媒坦体１０を、大気中において６００度以上８００度以下の温度で少なくとも１時間焼成する第２工程と、を含むことを特徴とする排ガス浄化触媒の製造方法。 - 特許庁

Concretely, the method includes: a material supply step where the first and second material gases are supplied; and a material accumulation step where the supply of the first material gas is stopped, only the second material gas is supplied and the material supplied in the material supply step is formed into a film on a substrate, and the steps are repeated to form a high-quality microcrystal thin film.例文帳に追加

具体的には、実施の形態１にかかる微結晶薄膜の成膜方法は、第１原料気体および第２原料気体を供給する原料供給工程と、上記の第１原料気体の供給を停止して第２原料気体のみを供給し、原料供給工程において供給された原料を基板上に成膜させる原料堆積工程とを含み、これらの工程を交互に繰り返すことによって高品質の微結晶薄膜を成膜する。 - 特許庁

This nitrogen oxide removing method comprises a removal step to remove the nitrogen oxide contained in the gas by supplying the gas to a nitrogen oxide adsorbing means containing a solid adsorbent for adsorbing/removing nitrogen oxide and a regeneration step to regenerate the nitrogen oxide removing function of the nitrogen oxide adsorbing means lowered at the removal step by removing the nitrogen oxide adsorbed on the solid adsorbent by using a regenerating agent containing a basic or reducing substance.例文帳に追加

窒素酸化物を吸着して除去する固体吸着剤を含む窒素酸化物吸着手段に、前記気体を供給することにより前記気体中に含まれる窒素酸化物を除去する除去工程と、前記除去工程によって低下した前記窒素酸化物吸着手段の前記窒素酸化物の除去機能を、前記固体吸着剤が吸着した窒素酸化物を塩基性物質あるいは還元性物質を含む再生剤によって除去することにより再生する再生工程とを含む窒素酸化物の除去方法とする。 - 特許庁

This pressure swing adsorption process comprises a step of introducing a gaseous starting material into an adsorbent bed containing a thermally calcined adsorbent, a step of decompressing the adsorbent bed and a step of purging the adsorbent bed by using the gas to be discharged from the adsorbent bed or another gas substantially free from carbon dioxide so that the carbon dioxide adsorbed on the adsorbent is desorbed from the adsorbent bed.例文帳に追加

供給原料ガスから二酸化炭素及び水蒸気を除去するための圧力スイング吸着プロセスであって、熱焼出しを実施された吸着剤を含有する吸着層中に前記供給原料ガスを導入し、前記吸着剤層を減圧し、そして前記吸着剤層をこの吸着剤層からのガス流出物又は実質的に二酸化炭素の無い他のガスでパージし、これにより前記層から二酸化炭素を脱着する。 - 特許庁

Carbon monoxide concentration can be lowered by oxidizing selectively carbon monoxide in a source gas containing carbon monoxide and hydrogen by at least two-stage oxidizing steps such as the first step to perform an oxidation reaction with a catalyst which supports ruthenium on an inorganic oxide and the second step to perform the oxidation reaction with the catalyst which supports ruthenium and platinum on the inorganic oxide.例文帳に追加

無機酸化物にルテニウムを担持した触媒の存在下に酸化反応を行なう第一工程、および無機酸化物にルテニウムおよび白金を担持した触媒の存在下に酸化反応を行なう第二工程の少なくとも二段階の酸化工程により、一酸化炭素および水素を含有する原料ガス中の一酸化炭素を選択的に酸化して一酸化炭素濃度を低減することができる。 - 特許庁

A method of manufacturing a solar cell for forming an antireflection film 8 on a surface of a semiconductor 9 comprises: a surface treatment step of exposing the surface of the semiconductor 9 to a plasma generated using gas containing hydrogen; and an antireflection film formation step of forming the antireflection film 8 on the treated surface of the semiconductor 9 by a sputtering method.例文帳に追加

半導体９の表面に反射防止膜８を形成する太陽電池の製造方法であって、前記半導体９の表面を、水素を含むガスを用いて発生させるプラズマに曝して処理する表面処理工程と、前記半導体９の処理された表面に前記反射防止膜８をスパッタリング法により形成する反射防止膜形成工程とを含む。 - 特許庁

The method includes: the step of separately supplying Zr(BH_4)_4 gas forced to go out by supplying Ar gas to a material tank TK from a massflow controller MFC1, and oxygen atom-containing gas activated by excitation in a microwave plasma source PL to a space on a surface of a substrate S through holes provided in a shower plate 36.例文帳に追加

マスフローコントローラＭＦＣ１から原料タンクＴＫにＡｒガスを供給することによって押し出されたＺｒ（ＢＨ_４）_４ガスと、マイクロ波プラズマ源ＰＬで励起することによって活性状態にされた酸素原子を含むガスとを、シャワープレート３６に設けられた複数の孔から別々に基板Ｓ表面の空間に供給する。 - 特許庁

A method for producing a carbon material is provided, including a first step of applying slurry containing polyvinyl alcohol as a binder and a metal powder on a carbon substrate to deposit the metal powder on the carbon substrate, and a second step of heat-treating the carbon substrate with deposition of the metal powder in a vessel having an atmosphere of hydrogen chloride gas.例文帳に追加

結着剤であるポリビニルアルコールと金属粉末とを含むスラリーを、炭素基材に塗布することにより炭素基材に金属粉末を付着させる第１ステップと、上記金属粉末が付着された炭素基材を、塩化水素ガスの雰囲気となっている容器内で熱処理する第２ステップと、を有することを特徴とする。 - 特許庁

This method for forming the transistor of the semiconductor element comprises a step for forming a plurality of gate stacks 110 on a semiconductor substrate 100, and a step for forming spacer oxide films 118 on a plurality of the gate stacks 110 by supplying trimethyl aluminum and tris- (tert-alkoxy) silanol in a gas state alternately to the semiconductor substrate 100.例文帳に追加

半導体基板１００上に複数のゲートスタック１１０を形成する段階と;前記半導体基板１００上に気体状態のトリメチルアルミニウム及びトリス(ｔｅｒｔ-アルコキシ)シラノールを交互に供給することで、前記複数のゲートスタック１１０上にスペーサ酸化膜１１８を形成する段階と；を含んで半導体素子のトランジスタ形成方法を構成する。 - 特許庁

The method for manufacturing the gas barrier film includes: a step of preparing an organic layer polyester laminated substrate formed of an organic layer containing a component formed with polyester and melamine cross-linked on at least one surface of a polyester base material; and a step of depositing an evaporation source material on the organic layer by ion plating to form an inorganic layer.例文帳に追加

本発明のガスバリア性フィルムの製造方法は、ポリエステル基材の少なくとも一方の面にポリエステルとメラミンとが架橋してなる成分を含有する有機層が形成された有機層ポリエステル積層基材を準備する工程と、イオンプレーティングにより上記有機層に蒸発源材料を付着させて無機層を形成する工程と、を有するように構成して上記課題を解決する。 - 特許庁

By a method having (a) a step for depositing an amorphous film on a substrate by supplying a precursor solution that is a film precursor dissolved in a supercritical fluid into a deposition chamber, and (b) a step for heat-treating the amorphous film under a heat-treating atmospheric gas at a temperature that is lower than its crystallization temperature, the amorphous film is formed on the substrate.例文帳に追加

（ａ）膜前駆体を超臨界流体に溶解させた前駆体溶液を成膜チャンバ内に供給して、基板上にアモルファス膜を成膜する工程と、（ｂ）熱処理雰囲気ガス下、前記アモルファス膜をその結晶化温度より低い温度で熱処理する工程とを有する方法により、基板上にアモルファス膜を形成する。 - 特許庁

Then, the ECU calculates a temperature difference ΔT between an upstream end and a downstream end of a PM filter 44 based on an exhaust gas amount Ga and exhaust temperature T6, and calculates an unburnt PM amount based on the temperature difference ΔT and a floor temperature at the downstream end of the PM filter 44 (Step S14).例文帳に追加

次に、ＥＣＵは、排気ガス量Ｇａおよび排気温度Ｔ６ＰＭに基づいてＰＭフィルタ４４の上流端部と下流端部との温度差ΔＴを算出し、温度差ΔＴおよびＰＭフィルタ４４の下流端部における床温とに基づいてＰＭの燃え残り量を算出する（ステップＳ１４）。 - 特許庁

In the catalyst for producing the methacrylic acid used when producing the methacrylic acid by subjecting methacrolein to gas phase contact oxidization with the molecular oxygen and produced by the method including a shaping step for shaping powdery precursor of the catalyst by a machine, parts contacting the machine and parts not contacting the machine in the shaping step coexist on the surface.例文帳に追加

メタクロレインを分子状酸素により気相接触酸化してメタクリル酸を製造する際に用いられ、粉状の触媒前駆体を機械装置で成形する成形工程を含む製造方法により製造されるメタクリル酸製造用触媒であって、表面に、前記成形工程で前記機械装置に接触した部分と接触していない部分とが併存しているメタクリル酸製造用触媒。 - 特許庁

A method for producing particles includes: a dispersion step of dispersing the core particles in a gas containing a gaseous photopolymerizable monomer; and a photopolymerization step of irradiating the gaseous monomers with light in the state of making the gaseous monomers contact the surface of the core particles thereby to cause a photopolymerization reaction between molecules of the monomers on the surface of the core particles.例文帳に追加

本発明に係る粒子の製造方法は、光重合する気体状の単量体を含む気体中に核粒子を分散させる分散工程と、上記核粒子の表面に上記気体状の単量体を接触させた状態で光を照射することによって、当該核粒子の表面において当該単量体を分子間において光重合させる光重合工程とを有する。 - 特許庁

The method for producing the graphene shell comprises: a first step of performing the first heat treatment on a graphitization catalyst having the three-dimensional structure in an organic solvent so as to carburize the graphitization catalyst; and a second step of forming graphene shells on the surfaces of the carburized graphitization catalyst by performing the second heat treatment on the carburized graphitization catalyst, which is obtained at the first step, in an inert or reductive gas atmosphere.例文帳に追加

三次元構造を有するグラファイト化触媒を有機溶媒中で第１の熱処理を行うことにより、前記グラファイト化触媒を浸炭させる第１の工程と、前記第１の工程により得られる浸炭されたグラファイト化触媒を不活性雰囲気または還元性雰囲気下で第２の熱処理を行い、前記浸炭されたグラファイト化触媒の表面上にグラフェンシェルを形成させる第２の工程と、を含むグラフェンシェルの製造方法である。 - 特許庁

Then, when switch-on operation of the ignition switch 203 is forecast, a hydrogen sensor 202 for detecting gas leak is made conducted with current (Step 120) before the fuel cell system 100 of which the ignition switch 203 has been switched on is started up.例文帳に追加

そして、イグニッションスイッチ２０３のＯＮ操作の実行が予測されると、イグニッションスイッチ２０３のＯＮ操作を経た燃料電池システム１００の起動に先立って、ガス漏れ検出のための水素センサ２０２に通電する（ステップＳ１２０）。 - 特許庁

There is provided a purification method for acrylonitrile, comprising a step of distilling a solution containing acrylonitrile, hydrogen cyanide and water, by using a distillation system comprising a distillation column, and a condenser for the distillate gas and connected with the distillation column, wherein, the method comprises a step of calculating the removal heat amount of the condenser based on the heat balance of the distillation system to control the condenser.例文帳に追加

蒸留塔と、前記蒸留塔に接続された、塔頂ガスの凝縮器と、を有する蒸留装置を用いてアクリロニトリル、シアン化水素及び水を含む溶液を蒸留する工程を含むアクリロニトリルの精製方法であって、 前記蒸留装置の熱量バランスから前記凝縮器の除熱量を算出して前記凝縮器を制御する工程を含む方法。 - 特許庁

The method for measuring the concentration of mercury in hydrocarbon has a step for putting hydrocarbon in a sample boat 12 on which an adsorbent containing a metal forming amalgam along with mercury is placed to weigh the same and a step for heating the hydrocarbon in the sample boat 12 along with the adsorbent in a combustion furnace 13 to measure the amount of mercury in the formed gas.例文帳に追加

水銀とアマルガムを形成する金属を含有する吸着剤が載置された試料ボート１２に、炭化水素を入れて秤量するステップと、燃焼炉１３にて試料ボート１２内の炭化水素を吸着剤とともに加熱し、発生した気体中の水銀の量を測定するステップとを有する炭化水素中の水銀濃度測定方法。 - 特許庁

The imprinting method and apparatus therefor are characterised by having a step of softening a resist of the processed product by using gas under pressure and a supercritical fluid, the processed product being composed of a substrate where the resist is applied, and a step of pressing a mold, on which a predetermined pattern is formed to the resist of the processed product, to transfer the predetermined pattern to the resist.例文帳に追加

加圧気体又は超臨界流体を利用して、レジストが塗布された基板からなる被処理体の前記レジストを柔軟にする工程と、前記被処理体の前記レジスト側に、所定のパターンが形成されたモールドを押し付けて前記所定のパターンを前記レジストに転写する工程とを有することを特徴とするインプリント方法及び装置を提供する。 - 特許庁

By injecting the Cl-based gas or Br-based gas in the step of growing a nitride single crystal layer containing Al by using a lateral epitaxial overgrowth method (LEO), an adverse influence on the crystal growth due to the Al element (such as formation of a polycrystal) on the upper face of the dielectric mask can be eliminated.例文帳に追加

本発明によると、横方向エピタキシャル過成長法(LEO)を利用してAlを含んだ窒化物結晶層を成長させる場合に、Cl系ガスまたはBr系ガスを注入することにより誘電体マスクの上面においてAl元素による結晶成長への悪影響(例えば、多結晶体の形成)を解消することができる。 - 特許庁

The method for producing the metal oxide includes a step for bringing water generated by burning gaseous fuel and a metal halide- containing gas into contact with each other at 400-1,500°C to obtain a hydrolyzate of the metal halide and a step for spraying a metal compound into a flow of the hydrolyzate suspended in air to carry the metal element on the surface of the hydrolyzate.例文帳に追加

４００〜１５００℃の温度で、燃料ガスの燃焼により発生する水と金属ハロゲン化物含有ガスとを接触させて、金属ハロゲン化物の加水分解生成物を得る工程と、前記金属ハロゲン化物の加水分解生成物の懸濁気流中に、金属化合物を噴霧して、金属ハロゲン化物の加水分解生成物の表面に金属元素を担持する工程とを含む。 - 特許庁

The method for producing the catalyst for cleaning exhaust gas comprises; a first step of preparing a composite colloidal solution in which the noble metal particle 2 is contacted with a first compound 3; and a second step of forming a second compound 4 on the periphery of the first compound 3 being in contact with the noble metal particle 2 in the composite colloidal solution.例文帳に追加

本発明の排気ガス浄化用触媒の製造方法は、第１の化合物３に貴金属粒子２が接触した複合コロイド溶液を調製する第１の工程と、前記複合コロイド溶液中の貴金属粒子２が接触した第１の化合物３の周囲に、第２の化合物４を形成させる第２の工程と、を有する。 - 特許庁

This method for purifying the chlorinated hydrocarbon comprises a deacidification step wherein the chlorinated hydrocarbon containing the acidic component is brought into contact with a weak basic anion-exchange resin to adsorption separate the acidic component and a reproducing step wherein the anion-exchange resin on which the acidic component is adsorbed is treated with an alkaline solution, washing and then drying the resin with a gas for drying.例文帳に追加

酸性成分を含む塩素化炭化水素を弱塩基性陰イオン交換樹脂と接触させて酸性成分を吸着分離させる脱酸工程、および酸性成分を吸着した弱塩基性陰イオン交換樹脂をアルカリ性水溶液で処理し、水洗後、乾燥ガスを用いて弱塩基性陰イオン交換樹脂を乾燥させる再生工程とからなる塩素化炭化水素の精製方法。 - 特許庁

By the above, on the fuel cell 10, power generation is controlled so as to obtain a required power generation current Im corresponding to required power generation, however, the hydrogen gas and the air are supplied with the increased and corrected supply amount (a step S190) form the supply amount corresponding to the required power generation current Im (a basic supply amount: a step S130).例文帳に追加

このため、燃料電池１０では、発電要求に応じた要求発電電流Ｉｍが得られるよう発電制御されるものの、水素ガスと酸素については、この要求発電電流Ｉｍに対応した供給量（基本供給量：ステップＳ１３０）を増量補正した供給量でそれぞれ供給される（ステップＳ１９０）。 - 特許庁

A manufacturing method of a magnetic recording medium at least includes a step of forming an intermediate layer composed of MgO on a non-magnetic substrate by a reactive DC sputtering method using targets including Mg and MgO in an oxygen-containing gas and a step of forming a magnetic recording layer including a L1_0 regular alloy on the intermediate layer.例文帳に追加

酸素含有ガス中でＭｇおよびＭｇＯを含むターゲットを用いる反応性ＤＣスパッタ法によって、非磁性基体にＭｇＯからなる中間層を形成する工程と、中間層の上に、Ｌ１_0系規則合金を含む磁気記録層を形成する工程とを少なくとも含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 - 特許庁

A method of producing a component including a single crystal substrate, on which at least one single crystal layer is deposited, includes one or several step/steps on deposition of a single crystal layer by powdering a metal or a semiconductor in gas plasma wherein deposition speed of an atom is slow compared with homogenization speed of such an atom in the step.例文帳に追加

本発明は、少なくとも１つの単結晶層が堆積された単結晶基板を含む構成要素の製作方法に関し、この方法は、気体プラズマ内の金属または半導体の粉末化による単結晶層の堆積に関する１つまたはいくつかのステップを含み、原子堆積の速度が、ステップ自体の中では、かかる原子の均質化速度より遅いことを特徴とする。 - 特許庁

In other words, the direction of the growth step flow can be oriented to almost one opposing to the reaction gas flow so that the growth of the single crystal may be stopped, whereby the succession of the defect growth of the micro pipe is suppressed in the seed crystal on its whole faces in the silicon carbide single crystal.例文帳に追加

つまり、成長ステップフローの向きが炭化珪素原料ガスの流れに略対向する向きで炭化珪素単結晶６が成長しないようにでき、種結晶４の全面において、種結晶４の中に存在するマイクロパイプ欠陥が炭化珪素単結晶６の中に継承することを抑制できる。 - 特許庁

The deformation force in the yielding direction applied by differential pressure between gas pressure of high pressure and the atmospheric pressure on the outside to the rotation side sliding ring 32 is canceled by the deformation force by the shaft direction component of the differential pressure acting in the direction being pressed against annular step difference part 21 of the shaft 2.例文帳に追加

回転側摺動環３２に高圧のガス圧力と機外の大気圧との差圧によって与えられる倒れ込み方向の変形力が、回転軸２の環状段差部２１への押し付け方向に作用する前記差圧の軸方向成分による変形力で相殺される。 - 特許庁

Then, on the surface of cathode side gas diffusion layer 30c of the membrane electrode assembly 52, a metal porous body 40c is arranged, on the surface of anode side gas diffusion layer 30a, a metal porous body 40a is arranged, and furthermore, to these respective surfaces, the cathode side metal plate 60c and the anode side metal plate 60a are respectively made contacted (step S 120).例文帳に追加

そして、膜電極接合体５２のカソード側ガス拡散層３０ｃの表面に、金属多孔体４０ｃを配置するとともに、アノード側ガス拡散層３０ａの表面に、金属多孔体４０ａを配置し、さらに、これらの各表面に、それぞれカソード側金属板６０ｃ、および、アノード側金属板６０ａを当接させる（ステップＳ１２０）。 - 特許庁

A control device 8 compares turbine outlet temperature TET and target temperature calculated based on present rotation speed Ne and power generating quantity Og, and estimates present deterioration quantity ΔLd of the gas turbine engine 2 based on the difference in step S6.例文帳に追加

制御装置８は、ステップＳ６で、現在の回転速度Ｎｅおよび発電量Ｏｇから求めた目標温度とタービン出口温度ＴＥＴとを比較し、その差に基づきガスタービンエンジン２の今回の劣化量ΔＬｄを推定する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a gas discharge display device capable of reducing a material cost and increasing production efficiency by simplifying the step for sticking an electrode sheet or a dielectric sheet when an electrode or a dielectric layer is formed on a substrate having irregularities on the surface.例文帳に追加

表面に凹凸を有する基板上に電極又は誘電体層を形成する際に、電極シート又は誘電体シートを貼着する工程を簡略化し、材料費の削減と生産効率の向上を可能にするガス放電表示装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The cobalt film depositing method for depositing the cobalt film on a substrate includes at least: a step (A) of subliming cobalt carbonyl complex under the presence of gas containing carbon monoxide; and a step (B) of feeding the sublimate of the cobalt carbonyl complex onto the substrate to be converted into cobalt.例文帳に追加

上記コバルト膜の形成方法は、基体上にコバルト膜を形成する方法であって、少なくとも（Ａ）一酸化炭素を含む気体の存在下でコバルトカルボニル錯体を昇華する工程と（Ｂ）基体上にコバルトカルボニル錯体の昇華物を供給してコバルトに変換する工程とを含むことを特徴とする方法である。 - 特許庁

The method of manufacturing the gas barrier film by applying a polysilazane film at least on one surface of a base material and carrying out plasma-treatment to form the barrier film includes: a first step of removing a solvent in the application of the polysilazane film before the plasma treatment; and a second step of successively removing water.例文帳に追加

基材の少なくとも片面にポリシラザン膜を塗布し、プラズマ処理を施してバリア層を形成するガスバリア性フィルムの製造方法において、該プラズマ処理前にポリシラザン膜の塗布時の溶媒を取り除く第一工程と、それに続き水分を除去する第二工程とを含むことを特徴とするガスバリア性フィルムの製造方法。 - 特許庁

Alternatively, this growth method includes a step of cleaning the interior of the reaction chamber 110 by introducing the HCl gas 1 into the reaction chamber 110 and a step of vapor-depositing the group III nitride crystal 11 while trapping an ammonia chloride powder generated as a by-product in a trap device 116 mounted on the cleaned reaction chamber 110.例文帳に追加

または、反応室１１０にＨＣｌガスを導入して反応室１１０内を洗浄する工程と、洗浄された反応室１１０に取り付けられたトラップ装置１１６内に副生成物として生成した塩化アンモニア粉末をトラップしながらＩＩＩ族窒化物結晶１１を気相成長させる工程と、を含む。 - 特許庁

The solid mainly composed of carbon in the iron manufacturing dust blown from the upper step tuyere 1A is supplied by controlling the grain diameter to be not larger than the upper limit grain diameter by which the grains are ascended together with exhaust gas in a furnace top space formed on the packing layer 3 of the verticals melting furnace 1 and able to be exhausted out of the furnace top.例文帳に追加

上段羽口1Aから吹き込む製鉄ダスト中の炭素系固体の粒径を、竪型溶融炉１の充填層３上に形成される炉頂空間内を排ガスとともに上昇し炉頂から炉外へ排出可能な上限粒径以下として供給する。 - 特許庁

A wafer support device 20 includes an electrostatic chuck 22 capable of adsorbing a silicon wafer W as an object of plasma processing, a guard ring 30 mounted on a step 26 of the electrostatic chuck 22, a cooling plate 40 placed on a backside of the electrostatic chuck 22 for cooling the electrostatic chuck 22, and a coolant gas flow path 50 arranged to supply a flow of coolant gas for cooling the guard ring 30.例文帳に追加

ウエハ載置装置２０は、プラズマ処理を施すシリコン製のウエハＷを吸着可能な静電チャック２２と、この静電チャック２２の段差部２６に載置された保護リング３０と、静電チャック２２の裏面に配置された静電チャック冷却用の冷却板４０と、保護リング３０を冷却するための冷却用ガスを供給する冷却用ガス通路５０とを備えている。 - 特許庁

The method includes: mounting a substrate into a processing vessel; and forming a nickel-containing film having a predetermined film thickness on the substrate by repeating, predetermined number of times, the cycle which includes a step of supplying a raw material including nickel and impurities into the processing vessel and a step of supplying an inert gas into the processing vessel.例文帳に追加

処理容器内に基板を収容する工程と、処理容器内にニッケルと不純物とを含む原料を供給する工程と、処理容器内に不活性ガスを供給する工程と、を１サイクルとしてこのサイクルを所定回数行うことにより、基板上に所定膜厚のニッケルを含む膜を形成する工程と、を有する。 - 特許庁

The method of manufacturing the fuel cell separator 20 for separating a gas between the adjacent cells of a fuel cell includes: a separator substrate forming step of molding an irregular face separator substrate 22 by a metal material such as a titanium material or stainless steel; and a conductive layer forming step of forming a conductive layer 24 only on the protruded side of the separator substrate 22 by a conductor such as gold (Au).例文帳に追加

隣設する燃料電池用セル間のガスを分離する燃料電池用セパレータ２０の製造方法であって、チタン材またはステンレス鋼等の金属材料で凹凸状のセパレータ基体２２を成形するセパレータ基体成形工程と、セパレータ基体２２の凸面のみに金（Ａｕ）等の導電体で導電層２４を形成する導電層形成工程と、を備える。 - 特許庁