「The Hump」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

A plurality of concave grooves 36 having approximately rectangular cross sections are formed in the upper and lower surfaces 32 and 31 in the vicinity of a hump part 34 receiving the maximum flexural deformation during stitching of the top tread member 30.例文帳に追加

トップトレッド部材３０のステッチング時に最も大きな曲げ変形を受けるハンプ部３４近傍の上下面３２、３１に、断面略矩形の複数の凹溝３６を形成する。 - 特許庁

In the rim 12, since a stepped part 52 suppresses movement of a partition wall part 24 to the outside of a tire, it is not required to form a tall hump part on the rim 12 and assembling of the rim is facilitated.例文帳に追加

リム１２では、段部５２が隔壁部２４のタイヤ外側への移動を阻むため、背の高いハンプ部をリム１２に形成する必要がなくリム組みが容易になる。 - 特許庁

the timid creatures ran from him, and even the Lancers, when he approached them up the Hump, turned swiftly into a side-walk, on the pretence that they saw him there. 例文帳に追加

臆病な生き物の妖精はピーターから逃げ回り、「あっちでピーターを見かけたぞ」なんてうそをついて、騎兵隊でさえピーターが丘に登ると、あわてて歩道へ引き返すしまつでした。 - James Matthew Barrie『ケンジントン公園のピーターパン』

To stably manufacture a MOS transistor which will not produce hump phenomenon by stably suppressing the occurrence of the recesses of the end of a trench element isolation region.例文帳に追加

トレンチ素子分離領域の端部の窪み発生を安定的に抑制し、ハンプ現象の生じないＭＯＳトランジスタを安定して製造できるようにする。 - 特許庁

To prevent a hump from occurring in the Id-Vg characteristics of a transistor due to the fact that a gate electrode is sneaked to a recess formed on the side of a trench isolation insulating film.例文帳に追加

トレンチ分離絶縁の側部に形成される掘れ下がり部にゲート電極が回り込んで、トランジスタのＩｄ−Ｖｇ特性にハンプが生じるのを防止する。 - 特許庁

The above drive IC 15 has at least a dummy hump 16a connected with a dummy pad 18a which functions as a heat sink among the pads 18 on the film substrate 14.例文帳に追加

そして、前記駆動用ＩＣ１５が少なくとも１つのダミーバンプ１６ａを有し、前記ダミーバンプ１６ａが前記基板１１上におけるパッド１８のうちで放熱手段として機能するダミーパッド１８ａと接続するように構成する。 - 特許庁

To provide a hump capable of reducing an undulation formed on the outside surface of a product by changing the chamfered shape of the rear end part of a roll for an Assel mill.例文帳に追加

アッセルミルロールの後端部の面取り形状を変更して製品外面状のうねりを低減させることが出来るアッセルミルロールのハンプを提供する。 - 特許庁

If your ability to accomplish a job does not exceed the peak (hump), on the difficulty scale for one job (project), then no matter how long you wait it will not be solved. 例文帳に追加

一つの仕事（プロジェクト）に於いて困難性の尺度で、仕事の遂行能力が、その頂上（ハンプ）を越えない場合は、何時まで待っても解決しない。 - Tanaka Corpus

To provide a semiconductor device and its manufacturing method by which the generation of hump can be suppressed in the electrical characteristic of a transistor and which can design a highly accurate MOS transistor circuit.例文帳に追加

トランジスタの電気的特性においてハンプの発生を抑制し、高精度なＭＯＳトランジスタの回路を設計できる半導体装置装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a dip coating method for a light bulb designed to prevent a coating material sagging hump from being formed on the spherical lower surface of the bulb at a low cost with an easy constitution.例文帳に追加

簡単な構成により、低コストで、球状の下面への塗料溜まりの形成を防止するようにした電球へのディップ塗装方法を提供する。 - 特許庁

Therefore, the concentration of a gate electric field on the edge of a channel region can be relaxed, so that a transistor high in reliability and having hump-free Id-Vg characteristics can be obtained.例文帳に追加

したがって、チャネル領域端部におけるゲート電界の集中を緩和することができ、Ｉｄ−Ｖｇ特性中のハンプのない信頼性の高い電界効果トランジスタが形成される。 - 特許庁

In this way, there is almost no effect on behavior of the whole thin film transistor, even if threshold voltages Vth in channel center portion and in channel edge portion differ from each other, and thereby indication failure resulting from the hump can be avoided.例文帳に追加

これにより、チャネル中央部とチャネルエッジ部とでしきい値電圧Ｖｔｈが異なる特性であっても、薄膜トランジスタ全体の特性には殆ど影響がなく、ハンプに起因する表示不良が回避される。 - 特許庁

To provide a pneumatic tire capable of reducing resistance when a bead heel part rides over a hump of a wheel and easily and certainly fitting a bead part to the wheel.例文帳に追加

ビードヒール部がホイールのハンプを乗り越える際の抵抗を低減することができ、ビード部をホイールに容易且つ確実に嵌合することのできる空気入りタイヤを提供する。 - 特許庁

To prevent the formation of a large hump inside a reverberatory furnace 21 by the burnt embers of shredder dust when the shredder dust is fed into the reverberatory furnace 21 for ore refinement and burnt, and to prevent the blowout of flames inside the furnace or the disturbance of the propagation of the combustion heat of a burner.例文帳に追加

鉱材製錬用の反射炉２１にシュレッダーダストを供給して燃焼させようとしたときに、シュレッダーダストの燃え残りによって反射炉２１内に大きな丘状部が形成されるのを防ぎ、炉内の火炎の吹き出しやバーナーの燃焼熱の伝播が妨げられるのを防止する。 - 特許庁

In this Assel mill rolling method for preventing the generation of the thickness deviation of the steel tube, the thickness deviation is prevented by performing rolling at a setup so that the rolling reduction of thickness in the Assel mill rolling method is 40-110% of the height of roll hump.例文帳に追加

鋼管の偏肉発生を防止するアッセルミル圧延方法において、アッセルミル圧延での肉厚圧下量をロールハンプ高さの４０〜１１０％となるセットアップで圧延することを特徴とすることにより偏肉発生を防止するアッセルミル圧延方法。 - 特許庁

In the case of a dark environment such as nighttime using the invention, the self-light emission type road tack automatically flickers and emits light according to the incorporated day/night sensor, so that the driver can be simply informed of the location of the speed hump.例文帳に追加

本発明を使用する夜間等の暗い環境の場合には、自発光式道路鋲は内臓された昼夜センサーにより、自動的に点滅発光するので、ドライーバーに対して、スピードハンプの所在位置を簡単に知らしめることができる。 - 特許庁

This double hump resonance antenna is provided with a first coil part 21 that is wound helically and a second coil part 23 that is wound helically and a connecting part 22 which is bent downward at the top end of the first coil part 21 and goes through the first coil part 21 along almost the center axis of the first coil part 21.例文帳に追加

ヘリカル状に巻回した第１コイル部２１と第２コイル部２３とを備えており、第１コイル部２１の上端を下方へ折曲して、第１コイル部２１のほぼ中心軸に沿って第１コイル部２１内を貫通している接続部２２を備えている。 - 特許庁

A pan of a storage device comprises a first pan 1 which supports a section from a tread to the sidewall of the unvulcanized tire GT laid horizontally and a second pan 2 which is arranged on the first pan 1 and supports a hump of the unvulcanized tire GT.例文帳に追加

保管装置の受け皿は、横置きされた未加硫タイヤＧＴのトレッド部からサイドウォール部迄を支持する第１の受け皿１と、第１の受け皿１上に配置され、未加硫タイヤＧＴのハンプ部を支持する第２の受け皿２からなる。 - 特許庁

The above drive IC 15 has at least a dummy hump 16a connected with a dummy lead 18a which is functioning as a heat sink among the leads 18 on the film substrate 14.例文帳に追加

そして、前記駆動用ＩＣ１５が少なくとも１つのダミーバンプ１６ａを有し、前記ダミーバンプ１６ａが前記フィルム基板１４における複数のリード１８のうちで放熱手段として機能するダミーリード１８ａと接続するように構成する。 - 特許庁

To provide a highly reliable semiconductor device capable of preventing the occurrence of a phenomenon (hump characteristics) in which a difference is generated in sub-threshold characteristics by removing a parasitic transistor caused by shapes of a border between an STI and a element region, accompanied by micro-processing and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

微細加工に伴うＳＴＩと素子領域の境界の形状に関る寄生トランジスタをなくし、サブスレッシホールド特性に段差ができる現象（ハンプ特性）が発生することを防止する高信頼性の半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To prevent loss in an SAC nitride film formed on an upper portion of a gate and improve the hump characteristics of a transistor in a planarizing process of an interlayer dielectric for subsequent formation of a contact plug, even if a surface roughness exists on a metal silicide layer.例文帳に追加

金属シリサイド層に表面粗さが存在しても、後続のコンタクトプラグの形成のための層間絶縁膜の平坦化工程の際、ゲートの上部に形成されたSAC窒化膜の損失を防止し、トランジスタのハンプ特性を改善すること。 - 特許庁

The gripper has a banding material contact portion shaped to cooperate with a slot provided within a banding material support platform of the gripping body such that during the above gripping (i), the banding material is deformed into the slot to reduce the possibility that (i) results in a hump in the banding material forwardly of the gripper that can prevent the gripper from effectively sliding over the banding material in (ii).例文帳に追加

このグリッパーは、グリッピング体の帯締め材支持プラットフォーム内に設けられたスロットと、上記（ｉ）のグリップの間、帯締め材がスロット内へ変形して押し込まれ、それにより、（ｉ）が帯締め材のグリッパーの前方へのハンプ（こぶ）となり、これがグリッパーが（ｉｉ）において帯締め材全体にわたり効果的に滑ることを妨げ得る可能性を減じるよう協働する形状の帯締め材接触部分を有する。 - 特許庁

Since a soft part 15 comprising a softer rubber material than the other portion is provided on a surface side of the bead heel part 13b, the resistance when the bead heel part 13b rides over the hump 24 of the wheel 20 can be reduced by deformation of the soft part 15, and the bead part 13 can be easily and certainly fitted to the wheel 20.例文帳に追加

ビードヒール部１３ｂの表面側に他の部分よりも軟質のゴム材料からなる軟質部１５を設けたので、ビードヒール部１３ｂがホイール２０のハンプ２４を乗り越える際の抵抗を軟質部１５の変形により低減することができ、ビード部１３をホイール２０に容易且つ確実に嵌合することができる。 - 特許庁

A hump 7 is formed on a bead seat part 6 of a rim 8 having the curls 4 of rectangular section at both ends obtained in this manner, a water drain hole 9 is formed in the curls 4, a valve hole 11 for sealing air for the tire is opened in one drop inclination part 10, and a disk is fitted in the cylinder of the rim 8 to obtain the two-piece wheel.例文帳に追加

このようにして得られた両端部に断面矩形のカール４を有するリム８に対し、ビードシート部６にハンプ７を設け、そのカール４に水抜き穴９を開け、一方のドロップ傾斜部１０にタイヤへの空気封入用のバルブ穴１１を開け、ディスクをリム８の円筒内に取り付ければ、２ピースホイールが得られる。 - 特許庁

The light emission type road tack is an LED flickering light emission type incorporating a day/night sensor, so that in the case of an environmental status having inferior visibility such as nighttime, rainy weather or a dense fog, the tack automatically emits light so that the driver can be clearly and surely informed of the installation position of the speed hump.例文帳に追加

発光式道路鋲は、昼夜センサーを内臓したＬＥＤ点滅発光式なので、夜間や雨天時や濃霧等での視認性の悪い環境状況下の場合に、自動的に点滅発光するので、ドライバーにスピードハンプの設置位置を、明確にしかも確実に知らしめることが出来ることを特徴とする発光式スピードハンプシステム。 - 特許庁

That part of the bead portion 21 abutting on the hump 16 and/or the rim 12 which is tire-axially outward from a bead seat portion 24 and is at least a bead heel portion 25 is covered with covering layers 31, 33 made of a thermoplastic resin or a thermoplastic elastomer composition as a blend of a thermoplastic resin component and an elastomer component.例文帳に追加

ハンプ１６及び／またはリム２１に当接するビード部２１のビードシート部２４よりタイヤ軸方向外側でかつ少なくともビードヒール部２５が、熱可塑性樹脂または熱可塑性樹脂成分とエラストマー成分とをブレンドした熱可塑性エラストマー組成物からなる被覆層３１，３３で被覆されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of avoiding the occurrence of an undesirable hump phenomenon by a response of drain current Id by gate voltage Vg by a parasitic transistor to be generated in an edge portion of an active region adjacent to an interface between an isolation region and the active region.例文帳に追加

素子分離領域と活性領域との界面に隣接した活性領域のエッジ部分に生じる寄生トランジスタによって、ゲート電圧Ｖｇによるドレイン電流Ｉｄの応答で好ましくないハンプ現象の発生を回避することができる半導体素子半導体素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A method for fabricating a cellular trench MOSFET includes depositing a first photoresist atop a first epitaxial (epi) layer to pattern a trench area, depositing a second photoresist atop a first gate conductor layer to pattern a mesa area, etching away part of the first gate conductor layer in the mesa area to form a second gate conductor layer with a hump, and titanizing crystally the second gate conductor layer to form a Ti-gate conductor layer.例文帳に追加

多孔質のＭＯＳＦＥＴの製造方法は、トレンチ領域をパターニングするために第１のエピタキシャル（エピ）層の上に第１のフォトレジストを堆積する段階と、メサ領域をパターニングするために第１のゲート導体層の上に第２のフォトレジストを堆積する段階と、ハンプを有する第２のゲート導体層を形成するために前記メサ領域の前記第１のゲート導体層の部分をエッチング除去する段階と、Ｔｉゲート導体層を形成するために前記第２のゲート導体層を結晶的にチタン化する段階と、を含む。 - 特許庁