「base element」に関連した英語例文の一覧と使い方(69ページ目) - Weblio英語例文検索

The whitening treatment liquid includes a base liquid of 1 kg, which is prepared by mixing phosphoric acid with sulfuric acid, and additionally a bismuth compound of 0.001 to 0.020 moles in terms of a bismuth element; and preferably further includes additionally a nitrogen-containing polycarboxylic acid.例文帳に追加

リン酸および硫酸を混合してなる基本液１ｋｇに対して、ビスマス化合物をビスマス元素として０．００１〜０．０２０モル添加してなることを特徴とし、好ましくは、更に含窒素ポリカルボン酸類を添加してなる白色処理液。 - 特許庁

When preforms 4A, 5A are supported and fixed, a cylinder 18 is activated to move the support base 13 and the lower mold body 14 upward, and during this upward movement, the core element 16 and the slider 17 are slid toward relatively outside along the inclined pin 15.例文帳に追加

プリフォーム４Ａ，５Ａの支持固定に際しては、シリンダ１８を作動させることで支持台１３及び下型本体１４を上動させ、この上動に際し、中子要素１６及びスライダ１７を傾斜ピン１５に沿って相対的に外方へスライドさせる。 - 特許庁

A TAB tape material is prepared by successively covering one surface of a metallic plate 3 which has the thickness corresponding to the thickness of a semiconductor element and works as a reinforcing plate with a plastic base material layer 2 and a copper foil layer 1 manufactured without using an adhesive.例文帳に追加

略半導体素子の厚味に相当する厚味を有する補強板としての金属板３の片面を、プラスチック基材層２と、接着剤を用いずに製作した銅箔層１とで順次に覆って成るＴＡＢテープ材料２０を用意する。 - 特許庁

In this sheet 1 for browning used for cooking foods with microwave, a heating element 8 heated with the microwave is deposited only on at least a part of one face of a base body 2 on which metallic deposit is allowed.例文帳に追加

食品のマイクロ波調理の際に使用される焦げ目付用シート１において、金属蒸着可能な基体２における少なくとも片面の一部のみに、マイクロ波により発熱する発熱体８が蒸着されていることを特徴とする。 - 特許庁

When the head 5 attached to the rotary drum 1 via a head base 6 is rotated at a high speed, the floating phenomenon of a magnetic tape is analyzed as a relational problem between fluids (air film) and a structure by using a correction Reynolds equation and a limited element method.例文帳に追加

ヘッドベース６を介して回転ドラム１に取り付けられたヘッド５が高速回転するとき、磁気テープの浮上現象を、流体（空気膜）と構造物との連成問題として修正レイノルズ方程式と有限要素法とを用いて解析した。 - 特許庁

The base plate 12 has laminated structure equipped with a surface layer 12c where the optical element is supported and which is partially etched and an etching stopper layer 12b functioning as an etching stopper to an etching medium for the surface layer under the surface layer.例文帳に追加

支持基板１２は、前記光学素子が支持され部分的にエッチング処理を受ける表層１２ｃと、該表層下にあって該表層のためのエッチング媒体に関してエッチングストッパとして機能するエッチングストッパ層１２ｂとを備える積層構造を有する。 - 特許庁

As a result, characteristics of element can be improved because diffusion of impurity in the base region is controlled with the semiconductor region including carbon, and the semiconductor region including carbon having higher resistance is not formed at the lower side of the polycrystal SiGe 30.例文帳に追加

その結果、ベース領域中の不純物の拡散が炭素を含有した半導体領域によって抑えられ、また、多結晶ＳｉＧｅ３０の下部に高抵抗の炭素を含有した半導体領域が形成されず、素子の特性が良くなる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device whose source region and base region are formed by ion injection by using the same mask and a manufacturing method therefor by improving the tradeoff relation between a channel resistance and a JFET resistance which is a problem arising when an element is made thin.例文帳に追加

素子の微細化で問題となるチャネル抵抗とＪＦＥＴ抵抗のトレードオフの関係を改善し、ソース領域とベース領域をイオン注入で作製するときに同一のマスクを用いて作製する半導体装置及びその製造方法を得る。 - 特許庁

The modulation light source 1 comprises a DBR laser 2 including a DBR 5, a phase 6 and the active portion 7, a light wavelength converting element 3 which outputs SHG light by receiving a base wave from the DBR laser 2, and a control means 4 for controlling the DBR laser 2.例文帳に追加

変調光源1は、ＤＢＲ部5と位相部6と活性部7とを有するＤＢＲレーザー2と、ＤＢＲレーザー2から基本波を受けてＳＨＧ光を出す光波長変換素子3と、ＤＢＲレーザー2を制御する制御手段4とを有する。 - 特許庁

The composition as a base material of an optical element contains a polythiol compound (e.g. a compound essentially comprising 1,1,3,3-tetrakis(mercaptomethylthio)propane), aromatic polyisocyanate (e.g. m-xylylene diisocyanate) and alicyclic polyisocyanate (e.g. norbronane diisocyanate).例文帳に追加

ポリチオール化合物（例えば、１，１，３，３−テトラキス（メルカプトメチルチオ）プロパンを主成分とする化合物）と、芳香族ポリイソシアネート（例えば、ｍ−キシリレンジイソシアネート）と、脂環族ポリイソシアネート（例えば、ノルボルナンジイソシアネート）とを含む光学素子の基材用の組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a colored ceramic sintered compact for a laminated package which is improved in splittability without impairing sinterability in a ceramic sintered compact for using as an insulating base of a multilayer wiring board for mounting a semiconductor integrated circuit element.例文帳に追加

半導体集積回路素子を搭載する多層配線基板の絶縁基体に用いるセラミック焼結体において、焼結性を損なうことなく分割性を向上させた積層パッケージ用着色セラミック焼結体を提供することを目的とする。 - 特許庁

A pulse generator 7 divides its Peltier element on time Ton into a plurality, generates a predetermined pulse voltage with the divided time set as each pulse width, dispersively disposes the generated pulse voltage on a time base, and sequentially outputs the pulse voltages.例文帳に追加

パルス生成回路７は、そのペルチェ素子オン時間Ｔｏｎを複数に分割し、この分割した各時間を各パルス幅とする所定のパルス電圧をそれぞれ生成し、この生成パルス電圧を時間軸上に分散配置して順次出力する。 - 特許庁

The semiconductor pressure sensor has a semiconductor pressure sensor element comprising a semiconductor pressure sensor chip 1 having a diaphragm 1a and a base 2 having a pressure introduction hole 2a, and a package 3 where a lead frame 4 and a pipe 5 are molded.例文帳に追加

この半導体圧力センサは、ダイヤフラム１ａを有する半導体圧力センサチップ１と圧力導入孔２ａを有する台座２とを有する半導体圧力センサ素子と、リードフレーム４とパイプ５とがモールド成形されたパッケージ３とを有する。 - 特許庁

The organic EL element is composed of a two-layer type cathode 2 formed on a glass base board 1, an electron transport layer 3 consisting of pentacene polycrystal formed on the cathode 2, and a transparent anode 7 formed on the electron transport layer 3.例文帳に追加

この有機ＥＬ素子は、ガラス基板１上に形成された２層型陰極２と、２層型陰極２上に形成されたペンタセン多結晶からなる電子輸送層３と、電子輸送層３上に形成された透明陽極７とを備えている。 - 特許庁

The electrode for generating hydrogen has a hydrogen adsorbing layer comprising an oxide containing at least one kind of an element selected from Pd, Ta, Nb, Ti, Ni, Zr and lanthanum based metals or carbon, formed on a catalytic layer formed on the surface of a conductive base material.例文帳に追加

導電性基材表面に形成した触媒層に、Pd、Ta、Nb、Ti、Ni、Zr及びランタン系金属から選択される少なくとも１種類の元素を含む酸化物又はカーボンから成る水素吸着性層を形成した水素発生用電極。 - 特許庁

The electrode catalyst for the fuel cell carries on a conductive carrier a ternary catalyst particle containing at least one base metal element selected from platinum, titanium, zirconium, vanadium, chromium, manganese, iron, nickel, copper and zinc, and iridium.例文帳に追加

導電性担体上に、白金、チタン、ジルコニウム、バナジウム、クロム、マンガン、鉄、ニッケル、銅、亜鉛から選択される１種以上の卑金属元素及びイリジウムを含む三元系触媒粒子が担持されたことを特徴とする燃料電池用電極触媒。 - 特許庁

To provide a surface acoustic wave element which is capable of stably maintaining a filter without causing damage to it even if it is dynamically brittle, and being improved in response making contact between a base material and an external atmosphere better through the filter.例文帳に追加

力学的に脆弱なフィルターであっても、これを破損することなく安定に維持できるとともに、フィルターを通しての基材と外部雰囲気との接触を良好にして応答性を向上できる弾性表面波素子を提供する。 - 特許庁

The base body 22 for an electrostatic chuck 20 being a member of a semiconductor manufacturing apparatus is composed of an yttrium oxide material containing at least yttrium oxide (Y_2O_3), silicon carbide (SiC), and a compound containing an RE (rare-earth element), Si, O, and N.例文帳に追加

半導体製造装置用部材である静電チャック２０の基体２２は、酸化イットリウム（Ｙ_2Ｏ_3）と、炭化珪素（ＳｉＣ）と、ＲＥ（希土類元素）とＳｉとＯとＮとを含む化合物と、を少なくとも含む酸化イットリウム材料により構成されている。 - 特許庁

To materialize the manufacture of a semiconductor device where a package base and a semiconductor chip are united, and is capable of giving a marking mark for marking of type or manufacture history or marking of the directionality of an element, or the like.例文帳に追加

パッケージベースと半導体チップとが一体化された半導体装置であって、型名や製造履歴の表示、あるいは、素子の方向性表示等の識別記号を付与することが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

A composite sensor element 1 comprises: a supporting section 12; a gyro vibration piece 10 which has vibration arms 13 and 14 provided with driving electrodes 15a and 15b; and a mass section 2 which has an elastic beam section where a base section 3 and a spindle section 5 are connected.例文帳に追加

複合センサー素子１は、支持部１２、および、駆動電極１５ａ，１５ｂが設けられた振動腕１３，１４を有するジャイロ振動片１０と、基部３および錘部５が弾性を有する梁部により接続された質量部２と、を備えている。 - 特許庁

An optical device provided in an optical pickup 20 is composed of 1st and 2nd light sources 21, 22, an optical branching element 25, a condenser lens 27, a mounting base 28, a photodetector 26, and projecting pieces 29 formed on the condenser lens 27.例文帳に追加

光ピックアップ２０に備わる光学装置３２は、第１および第２光源２１，２２と、光分岐素子２５と、集光レンズ２７と、装着基台２８と、受光素子２６と、集光レンズ２７に形成される突出片２９とを含む構成である。 - 特許庁

The light-emitting device includes: a laminate (light-emitting element) composed of a base plate 2, a first electrode 3, a light-emitting layer 4, and a second electrode 5; and a cured film 1 which is the cured product of the curable resin composition formed around the laminate.例文帳に追加

本発明の発光装置は、基板２と、第１電極３、発光層４、及び第２電極５からなる積層体（発光素子）と、この積層体の周囲に形成させた前記硬化性樹脂組成物の硬化体である硬化膜１とを含む。 - 特許庁

A micro piezoelectric motor 100 is provided with a mechanism section composed of a rotary moving body 1, a vibrating body block 2, and a base chassis 3 and the vibrating block 2 has three bending and displacing mechanism sections 22 each having such a structure that a piezoelectric element 21 is expanded on and stuck to a substrate 24.例文帳に追加

マイクロ圧電モータ１００は、回転移動体１と振動体ブロック２と基盤シャーシ３とにより機構部を構成しており、振動体ブロック２は、支持体２４に圧電素子２１を展着した構造の屈曲変位機構部２２を３つ持つ。 - 特許庁

A timing signal generating section 124b of a drive signal generating section 124 of an electronic still camera is provided corresponding to each mode selected by a mode selection section (not shown) and V-drivers 14a, 14b generate a base potential respectively to specify a signal charge capacitance of a light receiving element respectively.例文帳に追加

電子スチルカメラ10は、駆動信号生成部124 のタイミング信号発生部124bがモード選択部（図示せず）で選択される各モードに対応して備えられ、受光素子の信号電荷容量を規定する基板電位がV-ドライバ14a, 14bでそれぞれ生成される。 - 特許庁

A display device board 8 is disposed on a light emitting diode element board 12 and the display surfaces of the display devices 7 and 15 provided on the display device board 8 may be made visually recognizable from the hollow shaft 5 provided protruding from the base board 4 and a protrusion member 16.例文帳に追加

尚、発光ダイオード素子基板１２に表示器基板８を配し、かかる表示器基板８に設けられた表示器７、１５の表示面が、基板４から突設された中空軸５や突起部材１６から視認できるようにしてもよい。 - 特許庁

By this, when compared with a conventional battery in which the limit current protecting element is mounted on a circuit board, the down-sizing and the weight-reduction can be aimed at, and furthermore, a terminal part ranged to the external circuit can be prevented from directly contacting with the electroconductive base part 24.例文帳に追加

これにより、限流保護素子を回路基板に搭載した従来のものに比べて小型軽量化を図ることができ、また、外部回路に連なる端子部が直接導電性ベース部２４に接触するのを防止することができる。 - 特許庁

At this time, a base end of the lock 6 is rotatably supported by a shaft element 8 on a supporting piece 7 formed to protrude outward on part of the shoulder cover 5, and is inserted between protective walls 9 and 9 at a constant interval formed on the shoulder member 4.例文帳に追加

このとき、肩カバー５の一部に外方に突出させて形成した支持片７に係止具６の基端部を軸体８によって回動自在に支持させておき、肩部材４に形成した一定間隔の保護壁９，９の間に挿入させる。 - 特許庁

The N pieces of data of the N divided element regions are not transmitted as undividable data from a base station 3 but divided and transmitted so that the transmission of any unnecessary part can be deleted, and the traffic amounts of a communication network 1 can be reduced for that.例文帳に追加

Ｎ個のＮ分割要素領域のデータは、基地局３から不可分割データとして送信されず分割されて送信されるので、不必要部分の送信が削除され、その分だけ通信ネットワーク１のトラフィック量が減殺される。 - 特許庁

A substrate 1 is obtained by forming a growth underlayer 1b composed of a group III nitride in which molar fraction of Al element against all contained group III elements is ≥50% on a 6H-SiC base material 1a by, for example, a MOCVD method.例文帳に追加

６Ｈ−ＳｉＣ基材１ａの上に、含有する全てのIII族元素に対するＡｌ元素のモル分率が５０％以上であるIII族窒化物からなる成長下地層１ｂを例えばＭＯＣＶＤ法によって形成して基板１を得る。 - 特許庁

A relation of α3>α2>α1 holds, where α1 is the linear expansion coefficient of the piezoelectric substrate 200 of the piezoelectric vibrator 20, α2 is the linear expansion coefficient of a dielectric substrate 210 of the capacitive element 21, and α3 is the linear expansion coefficient of the base 1.例文帳に追加

圧電振動子２０の圧電基板２００の線膨張係数をα１とし、容量素子２１の誘電基板２１０の線膨張係数をα２とし、ベース板１の線膨張係数をα３としたとき、α３＞α２＞α１を満たす。 - 特許庁

A blue light emitted from a semiconductor light-emitting element 2 is transmitted through a sealing resin 3 and arrives at a wavelength conversion portion 4 in which a phosphor 41 is formed on an upper surface 400 of a transparent base material 40 on an opening of a recess portion 10 of a substrate 1.例文帳に追加

半導体発光素子２から放射された青色光は、封止樹脂３を透過して、基板１の凹部１０の開口にある透明基材４０の上面４００に蛍光体４１が形成されている波長変換部４に到達する。 - 特許庁

An LED light source 20 is constructed of an LED element groups 21 which makes one round in a ring shape along the outer circumference face of the body 10 and of which the irradiation direction is established so as to emit light toward the direction of a base on the opposite side.例文帳に追加

ＬＥＤ光源２０は、本体１０の外周面に沿ってリング状に一周し、反対側の口金の方向に向かって光を照射する様に照射方向を設定されたＬＥＤ素子群２１，２１，…によって構成される。 - 特許庁

The stem 1 of a base is fixed with a mount stand 3 on which a semiconductor light emitting element 2 is mounted, the stem 1 is also fixed with a cylindrical case 4 having an opening, and a package 6 is formed so that the mounting stand 3 can be surrounded.例文帳に追加

基台のステム１には半導体発光素子２が搭載されたマウント台３が固定され、開口部を有する円筒形状のケース４が同じくステム１に固定されて前記マウント台３を包囲してパッケージ６が形成されている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a die for forming an optical element excellent in a die releasing property to glass, without deficiency concerning films such as exfoliation, cracking, and deterioration of base material of the die, and excellent in durability and economical efficiency.例文帳に追加

本発明は、ガラスに対する離型性に優れ、剥離、クラック等の膜に関する不具合が無く、また、型母材の劣化もなく、耐久性、経済性に優れた光学素子成型用型を得ることができる製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The tunnel magnetoresistive element comprises a first ferromagnetic body, a second ferromagnetic body, and an insulator sandwiched between these ferromagnetic bodies wherein at least one ferromagnetic body has a single crystal of full Heusler alloy grown epitaxially on the (110) face of a base material.例文帳に追加

第１の強磁性体と、第２の強磁性体と、これら強磁性体間に挟まれて存在する絶縁体とを具え、強磁性体の少なくとも一方は、基材上に(110)面にエピタキシャル成長したフルホイスラー合金の単結晶を有する。 - 特許庁

The vibration element 20 is formed by increasing the width of the base section 22 at least two times larger than the width dimension (t6) of a vibrator section 23 and positioning the center gravity at a region within the range of [±2×t6] to the center axis in the longitudinal direction of the vibrator section 23.例文帳に追加

振動素子２０は、基部２２を振動子部２３の幅寸法（ｔ６）の２倍よりも大きな幅とするとともに、振動子部２３の長手方向の中心軸線に対して［±２×ｔ６］の範囲内の領域に重心を位置させて形成する。 - 特許庁

To improve wiring workability and shorten the working time by connecting an element apparatus and an intermediate connection unit using a connector connection terminal that is sharable in the use of wires between both the apparatus and the unit, and by replacing the wires on a terminal base.例文帳に追加

要素機器と中間接続ユニット間の接続は双方間の配線を共用化できるコネクタ接続端子を介し行い、配線換えは端子台で行うことにより、配線作業性の向上や作業時間の短縮を図ろうとするものである。 - 特許庁

The control part 4 inputs a voltage and a current generated at a tertiary winding 53 of the transformer 5, and controls a base current of the switching element 3 on the basis of the input value so that at least either of the amplitude or the frequency of a secondary winding 52 of the transformer 5 is varied.例文帳に追加

制御部４は、トランス５の３次巻線５３で発生する電圧、電流を入力し、この値に基づき、トランス５の２次巻線５２の振幅と周波数の少なくとも一方が変化するよう、スイッチング素子３のベース電流を制御する。 - 特許庁

The slow axis AX3 of the base film 31 is oriented in the vertical direction being the direction intersecting with the slow axis AX1 of a right-eye region 32A of the retardation element 30 and the slow axis AX2 of a left-eye region 32B thereof.例文帳に追加

基材フィルム３１の遅相軸ＡＸ３が垂直方向を向いており、位相差素子３０の右目用領域３２Ａの遅相軸ＡＸ１および左目用領域３２Ｂの遅相軸ＡＸ２と交差する方向を向いている。 - 特許庁

A multi-collector type npn transistor Tr1 included in the IIL element comprises an n-type emitter layer Tr1E, p-type base layer Tr1B, and n-type collector layer Tr1C which are formed vertically in this order from the rear face to the front face side of a semiconductor substrate 101.例文帳に追加

ＩＩＬ素子に含まれたマルチコレクタ型ＮＰＮトランジスタＴｒ１は、半導体基板１０１の裏面側から表面側へ向かう縦方向に順にＮ型エミッタ層Ｔｒ１Ｅ、Ｐ型ベース層Ｔｒ１Ｂ、Ｎ型コレクタ層Ｔｒ１Ｃを備える。 - 特許庁

The stem 1 is composed of an eyelet 10 serving as a base, a protective unit 14 provided upright at the peripheral edge of the eyelet 10, and a heat dissipating unit 12 which is arranged upright on the eyelet 10 inside the protective unit 14 and provided with a side where the optical semiconductor laser element is mounted.例文帳に追加

基体部を構成するアイレット１０と、アイレット１０の周縁部に立設された防御部１４と、アイレット１０上であって、かつ防御部１４の内側に立設され、側面に光半導体素子が実装される放熱部１２とを含む。 - 特許庁

In the gas sensor element 1, the surface of the solid electrolyte 11 is provided with the measured-gas-side lead section 122 for electrically connecting a measured-gas-side terminal 123 disposed at the base end of the solid electrolyte 11 to the measured-gas-side electrode 121.例文帳に追加

ガスセンサ素子１は、固体電解質体１１の基端部に設けた被測定ガス側端子１２３と被測定ガス側電極１２１とを電気的に接続する被測定ガス側リード部１２２を、固体電解質体１１の表面に設けてなる。 - 特許庁

To provide a thermosensitive resistance element shaped uniformly in a conductive member and its connection part respectively, with improved connection strength between the conductive member and a base body, and provided with excellent durability for the connection part and to provide a flow rate sensor with excellent reliability and measurement precision.例文帳に追加

導通部材及びその接合部の形状が均一で、導通部材と基体との接合強度、更には接合部の耐久性に優れた感温性抵抗素子、及び信頼性、測定精度に優れた熱式流量センサを提供する。 - 特許庁

The piezoelectric element 71 is put between an inner projection part 15 of the plug case 1 and an outer projection part 64 of the center shaft 6, the combustion pressure detection mechanism 70 is formed between a case base end part 12 of the plug case 1 and the center shaft 6.例文帳に追加

圧電素子７１は、プラグケース１の内方突出部１５と中軸６の外方突出部６４との間に挟持され、この燃焼圧検知機構７０は、プラグケース１のケース基端部１２と中軸６との間に形成されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor lens capable of preventing incidence of infrared rays into a light receiving surface of an infrared detection element through a base part that is a portion other than a lens part, an infrared detector using the lens, and to provide a method of manufacturing the semiconductor lens.例文帳に追加

レンズ部以外の部位であるベース部を通して赤外線検出素子の受光面へ赤外線が入射するのを防止することが可能な半導体レンズおよびそれを用いた赤外線検出装置、半導体レンズの製造方法を提供する。 - 特許庁