「boundary current」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

A display control part 20 accepts an instruction of page turning, calculates a coordinate of display boundary between a current image that is an image displayed at the time of acceptance and a next image to be displayed after page-turning, and calculates a display position and a displayed area of a back-page image based on the display boundary.例文帳に追加

表示制御部２０は、ページめくりの指示を受け付け、受け付けの際に表示していた画像である現画像と、ページめくり後に表示する次画像と、の表示境界の座標を算出し、表示境界に基づいて、裏ページ画像の表示位置及び表示対象領域を算出する。 - 特許庁

To provide a mobile radio terminal equipment capable of preventing a consumption of a consuming current by preventing frequent handing-off even when the equipment is disposed at a boundary of cells of a plurality of base stations.例文帳に追加

複数の基地局のセル境界に位置しても、ハンドオフが頻発することを防止して、消費電流の浪費を防止することが可能な移動無線端末を提供する。 - 特許庁

The magnetic paths for the magnetic fluxer Φ1 and Φ2 generated by current flowing in each of the coil conductor 21 and 22 are substantially separated from each other with the magnetic layer 11 as a boundary.例文帳に追加

コイル導体２１、２２のそれぞれに流れる電流によって生じる磁束Φ１、Φ２に対する磁路は、磁性層１１を境界として互いに実質的に分離される。 - 特許庁

A vfiler boundary check is performed by the file system to verify that a current vfiler is allowed to perform access to certain storage resources for a requested file stored on the filer platform.例文帳に追加

ファイルシステムによってvfiler境界チェックが実施され、要求のあったファイラープラットフォーム上に格納されたファイルについてカレントvfilerが特定のストレージリソースへのアクセスが可能であるか判定される。 - 特許庁

To provide a structure in which current hardly concentrates to the boundary part between IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) and diode at the time of diode recovery action, in a semiconductor device equipped with diode-built-in IGBTs.例文帳に追加

ダイオード内蔵ＩＧＢＴ素子を備えた半導体装置において、ダイオードリカバリ動作時にＩＧＢＴとダイオードとの境界部に電流が集中しにくい構造を提供する。 - 特許庁

To reduce junction leakage current in a boundary between an element isolation film and a diffusion layer without any increase in area of an element formation region at the time of forming a silicide film on the diffusion layer.例文帳に追加

拡散層上にシリサイド膜を形成する時に、素子形成領域の面積増加なしに、素子分離膜と拡散層の境界部における接合リーク電流を低減する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of suppressing a reverse current in a boundary without forming a deep isolation structure formed between a diode region and an IGBT region.例文帳に追加

ダイオード領域とＩＧＢＴ領域の間に形成される分離構造を深くすることなく、境界部における逆電流を抑制することができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a lithium ion battery having excellent adhesive strength and a low electric resistance on the boundary surface between a negative current collector and a positive electrode active material.例文帳に追加

本発明は負電流コレクタと陽極活性物質間の境界面が良好な接着力および低い電気抵抗を有するリチウムイオン電池を提供することを目的とする。 - 特許庁

To perform control in a current boundary state and to avoid a remarkable cost increase accompanied by the control, in a DC voltage conversion circuit of a flyback constitution.例文帳に追加

フライバック型構成の直流電圧変換回路において、電流境界状態での制御を実現するとともに、そのために著しいコスト上昇を伴わないようにする。 - 特許庁

To provide a method for fabricating a semiconductor device employing a laser crystallization process capable of preventing formation of a grain boundary in the channel forming region of a TFT, significant lowering in mobility of the TFT due to the grain boundary, reduction of on current and increase of off current, and to provide a semiconductor device fabricated by that method.例文帳に追加

ＴＦＴのチャネル形成領域に粒界が形成されるのを防ぎ、粒界によってＴＦＴの移動度が著しく低下したり、オン電流が低減したり、オフ電流が増加したりするのを防ぐことができるレーザー結晶化法を用いた、半導体装置の作製方法及び該作製方法を用いて作製された半導体装置の提供を課題とする。 - 特許庁

To provide a method for forming a semiconductor device which uses a laser crystallizing method capable of preventing a grain boundary from being formed in a channel forming region of a TFT, preventing the mobility of a TFT from being markedly decreased by the grain boundary, and preventing a decrease in on-current and an increase in off-current, and to provide a semiconductor device formed by using the forming method.例文帳に追加

ＴＦＴのチャネル形成領域に粒界が形成されるのを防ぎ、粒界によってＴＦＴの移動度が著しく低下したり、オン電流が低減したり、オフ電流が増加したりするのを防ぐことができるレーザー結晶化法を用いた、半導体装置の作製方法及び該作製方法を用いて作製された半導体装置の提供を課題とする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device and the semiconductor device manufactured by using the manufacturing method which use a laser crystallizing method capable of preventing a grain boundary from being formed in a channel formation area of a TFT and of preventing a movement degree of the TFT from being considerably lowered by the grain boundary, an ON current from being reduced or an OFF current from being increased.例文帳に追加

ＴＦＴのチャネル形成領域に粒界が形成されるのを防ぎ、粒界によってＴＦＴの移動度が著しく低下したり、オン電流が低減したり、オフ電流が増加したりするのを防ぐことができるレーザー結晶化法を用いた、半導体装置の作製方法及び該作製方法を用いて作製された半導体装置の提供を課題とする。 - 特許庁

A wiring structure is formed, a background (temperature, current density) is solved by a finite element method, and a diffusion analysis is carried out by the use of an electron wind power proportional to a current density and diffusion coefficients (lattice, grain boundary, interface, surface) related to crystal structures, to obtain void density.例文帳に追加

配線の構造を作成し、背景場（温度、電流密度）を有限要素法で解き、電流密度に比例した電子風力と各結晶構造に関わる拡散係数（格子、粒界、界面、表面）を用いて拡散解析を行い、空孔濃度を求める。 - 特許庁

When the lot figure is not set within the drawing area, and when the lot divided by the boundary line '7'-'8'-'9' between the quadrature lands and the residual land is set within the drawing area, the divided drawing is drawn on the basis of the divided figure of the current reduced scale and the current rotational point.例文帳に追加

この土地区画図形が作図エリアに収まらない場合、土地区画を求積地・残地間境界線“７”−“８”−“９”で分割して作図エリアに収まれば、そのときの縮尺及び回転位置の分割図形に基づき分属図を作成する。 - 特許庁

A Bs value setting section 50 is provided with an access determination section 57 for allowing a memory access enable signal and a copy enable signal to become inactive when a target edge of a current block does not belong to a variable block boundary.例文帳に追加

Ｂｓ値設定部５０は、カレントブロックの対象エッジが可変ブロック境界に属していない場合に、メモリアクセスイネーブル信号及びコピーイネーブル信号を非アクティブにするアクセス判定部５７を備える。 - 特許庁

Thereby the boundary part of the N pole and the S pole of the magnet rotor 23 can be made to surely face the 3-phase armature coils which turn into the current flowing phases from among the 5-phase armature coils A21-E21.例文帳に追加

これにより、５相の電機子コイルＡ２１〜Ｅ２１のうちの通電相となる３相の電機子コイルにマグネットロータ２３のＮ極とＳ極の境界部分を確実に対向させることができる。 - 特許庁

By the application of the prescribed OFF voltage V_L2, a hole is captured on a boundary level of the surface of a semiconductor substrate, thermal excitation electrons are hardly excited from a valence band to a conduction band and therefore a dark current is suppressed.例文帳に追加

Ｖ_Ｌ２の印加により、半導体基板表面の界面準位にホールが捕獲され、熱励起電子が価電子帯から伝導帯へ励起されにくくなり、暗電流が抑制される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device whose leakage current caused by crystal defects is small, a margin needed for the boundary of well areas is small, and having a DTMOS and a substrate bias variable transistor.例文帳に追加

結晶欠陥に起因するリーク電流が少なく、かつ、ウェル領域の境界に要するマージンが小さい、ＤＴＭＯＳ及び基板バイアス可変トランジスタを備えた半導体装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, having a DTMOS transistor and variable substrate-bias transistors wherein its leakage current caused by its crystalline defects is reduced and the margin required for the boundary of its well region is made small.例文帳に追加

結晶欠陥に起因するリーク電流が少なく、かつ、ウェル領域の境界に要するマージンが小さい、ＤＴＭＯＳ及び基板バイアス可変トランジスタを備えた半導体装置を提供すること。 - 特許庁

A vfiler boundary check is performed by a file system, and in regard to a file stored in a requested filer platform, it is decided whether a current vfiler can access a particular storage resource.例文帳に追加

ファイルシステムによってvfiler境界チェックが実施され、要求のあったファイラーフ゜ラットフォーム上に格納されたファイルについてカレントvfilerが特定のストレーシ゛リソースへのアクセスが可能であるか判定される。 - 特許庁

To provide a lithium secondary battery with an excellent high-rate discharging characteristic and increased output while maintaining adhesion between a positive-electrode current collector and a positive-electrode mix layer boundary face and adhesion between mix layers.例文帳に追加

正極集電体と正極合剤層界面との密着性及び合剤層相互間の密着性を維持しつつ、高率放電特性に優れ、高出力化したリチウム二次電池を提供する。 - 特許庁

The width of the current non-injection area 53 is 2 μm or more and 10 μm or less from the boundary of the refractive index waveguide 50, for example, and its length is preferably 10 μm or more, for example.例文帳に追加

電流非注入領域５３の幅は、屈折率導波路５０の境界線から例えば２μｍ以上１０μｍ以下であり、長さは例えば１０μｍ以上であることが好ましい。 - 特許庁

By setting the wavelength changing current which is injected in a DBR region 1-2 of the semiconductor laser 1 is set as an in-mode wavelength changing current I LDmc, it can be set to be sufficiently separated from a gap current value of a mode boundary, so that the second higher harmonic power from the SHG laser 3 can be stabilized in the vicinity of the maximum.例文帳に追加

半導体レーザ１のＤＢＲ領域１−２に注入される波長可変電流をモード内波長可変電流ＩLDmcに設定すれば、このモード内波長可変電流ＩLDmcをモード境界のギャップ電流値から十分に離して設定できるので、ＳＨＧレーザ３からの第２高調波パワーを最大近傍で安定させることができる。 - 特許庁

To reduce leakage current along a boundary of a particle 21 of the first dielectric material, the second material for forming non-conductive oxide or nitride having enthalpy lower than that of the first dielectric material is comprised, and arranged at the boundary of the particle of the first dielectric material.例文帳に追加

第１の誘電体材料の粒子２１境界に沿った漏洩電流が低減するように、前記第１の誘電体材料のエンタルピーより低いエンタルピーを有する非導電性の酸化物または窒化物を形成する第２の材料を含み、第１の誘電体材料の粒子境界に配置される。 - 特許庁

The relationship of the motor current average value of a surface plate in the course of dressing in the operating limit of the polishing cloth depending on the accumulated total of the operating time of the dresser is previously found, and when the current value falls below the boundary line, the operating time is determined to exceed the limit, and the replacement timing of the polishing cloth is decided.例文帳に追加

ドレッサの累計使用時間に応じた、研磨クロスの限界使用時におけるドレッシング中の定盤モータのモータ電流平均値の関係を予め求めておき、電流値が境界線を下回ったら使用限界を超えたと判断して研磨クロスの交換タイミングとする。 - 特許庁

To easily and precisely visualize a turbulence in an air current flowing at a slow wind velocity, and to easily and precisely visualize the turbulence in the air current (turbulence in a boundary layer) generated in the vicinity of an applied film face, even when the wind velocity of drying air is low, for example, as in a drying process for an applied film.例文帳に追加

遅い風速で流れる気流の乱れを簡易且つ高精度に可視化でき、例えば塗布膜の乾燥工程のように、乾燥風の風速が小さい場合においても、塗布膜面近傍に生じる気流の乱れ（境界層の乱れ）を簡易且つ高精度に可視化できる。 - 特許庁

Weldability of the joining boundary 3 is judged by calculating at least one or more of current density, pressurizing force density, a current integrated value, a carorific value, upset butt deforming speed, an upset butt displacement ratio and a unit carorific value which are obtained from respective detecting means to compare them with reference values.例文帳に追加

各検出手段から得られた、電流密度、加圧力密度、電流積分値、発熱量、アプセットバット変形速度、アプセットバット変位量比及び単位発熱量のうち、少なくとも１つ以上を演算して基準値と比較し、接合界面３の溶接性を判定する。 - 特許庁

To provide a failure point sample quantity measuring device for an alternating current feeding circuit capable of fetching sample quantity information for precisely calculating a failure point distance by surely selecting failure caused near a section boundary and a failure section without influencing binding/separation of a vertical line tie switch.例文帳に追加

上下線タイ開閉器の結合−分離に影響されることなく区間境界の近傍で発生する故障や、故障発生区間を確実に選択し、故障発生点距離を正確に求める。 - 特許庁

The lighting device has a control circuit for controlling the supply electric power to the light source for illumination, and the operation control is performed in current boundary mode by a control signal sent from the control circuit to the switching element 12.例文帳に追加

照明用光源への供給電力を制御するための制御回路を備え、該制御回路からスイッチング素子１２に送られる制御信号によって電流境界モードでの動作制御が行われる。 - 特許庁

The impurity diffusion region 34 is set deeper at a position below a boundary between its inner periphery and a non-diffusion region in a current block layer 32 than at it center.例文帳に追加

また、その不純物拡散領域３４の深さは、内周側の不純物拡散領域３４と非拡散領域との電流ブロック層３２内における境界部の下側位置だけにおいて中央部よりも深くされている。 - 特許庁

Moreover, when a magnetic head is positioned on the ID field arranged so as to correspond to the neighborhood of the boundary part of data tracks, the magnetic head is minutely moved by changing the exciting current of a stepping motor.例文帳に追加

また、データトラックの境界部付近に対応するように配置されたＩＤフィールド上に磁気ヘッド（１１）が位置している場合には、ステッピングモータ（１０７）の励磁電流を変化させて磁気ヘッドを微少移動するようにした。 - 特許庁

Current data about respective welding boundary positions v1, v2, v3 in the respective welding portions are obtained on the points by linearly sensing at least three welding portions, where the phase θ has been detected, in the direction crossing the welding portions.例文帳に追加

位相θを検出した少なくとも３個の溶接部位において溶接部位を横断する方向に線センシングし、当該溶接部位での溶接境界位置ｖ１，ｖ２，ｖ３について点としての現データを得る。 - 特許庁

The protective glass cleaning means 11 is structured in such a manner that a metallic ribbon 8 placed opposite to a permanent magnet 9 is vibrated by making an AC current flow through the ribbon, promoting growth and amplification of a turbulent component in the turbulent boundary layer 15.例文帳に追加

この保護ガラスクリーニング手段１１は、永久磁石９に対向させた金属リボン８に交流を通して振動させるものとし、乱流境界層１５での乱流成分の成長と増幅を促進する。 - 特許庁

This dual mode address generator comprises inputs that receive a current address A, an address offset M, a buffer length L, and a control signal; and logic configured to compute a first memory address for a buffer with an implied lower boundary and a second memory address for a buffer with an implied higher boundary response to the A, M, and L.例文帳に追加

現在アドレスＡ、アドレスオフセットＭ、バッファ長Ｌおよび制御信号を受信する入力と、Ａ、Ｍ、およびＬに応じて、暗示下限境界を有するバッファの第１のメモリアドレスと暗示上限境界を有するバッファの第２のメモリアドレスとを計算するように構成された論理とを含むデュアルモードアドレス生成器が提供される。 - 特許庁

SiOx, are arranged at one or both ends of a grain boundary 30 formed between columnar crystals in the μc-Si layer 14, short circuit of an electric current via the grain boundary 30 can be prevented between the n-type a-Si regions 131 and p-type a-Si regions 151.例文帳に追加

これにより、μc-Si層１４内で柱状晶間に形成される結晶粒界３０の一方もしくは両方の端部に絶縁部材であるSiOxから成る層（第１絶縁層１３２及び第２絶縁層１５２）が配置されるため、n型a-Si層１３１とp型a-Si層１５１との間で結晶粒界３０を介して電流が短絡することを防ぐことができる。 - 特許庁

To provide a production system of a semiconductor device using a laser crystallization method which can prevent a grain boundary from being formed in a channel formation area of a TFT, and can prevent a conspicuous reduction in mobility of the TFT, a reduction in an on-current, or an increase in an off-current.例文帳に追加

ＴＦＴのチャネル形成領域に粒界が形成されるのを防ぎ、粒界によってＴＦＴの移動度が著しく低下したり、オン電流が低減したり、オフ電流が増加したりするのを防ぐことができるレーザー結晶化法を用いた、半導体装置の生産システムの提供を課題とする。 - 特許庁

To prevent the generation of so-called white scratches due to a leak age current based on the discharge of electric charges from the boundary level of a gate insulation film and a channel area and to prevent the generation of smears due to excessive light generation electric charges.例文帳に追加

ゲート絶縁膜とチャネル領域の界面準位からの電荷の放出に基づくリーク電流に起因する所謂白キズの発生を防止し、かつ過剰な光発生電荷に起因するスミアの発生を防止する。 - 特許庁

Accordingly, an abnormal resistance preventing smooth flow of current on the gate electrode 24 of the boundary line between the N-type region 14 and the P-type region 16 can be prevented without physically increasing the gate width of the gate electrode 24.例文帳に追加

したがって、ゲート電極２４のゲート幅を物理的に大きくしなくても、Ｎ型領域１４とＰ型領域１６の境界線上のゲート電極２４で電流が流れにくくなる抵抗異常の発生を抑制できる。 - 特許庁

A detection boundary comparing part 6 and a detection distance comparing part 9 detects that the current position of a projector apparatus is outside the region including the position where the burglary monitor is started based on the information detected by the x direction integrating part 3 and the y direction integrating part 4 and the information accepted by the detection boundary input part 13 or the detection distance input part 14.例文帳に追加

検出境界比較部６と検出距離比較部９は、ｘ方向積分部３とｙ方向積分部４とで検出した情報と、検出境界入力部１３、あるいは、検出距離入力部１４で受け付けた情報と、に基づいて、プロジェクタ装置の現在位置が盗難監視を始めた位置を含む領域の外部にあることを検出する。 - 特許庁

A current SOC value of a battery 7 of a vehicle 2 is acquired and the boundary of a travelable range in which the vehicle 2 can travel by EV driving is calculated based on the acquired SOC value of the battery, map information and learning data of the vehicle 2.例文帳に追加

車両２の現在のバッテリ７のＳＯＣ値を取得し、取得されたバッテリのＳＯＣ値の他、地図情報及び車両２の学習データに基づいて、車両２がＥＶ走行によって走行可能な走行可能範囲の境界を算出する。 - 特許庁

By reducing the oxygen concentration at the boundary part, the metal ions and oxygen are reacted to form oxide, and by this oxide, it is suppressed that adhesion strength with the current collector is reduced or that the active material layer is fractured inside with the oxide as a starting point.例文帳に追加

境界部の酸素濃度を低減することで、金属イオンと酸素が反応して酸化物が生成され、この酸化物により、集電体との密着強度が低下したり、酸化物を起点として活物質層が内部破断することを抑制する。 - 特許庁

Then, by making the crystal particle size small, the corrosion resistance of the electrode of the lead-acid battery can be improved since the total extended length of a crystal particle boundary 15 per unit weight and per unit area of the current collector 3 becomes longer and the margin for corrosion becomes longer.例文帳に追加

そして、結晶粒径を小径化できることにより、集電体３の単位重量、単位面積あたりの結晶粒界１５の総延長が長くなり、腐食しろが長くなるため、鉛蓄電池の電極の耐食性を向上できる。 - 特許庁

The TFCI narrowing part 15 judges a CRC from the data decoded result in the data decoding part 13 and when the judged result is 'OK', the TF of the TrCH which is not the TTI boundary is determined from the current TFCI and the other TF is invalidated.例文帳に追加

ＴＦＣＩ絞込部１５はデータ復号部１３でのデータの復号結果からＣＲＣを判定し、その判定結果が‘ＯＫ’の場合、ＴＴＩ境界でないＴｒＣＨのＴＦを現在のＴＦＣＩから確定し、その他のＴＦを無効とする。 - 特許庁

To provide an electrophoretic display device and an electronic apparatus with which a boundary length of a pixel electrode is decreased to reduce a leak current generated between the pixel electrodes and obtain good-quality display even at the edge portions of pixel regions.例文帳に追加

本発明は、画素電極の境界長さを低減させることで画素電極間に発生するリーク電流を低減しつつ、画素領域の端部でも良好な表示を得ることができる電気泳動表示装置および電子機器を提供する。 - 特許庁

Since the channel part 37 is composed of coarse crystal grains 26, grown from the boundary face between the thin film part 16 and the thick film part 18, its performance, such as high mobility and low leakage current, can be easily realized by using a general laser annealer.例文帳に追加

薄膜部１６と厚膜部１８との界面から成長した粗大結晶粒２６によってチャネル部３７が構成されるので、一般的なレーザアニール装置を用いて高キャリア移動度及び低リーク電流等の性能を簡単に実現できる。 - 特許庁