「cell buffer」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

To attain improvement in throughput and the reduction of cell abandonment while avoiding the occurrence of blocking by enabling even the processor of low throughput to execute candidate selection processing/competition arbitration processing concerning an input buffer type switch.例文帳に追加

入力バッファ型スイッチにおいて、処理能力の小さなプロセッサでも候補選択処理／競合調停処理を実行可能としブロッキングの発生を回避してスループットの向上とセル廃棄の低減を図るシステムの提供。 - 特許庁

A control circuit 13 erases en bloc data of a non-volatile memory cell selected by a page address signal, successively, performs control that data of one page loaded in the page buffer 2 is written in bloc.例文帳に追加

制御回路１３は書き換えモードにおいて、ページアドレス信号により選択された不揮発性メモリセルについて、一括してデータ消去し、引き続きページバッファ２にロードされた１ページ分のデータを一括してデータ書き込みする制御を行う。 - 特許庁

A virtual wiring model 21 exclusive for clock wiring and a power ratio model 22 to the in-cell power of a clock buffer to the switching power of the clock wiring are preliminarily defined in order to estimate the clock system power of an LSI prior to layout design.例文帳に追加

ＬＳＩのクロック系電力をレイアウト設計以前に見積もるべく、あらかじめクロック配線専用の仮想配線モデル２１と、クロックバッファのセル内電力とクロック配線のスイッチング電力との電力比率モデル２２と、を定義する。 - 特許庁

To provide such a technology that the data stored in a page address buffer can be outputted directly without accessing a memory cell in particular when a page address is accessed, in a nonvolatile ferroelectric memory and its control device.例文帳に追加

本発明は不揮発性強誘電体メモリ及びその制御装置に関し、特にページアドレスのアクセス時にメモリセルのアクセス動作を行わず、ページアドレスバッファに格納されたデータが直ちに出力されるようにする技術を開示する。 - 特許庁

The second buffer is composed of a nonvolatile memory that retain recorded data within a memory cell even when power is turned off, since segmental data to be stored in the disk is stored, it is provided to the disk at once.例文帳に追加

第２のバッファは、電源が遮断されてもメモリセルに記録されたデータが消滅されない不揮発性メモリ装置から構成され、ディスクに貯蔵される断片のデータを貯蔵して置いたからこれを一度にディスクに提供する。 - 特許庁

Cells input from a low-speed packet transfer engine or the like are held in the reception buffer 132 by a required number and then transferred or transferred after a final cell is held, thereby improving crossbar switch use efficiency.例文帳に追加

低速なパケット転送エンジン等から入力されたセルを受信バッファ１３２に必要数保持してから転送する又は最終セルが保持されてから転送することにより、クロスバスイッチの使用効率を大きくすることができる。 - 特許庁

In an electrode structure 30 for a fuel cell including an electrolyte membrane 1, a catalyst layer 2, and water repellent layer 3 in this order, a hydrophilic buffer layer 7 absorbing water in a low capillary pressure grade is formed adjacent to the catalyst layer 2.例文帳に追加

電解質膜１、触媒層２、及び撥水層３を、この順に含む燃料電池用の電極構造体３０において、低毛管圧勾配で水を吸収する親水性バッファー層７を、触媒層２に隣接して形成する。 - 特許庁

The fuel cell is provided with a buffer layer 104 arranged between an electrolyte 101 and an air electrode 103, and structured by having a mixture of cerium oxide with praseodymium (Pr) added and at least either cobalt oxide or copper oxide.例文帳に追加

電解質１０１と空気極１０３との間に配置され、プラセオジム（Ｐｒ）が添加されたセリウム酸化物とコバルト酸化物および銅酸化物の少なくとも１つとの混合体を有して構成されたバッファ層１０４を備える。 - 特許庁

In a semiconductor memory provided with a memory cell, a read-amplifier 4a amplifying data transferred to a data bus when data from a memory cell is read out, and an output buffer for outputting output data amplified by the read-amplifier 4a to an output terminal, starting a read- amplifier is controlled by responding to a clock edge prescribing a data output of an external clock signal.例文帳に追加

メモリセルと、メモリセルからのデータを読み出す際にデータバスに転送されたデータを増幅するリードアンプと、リードアンプによって増幅された出力データを、出力端子に出力するための出力バッファを備えた半導体記憶装置において、リードアンプの起動を、外部クロック信号のデータ出力を規定するクロックエッジに応答して制御する。 - 特許庁

Connection control information 321-325 is prestored in a burst access memory 32 and a memory controller 27 collectively reads out the connection control information corresponding to a received cell to a memory buffer 28 by continuously performing access to the memory 32 and collectively writes the information in the burst access memory 32 after protocol processing needed for the received cell.例文帳に追加

コネクション制御情報３２１〜３２５をバーストアクセスメモリ３２に記憶しておき、バーストメモリコントローラ２７によるメモリの連続アクセスによって、受信セルと対応するコネクション制御情報を一括してメモリバッファ２８に読み出し、受信セルに必要なプロトコル処理を実行した後、コネクション制御情報を一括してバーストメモリに書き込む。 - 特許庁

A test signal RRT for testing the redundant memory cell in the direction of a line, a control signal XF generated by the test signal RRT, a test signal CRT for testing the redundant memory cell in the direction of a column, and a control signal YFD generated by the test signal CRT are provided to an output buffer 100A.例文帳に追加

行方向の冗長メモリセルを試験するための試験信号ＲＲＴとこの試験信号ＲＲＴによって生成される制御信号ＸＦ、及び列方向の冗長メモリセルを試験するための試験信号ＣＲＴとこの試験信号ＣＲＴによって生成される制御信号ＹＦＤが、出力バッファ１００Ａに与えられる。 - 特許庁

A hydrogen activity measuring cell comprising a platinum electrode, a silver-silver chloride electrode, and a cell for housing an electrolytic solution containing a carbonate buffer solution is provided with a preceding chamber for adjusting hydrogen gas containing saturate steam and a prescribed amount of carbon dioxide, and the hydrogen gas is supplied for the platinum electrode from the preceding chamber in the hydrogen activity measuring apparatus.例文帳に追加

白金電極と銀/塩化銀電極と炭酸塩緩衝溶液を含む電解液を収納するセルからなる水素活量測定セルにおいて、飽和水蒸気及び一定量の二酸化炭素を含んだ水素ガスを調整する前室を設け、前室からの水素ガスを白金電極に供給することを特徴とする水素活量測定装置。 - 特許庁

A driving voltage is applied to a liquid crystal in a display cell by applying signal voltages Vsp, Vsn from a signal line driving circuit 3 to display electrodes on a matrix substrate 11 via active elements such as TFTs, and also applying a common voltage Vcom common to each display cell 13 to a counter electrode on a counter substrate 12 via a buffer circuit 4.例文帳に追加

ＴＦＴなどのアクティブ素子を介して信号線駆動回路３からの信号電圧Ｖsp・Ｖsnをマトリクス基板１１上の表示電極に印加するとともに、各表示セル１３に共通の共通電圧Ｖcom をバッファ回路４を介して対向基板１２上の対向電極に印加することで、表示セル１３における液晶に駆動電圧を印加する。 - 特許庁

An isolated cell in a living organism tissue is broken, and then the broken cell in the living organism tissue is removed by a buffer solution containing 2.0 mmol/L or less of phosphoric ions and including one or more compounds selected from a group comprising citric acid, ethylenediaminetetraacetic acid, and their salts which are allowed physiologically.例文帳に追加

単離された生体組織内の細胞を破壊した後に、前記生体組織内の破壊された細胞を、リン酸イオンの含有量が２．０ｍｍｏｌ／Ｌ以下であり、クエン酸、エチレンジアミン四酢酸、及びこれらの生理的に許容される塩からなる群より選択される１種以上の化合物を含有する緩衝液により除去する。 - 特許庁

An energy auxiliary apparatus 200 mainly comprises first-fourth decomposition tanks 10, 11, 12, 13; first and second eliminating tanks 14, 15; first and second buffer devices 16, 17; a fuel cell 18; and an exhaust clarifying tank 19.例文帳に追加

エネルギー補助装置２００は、主として第１〜第４の分解槽１０，１１，１２，１３、第１および第２の除去槽１４，１５、第１および第２のバッファ装置１６，１７、燃料電池１８ならびに排気浄化槽１９により構成される。 - 特許庁

An arbitration section of the control card receives each transmission cell buffer monitor information from all connected channel cards #0, #1, #2, #3, and soon to grasp the state of all the channel cards and extracts cells from a channel card which require urgent extraction.例文帳に追加

制御カードは、接続されている全てのチャネルカード＃０，＃１，＃２，＃３，…から各々の送信セルバッファ監視情報を調停部にて受信し、全チャネルカードの状況を把握し、早急な引き取りが必要であるチャネルカードからセルを引き取るよう動作する。 - 特許庁

Fine powder is sprayed on a metal substrate surface contacting with an electrode structuring a unit cell of a metal separator with carrier gas from a tip of a minute hole nozzle to form a precise buffer layer, on which a conductive protection film is formed.例文帳に追加

金属セパレータの前記単位セルを構成する電極と接触する金属基材表面に、微粉末をキャリアガスとともに微小孔ノズルの先端から吹き付けて緻密なバッファ層を形成し、前記バッファ層上に導電性保護膜を形成する。 - 特許庁

In storing hydrogen in a hydrogen storage alloy MH, the circulation passage of the heat medium is changed over, by a three-way valve 12, to the third passage for circulating the heat medium between the heat medium buffer tank 14 and the hydrogen storage tank 2 without passing through the fuel cell 3.例文帳に追加

そして、水素吸蔵合金ＭＨの水素吸蔵時に、熱媒の循環経路は、電磁三方弁１２によって燃料電池３を経由せずに熱媒バッファタンク１４と水素貯蔵タンク２との間を循環する第３経路に切り換えられる。 - 特許庁

The semiconductor integrated circuit device is provided in which a buffer ring cell formed between the microcell and an input/output circuit close thereto is connected to signal wiring extended over a region where the microcell is formed.例文帳に追加

本発明による半導体集積回路装置は、マクロセルが形成されている領域上を通過するように伸長している信号配線に、当該マクロセルとこれに近接する入出力回路との間に形成されたバッファリングセルが接続されている。 - 特許庁

Related to a cell phone 1, at buffering an oscillation signal outputted from a PLL oscillating circuit 37, a buffer circuit 38 simultaneously generates higher harmonic components f2, f3,... with a frequency f1 of the oscillation signal as a fundamental wave, to output.例文帳に追加

携帯電話機１において、バッファ回路３８は、ＰＬＬ発振回路３７より出力される発振信号をバッファリングする際に、発振信号の周波数ｆ１を基本波とする高調波成分ｆ２，ｆ３，…をも同時に発生させて出力する。 - 特許庁

To provide a hydrogen supply system which is small in size, has high capacity, can stably supply a high purity hydrogen, and is provided with a buffer tank capable of suppressing water produced in a fuel cell from flowing into a hydrogen storage tank.例文帳に追加

小型、且つ、高容量で、高純度の水素を安定して供給することが可能であり、燃料電池で生成される水が水素貯蔵タンク内へ流入することを抑制できるバッファタンクを備える水素供給システムを提供する。 - 特許庁

This sensor output detection circuit 2 comprises: multiplexers 3 and 4 for respectively switching a row wiring 1a and a column wiring 1b of a sensor mat 1; and a buffer circuit 5 for preventing current from entering another sensor cell R at sensing.例文帳に追加

センサ出力検出回路２は、センサマット１の行配線１ａを切り換えるマルチプレクサ３と列配線１ｂを切り換えるマルチプレクサ４、及びセンシング時に他のセンサセルＲへの廻り込み電流を防止するためのバッファ回路５等を具備している。 - 特許庁

An offset voltage setting circuit 114 adds an offset voltage to an output voltage of an analog video signal outputted from an output buffer circuit 113 to keep an output voltage deviation of the digital/analog converter within a range of cell permissible voltages (+)-(-).例文帳に追加

出力バッファ回路１１３から出力されるアナログ映像信号の出力電圧に対し、オフセット電圧設定回路１１４からオフセット電圧を付加することで、ＤＡＣの出力電圧偏差をセル許容電圧（＋）〜（−）の範囲に収める。 - 特許庁

To provide an address buffer of a flash memory including a nonvolatile section selecting code cell which can select an arbitrary sector so that a normal sector can be utilized by making a memory sector in which defect occurs in a highly integrated core product a disable-state.例文帳に追加

高集積のコアプロダクトにおいて欠陥の生じたメモリセクタを不能状態（ディスエーブル）にして正常セクタを利用できるように任意のセクタを選択することができる不揮発性区域選択コードセルを含むフラッシュメモリのアドレスバッファを提供すること。 - 特許庁

This spherical compound semiconductor cell includes: a spherical electrode, having at least the surface thereof formed of a conductor; a compound semiconductor layer formed on the surface of the spherical electrode and which has a chalcopyrite structure; buffer layers formed on the surface of the compound semiconductor layer; and a transparent electrode layer formed on the surfaces of the buffer layers.例文帳に追加

本発明の球状化合物半導体セルは、少なくとも表面が導電体である球状電極と、球状電極の表面に形成されたカルコパイライト構造の化合物半導体層と、前記化合物半導体層の表面に形成された緩衝層と、前記緩衝層の表面に形成された透明電極層を具備することを特徴とする。 - 特許庁

This device consists of a cell array consisting of unit pages, and a plurality of unit page buffers respectively corresponding to the unit pages, and it includes a page buffer for storing data, a selection circuit for selecting one or more unit page buffers to be initialized among the above unit page buffers and a controller for generating a signal to control the page buffer and the selection circuit.例文帳に追加

単位ページからなるセルアレイと、前記単位ページに各々対応する複数の単位ページバッファからなり、データを貯蔵するページバッファと、パーシャルコピーバック動作時、前記単位ページバッファのうち初期化しようとする一つ、またはそれ以上の単位ページバッファを選択する選択回路と、前記ページバッファ及び選択回路を制御する信号を発生する制御装置とを含む。 - 特許庁

In an output buffer circuit provided with a tolerant circuit the tolerant circuit is connected between an output PMOS transistor (TR) for an output buffer cell and a signal output node PI to be applied to the PMOS TR 52, a pull-up resistor 60 is connected to the gate of the PMOS TR 52 and the PMOS TR 52 is turned off at the time of terminal floating.例文帳に追加

トレラント回路を備えた出力バッファ回路において、出力用バッファセルの出力用ＰＭＯＳトランジスタ５２とこの出力用ＰＭＯＳトランジスタに与える信号出力ノードＰＩとの間に、トレラント回路が設けられるとともに、前記出力用ＰＭＯＳトランジスタ５２のゲートにプルアップ抵抗６０を接続し、端子フローティング時に前記出力用ＰＭＯＳトランジスタ５２をオフする。 - 特許庁

The terminal part 4 includes a normal terminal 5 for connecting with a cell existing in an internal region 7 of the IO, wiring 6 as power supply wiring or ground wiring, the internal region 7 of the IO buffer, and a plurality of dummy terminals 8 connected with the wiring 6.例文帳に追加

端子部分４は、ＩＯの内部領域７に存在するセルと接続するためのノーマル端子５と、電源配線又はグランド配線である配線６と、ＩＯバッファの内部領域７と、配線６に接続された複数のダミー端子８とを有する。 - 特許庁

A data transfer control part 22 causes data to be read into the buffer from a memory cell subject to verification, and causes all stored data in latch circuits in each latch circuit group to be read into a corresponding common line as partial verification data, sequentially over a prescribed number of latch circuit groups.例文帳に追加

データ転送制御部22は、ベリファイの対象のメモリセルからデータをバッファに読み出させ、所定数のラッチ回路群にわたって順次各ラッチ回路群中のラッチ回路が保持するデータの全てを対応する共通線に部分ベリファイデータとして読み出す。 - 特許庁

To provide a circuit for ATM cell buffer by which ATM cells retained in an ATM layer are discharged when recovering a PHY layer from a fault, cells received by the PHY layer at this time are discarded and the PHY layer can be speedily started after recovery.例文帳に追加

ＰＨＹレイヤが障害から復旧するときに、ＡＴＭレイヤ内の滞留しているＡＴＭセルを排出させ、ＰＨＹレイヤがこのとき受け取ったセルを廃棄し、復旧後ＰＨＹレイヤを速やかに立ち上げることができるＡＴＭセルバッファの回路を提供する。 - 特許庁

When a refresh-test for a redundant memory cell is performed, a redundant CBR refresh-counter 15 is activated for each input of a control signal RACBR, counts the number of input of redundant CBR commands, and outputs them to a X address buffer 2A as redundant counter signals RCNT0- RCNT5.例文帳に追加

冗長CBRリフレッシュカウンタ15は、冗長メモリセルに対するリフレッシュテストを行う場合、制御信号RACBRが入力される毎に活性化され、冗長CBRコマンドの入力される数を計数し、計数値を冗長カウンタ信号RCNT0〜RCNT5として、Xアドレスバッファ2Aへ出力する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a ferroelectric or an antiferroelectric liquid crystal display element capable of adjusting cell gaps of a plurality of liquid crystal cells in a lump without frequently exchanging buffer materials and consequently capable of manufacturing the same at a low cost.例文帳に追加

複数の液晶セルのセルギャップの一括調整を、緩衝材を頻繁に交換すること無く行なうことができ、したがって、強誘電性または反強誘電性液晶表示素子を低コストに製造することができる製造方法を提供する。 - 特許庁

In the method for forming an SiGe layer of a solar energy cell, in order to promote the growth of the Ge of high quality on an Si substrate, Si^+ is poured on the Si substrate to reinforce the softening of distortion at the junction between the transformed Ge_xSi_1-x buffer layer 103 and the Si substrate 101.例文帳に追加

Ｓｉ基板上での高品質Ｇｅ成長を促進するため、変成Ｇｅ_ｘＳｉ_１−ｘ緩衝層１０３とＳｉ基板１０１との間の接合部における歪緩和を強化するため、Ｓｉ^＋をＳｉ基板上へ注入する。 - 特許庁

A semiconductor device has an IGBT cell including a base region 14 and an emitter region 15 that are formed in an n-type drift layer 11, and a p-type collector layer 12 disposed below the drift layer 11 via an n-type buffer layer 13.例文帳に追加

半導体装置は、ｎ−型のドリフト層１１に形成されたベース領域１４およびエミッタ領域１５と、ドリフト層１１の下にｎ型のバッファ層１３を介して配設されたｐ型のコレクタ層１２とにより構成されるＩＧＢＴセルを有している。 - 特許庁

For example, at the time of electrolyzing the molten chloride of magnesium to obtain molten metal, a buffer body 11 is arranged in an electrolytic bath comprising the molten metal chloride held in the electrolytic cell 1, suitably, in the lower part of the section at which the molten metal chloride reaches the electrolytic bath.例文帳に追加

例えばマグネシウムの溶融塩化物を電解して溶融金属を得るにあたり、電解槽１に保持した溶融金属塩化物を含む電解浴中、好適には溶融金属塩化物が電解浴に到達する部位の下方に緩衝体１１を配設する。 - 特許庁

In the method, the number of viable cells is measured by storing a chloride peptone buffer solution with a test drug sample in a storage bag, treating the storage bag at intervals of 5 strokes per second at least for 30 seconds by a stomacher, and measuring the number of viable cells by an automatic viable cell number measuring device thereafter.例文帳に追加

ペプトン食塩緩衝液と被験生薬試料を収納袋に収容し、該収納袋をストマッカーにより１秒間あたり５ストロークの間隔で３０秒以上処理をし、その後自動生菌数測定装置で生菌数を測定する方法。 - 特許庁

A plurality of solar cell units composed of the photoelectric conversion layers, the buffer layers, the insulating layers, and the transparent electrodes are formed by a plurality of opening grooves formed in different positions from the isolation grooves and with a predetermined interval, and reaching the back electrodes from the transparent electrodes.例文帳に追加

分離溝とは異なる位置に所定の間隔で複数形成された、透明電極から裏面電極に達する開口溝により光電変換層、バッファ層、絶縁層および透明電極により構成される太陽電池ユニットが複数形成される。 - 特許庁

This semiconductor memory has plural main data lines connected between a block sense amplifier array for transmitting data and a data output buffer, and takes plural cell data read out from plural memory cells in advance corresponding to one input/output port.例文帳に追加

本発明は、データ伝送のためブロックセンスアンプアレイとデータ出力バッファとの間に連結された複数のメインデータラインを持ち、一つの入出力ポートに対応して複数のメモリセルからリーとされた複数個のセルデータを先取る半導体メモリ装置に関する。 - 特許庁

The page buffer includes a sense node selectively connected to the bit line of the memory cell array, a first main latch selectively connected to the sense node, a main latch circuit including a second main latch, and a latch input node selectively connected to the first and second main latches.例文帳に追加

ページバッファはメモリセルアレイのビットラインに選択的に連結される感知ノードと、感知ノードに選択的に連結される第１メインラッチと、第２メインラッチを含むメインラッチ回路と、第１及び第２メインラッチノードに選択的に連結されるラッチ入力ノードを含む。 - 特許庁

A fuel battery cell 1 includes: a fuel electrode 11; an air electrode 14; an electrolyte layer 15 between the furl electrode and the air electrode; a barrier layer 13 between the electrolyte layer and the air electrode 14; and a buffer layer 16 between the barrier layer 13 and the electrolyte layer 15.例文帳に追加

燃料電池セル１は、燃料極１１、空気極１４、燃料極と空気極との間の電解質層１５、電解質層と空気極１４との間のバリア層１３、及びバリア層１３と電解質層１５との間の緩衝層１６を備える。 - 特許庁

This cell storage liquid without containing the blood serum and the culture solution is prepared by using a substance as the main ingredient prepared by mixing albumins included in a phosphate buffer solution conventionally used for storing a germ cell instead of dimethylsulfoxide conventionally used as an additive to a blood serum-containing storage liquid and adding an auxiliary agent such as phosphate ion, a divalent metal ion and a monosaccharide thereto if necessary.例文帳に追加

これまで血清含有保存液への添加剤として用いられてきたジメチルスルフォキシドに対し、これまで生殖細胞の保存に用いられているリン酸緩衝液中に含まれるアルブミンを混合したものを主剤とし、これに必要に応じてリン酸イオンや二価金属イオン、単糖などの助剤を添加したところの、血清および培養液非含有型の細胞保存液とした。 - 特許庁

When a space is formed in priority-classified transmission queues 11 and 12, a UTOPIA level 2 slave control part 8 of the outer hardware 13 instructs a UTOPIA level 2 master control part 5 to convert an ether frame accumulated in a common buffer 3 into an ATM cell and transmit it to the priority-classified transmission queues 11 and 12 by an ATM cell processing control part 4.例文帳に追加

外部ハードウェア１３のＵＴＯＰＩＡレベル２スレーブ制御部８は、優先クラス別送信キュー１１，１２に空きが生じたとき、ネットワークプロセッサ６のＵＴＯＰＩＡレベル２マスタ制御部５へ共有バッファ３に蓄積されているイーサフレームをＡＴＭセル化制御部４によりＡＴＭセルへ変換して優先クラス別送信キュー１１，１２へ送るように指示する。 - 特許庁

The NAND flash memory device includes: a cell array including a plurality of pages; a page buffer storing program data of the plurality of pages; a data storage circuit providing program verification data to the page buffer; and a control unit programming the plurality of pages without program verification operation and performing a program verification operation on the plurality of pages by using the program verification data.例文帳に追加

本発明によるＮＡＮＤフラッシュメモリ装置は、複数のページを有するセルアレイと、前記複数のページのプログラムデータを格納するページバッファと、プログラム検証データを前記ページバッファに提供するためのデータ格納回路と、プログラム検証動作なしに前記複数のページをプログラムし、前記プログラム検証データを用いて前記複数のページに対するプログラム検証動作を行うための制御ユニッと、を含む。 - 特許庁

A hydrogen buffer tank 2 and a hydrogen storage tank 1 for storing hydrogen in gas phase are connected in parallel by a three-way pipe 8a and supply hydrogen to the negative electrode 31 of a fuel-cell stack 3 from the three-way pipe 8a via a selector-valve-equipped regulator 10 and a flow controller 7.例文帳に追加

気相の水素を貯蔵する水素バッファタンク２と水素吸蔵タンク１とは、三方管８ａにより並列接続され、三方管８ａから開閉弁付レギュレータ１０及び流量コントローラ７を介して、燃料電池スタック３の負極３１へ水素を供給する。 - 特許庁

The first configuration of the reflection transmission liquid crystal display device comprises a structure forming the buffer layer on an upper substrate corresponding to a reflection section in order to vary the thickness of color filters and forming a difference in level on a lower substrate corresponding a transmission section in order to vary cell gaps.例文帳に追加

本発明による反射透過型液晶表示裝置の第1構成は、カラーフィルタの厚みを異なるようにするために、反射部に対応する上部基板にバッファ層を形成し、また、セルキャップを異なるようにするために透過部に対応する下部基板に段差を形成する構造とする。 - 特許庁