「conversion element」に関連した英語例文の一覧と使い方(111ページ目) - Weblio英語例文検索

Disclosed is a heat/electricity direct converter, comprising a thermoelectric module incorporated with a thermoelectric conversion element for converting thermal energy to electrical energy; a low-temperature member for cooling the thermoelectric module and an electrically insulated heat conducting member, having thermal conductivity and electrical insulating properties disposed in between the thermoelectric module and the low-temperature member.例文帳に追加

熱エネルギーを電気エネルギーに変換する熱電変換素子を組み込んだ熱電モジュールと、前記熱電モジュールを冷却する低温部材と、前記熱電モジュールと前記低温部材との間に設置された熱伝導性と電気絶縁性を有する電気絶縁熱伝導部材とを有する。 - 特許庁

In the photoelectric conversion element having an electrolyte layer 5 between a dye-sensitized semiconductor electrode 2 and a counterelectrode 3, such as, for example, a dye-sensitized wet solar cell, a light scattering reflective layer 4 whose surface roughness R_a is 30 nm to 10 μm is formed on a side opposed to the electrolyte layer 5 of the counterelectrode 3.例文帳に追加

色素増感半導体電極２と対極３との間に電解質層５を有する光電変換素子、例えば色素増感湿式太陽電池において、対極３の電解質層５に面する側に、表面粗さＲ_a が３０ｎｍ〜１０μｍの光散乱反射層４を形成する。 - 特許庁

The light source device 1 comprises a surface emitting laser array 3a having a plurality of surface emitting lasers 3 on the same substrate 2, and a wavelength conversion element 5 that is disposed above the surface emitting laser array 3a and converts the wavelength of the light from the surface emitting laser array 3a.例文帳に追加

光源装置１は、同一基板２上に複数の面発光レーザ３を有する面発光レーザアレイ３ａと、面発光レーザアレイ３ａ上に設けられ、該面発光レーザアレイ３ａからの光を波長変換する波長変換素子５と、を具備してなることを特徴とする。 - 特許庁

To provide such a layout that local electro-current constriction on a substrate caused by an electromagnetic field from a bus bar in power conversion equipment in which bus bars are disposed so that they are overlapped with part of the substrate as viewed from a direction perpendicular to the substrate mounted with a semiconductor switching element.例文帳に追加

半導体スイッチング素子が搭載される基板に対して垂直方向から見て基板の一部と重なるようにバスバーが配置された電力変換装置において、バスバーからの電磁界による基板上での局所的な電流集中を防止するような配置レイアウトを提供する。 - 特許庁

The solid-state image sensor comprises an underlying resin layer 13, a resin lens 14, a mixture oxide film 15 and a transparent resin film 16 formed on a photoelectric conversion element 17 wherein the mixture oxide film is composed of a mixture of indium oxide and a recess 20 is formed in the underlying resin layer between resin lenses.例文帳に追加

光電変換素子１７上に下地樹脂層１３、樹脂レンズ１４、混合酸化物膜１５及び透明樹脂膜１６を備える固体撮像素子において、混合酸化物膜が酸化インジウム混合酸化物であって、下地樹脂層に樹脂レンズ間で凹部２０があること。 - 特許庁

To provide an object-photographing method capable of photographing an object with a resolution that is the resolution of a photoelectric conversion element mounted in a digital camera or over and that can eliminate the need for correcting a image as a whole, when combining the digital images of the object obtained by imaging.例文帳に追加

デジタルカメラに搭載されている光電変換素子の解像度以上の解像度で被写体を撮影することができ、撮像により得られた被写体の各デジタル画像を結合する際に画像全体を修正する必要のない被写体撮影方法を提供する。 - 特許庁

To provide a gas barrier member which shows high gas barrier properties and high stability with the capability to retain high gas barrier properties even after flexing, with regard to a gas barrier member made up of a thin-film glass with flexibility, and a method for manufacturing the gas barrier member, as well as an organic photoelectric conversion element with the gas barrier member.例文帳に追加

フレキシブル性のある薄膜ガラスからなるガスバリア性部材において、ガスバリア性が高く、屈曲後も高いガスバリア性を維持する、安定性の高いガスバリア性部材及びその製造方法を提供し、かつ、該ガスバリア性部材を有する有機光電変換素子を提供する。 - 特許庁

To provide a light receiving element and a photoelectric conversion device using it, etc., wherein the P-N junction capacity of a photodiode part is reduced as much as possible, light-generation carrier is utilized, dark current is reduced, and high yield is maintained, and high sensitivity, especially from red to infrared regions.例文帳に追加

ホトダイオード部のＰＮ接合容量を極力低減し、光生成キャリアを有効活用し、さらに暗電流を低減し、高歩留まりが維持でき、また、高感度、特に赤から赤外感度が高い受光素子及びそれを用いた光電変換装置等を実現する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an optical module which has a small number of components as well as high reliability, and which can be manufactured at a low cost, wherein time and labor for adjusting optical axes are reduced when optically coupling an optical transmission path and an optical semiconductor element using an optical waveguide for optical path conversion.例文帳に追加

光伝送路と光半導体素子とを光路変換用光導波路を用いて光結合させる際に、光軸の調整にかかる手間を低減し、かつ、少ない構成部品数で信頼性が高く、ローコストに製造が可能な光モジュールの製造方法を提供する。 - 特許庁

A laser from a scanner head 21 passes the cut-out part 264 of the upper base plate 263, the non-arranged area of the thermoelectric conversion elements, and the lower base plate 261 comprising the transparent element of the Peltier module 26, and the skin (the affected area) where the underside of the base plate 261 abuts is irradiated with the laser.例文帳に追加

スキャナヘッド２１からのレーザ光はペルチェモジュール２６の上側基板２６３の切抜き部２６４、熱電変換素子未配列領域、更には透明部材から成る下側の基板２６１を通過して当該基板２６１の下面が当接される皮膚（患部）に照射される。 - 特許庁

The electromechanical conversion element (12) is provided with a piezoelectric object (121), having a polarizing part (121a) polarized in a fixed direction and a plurality of electrodes (122-4, 122-5 and 122-6) which are separately formed on a surface of one continuous region (P) of the polarizing part (121a).例文帳に追加

電気機械変換素子（１２）は、一定方向に分極された分極部分（１２１ａ）を有する圧電体（１２１）と、分極部分（１２１ａ）の連続した１つの領域（Ｐ）の表面に、それぞれ分離されて形成された複数の電極（１２２−４，１２２−５，１２２−６）とを備える。 - 特許庁

An organic thin film photoelectric conversion element 10 is configured of a porous layer 12 of oxide particles 16 of n type oxide semiconductor materials having an electron acceptor 20 for conducting electrons and a p type organic semiconductor layer 14 having electron donor for transporting a hole as primary configuring elements.例文帳に追加

有機薄膜光電変換素子１０は、電子を伝導する、電子アクセプター２０を有するｎ型酸化物半導体材料の酸化物微粒子１６の多孔質層１２と、ホールを輸送する、電子ドナーを有するｐ型有機半導体層１４を主要な構成要素とする。 - 特許庁

A group III nitride hetero junction semiconductor element for use in a power circuit like a boost conversion circuit is provided with ohmic junction source-drain electrodes, and Schottky junction electrodes integrated into power switches near gates between the above source-drain electrodes or near the above source-drain electrodes themselves.例文帳に追加

ブースト変換回路などの電源回路で用いられるＩＩＩ族窒化物ヘテロ接合半導体素子は、オーミック接合ソース・ドレイン電極と、前記ソース・ドレイン電極間のゲート電極および、前記ソース・ドレイン電極の近傍に電源スイッチと一体化されたショットキ接合電極を備える。 - 特許庁

When either the Hall element output signal PH or the resolver output signal PR is inputted into the structure P10, it is processed by a function possessed by the circuit P1 for R/D conversion included in the structure P10, and a signal S processed by them is generated.例文帳に追加

ホール素子出力信号ＰＨまたはレゾルバ出力信号ＰＲのいずれかが本構造Ｐ１０に入力されると、本構造Ｐ１０に備えられたＲ／Ｄ変換用回路Ｐ１の有する機能によって処理され、これらの処理後の信号Ｓが生成される。 - 特許庁

To provide an electrooptical apparatus and electronic device that allow incoming of light to a photoelectric conversion element, while preventing incidence of light to a field-effect transistor, and prevent thermal degradation of an ITO (indium tin oxide) film, even when ITO film is used.例文帳に追加

電界効果型トランジスタに対する光の入射を防止しながら光電変換素子への光の入射を可能とすることができ、かつ、ＩＴＯ膜を用いる場合でも、ＩＴＯ膜が熱劣化を起こすことのない電気光学装置、および電子機器を提供すること。 - 特許庁

This optical pickup device is constructed in such a manner that an optical disk room 40 is provided on a refrigeration room 41, and in the optical disk room 40, a blue SHG light source composed of a semiconductor laser and an optical wavelength conversion element, and an optical conversing system is provided, and cooling is performed by using cold air from the refrigeration room 41.例文帳に追加

冷蔵室４１の上に光ディスク室４０が備えられており、光ディスク室４０には、半導体レーザと光波長変換素子よりなる青色ＳＨＧ光源と集光光学系を備えた光ピックアップがあり、冷蔵室４１からの冷気により冷却されている。 - 特許庁

The conversion device 22 comprises an adhesive layer 24 bonded to a reinforcing member 20 of the body 16; an intermediate layer 25 provided at an intermediate part in the thickness direction of the adhesive layer 24; and the piezoelectric element 27 mounted to the lower face of the adhesive layer 24 through an metal plate 26.例文帳に追加

変換装置２２は、ボディ１６の補強部材２０に接着する接着層２４と、この接着層２４の厚み方向中間部に設けられた中間層２５と、接着層２４の下面に金属板２６を介して取り付けられた圧電素子２７とを備えている。 - 特許庁

The opto-electric conversion element is manufactured by using the ZnTe substrate for epitaxy of the dislocation density specified to ≤50,000/cm2, the size of the deposits on the surface specified to ≤10 μm and the carrier concentration specified to greeter than 3×1017/cm3 and below 1×1019/cm3.例文帳に追加

転位密度を５００００／ｃｍ^２以下、表面の析出物の大きさを１０μｍ以下、かつキャリア濃度を３×１０^１７／ｃｍ^３より大きく１×１０^１９／ｃｍ^３以下としたエピタキシャル成長用ＺｎＴｅ基板を用いて光電変換機能素子を作製するようにした。 - 特許庁

This light source device is provided with: a laser beam source part 39g for outputting a laser beam with first wavelength; a laser excitation part 40 for outputting the laser beam with second wavelength; and a wavelength conversion element 41 for transmitting a second higher harmonic wave, and the second higher harmonic wave is used as a laser beam for display.例文帳に追加

第１の波長のレーザ光を出力するレーザ光源部３９ｇと、第２の波長のレーザ光を出力するレーザ励起部４０と、第２高調波を透過させる波長変換素子４１とを備えて、その第２高調波を表示用のレーザ光とする。 - 特許庁

The color conversion method converts an output signal of a sensor such as a CCD into a hue signal in a prescribed color space where hue is an element when converting the output color signal of the sensor into a signal representing a prescribed color specified in the prescribed color space.例文帳に追加

本発明を適用した色変換方法は、ＣＣＤ等のセンサによって出力される色信号を所定の色空間に規定される所定色を表す信号に変換する際、センサの出力信号を色相を要素とする所定の色空間における色相信号に変換する。 - 特許庁

This photoelectric conversion element comprises by arranging an oxide semiconductor electrode formed, by making an oxide semiconductor adsorb a dye on a conductive support body and a counter electrode arranged facing each other via a charge transfer layer and is such that the dye is represented by general Formula (1).例文帳に追加

導電性支持体上の酸化物半導体に色素を吸着させてなる酸化物半導体電極と対向電極とを電荷移動層を介して対向配置してなる光電変換素子において、該色素が下記一般式（１）で表されることを特徴とする光電変換素子。 - 特許庁

When the cooling water temperature detected by a water temperature sensor 50 is lower than 60°C, a controller 100 heats up cooling water at a first high temperature side heat source 20 by conducting a first thermoelectric conversion element 11 to warm up an engine 1 quickly and to cool a low temperature side heat source 40.例文帳に追加

制御装置１００は、水温センサ５０が検出する冷却水温が６０℃未満のときには、第１熱電変換素子１１に通電して第１高温側熱源部２０で冷却水を加熱して速やかにエンジン１の暖機を行なうとともに低温側熱源部４０を冷却する。 - 特許庁

To provide a photoelectric conversion element for a dye sensitized solar cell or the like of which, short circuit caused by the direct contact of an electrolyte layer 5 or a charge transfer layer 6 with a transparent conduction layer 11 or a metal wiring layer 12, is avoided, prevented from lowering of output characteristics.例文帳に追加

色素増感太陽電池等の光電変換素子の電解質層５または電荷移送層６と、透明導電層１１や金属配線層１２などの導電層との直接接触による短絡を回避し、しかも光電変換素子の出力特性の低下を来たさないようにする。 - 特許庁

The photoelectric conversion element is provided with an active electrode 5 which consists of a transparent film 1 and an optical transparency conductive layer 2, a counterelectrode 4 which is arranged so as to make a pair with the active electrode 5, and a solid layer 3 which is sandwiched between the active electrode 5 and the counterelectrode 4 and consists of a polymer bipolar membrane.例文帳に追加

光電変換素子は、透明膜１と光透過性導電層２とから成る作用電極５と、作用電極５と対を成すように設けられた対極４と、作用電極５及び対極４間に挟持された高分子複合膜から成る固体層３とを有している。 - 特許庁

A model element analysis part 6 receives a model A and a model B as input, extracts relation between classes from the two models, refers to a collation pattern included in a conversion rule definition part 8 to the pair of the extracted inter-class relation, and selects a collation pattern to be applied.例文帳に追加

モデル要素解析部６は、モデルＡとモデルＢとを入力として、この２つのモデルからそれぞれクラス間の関係を抽出し、抽出されたクラス間の関係のペアに対して、変換ルール定義部８に含まれる照合パターンを参照し、適用すべき照合パターンを選び出す。 - 特許庁

This pulsation generation section 40 converts the pulsation signal in mechanical vibration by using a conversion element which is driven by the pulse wave signal generated by the pulse wave signal generation section 20 and generates the vibration analogous to the pulsation perceived by the palpation of a physical examiner.例文帳に追加

脈動発生部４０は、脈波信号発生部２０が発生する脈波信号によって駆動されて機械的振動を発生する変換素子を用いて脈波信号を機械的振動に変換して、診察者の触診によって知覚される脈動に類似する振動を発生させる。 - 特許庁

To provide a highly stable amplification type solid-state imaging apparatus in which a potential difference is sufficiently secured between signal voltage and reset voltage in transferring signal charges, and full transfer of the signal charges from a photoelectric conversion element to an FD part is easily performed in pixels of 3TR configuration.例文帳に追加

３ＴＲ構成の画素にて、信号電荷の転送時に信号電圧とリセット電圧との間で電位差を十分確保でき、光電変換素子からＦＤ部への信号電荷の完全転送を容易にでき、かつ安定性のよい増幅型固体撮像装置を提供する。 - 特許庁

The converter comprises a power conversion part 11 that converts supplied power; a smoothing filter 12 that smoothes the converted power; a voltage detector 8 that detects a voltage of the smoothed power; and a control part 17 that outputs a pulse signal for controlling a conduction ratio of a switching element in the power conversion part 11 so that an output voltage from the voltage detector 8 becomes a desired voltage value.例文帳に追加

供給された電力の電力変換行う電力変換部１１と、電力変換された前記電力を平滑化する平滑フィルタ１２と、平滑化された電力の電圧を検出する電圧検出器８と、電圧検出器８からの出力電圧が所望の電圧値になるように、電力変換部１１内のスイッチング素子の通流率を制御するためのパルス信号を出力する制御部１７とを備えている。 - 特許庁

The photoelectric conversion element has a blockcopolymer which comprises at least a block containing a molecular structure having an electron donating characteristic (or electron accepting characteristic), and a block containing a molecular structure having a hydrogen-bond forming capability; and a photoelectric conversion layer which comprises a molecular structure having the hydrogen-bond forming capability of the blockcopolymer and an electron accepting compound (or electron donating compound) for forming the hydrogen bond.例文帳に追加

電子供与性（または電子受容性）を有する分子構造を含むブロックと水素結合形成能を有する分子構造を含むブロックから少なくとも構成されるブロック共重合体と、該ブロック共重合体の水素結合形成能を有する分子構造と水素結合を形成する電子受容性化合物（または電子供与性化合物）とからなる光電変換層を有する光電変換素子により前記課題が達成できる。 - 特許庁

The solid-state imaging device has a plurality of unit pixels arrayed which consist of: a storage well 2 for accumulating electric charges generated by a photoelectric conversion element with incident light; a transfer control element region TT for transferring electric charges to a floating diffusion region; and an output transistor Tm for outputting pixel signals amplified using the electric charges transferred to the floating diffusion region.例文帳に追加

本発明の固体撮像装置は、入射した光によって光電変換素子が発生した電荷を蓄積する蓄積ウェル２と、電荷をフローティングディフュージョン領域へ転送するための転送制御素子領域ＴＴと、フローティングディフュージョン領域に転送された電荷に基づいて増幅された画素信号を出力するための出力用トランジスタＴｍと、を備えた単位画素を、複数配列して構成される。 - 特許庁

In the liquid-crystal display device for displaying a desired color image by transmitting white light emitted from a backlight by each of a blue color filter, a green color filter and a red color filter, the backlight emits white color by color mixture of emission light of a blue light-emitting element and wavelength conversion light of a green phosphor and a red phosphor using the emission light of the blue light-emitting element as excitation light.例文帳に追加

バックライトから発せられた白色光を青色カラーフィルタ、緑色カラーフィルタ、赤色のカラーフィルタの各々により透過させて所望のカラー画像を表示する液晶表示装置において、バックライトは、青色発光素子の発光光、及び、青色発光素子の発光光を励起光とする緑色蛍光体，赤色蛍光体の波長変換光の混色により白色を発光する。 - 特許庁

The housing 35 is provided with core fixing parts 39, 40, 41 for fixing the magnetic core 31, bus bar fixing parts 42, 43, 44 for fixing the bus bar 10, an element fixing part 38 for fixing the magnetoelectric conversion element 22 so that the cabling member 23 is arranged on a position overlapping on at least either of the gap part 32 and the bus bar insertion part 33 of the magnetic core 31.例文帳に追加

本発明は、ハウジング３５に、磁性体コア３１を固定するコア固定部３９，４０，４１と、バスバー１０を固定するバスバー固定部４２，４３，４４と、配索部材２３が磁性体コア３１のギャップ部３２およびバスバー挿通部３３の少なくとも一方と重なる位置に配置されるように磁電変換素子２２を固定する素子固定部３８と、が設けられているところに特徴を有する。 - 特許庁

The discharge time driving circuit Mb includes an arithmetic processing section Mc having a conversion section Me making a potential similar to an output terminal of the other switching element Qd to be a reference potential and converting a detection signal detecting a state (current and temperature, for example) of the switching element into data information and a signal generation section Mg generating a driving signal which individually drives the switching elements Qu and Qd based on the data information.例文帳に追加

放電時駆動回路Ｍｂは、他方のスイッチング素子Ｑｄの出力端子と同電位を基準電位とし、スイッチング素子の状態（例えば電流や温度等）を検出した検出信号をデータ情報に変換する変換部Ｍｅと、当該データ情報に基づいてスイッチング素子Ｑｕ，Ｑｄを個別に駆動する駆動信号を生成する信号生成部Ｍｇとを備える演算処理部Ｍｃを含む。 - 特許庁

The semiconductor module for power conversion comprises an insulating substrate (10), an electrode wiring layer (11A) provided on one major surface thereof, and a switching element (12) and a circulation diode (13) mounted on the electrode wiring layer wherein thermal resistance against diffusion of heat generated from the circulation diode is lower than thermal resistance against diffusion of heat generated from the switching element.例文帳に追加

絶縁基板（１０）と、その一方の主面上に設けられた電極配線層（１１Ａ）と、その電極配線層の上にマウントされたスイッチング素子（１２）及び還流ダイオード（１３）と、を備えた電力変換用の半導体モジュールであって、還流ダイオードにおいて生じた熱の拡散に対する熱抵抗が、スイッチング素子において生じた熱の拡散に対する熱抵抗よりも小さいものとする。 - 特許庁

To provide a solar cell of high energy conversion efficiency by reducing recombination of carrier by partially providing an insulating layer to a junction interface between a back electrode film and a semiconductor thin film which becomes a light absorbing layer, and by reducing defect density and improving carrier concentration by adding Ia group element or Vb group element to a partial insulating layer and diffusing it to the semicondcutor thin film.例文帳に追加

裏面電極膜と光吸収層となる半導体薄膜の接合界面に部分的に絶縁層を設けることによりキャリアの再結合を低減し、かつ部分的な絶縁層にＩａ族元素あるいはＶｂ族元素を添加することにより半導体薄膜へ拡散させて、欠陥密度の低減やキャリア濃度の向上を行い、エネルギー変換効率の高い太陽電池を提供する。 - 特許庁

An n-type thermoelectric conversion material comprises a cobalt antimonide compound of filled skutterudite structure where a void small lattice with no antimony ring present is partially filled with a filling element, among crystal small lattices of the cobalt antimonide compound of skutterudite type crystal structure, with a cobalt of a component element replaced with palladium by 1-10 atom %.例文帳に追加

スクッテルダイト型結晶構造を有するコバルトアンチモナイド化合物における結晶小格子のうち、アンチモンリングが存在しない空隙小格子を充填元素で部分的に充填したフィルドスクッテルダイト構造のコバルトアンチモナイド化合物であって、その構成元素コバルトをその１原子％から１０原子％までの割合でパラジウムにより置換したコバルトアンチモナイド化合物からなることを特徴とするｎ型熱電変換材料。 - 特許庁

An imaging apparatus comprises an imaging element 210 performing photoelectric conversion of an object image, a photographing means 220 for photographing an image by using the imaging element and displaying a photographed image on a display means 213, and a parameter alteration control means 223 for altering parameters related to photographing means sequentially so as to include a reference value and controlling the photographic means for photographing a plurality of images having different parameters.例文帳に追加

被写体像を光電変換する撮像素子２１０と、撮像素子を用いて画像の撮影を行い、該撮影画像を表示手段２１３に表示させる撮影処理手段２２０と、撮影に関するパラメータを、基準値を含むように順次変更するとともに、該パラメータが異なる複数の画像の撮影を撮影処理手段に行わせるパラメータ変更制御手段２２３とを有する。 - 特許庁

This radiation detector having a plurality of pixel electrodes 117 and common electrodes in the both side of a photoelectric conversion layer is disposed with intra-element guard ring electrodes 111 between the pixel electrodes 117 of radiation detecting elements, and changes over the intra-element guard ring electrodes 111 between an electrically released state and a state connected to grounding potential to change an area where the radiation detecting elements detect the radiation.例文帳に追加

光電変換層を挟んで複数の画素電極117と共通電極とを設けた放射線検出器において、放射線検出素子の画素電極117間に素子間ガードリング電極111を隣接して配置し、素子間ガードリング電極111を電気的に解放した状態と接地電位と接続した状態との間で切り替えることで、放射線検出素子が放射線を検出する面積を変更する。 - 特許庁

This projector is provided with a photoelectric conversion element 3 disposed to receive the undesired light from a valve light 1 and converting light energy to electric energy, a charger 4 storing the electric energy from the element 3, and a detector 5 detecting that the electric energy is stored in the charger 4, and constituted so that the electric energy in the charger 4 is used based on designation from the detector 5.例文帳に追加

本発明のプロジェクタは、バルブライト１からの不要光を受光するように配設され光エネルギを電気エネルギに変換する光電変換素子３と、光電変換素子３からの電気エネルギを蓄電する充電器４と、充電器４に電気エネルギが蓄電されたことを検出する検出器５を設け、検出器５からの指示に基づいて充電器４の電気エネルギを使用するよう構成したものである。 - 特許庁

The solid-state imaging device includes a substrate 6, a plurality of unit pixels disposed on the substrate 6, a wiring layer 4 formed on the plurality of unit pixels, an optical waveguide area 401 formed on photoelectric conversion areas included in the unit pixels and penetrating the wiring layer 4, and the condensing element 501 formed on the optical waveguide area 401, the condensing element 501 having an effective refractive index distribution.例文帳に追加

基板６と、基板６上に配置された複数の単位画素と、複数の単位画素上に形成された配線層４と、単位画素に含まれる光電変換領域上に形成された配線層４を貫く光導波領域４０１と、光導波領域４０１上に形成された集光素子５０１とを備え、集光素子５０１は実効屈折率分布を有することを特徴とする。 - 特許庁

The imaging apparatus comprises: an imaging element an imaging optical system in which at least a single piece of lens is movable along an optical axis; and a focus detecting means for detecting a focus according to an image data obtained by a prescribed process to an electro-optical conversion output outputted from the imaging element, where the focus detection means detects the focus by using a single color component.例文帳に追加

撮像素子と、少なくとも１枚のレンズが光軸に沿って移動可能となされた撮像光学系と、撮像素子より出力される光電変換出力に所定の処理を施して得られる画像データに基づいて焦点検出をおこなう焦点検出手段と、を有する撮像装置において、焦点検出手段は、一つの色成分のデータを用いて焦点検出をおこなう撮像装置とする。 - 特許庁

In an imaging element and an imaging method, the element has at least one photoelectric conversion region, wherein the region includes at least one electrode, at least one kind of organic dye, and at least one inorganic material, and the organic dye is disposed in a manner of being contacted to the inorganic material, and the electrodes applies positive-bias voltage for at most one second.例文帳に追加

基板上に少なくとも一つの光電変換部位を有する撮像素子において、該光電変換部位が少なくとも一つの電極、少なくとも１種の有機色素、少なくとも一つの無機材料を含み、該有機色素が無機材料に接触して配置されており、かつ、該電極は撮影時に該無機材料に正バイアス電圧を１秒以下印加する電極であることを特徴とする撮像素子及び撮像方法。 - 特許庁

The laser resonator 10 generating laser light of first wavelength by exciting a laser medium 12 comprises a wavelength conversion element 14 arranged on the optical path of the laser resonator 10 and converting laser light of first wavelength into laser light of second wavelength different from the first wavelength, and an element 15 arranged on the optical path of the laser resonator and controlling loss of laser light of first wavelength.例文帳に追加

レーザ媒質１２を励起して第１波長のレーザ光を発生させるレーザ共振器１０において、レーザ共振器１０の光路上に設置され、第１波長のレーザ光をこの第１波長と異なる第２波長のレーザ光に変換する波長変換素子１４と、レーザ共振器の光路上に設置され、第１波長のレーザ光の損失を制御する損失制御素子１５と、を有する。 - 特許庁

A drain current that flows to a switching element 1 is detected by a drain current voltage conversion circuit 3 and converted to a voltage signal by utilizing the fact that the temporal change of the drain current flowing to the switching element 1 is changed according to an input voltage, the signal and an input voltage detection level Vref are compared by an input voltage detection comparator 23, and an abnormal input voltage is detected.例文帳に追加

スイッチング素子１に流れるドレイン電流の時間変化が入力電圧に応じて変わることを利用して、スイッチング素子１に流れるドレイン電流をドレイン電流電圧変換回路３によって検出して電圧信号へと変換し、この信号と入力電圧検出レベルＶｒｅｆとを入力電圧検出コンパレータ２３で比較して異常入力電圧を検出する。 - 特許庁

To provide a method of forming a photovoltaic element having higher photoelectric conversion characteristics, which can control the amount of boron which is taken in a silicon layer, specially facilitates formation of a desired p+ layer even at a lower reprecipitation temperature and moreover, enables formation of a high-quality silicon layer, and to provide a formed photovoltaic element, a method of forming a semiconductor substrate and a semiconductor substrate.例文帳に追加

シリコン層中に取り込まれるボロン量の制御が可能で、特により低い再析出温度においても所望のｐ＋層の形成が容易になり、さらに高品質なシリコン層の形成が可能になり、より光電変換特性の高い光起電力素子を形成する方法と、形成される光起電力素子並びに半導体基板の形成方法および半導体基板を提供すること。 - 特許庁