「coupled semiconductor」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

Even if second electrode pads 201, 203 of the second semiconductor chip approach the edges of the first semiconductor chip, wires 210, 211 coupled with the second electrode pads are not made to contact with the first semiconductor chip, because of the spacer that secures space between the edge of the first semiconductor chip and the second semiconductor chip.例文帳に追加

第２半導体チップの第２電極パッド（２０１、２０３）が第１半導体チップの縁辺に近接しても、スペーサが第１半導体チップの縁辺部分と第２半導体チップとの間に空間を確保するから、第２電極パッドに結合するワイヤ（２１０、２１１）は第１半導体チップに接触しない。 - 特許庁

A semiconductor laser module 2 comprises: a semiconductor laser substrate 212 having a plurality of distributed-reflection type semiconductor laser elements 214 emitting laser light in an anterior direction; and an optical selection element 22 that is optically coupled to the plurality of distributed-reflection type semiconductor laser elements 214 and that selectively outputs the laser light emitted from the plurality of distributed-reflection type semiconductor laser elements 214.例文帳に追加

半導体レーザモジュール２は、レーザ光を前方向に出射する複数の分布反射型半導体レーザ素子２１４を備える半導体レーザ基板２１２と、複数の分布反射型半導体レーザ素子２１４に光学的に結合された、複数の分布反射型半導体レーザ素子２１４から出射されたレーザ光を選択出力する光選択素子２２と、を備える。 - 特許庁

A part or the whole of nitrogen constituting the nitrogen containing layer or a part or the whole of nitrogen or oxygen constituting oxygen/nitrogen containing layer is coupled with Si in the semiconductor layer 33 of the thin film transistor.例文帳に追加

窒素含有層を構成する窒素の一部若しくは全部、または、酸素窒素含有層を構成する窒素または酸素の一部若しくは全部は、薄膜トランジスタの半導体層３３のＳｉと結合している。 - 特許庁

Hydrogen atoms are thereby diffused in a semiconductor device and coupled with dangling bonds existing on the interface between the silicon oxide film and the silicon substrate.例文帳に追加

このアニール工程により、水素原子が半導体装置内を拡散し、シリコン酸化膜とシリコン基板界面に存在するダングリングボンドと結合する。 - 特許庁

A pass transistor is coupled with the gate electrode, is positioned adjacently to the gate electrode of a transistor for heating thin film, and has source and drain regions in the same semiconductor substrate.例文帳に追加

パストランジスタがゲート電極へ結合されており、該パストランジスタは薄膜加熱用トランジスタのゲート電極に隣接して位置され同一の半導体基板内にソース／ドレイン領域を有している。 - 特許庁

The wavelength tunable light source is constituted of a tunable filter for varying the wavelength of a spectrum peak of intensity transmittance and a plurality of semiconductor amplifiers optically coupled with the filter and having different wavelength regions of a gain spectrum.例文帳に追加

透過光強度のスペクトルピークの波長を変化させるための波長可変フィルタと、波長可変フィルタと光学的に結合され、利得スペクトルの波長領域が異なる複数の半導体増幅器とを有する構成である。 - 特許庁

MEMORY HAVING CHARGE STORAGE NODE HAVING AT LEAST A PART POSITIONED IN TRENCH OF SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND ELECTRICALLY COUPLED WITH SOURCE/DRAIN REGIONS FORMED ON SUBSTRATE例文帳に追加

半導体基板のトレンチ内に少なくとも一部が位置付けられ、該基板に形成されたソース／ドレイン領域に電気的に結合された電荷蓄積ノードを有するメモリ - 特許庁

Also included is a rasterizer coupled to the lighting module 54 and positioned on the single semiconductor platform for rendering the vertex data received from the lighting module 54.例文帳に追加

また、ライティングモジュール54に結合され、そこから受信された頂点データをレンダリングするため１つの半導体プラットフォームに位置されているラスター化装置も含まれている。 - 特許庁

Next, after an organic semiconductor is formed, a protective film having a contact hole for exposing the drain electrode is formed and a pixel electrode to be coupled to the drain electrode via the contact hole is formed.例文帳に追加

次に、有機半導体を形成した後、ドレイン電極を露出する接触孔を有する保護膜を形成し、接触孔を通じてドレイン電極と連結される画素電極を形成する。 - 特許庁

Light reflected from slanted poled optical domains does not couple efficiently back into the optical waveguide, which facilitates reduction of back reflection towards a semiconductor laser source coupled to the waveguide.例文帳に追加

傾斜している分極反転光学領域から反射された光は、光導波路の中へ戻って効率的に結合することがなく、このことにより、導波路に結合された半導体レーザ光源への背面反射の低減が助長される。 - 特許庁

Further, the semiconductor device 10 includes a heat sink 11 thermally coupled to the insulation metal substrate 22, and a positive electrode member 27 and a negative electrode member 28 connected with a direct current power source 41.例文帳に追加

また、半導体装置１０は、絶縁金属基板２２と熱的に結合されたヒートシンク１１と、直流電源４１に接続される正極用電極部材２７及び負極用電極部材２８とを有する。 - 特許庁

To avoid a situation where the layout area of a clamp circuit provided in the circuit of a semiconductor element and determining the DC level at a capacity coupled signal terminal is increased by a high resistance resistive element formed of polysilicon being employed therein.例文帳に追加

半導体素子の回路内に設けられ、容量結合された信号端子の直流レベルを定めるクランプ回路のレイアウト面積が、それに用いられるポリシリコン等で形成される高抵抗の抵抗素子により大きくなる。 - 特許庁

To provide a semiconductor plasma processing device that can enhance etching uniformity, by compensating a radical-side concentration phenomenon which is a weakness of an inductively coupled plasma source.例文帳に追加

本発明の誘導結合プラズマ源の短所であるラジカル側面集中現象を補ってエッチング均一度を高めることができる半導体プラズマ処理装置に関する。 - 特許庁

In the light receiving device 1, a waveguide 24 is provided on a semiconductor substrate 3, and is optically coupled with an optical fiber 53, which propagates signal light B2, at one end.例文帳に追加

光受信デバイス１において、導波路２４は、半導体基板３上に設けられており、信号光Ｂ２を伝搬する光ファイバ５３と一端において光学的に結合されている。 - 特許庁

A lighting module 54 is coupled to the transform module and is positioned on the single semiconductor platform for performing lighting operations on the vertex data received from the transform module.例文帳に追加

変換モジュールにはライティングモジュール54が結合され、これは変換モジュールから受信された頂点データでライティング動作を行うため１つの半導体プラットフォームに位置される。 - 特許庁

To provide an optically coupled semiconductor device which is superior in reliability, can be miniaturized and can be manufactured by a simple process, and to provide a manufacturing method of the device.例文帳に追加

この発明は、信頼性に優れ、装置を小型化することができ、さらに簡易なプロセスで製造可能な光結合半導体装置およびその製造方法を提供することにある。 - 特許庁

Semiconductor devices (diodes D1-D4) including a nonlinear multiplication function or an integrated circuit is mounted on a conductor of a planar antenna in such a way that two orthogonal resonance attitudes in the planar antenna are nonlinearly coupled to each other.例文帳に追加

平面アンテナの導体に非線形乗算機能を有する半導体素子（ダイオードＤ１〜Ｄ４）あるいは集積回路を装荷し、平面アンテナにおける２つの直交共振姿態が互いに非線形結合するようにしたものである。 - 特許庁

The heat sink 30 is in a plate shape, and bonded to a lower surface of the insulating substrate 10 to be thermally coupled with the semiconductor element 20 through the insulating substrate 10.例文帳に追加

ヒートシンク３０は板状をなし、絶縁基板１０の下面に接合され、絶縁基板１０を介して半導体素子２０と熱的に結合している。 - 特許庁

Related to such charge coupled device as this structure, after the first and second electrode parts are subjected to Schottky-connected to the semiconductor substrate are formed, an insulating film is formed, on which the third electrode part is formed.例文帳に追加

このような構造の電荷結合素子は、半導体基板上にショットキー接続する第１、第２の電極部を形成した後、絶縁膜を形成し、この絶縁膜上に第３の電極部を形成することによって形成する。 - 特許庁

The solar cell receiver (12) includes a solar cell (30) having one or more III-V compound semiconductor layers, a diode (14) coupled in parallel with the solar cell (30), and a connector (40) for coupling to other solar cell receivers.例文帳に追加

太陽電池レシーバ（１２）は、１つ以上のIII−Ｖ属化合物半導体層を有する太陽電池（３０）、太陽電池（３０）に並列接続されたダイオード（１４）及び他の太陽電池レシーバに接続するためのコネクタ（４０）を含む。 - 特許庁

After iteratively performing such processing, a plurality of thumbnail image information blocks 91 stored in the semiconductor memory are coupled to generate thumbnail image information 90, and stored on the optical disk.例文帳に追加

このような処理を繰り返して行った後、半導体メモリに蓄積された複数のサムネイル画像情報ブロック９１を結合し、サムネイル画像情報９０を生成し、これを光ディスクに保存する。 - 特許庁

The heat conductive sheet 50 is interposed between the circuit board 10 and the heat sink 30, and the semiconductor element 20 and the heat sink 30 are coupled thermally through the circuit board 10 and the heat-transfer sheet 50.例文帳に追加

回路基板１０と放熱板３０との間に熱伝シート５０が介在され、回路基板１０および熱伝シート５０を介して半導体素子２０と放熱板３０とが熱的に結合している。 - 特許庁

AWG 18 has an input, that is optically coupled to a second end surface 16b of the semiconductor laser 16, and separates the light in the prescribed oscillation spectrum into its spectral components, to output them to output ports at positions which are spatially different from each other.例文帳に追加

AWG18は、半導体レーザ16の第２端面16bと光学的に結合された入力を有し、所定の発振スペクトル内の光を分光し空間的に異なる位置の出力ポートに出力する。 - 特許庁

Thus, m optical fibers 14 and the optical semiconductor chip 12 are coupled optically, without having to use parts corresponding to one optical element from both ends where stresses are concentrated.例文帳に追加

これによって、応力が集中する両端から１光素子に相当する部分を使用することなく、ｍ本の光ファイバ14と光半導体チップ12とが光学的に結合される。 - 特許庁

A compound packaging device comprises a semiconductor laser (LD) 21, and a silicon platform (substrate) 11 on which the LD21 is mounted and an optical waveguide 12 is formed which is optically coupled with the LD.例文帳に追加

複合実装デバイスは、半導体レーザ（ＬＤ）２１と、ＬＤ２１を搭載し、そのＬＤと光結合する光導波路１２が形成されたシリコンプラットフォーム（基板）１１とを備える。 - 特許庁

The fiber holding member 4 includes an alignment substrate 9 for holding optical fibers 8A to 8C in an arrayed state to be optically coupled to the semiconductor lasers 5A to 5C, respectively.例文帳に追加

ファイバ保持部材４は、半導体レーザ５Ａ〜５Ｃとそれぞれ光結合される光ファイバ８Ａ〜８Ｃを整列状態に保持するアライメント基板９を有している。 - 特許庁

This system comprises a current generator generating the reference current and arranged in a semiconductor device, and a bias generator coupled to the internal device circuit.例文帳に追加

このシステムは、基準電流を発生し且つ半導体層値内に配置された電流発生器と、内部装置回路に結合されたバイアス発生器を含む。 - 特許庁

The inductor section 2 comprises first and second inductors L1, L2 formed respectively on first and second semiconductor chips and electromagnetically coupled with each other, and the chips are laminatedly formed.例文帳に追加

インダクタ部２は、第１及び第２の各半導体チップ上にそれぞれ形成され、互いに電磁結合する第１及び第２のインダクタＬ１、Ｌ２を有し、これら各チップはスペーサを介して積層されて形成される。 - 特許庁

The inductor section 2 comprises first and second inductors L1, L2 formed respectively on first and second semiconductor chips and electromagnetically coupled with each other, and the chips are respectively fixed to and laminated on lead frames.例文帳に追加

インダクタ部２は、第１及び第２の各半導体チップ上にそれぞれ形成され互いに電磁結合する第１及び第２のインダクタＬ１、Ｌ２を有し、各チップはそれぞれリードフレームに固定されて積層される。 - 特許庁

A laser beam emitted from the exciting semiconductor laser is optically coupled to the first end face 7 of the optical fiber, and the solid-state laser medium is excited by the laser beam emitted from the second end face 8 of the optical fiber.例文帳に追加

励起用半導体レーザから出射したレーザ光が光ファイバーの第１の端面７に光結合し、光ファイバーの第２の端面８から出射したレーザ光により固体レーザ媒質が励起される。 - 特許庁

The light emitting semiconductor structure is coupled with a sub-mount and first and second bias voltages are respectively applied across the sub-mount and a solution of electrostatically charged phosphor particles.例文帳に追加

発光半導体構造がサブマウントに結合され、該サブマントに第１のバイアス電圧がかけられ、帯電した蛍光体粒子の溶液に第２のバイアス電圧がかけられる。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device that increases the coupling capacity in which a control gate is coupled with a floating gate even when a memory cell is microfabricated.例文帳に追加

メモリセルを微細化してもコントロールゲートとフローティングゲートとの結合容量を増大さることができる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

A gate current limit resistor 445 is coupled to a gate input of the wide bandgap semiconductor junction gate transistor when used, and limits the gate current input to a gate of the junction gate transistor.例文帳に追加

ゲート電流制限抵抗器４４５は、使用時にワイドバンドギャップ半導体接合ゲートトランジスタのゲート入力に結合され、接合ゲートトランジスタのゲートに入力されるゲート電流を制限する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which does not apply a thermal damage to a lower layer wiring formed previously, and can remove a water content or etching gas component coupled to a film of a low dielectric constant after etching.例文帳に追加

先に形成された下層配線に熱的ダメージを与えることなく、エッチング加工後の低誘電率膜に結合した水分やエッチングガス成分を除去することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device by which a silicon film with a sufficient thickness can be formed on an active region while preventing the silicon film grown in a lateral direction between adjoining the active regions from being coupled.例文帳に追加

隣接する活性領域の間で横方向に成長するシリコン膜が連結されることを防ぎつつ、活性領域上に十分な厚みのシリコン膜を形成可能とした半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an optical element capable of being directly coupled with a semiconductor laser without using a sub mount, capable of reducing the number of parts of a device and capable of miniaturizing and lightening the device.例文帳に追加

サブマウントを用いることなく半導体レーザと直接結合することができ、デバイスの部品点数の低減と小型軽量化を図ることが可能な光学素子を提供する。 - 特許庁

As a substitute for a conventional gate contact, a HF signal goes to the sensitive area of a semiconductor component capacitively coupled via an insulating film, and then operates as a sensitive thyristor.例文帳に追加

ＨＦ信号は従来のゲート接触の代わりに、絶縁膜を介して容量結合された半導体コンポーネントの感応エリアに向かい、感応サイリスタとして動作する。 - 特許庁

A heat dissipation lid 11 is placed at the heat sink 6 so as to be coupled close to the semiconductor chip 4 and the heat dissipation lid 11 has a recess 13 in which the chip 4 is contained.例文帳に追加

放熱蓋１１が放熱板６における半導体チップ４の周囲で連結するように配置され、放熱蓋１１はチップ４を収容する凹部１３を有している。 - 特許庁

A plurality of freestanding, resilient contact elements 532 are mechanically coupled to one of the flexible wiring layers or the semiconductor substrate and make electrical contacts between corresponding ones of the first contact terminals and the second contact terminals.例文帳に追加

複数の自立型の弾性接触要素５３２は、フレキシブル配線層または半導体基板の１つの端子に機械的に結合し、対応する第１の接触端子と第２の接触端子のそれぞれの間で電気接触する。 - 特許庁

To achieve a gain-coupled DFB laser structure, capable of single wavelength operation and high optical output operation over a wide temperature range, in regard to an optical semiconductor device and a manufacturing method therefor.例文帳に追加

光半導体素子及びその製造方法に関し、広い温度範囲で単一波長動作と高光出力動作が可能な利得結合型ＤＦＢレーザ構造を実現する。 - 特許庁

To provide a socket for inspecting semiconductor chip which a plunger bringing a contact pad of an inspection object into contact is coupled stably in a fixed position of a conductive sheet, and improves reliability of inspection.例文帳に追加

検査対象物の接触パッドが接触するプランジャが導電性シートの定位置に安定に結合して検査の信頼性が向上する半導体チップ検査用ソケットを提供する。 - 特許庁

The semiconductor integrated circuit is formed as a part of the constitution that pre-designed circuit components, i.e., M-cannel MOS transistors 1, p-channel MOS transistors 2 and n-wells 3 are coupled through wirings.例文帳に追加

半導体集積回路は、予め設計された回路部品であるＭチャンネルＭＯＳトランジスタ１，PチャンネルＭＯＳトランジスタ２およびNウェル３が配線により結合され構成内容の一部として形成される。 - 特許庁

Since the slope of small V-groove 64 is present, light advancing downward from the optical semiconductor device 76 is coupled to the optical fiber 75 without being kicked on the way, and coupling efficiency is increased.例文帳に追加

また、小Ｖ溝６４の傾斜面が存在するので、光半導体素子７６から下向きに進行した光が途中で蹴られることなく光ファイバ７５と結合し、結合効率を高めることができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser unit which is coupled to a light receiving element and whose quantity of stray light is small by suppressing light which is Fresnel-reflected in a hologram element adjacent to a light source.例文帳に追加

光源に近接したホログラム素子においてフレネル反射する光を抑えることにより、受光素子に結合する迷光量の少ない半導体レーザユニットを提供する。 - 特許庁

A plurality of coupling parts 57a-57j are arranged in the mounting region of a semiconductor chip, a large number of leads are coupled on the inside of the mounting surface of one IC chip and the leads are connected electrically with the frame through the coupling parts.例文帳に追加

一方、半導体チップの実装領域において複数の連結部５７ａ〜５７ｊを配置し、１つのＩＣチップの実装面の内側において多数のリードを連結し、その連結部を介して電気的にフレームに接続する。 - 特許庁