「coupled semiconductor」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

The semiconductor memory device is provided with a sensing unit including first cross-coupled MOS transistors to sense and amplify difference between voltage applied to a first node and that to a second node, and a unit cell latching data by using second cross-coupled MOS transistor and providing a first signal and a second signal corresponding to the latched data to the first node and the second node.例文帳に追加

本発明の半導体メモリ装置は、第１のクロスカップルされたＭＯＳトランジスタを備え、第１のノード及び第２のノードに印加される電圧の差を検出して増幅するセンシング部と、第２のクロスカップルされたＭＯＳトランジスタを用いてデータをラッチし、ラッチされたデータに対応する第１の信号及び第２の信号を前記第１のノード及び第２のノードに提供する単位セルとを備える。 - 特許庁

In the image driving element sheet, a plurality of thin film transistors coupled via a gate bus line and a source bus line are formed on a support sheet, the thin film transistors have source electrodes and drain electrodes coupled by channels consisting of gate electrodes, gate insulation layers, semiconductor layers in this order and the pixel electrodes are joined with the drain electrodes via an anisotropic conductive film.例文帳に追加

支持体シート上に、ゲートバスライン及びソースバスラインを介して連結された複数の薄膜トランジスタが形成され、該薄膜トランジスタはゲート電極、ゲート絶縁層、半導体層からなるチャネルで連結されたソース電極及びドレイン電極をこの順に有し、画素電極が異方性導電膜を介してドレイン電極と接合されている画像駆動素子シート。 - 特許庁

A laser beam emitted from the double electrode semiconductor laser is optically coupled to the optical waveguide 6 of the optical waveguide device 3, a part of the laser beam emitted from the double electrode semiconductor laser is reflected from the DBR region so as to be fed back to the double electrode semiconductor laser, and thus an oscillation wavelength is locked.例文帳に追加

二電極半導体レーザから出射したレーザ光が光導波路デバイスの光導波路６に光学的に結合されるように構成され、二電極半導体レーザから出射したレーザ光の一部分はＤＢＲ領域により反射して二電極半導体レーザに光帰還して、発振波長がロックされる。 - 特許庁

In the optical module, the semiconductor laser 10 and the optical fiber 30 are optically coupled via the silicone resin 20, an emission part 100 of the semiconductor laser 10 is covered by the silicone resin 20, and a wavelength component of emission light outputted from the emission part 100 of the semiconductor laser 10 is a wavelength component excluding wavelength components of 1.270 μm or less.例文帳に追加

半導体レーザ１０と光ファイバ３０とがシリコーン樹脂２０を介して光結合されている光モジュールであり、この半導体レーザ１０の出射部１００は、このシリコーン樹脂２０により覆われており、この半導体レーザ１０の出射部１００から出力される出射光の波長成分は１．２７０μｍ以下の波長成分を取り除いた波長成分である。 - 特許庁

The coupling efficiency is determined by calculating the intensity of the laser beam emitted from the semiconductor device and an intensity passing through the light-receiving section coupled with the semiconductor laser device in a dot shape, respectively, by using an equipment such as a far field pattern measuring device or the like which can measure the characteristics of the semiconductor laser device with relatively ease.例文帳に追加

遠視野像測定装置などの比較的容易に半導体レーザ素子の特性が測定できる装置を用い、半導体レーザ素子から出されるレーザ光の光強度および、半導体レーザ素子と結合させる受光部における受光部を通過する光強度のそれぞれをドット状に算出し、結合効率を求める。 - 特許庁

A semiconductor integrated circuit module (radio communication module) includes: a flexible substrate 15; a semiconductor circuit chip (radio IC chip 10) provided on the flexible substrate 15; a coil pattern 20 which is formed on the flexible substrate 15 and coupled to the semiconductor circuit chip (radio IC chip 10); and a reinforcement member (interlayer conductor 26) for reinforcing strength of the flexible substrate 15.例文帳に追加

フレキシブル基板１５と、該フレキシブル基板１５に設けられた半導体回路チップ（無線ＩＣチップ１０）と、フレキシブル基板１５に形成されて半導体回路チップ（無線ＩＣチップ１０）に結合されているコイルパターン２０と、フレキシブル基板１５強度を補強するための補強部材（層間導体２６）とを備えた半導体集積回路モジュール（無線通信モジュール）。 - 特許庁

The semiconductor device 1 comprises an island 10 with a semiconductor chip 90 mounted, a hanging pin 20 with its part bent coupled to and holding the island 10, a resin 30 (a first resin) provided on a flection 22 which is the bent part of the hanging pin 20, and a resin 40 (a second resin) for sealing the semiconductor chip 90.例文帳に追加

半導体装置１は、半導体チップ９０が載置されたアイランド１０と、アイランド１０に連結されて当該アイランド１０を保持するとともに、一部が屈曲した吊ピン２０と、吊ピン２０の屈曲した部分である屈曲部２２上に設けられた樹脂３０（第１の樹脂）と、半導体チップ９０を封止する樹脂４０（第２の樹脂）と、を備えている。 - 特許庁

To provide an optical fiber array in which optical fibers can easily be positioned highly precisely and to which the output light from a semiconductor laser array can be coupled at an excellent coupling efficiency, and to provide a semiconductor laser module which can couple the output light from the semiconductor laser array to the optical fibers at an excellent coupling efficiency and can outgo the output light from the optical fibers at a low loss.例文帳に追加

本発明は、光ファイバが精度良く位置決めされ、優れた結合効率で容易に半導体レーザアレイからの出力光を結合できる光ファイバアレイと、半導体レーザアレイからの出力光を優れた結合効率で光ファイバに結合でき、低損失で出力光を光ファイバから出射できる半導体レーザモジュールを提供する。 - 特許庁

The non-contact communication type information carrier is constituted of a semiconductor chip 2 where an antenna coil 1 is integrally formed, a booster coil 3 electromagnetically inductively coupled with the antenna coil 1 integrally formed on the semiconductor chip 2 and the antenna coil provided in a reader-writer, and an insulating member 4 carrying the semiconductor chip 2 and the booster coil 3.例文帳に追加

アンテナコイル１が一体形成された半導体チップ２と、半導体チップ２に一体形成されたアンテナコイル１及びリーダライタに備えられたアンテナコイルと電磁誘導結合するブースタコイル３と、これら半導体チップ２及びブースタコイル３を担持する絶縁部材４とをもって非接触通信式情報担体を構成する。 - 特許庁

The isolator 9 incorporated in the package 1 is removed from an upper surface of the subcarrier 4 mounted with the semiconductor laser 6 to another location in the package 1 satisfying the optical axis of the laser 6 and thermally coupled with the Peltier element 3.例文帳に追加

そして、パッケージ１内に組込まれたアイソレータ９を半導体レーザ６を搭載したサブキャリア４の上面から外して、半導体レーザ６の光軸を満足するパッケージ１内の他の位置へ移動させ、かつアイソレータ９をペルチェ素子３に対して熱的に結合させる。 - 特許庁

To facilitate the positioning between an optical fiber and a converging optical system in a laser device in which a laser beam emitted from a semiconductor laser arranged in a package is converged by the converging optical system to be coupled to an optical fiber.例文帳に追加

パッケージ内に配置した半導体レーザーから出射したレーザービームを、集光光学系によって集光して光ファイバーに結合するようにしたレーザー装置において、光ファイバーと集光光学系との位置合わせを容易に行えるようにする。 - 特許庁

An emission wavelength of a semiconductor laser coupled optically to a plurality of optical fibers arranged sequentially outside from the center is made sequentially longer on an arrangement of a plurality of optical fibers at equal intervals in an array within a plane perpendicular to an optical axis direction.例文帳に追加

光軸方向に対した垂直平面内で一列に等間隔で配列した複数の光ファイバーで配列上で中心から順次外側に配列した複数の光ファイバーに光学的に結合する半導体レーザの発光波長が順次長くなるように構成する。 - 特許庁

A semiconductor, a charge transfer material, a component or a device contains a polymer which contains at least one withdrawing group coupled with the polymer as the dopant for inducing or increasing the charge carrier mobility and electric conductivity.例文帳に追加

ポリマーに結合する少なくとも１個の電子求引基を電荷キャリア移動度または電気伝導度を誘発または強化するためのドーピング剤として含むポリマー、を含む、半導体または電荷移動材料、部品またはデバイスを提供する。 - 特許庁

This charge transfer electrode of a charge coupled device comprises first and second electrode parts making Schottky contact with a semiconductor substrate, and a clock voltage is applied directly to the first electrode part, while it is applied to the second electrode component through a capacity element.例文帳に追加

電荷結合素子の電荷転送電極を、半導体基板にショットキー接触する第１の電極部と第２の電極部で構成し、クロック電圧を第１の電極部には直接印加し、第２の電極部には容量素子を介して印加する構成とする。 - 特許庁

A light receiving element 1a5 reflects a portion of incident light and transmits a portion of the incident light, and a semiconductor light receiving device includes a light receiving element 17a provided in the 1st area 3a to optically be coupled with an optical element 15a.例文帳に追加

受光素子１ａ５は、入射光の一部を反射する共に入射光の一部を透過させ、半導体受光デバイスは、光学素子１５ａに光学的に結合されるように第１の領域３ａに設けられた受光素子１７ａを含む。 - 特許庁

Semiconductor laser elements 1 and PD2 provided, respectively, on a silicon substrate 8 and a glass substrate 9 disposed in a package 10 are coupled optically with optical waveguides, i.e., optical fibers 3, provided on the silicon substrate 8 and the glass substrate 9, respectively.例文帳に追加

パッケージ１０内に配置されたシリコン基板８およびガラス基板９上にそれぞれ設けられた半導体レーザー素子１およびＰＤ２は、シリコン基板８およびガラス基板９に設けられた、光導波路としての光ファイバー３とそれぞれ光学的に結合されている。 - 特許庁

Laser beams B1 to B7 emitted from a plurality of semiconductor lasers LD1 to LD7 are condensed via a condenser lens 20 obtained by integrally molding collimator lenses 21 to 27 and a condenser lens 28, coupled by a multi- mode optical fiber 30 and multiplexed.例文帳に追加

複数の半導体レーザーＬＤ１〜７からそれぞれ出射したレーザービームＢ１〜７を、コリメーターレンズ部分21〜27および集光レンズ部分28が一体成形されてなる集光レンズ20で集光した上でマルチモード光ファイバー30に結合させて合波する。 - 特許庁

After an organic insulating film 3 and an inorganic insulating film 4 formed on a semiconductor substrate 1 are etched and a wiring groove 5a is formed, a damage component coupled to surfaces of insulating films 3, 4 by the etching is removed by an electron beam EB irradiation and ultraviolet ray UV irradiation.例文帳に追加

半導体基板１上に形成した有機絶縁膜３および無機絶縁膜４にエッチング加工を施して配線溝５ａを形成した後、エッチング加工によって絶縁膜３，４の表面に結合したダメージ成分を電子線ＥＢ照射または紫外線ＵＶ照射によって除去する。 - 特許庁

In recording and reproducing of the CD, the divergent luminous flux from a second hologram unit 29 mounted with a semiconductor laser chip is coupled by a finite system anamorphic lens 3' and an intensity distribution is shaped from an elliptic shape to a circular shape.例文帳に追加

ＣＤの記録再生を行う場合、半導体レーザチップが搭載された第２のホログラムユニット２９からの発散光束は有限系アナモルフィックレンズ３′によりカップリングされ、かつ強度分布が楕円状から円形状に整形される。 - 特許庁

The semiconductor chips 102a, 102b are each provided with a plurality of through electrodes 106 (106a or 106b), and the through electrodes 106 are electrically connected to input-output terminals 103 via through electrode wirings 110, 111 coupled along a laminate direction.例文帳に追加

半導体チップ１０２ａ，１０２ｂは、それぞれ複数の貫通電極１０６（１０６ａ又は１０６ｂ）を備え、貫通電極１０６が積層方向に沿って連結された貫通電極配線１１０，１１１により入出力端子１０３と電気的に接続されている。 - 特許庁

After dissolving again the metal impurities in the dilute nitric acid 5, the liquid drops are recovered to measure the kinds and quantities of the trace amount of metal impurities existent on the surface of the semiconductor substrate 1 by atomic absorption method or inductively coupled plasma/mass spectrometry.例文帳に追加

金属不純物を希硝酸５の中に再溶解させた後、液滴を回収し、原子吸光分析法あるいは誘導結合プラズマ質量分析法によって半導体基板表面上に存在する極微量金属不純物の種類および量を測定する。 - 特許庁

The method for driving the semiconductor ring laser type gyroscope where the circular path has the plurality of paths with different optical lengths and where at least one portion of the plurality of paths is coupled optically, changes the magnitude of current or voltage applied to at least, one path of the plurality of paths.例文帳に追加

周回状の経路が、光学長の異なる複数の経路を有し、かつ複数の経路のうち少なくとも一部が光学的に結合した半導体リングレーザー型ジャイロの駆動方法であって、複数の経路のうち少なくとも一の経路に注入する電流または印加電圧の大きさを変える。 - 特許庁

Solder balls (13) are provided adjacent to the die such that when the semiconductor device is coupled to a printed circuit board, the exposed surface serves as the drain connections, while the solder balls serve as the source and gate connections.例文帳に追加

半導体デバイスがプリント回路板へ結合されるときに、露出面がドレイン接続として作用すると共に、ハンダボールがソース接続およびゲート接続として作用するように、ダイに隣接してハンダ・ボール（１３）が供給される。 - 特許庁

The individual leads are coupled and fixed to the side of the lead frame where no semiconductor chip is mounted, by using a sealing resin for fixing leads.例文帳に追加

半導体チップが搭載されるダイパッドを吊りリードを介して配置すると共に、ダイパッドに向かって多数本のリードを延在させ、各リードの中間部をタイバにて連結したリードフレームにおいて、リードフレームの半導体チップ非搭載面側で前記各リードをリード固定用封止樹脂により連結、固定している。 - 特許庁

A bias electrode 134 is opposed to a part of the floating electrode 110 via the insulation layer to be capacitively coupled with the floating electrode 110 and is applied with a voltage with such a magnitude that the floating electrode 110 may not form a channel region in the semiconductor layer 102.例文帳に追加

バイアス電極１３４は、絶縁層を介してフローティング電極１１０の一部に対向することにより、フローティング電極１１０と容量結合し、かつフローティング電極１１０が半導体層１０２にチャネル領域を形成しない大きさの電圧が印加される。 - 特許庁

Bump electrodes 4 (conductive members) bonded onto lands 23 disposed at a peripheral portion side than terminals 22 (bonding leads) electrically coupled to pads 3d (electrode pads) of a microcomputer chip 3 (semiconductor chip) are sealed with sealing resin 27 (a sealing body).例文帳に追加

マイコンチップ（半導体チップ）３のパッド（電極パッド）３ｄと電気的接続する端子（ボンディングリード）２２よりも周縁部側に配置されるランド２３上に接合するバンプ電極（導電性部材）４を封止樹脂（封止体）２７で封止する。 - 特許庁

An inspecting element for the semiconductor device includes a base material, an inspection circuit board disposed on the base material and having a circuit layer with an inspection circuit and a non-contact coupled circuit, and a support substrate connected with one principal plane of the inspection circuit board and having a through-electrode.例文帳に追加

本発明の半導体装置の検査用素子は、基材と、基材上に配置され検査回路と非接触結合回路を備えた回路層を有する検査回路基板と、検査回路基板との一の主面に接続され貫通電極を備えた支持基板とを有する。 - 特許庁

This optical module 100 includes: a receptacle 1 including an optical member (for instance, a lens: not shown); a flexible board 2 fixed to the receptacle 1; and a photoelectric element (semiconductor optical device 3) mounted on the flexible board 2, and optically coupled to the optical member through the flexible board 2.例文帳に追加

光モジュール１００は、光学部材（例えば、レンズ：図示略）を含むレセプタクル１と、レセプタクル１に固定された可撓性基板２と、可撓性基板２上に搭載され、可撓性基板２を介して光学部材と光結合された光電素子（半導体光デバイス３）とを有している。 - 特許庁

In the optical element package employing an optical fiber such as a device having a semiconductor laser or a light-receiving element coupled to an optical fiber, an optical switch and an optical filter, the entire package is sealed with a resin and a metal plating is further formed on its surface.例文帳に追加

半導体レーザや受光素子を光ファイバに結合したもの、光スイッチ、光フィルタなど、光ファイバを用いる光素子パッケージにおいて、パッケージの全体が樹脂で封止され、さらにその表面に金属メッキが形成されていることを特徴とする。 - 特許庁

The second p-type semiconductor anode region 206 is electrically coupled to the anode contact area 218 via a switch, such as a MOSFET 228, configured to provide an electrical connection or an electrical disconnection between the second p-type anode region and the anode contact area 218.例文帳に追加

第２のｐ型半導体陽極領域２０６は、第２のｐ型陽極領域と陽極接触領域２１８間を電気的に接続または切断するように構成された、ＭＯＳＦＥＴ２２８等のスイッチを介し陽極接触領域２１８に電気的に接続される。 - 特許庁

The semiconductor device has a block 15 (19) in which a plurality of first chips 12 (second chips 16) are stacked in such a way that coupled electrode pads P on a pad formation surface of each of the chips 12 (16) are electrically connected by a wiring 21 (25), and the blocks 15, 19 are stacked.例文帳に追加

半導体装置は、複数の第１チップ１２（第２チップ１６）が、それらの各々が有するパッド形成面の連結電極パッドＰが配線２１（２５）により電気的に接続されるかたちで積層されるブロック１５（１９）を有するとともに、それらブロック１５，１９が積層されてなる。 - 特許庁

A semiconductor-based optical switch engine 200 switches the light inputted from an input switch element 300 to an output switch element 308 and each output 210 of the input switch element is directly coupled with the respective input 220 of an output switch element 308 via an optical waveguide 200.例文帳に追加

半導体ベースの光スイッチエンジン(200)は、入力スイッチ素子(300)からの入力光を出力スイッチ素子(308)にスイッチングし、入力スイッチ素子のそれぞれの出力(220)が、光導波路(200)を介して出力スイッチ素子(308)の個々の入力(220)に直接的に結合されている。 - 特許庁

In addition to the die pad 11 and the lead 12, the lead frame 1 further includes a heat spreader 13 for transmitting heat generated in the semiconductor chip 2 from the die pad 11 to the lead 12, and the die pad 11 and the lead 12 are thermally coupled to each other via the heat spreader 13.例文帳に追加

そして、リードフレーム１は、ダイパッド１１およびリード１２に加えて、半導体チップ２で発生する熱をダイパッド１１からリード１２に伝達するためのヒートスプレッダ１３をさらに含み、ダイパッド１１およびリード１２は、ヒートスプレッダ１３を介して互いに熱的に接続されている。 - 特許庁

To prevent a camera from being deteriorated by radiation, to thereby utilize a camera that uses solid state image sensors such as a CCD (Charge Coupled Device) image sensor, a CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) image sensor, or the like, and further to be capable of photographing a wide range of area using a lens whose view angle is wide.例文帳に追加

カメラの放射線劣化を抑えることが出来、これによりカメラとしてＣＣＤイメージセンサ やＣＭＯＳイメージセンサ等の固体撮像素子を使用したものを利用することが出来、さらにレンズとして視野角の広いレンズを使用して広範囲なエリアの撮影を可能とする。 - 特許庁

To provide an FET and a semiconductor device having the FET wherein the heat radiating quality of the heat generated from the FET is improved, and the connections are facilitated whereby a wiring disposed on the side of the substrate of the FET is coupled to the source wiring, the gate wiring, and the drain wiring of the FET.例文帳に追加

ＦＥＴから発生する熱の放熱性を向上させるとともに、基板側に配された配線とＦＥＴのソース配線、ゲート配線、ドレイン配線との接続を容易としたＦＥＴおよびそのＦＥＴを備えた半導体装置を提供する。 - 特許庁

Asymmetric coating is applied to the gain-coupled distributed feedback semiconductor laser; wherein a front end surface 13 for emitting laser light is covered with a coating with low reflectivity, and a rear end surface 15 is covered with a coating with high reflectivity.例文帳に追加

利得結合型分布帰還型半導体レーザにおいて、レーザ光を放出する前端面１３には低反射率のコーティングが施され、後端面１５には高反射率のコーティングが施された非対称コーティングが行われている。 - 特許庁

The semiconductor laser element 2 for monitoring and the outgoing surface 17 of one layer of the multilayer optical splitter 15 are optically coupled by a ribbon fiber array 5, and an optical fiber 9 from an incident surface 16 is connected to an optical fiber 10 of the incident surface of another layer through an optical connector 8.例文帳に追加

モニタ用の半導体レーザ素子２と多層光分波器１５の１層の出射面１７をリボンファイバアレイ５で光学的に結合し、入射面１６からの光ファイバ９をもう１層の入射面からの光ファイバ１０と光コクタ８で接続する。 - 特許庁

The semiconductor device 20 comprises a die pad 25; a lead frame 10 having coupling parts 27 coupled to the die pad 25; an LED element 21 placed on the die pad 25 of the lead frame 10; and an outer resin part 23 covering the lead frame 10.例文帳に追加

半導体装置２０は、ダイパッド２５と、ダイパッド２５に連結された連結部２７とを有するリードフレーム１０と、リードフレーム１０のダイパッド２５上に載置されたＬＥＤ素子２１と、リードフレーム１０を覆って設けられた外側樹脂部２３とを備えている。 - 特許庁

The thin film of photo-catalyst such as titanium dioxide is formed, or polymer into which the micro-powder of the photo-catalyst such as the titanium dioxide is mixed is applied on the light receiving face of a CCD(charge coupled device) or a CMOS(complementary metallic oxide film semiconductor) sensor so that image pickup sensitivity can be improved.例文帳に追加

ＣＣＤ（電荷結合素子）またはＣＭＯＳ（相補性金属酸化膜半導体）センサの受光面に２酸化チタン等の光触媒の薄膜を形成するか、２酸化チタン等の光触媒の微粉末を混入したポリマーを塗布して、撮像感度を向上する。 - 特許庁

The optically coupled semiconductor device 1 has a U-shaped radiator 21 with extenders 22 holding resin sealing sections 16 extended in the extending direction ED intersecting with the leading-out direction LD of lead leading-out sections 14fp and 14sp from both upper and lower surfaces.例文帳に追加

光結合半導体装置１は、リード導出部１４ｆｐ、１４ｓｐの導出方向ＬＤと交差する延長方向ＥＤに延長されて樹脂封止部１６を上下両面から挟持する延長部２２を有するＵ字型放熱体２１を備える。 - 特許庁

In the bidirectional optical transmission module in which an optical waveguide element, a light emitting element 202 optically coupled with the optical waveguide element and light receiving element 204 are provided on the same substrate 201, in insulator or a semiconductor having resistivity of 1,500 Ω.cm or larger is used as the substrate 201.例文帳に追加

光導波路素子と、この光導波路素子と光学的に結合している発光素子２０２及び受光素子２０４が同一基板２０１上に設けられた双方向光伝送モジュールにおいて、上記基板２０１として、絶縁体或いは抵抗率が１５００Ω・ｃｍ以上の半導体を用いる。 - 特許庁

There are provided a semiconductor wafer polishing composition which contains acid, pH of which is 2 to 6, and which contains an aqueous medium dispersion liquid of a positively-charged silica particle on the surface of which an amino-containing silane coupling agent is coupled, and a polish treatment method using the polishing composition.例文帳に追加

酸を含有しｐＨが２〜６であって、アミノ基含有シランカップリング剤が表面に結合した正電荷のシリカ粒子の水性媒体分散液を含有することを特徴とする半導体ウェハーの研磨用組成物、及び該研磨用組成物を用いた研磨加工方法。 - 特許庁

In manufacturing semiconductor device where upper metallic wiring and a lower conductive layer are coupled witch each other by a via, plasmaless ozone ashing is performed to prevent charges from being accumulated on the surface of a metallic plug where the above via is buried after patterning the above upper metallic wiring.例文帳に追加

上部金属配線と下部導電層とをビアに連結する半導体装置の製造方法において、前記上部金属配線をパターニングした後、前記ビアを埋め込んでいる金属プラグの表面に電荷が蓄積されることを防止するために無プラズマ（plasmaless）オゾンアッシングを実施する。 - 特許庁

To provide a method for aligning an optical fiber by which an optical fiber optically coupled to composite light obtained by polarizing and multiplexing two laser light beams is aligned so that the degrees of polarization of the two laser light beams are less than a specified value and a method for manufacturing a semiconductor laser module.例文帳に追加

２つのレーザ光を偏波合成して得られる合成光と光結合する光ファイバを、２つのレーザ光の偏光度が所定値以下になるように調芯する光ファイバの調芯方法及び半導体レーザモジュールの製造方法を提供する。 - 特許庁

By using an inductively coupled plasma etching apparatus, the surface of the semiconductor substrate 101 is etched by Cl_2 gas and SiCl_4 gas under the etching pressure lower than 20 mTorr, and the via hole 103 whose cross-sectional shape becomes wide toward the bottom part from the opening is formed.例文帳に追加

誘導結合プラズマエッチング装置を用いて、Ｃl_2ガスとＳiＣl_4ガスによりエッチング圧力が２０ｍＴorr未満で半導体基板１０１の表面からエッチングすることによって、断面形状が開口部よりも底部に向って広いバイアホール１０３を形成する。 - 特許庁