「current-density」に関連した英語例文の一覧と使い方(31ページ目) - Weblio英語例文検索

Potential distribution in an electrodeposition coating liquid tank is calculated by using an analysis model and an amount of coating film deposition of a work surface by using an experimental correlation indicating a relation between a current density on the work surface calculated by the potential distribution and an amount of coating film deposition.例文帳に追加

解析モデルを用いて電着塗装液槽内の電位分布を算出し、この電位分布により算出したワーク表面の電流密度と塗膜析出量との関係を示す実験相関式を用いてワーク表面の塗膜析出量を算出する。 - 特許庁

An alloy foil made of ruthenium and nickel is electrolyted under conditions of a temperature: 50 to 60°C, an anode current density: 1 to 100 mA/cm^2, an anode redox potential: 600 to 1,200 mV (an Ag/AgCl electrode is used for a reference pole), and an electrolytic time: 30 to 240 min.例文帳に追加

ルテニウムとニッケルからなる箔状の合金を、温度：５０〜６０℃、陽極の電流密度：１〜１００ｍＡ／ｃｍ^2、陽極の酸化還元電位：６００〜１２００ｍＶ（参照極にはＡｇ／ＡｇＣｌ電極を使用。）、電解時間：３０〜２４０分で電解する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an oxide-based superconductive structure capable of manufacturing a superconductive layer having a high critical temperature and high critical current density particularly in a magnetic field at a practically possible deposition rate and in a condition that there is no risk of the occurrence of a crack.例文帳に追加

臨界温度が高く特に磁場中での臨界電流密度の高い超電導層を、実用化可能な成膜速度で、かつ、割れの発生のおそれのない状態で製造可能な酸化物系超電導構造体の製造方法を提供すること。 - 特許庁

The distribution of current density is uniformed by arranging the through-holes 17 at equal intervals in the lateral direction, and the same apparent resistance value is obtained in any position since the through-holes 17 are arranged at fixed intervals also in the longitudinal direction, so that all the through-holes 17 are uniformly raised in temperature.例文帳に追加

幅方向に貫通孔１７が等間隔になることにより電流密度の分布が均一となり、長手方向にも一定間隔となるのでどの部位でも見かけの抵抗値が同じになって、すべての貫通孔１７が均一に昇温される。 - 特許庁

In the deposition method for a gold wiring where a plated gold wiring of ≥1 μm film thickness is deposited by electroplating, plating is performed at a low current density so that self anneal of the resultant plated gold wiring can be finished practically in a day.例文帳に追加

電解メッキによって膜厚１μｍ以上のメッキ金配線を堆積する金配線の堆積方法において、形成されたメッキ金配線のセルフアニールの終了がほぼ１日以内になるような低電流密度でメッキを行うことを特徴とする。 - 特許庁

To prevent generation of constraint violation of current density for realize sure shield wiring and therewith process shield wiring in a short time for a recording media with a program for making shield wiring, a program and an LSI thereof.例文帳に追加

本発明はシールド配線を行うためのプログラムを記録した記録媒体、プログラム、及びＬＳＩに関し、電流密度制約違反の発生を防止し、確実なシールド配線が実現できるようにすると共に、シールド配線の処理が短時間で行えるようにする。 - 特許庁

To solve problems of scorching and burning due to heat generation of a common electrode as a result of a current increase when a plurality of piezoelectric element columns are driven simultaneously, as an actuator and a head become long and increase in density to generate variance in characteristics between an end part and a center part of a piezoelectric member.例文帳に追加

アクチュエータやヘッドの長尺化、高密度化によって圧電部材の端部と中央部で特性のばらつきが発生し、複数の圧電素子柱を同時に駆動したときの電流増加によって共通電極の発熱による焼け、焦げが生じる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method and a structure increasing the current density of a heater unit by reducing the number of steps, in a semiconductor device with a phase-change memory storing information by heating a phase-change material layer by a heater electrode to change a resistance value.例文帳に追加

相変化材料層をヒータ電極で加熱して抵抗値を変化させ、情報の記憶を行う相変化メモリを備える半導体装置において、工程数を削減してヒータ部の電流密度を高くする製造方法並びに構造を提供する。 - 特許庁

To provide means for detecting gas leak between an anode and a cathode of a fuel cell in an ordinary operation state without increasing gas pressure difference between the anode and the cathode of the fuel cell and changing operation conditions relating to output current density.例文帳に追加

燃料電池のアノードとカソードのガス圧力の差を大きくすることなく、かつ出力電流密度に係る運転条件を変更することなく、通常の運転状態において、燃料電池のアノードとカソード間のガス洩れを検知する手段を提供する。 - 特許庁

To provide means capable of improving line width linearity by optimizing current density uniformity of a figure 8 having restricted dimensions, as to an automatic adjusting method of a charged particle beam drawing device and the charged particle beam drawing device.例文帳に追加

荷電粒子ビーム描画装置の自動調整方法及び荷電粒子ビーム描画装置に関し、寸法の制限された図形８の電流密度均一性を最良化し、線幅線形性を向上させることができる手段を提供することを目的としている。 - 特許庁

The heating face 5 of the planar heating element 1 is divided in a plurality of blocks, and a voltage drop portion by electric resistance in each block is adjusted by a distance between branch electrodes and branch electrode width so that current density is constant or almost constant on the whole heating face 5.例文帳に追加

面状発熱体１の発熱面５を複数のブロックに分け、発熱面５全体で電流密度が一定または略一定になるように、各ブロックにおける電気抵抗による電圧降下分を枝電極間距離および枝電極幅により調整する。 - 特許庁

A thrust amount detector is equipped with an eddy current sensor 42 as a field detecting means, and it is provided outside a motor housing 18, corresponding to a worm gear 20 (rotating shaft), and can detect the change of the density of magnetic flux accompanying the shift of the worm gear 20.例文帳に追加

スラスト量検出装置は磁界検出手段としての渦電流センサ４２を備えており、ウォームギヤ２０（回転軸）に対応してモータハウジング１８の外部に設けられ、ウォームギヤ２０の移動に伴う磁束密度の変化を検出することができる。 - 特許庁

To provide a method for measuring a current density distribution of charged particle beams at an arbitrary Z coordinate position disposed in a material to be treated in an apparatus for largely setting a tilt angle of the material to larger than 0 degree and a method for regulating it as desired.例文帳に追加

被処理物のチルト角を０度よりも大きく設定可能な装置において、被処理物内に位置する任意のＺ座標位置における荷電粒子ビームの電流密度分布を測定する方法、同分布を所望のものに調整する方法等を提供する。 - 特許庁

To provide an attachment for a sand blast device at low cost, which is mounted with a mask on the device without changes in the structure of the sand blast device, thereby diffusing a jet of abrasive to avoid collisions with a circulating current of abrasive, and forming a wide marking without difference in the density throughout the marking.例文帳に追加

サンドブラスト装置の構造を変更せず、装置にマスクと共に装着するだけで、研磨材の噴流を拡散させ、研磨材の環流との衝突を回避し、部位による濃淡差のない、広い刻印を形成できるアタッチメントを低コストで提供する。 - 特許庁

The blue light-emitting fluorescent substance for low voltage and high current density is a mixture of at least two fluorescent substances selected from the group consisting of (a) hexagonal ZnS:Ag, Al, (b) hexagonal ZnS:Cu, Al and (c) hexagonal ZnS:Tm, Li.例文帳に追加

本発明の低電圧・高電流密度用青色発光蛍光体は、（ａ）六方晶系のＺｎＳ：Ａｇ，Ａｌと、（ｂ）六方晶系のＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ、および（ｃ）六方晶系のＺｎＳ：Ｔｍ，Ｌｉの中から選ばれる少なくとも２種の蛍光体の混合物である。 - 特許庁

During these processes a soft nickeling layer with microstructure of mote than grain size number 10 and hardness less than 420 HV is formed to be within 0.4-1.0 μm thickness by nickeling at a current density of 30-70 A/dcm2.例文帳に追加

このとき、ニッケルメッキを電流密度３０〜７０Ａ／ｄcm^2の電流密度で実施して、結晶粒度番号１０以上の微細組織であり、かつ硬さが４２０ＨＶ以下である軟らかいニッケルメッキ層を、厚さが０．４〜１．０μｍの範囲にあるように形成する。 - 特許庁

The measurement principle is that a load measurement sensor measures the repulsive force and an attractive force generated respectively, by making the permanent magnet close to and distant from a cooled superconductor 8, and the critical current density is evaluated from the loading characterization of the repulsive force in the measured results.例文帳に追加

測定原理は、冷却した超伝導体８に永久磁石を近づけることによる斥力と、遠ざけていく時に生じる引力を荷重測定センサーで測定し、その内の斥力の荷重特性から臨界電流密度の評価を行う。 - 特許庁

By adjusting the current magnitude and the location of the maximum inductive coupling within each coil, the plasma density in different radial and azimuthal regions can be varied and controlled, and therefore radially and azimuthally uniform plasma can be achieved.例文帳に追加

各コイル内の電流の大きさおよび最大誘導結合の場所を調整することによって、異なる半径方向方位角領域内のプラズマ密度を変化させ制御することができ、したがって半径方向に方位角的に均一なプラズマを得ることができる。 - 特許庁

To provide a signal processing circuit and a signal processing method of a self-luminous display device, which is capable of reducing the variance of electric current density corresponding to each converted signal when converting PGB signals to PGBX signals.例文帳に追加

この発明は、ＲＧＢ信号をＲＧＢＸ信号に変換した際に、変換後の各信号に対応する電流密度のばらつきを低減化させることができる自発光型ディスプレイの信号処理回路および信号処理方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The fluorine-containing organic compound is decomposed by electrolyzing a liquid substance in which the fluorine-containing organic compound is contained in the aqueous medium at a current density of 0.1 to 200 A/dm^2 using an electrode having an oxygen overvoltage and also chemically stable as an anode.例文帳に追加

酸素過電圧を有し、かつ化学的に安定な電極を陽極に用いて、含フッ素有機化合物を水性媒体中に含む液状物を、電流密度０．１〜２００Ａ／ｄｍ^２にて電気分解処理することにより、含フッ素有機化合物を分解する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a printed wiring board which does not contain lead in a nickel plating layer even in a high-density wiring board only without space in which a leading-about line for current carrying is held in nickel and gold plating as a finishing treatment.例文帳に追加

仕上げ処理としてのニッケル、金めっきにおいて、通電のための引き回し線を収容するだけのスペースがない高密度配線板においてもニッケルめっき層中に鉛を含有しないプリント配線板の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide an oxide superconductor with high critical current density capable of preventing burning by forming an oxide superconductive layer on a polycrystalline thin film with superior conductivity having a crystalline structure with an aligned crystal orientation.例文帳に追加

本発明は、結晶方位の整った結晶構造を有し、導電性に優れた多結晶薄膜上に酸化物超電導層を形成することで臨界電流密度が高く、焼損を防止できる酸化物超電導導体を提供すること目的とする。 - 特許庁

To provide a method of lighting objects that can radiate objects to be processed without a generation of cutter polishing in rare gas flash discharge lamp which enhances emitting efficiency light in far or near ultraviolet area without increasing of current density.例文帳に追加

電流密度を上げずに遠紫外領域や近紫外領域の光の発光効率を高めることができる希ガス閃光放電ランプに、カタホリシス現象が生じることがなく、被処理物を均一に光照射処理できる点灯方法を提供する。 - 特許庁

This field effect transistor having an organic semiconductor layer including at least one type of organic semiconductor materials on a substrate, MnO_2 particles are contained in the semiconductor layer so that it is possible to obtain a field effect transistor whose current density is improved.例文帳に追加

基板上に、少なくとも一種の有機半導体材料を含む有機半導体層を有する電界効果トランジスタにおいて、該半導体層にＭｎＯ_２微粒子を含有することにより、電流密度が向上した電界効果トランジスタを得ることができる。 - 特許庁

To provide an oxide superconductor product having an oxide superconductor film having a thickness greater than 0.8 microns disposed on a substrate, and a product having a transport critical current density (Jc) greater than or equal to about 10^5 A/cm^2 at 77K zero magnetic field.例文帳に追加

製品が77 K、ゼロ磁場で約10^5 A/cm^2より大きい、もしくはこれに等しい輸送臨界電流密度（J_c）を有する、基板上に沈着された0.8ミクロンより大きい厚さを有する酸化物超伝導体被膜を有する酸化物超伝導体製品を提供する。 - 特許庁

This method for manufacturing metallic titanium little contaminated due to carbon comprises using a molten salt containing 10 mass% or more calcium chloride for an electrolyte, and electrolytically reducing titanium oxide in the temperature range of 600 to 840°C and at a current density of 0.1 to 5 A/cm^2.例文帳に追加

電解質として塩化カルシウムを１０質量％以上含有する溶融塩を用い、温度範囲を６００〜８４０℃、電流密度を０．１〜５Ａ／ｃｍ^２として、電解還元をおこなう炭素による汚染の少ない金属チタンの製造方法。 - 特許庁

To provide superconducting coil apparatus, in which the amount of current flowing through a superconducting coil having high flux density can be properly assured, even if liquid nitrogen which is easier to handle than liquid helium is employed as the refrigerant, and to provide an induction type synchronous machine that uses it.例文帳に追加

液体ヘリウムよりも取り扱いの容易な液体窒素を冷媒としても、磁束密度の大きい超電導コイルに流れる電流量を好適に確保することができる超電導コイル装置及びこれを使用した誘導子型同期機を提供すること。 - 特許庁

In a direct liquid type fuel cell A, a carbonaceous porous body 10 is used concurrently in a support and an anode wicking material, and current density is varied according to the water absorption of the carbon porous body defined by Formula (1): water absorption of the carbonaceous porous body = (volume of water absorbed in the carbon porous body)/(volume of voids of the carbonaceous porous body).例文帳に追加

炭素多孔質体１０を、支持体及びアノードウィッキング材の兼用で用い、下記式（Ｉ）で定義される該炭素多孔質体の吸水率によって電流密度を変化させることを特徴とする直接液体型燃料電池Ａ。 - 特許庁

To provide a magnetic circuit for a speaker which enlarges an amplitude range without impairing a linearity to a level of a signal current without unbalancing a magnetic flux density distribution in a pair of magnetic gaps existing between a pair of protrusions provided at a yoke and a pole pieces.例文帳に追加

ヨークに設けた一対の凸部とポールピースとの間に存する一対の磁気ギャップ内の磁束密度分布がアンバランスにならず、信号電流のレベルに対するリニアリティを損なうことなく振幅領域の拡大が図れるスピーカの磁気回路を提供すること。 - 特許庁

Here, when in the light-emitting device in which the p electrode 11 is disposed in one short side 1a and the n electrode 10 is disposed in another one short side 1b, a position where a current density at the symmetrical axis L1 is minimum is xmin, the distance d is equal to xmin/2.例文帳に追加

ここで距離ｄは、ｐ電極１１を一方の短辺１ａに配置し、ｎ電極１０をもう一方の短辺１ｂに配置した発光素子の、対称軸Ｌ１での電流密度が最小となる位置をｘｍｉｎとして、ｄ＝ｘｍｉｎ／２である。 - 特許庁

In the expression, t is a radial thickness of the wire; w is the axial width of the wire; I is a current amount through the coil; B is flux density applied to the wire in the innermost periphery of the coil; and the stress (σ) is B×I×r_max/(w×t).例文帳に追加

ｒ_ｍａｘ＜σ_wire×ｗ×ｔ／（Ｂ×Ｉ） （前記式中、ｔ：線材の径方向の厚さ、ｗ：線材の軸線方向の幅、Ｉ：コイルの電流量、Ｂ：コイル最内周の線材に印加される磁束密度、応力（σ）：Ｂ×Ｉ×ｒ_ｍａｘ／（ｗ×ｔ） - 特許庁

The compound superconductor is made by arraying a plurality of superconductors with different characteristics out of which at least two of them have a value different by 2.5 times or more from each other at least at one of superconducting critical current density, superconducting critical magnetic field, or superconducting transition temperature.例文帳に追加

複数の異なる特性の超電導導体を並列して成り、前記超電導導体の少なくとも２つが超電導臨界電流密度、超電導臨界磁界及び超電導転移温度の少なくとも１つにおいて２．５倍以上異なる構成とする。 - 特許庁

For example, by performing the gold plating under the conditions that gold plating liquid temperature is 60 to 65 degrees and gold plating current density is 0.4 to 0.8 A/dm^2, the formation of the bump having a surface condition free from a level difference is made possible regardless of the level difference in a polyimide film as a substrate.例文帳に追加

例えば金めっき液温度を６０〜６５度、金めっき電流密度を０．４〜０．８Ａ／ｄｍ^２の条件で金めっきを行うことで、バンプ表面状態が下地であるポリイミド膜の段差に関係なく表面段差の無いバンプの形成が可能になる。 - 特許庁

As the density of a connection part 14a of the heating element 14 is constituted so as to become large as it is headed to the end part thereof, the internal resistance of the connection part 14a at the end part of the heating element 14 becomes gradually small to make current more easy to flow.例文帳に追加

発熱体14の接続部分14aの密度が発熱体端部に向かうにつれて次第に大きくなるように構成されているので、接続部分14aの発熱体端部側における内部抵抗は次第に小さくなり、電流が流れやすくなっている。 - 特許庁

An increase in magnetic flux density is inhibited by a magnetic flux passage inhibition layer 11c provided to interfere with a magnetic flux passing inside a coil, whereby magnetic saturation taking place when a DC current is applied can be prevented, so as to improve the DC superposition characteristics.例文帳に追加

コイルの内側を通過する磁束を遮るように配された磁束通過抑制層１１ｃによって磁束密度増加が抑制されるため、直流電流を印加した際における磁気飽和を抑えて直流重畳特性を向上させることができる。 - 特許庁

To provide a powder magnetic core as a high performance magnetic element having reduced eddy current loss using iron based metal powder having a high saturated magnetic flux density Bs, and to provide magnetite-iron composite powder as metal powder suitable for realizing the same.例文帳に追加

飽和磁束密度Ｂｓの高い鉄系の金属粉末を用いて渦電流損失の小さい高性能な磁性素子である圧粉磁芯を提供すること、および、これを実現するために好適な金属粉末であるマグネタイト−鉄複合粉末を提供する。 - 特許庁

The surface-treated copper foil is manufactured by performing electrolysis at the predetermined current density by using cobalt plating liquid containing cobalt sulfide (7-hydrate) to form the rustproof layer on the coarse surface of an electrolytic copper foil or the like, and a method for water-rinsing and drying the rustproof layer is employed.例文帳に追加

また、当該表面処理銅箔の製造は、電解銅箔等の粗面上に、硫酸コバルト（７水和物）を含むコバルトメッキ液を用いて、所定の電流密度で電解し、防錆処理層を形成し、水洗し、乾燥する手法等を採用する。 - 特許庁

To provide an electron beam generating device capable of effectively utilizing properties of a carbon nanotube, having excellent manufacture suitability and capable of realizing electron beam emission with high current density, and to provide a manufacturing method capable of simply manufacturing this in a short time.例文帳に追加

カーボンナノチューブの特性を効果的に活用でき、製造適性に優れ、高い電流密度の電子線放出を実現することができる電子線発生素子、及びこれを、簡便にしかも短時間で製造することが可能な製造方法を提供する。 - 特許庁

Even if the alignment of the upper layer wiring A to the via hole is deviated, since the area in contact with the wiring A on the side face of the plug B is hard to be reduced, the increase of resistance at the via part is suppressed and the local increase of the current density can be suppressed.例文帳に追加

ビア孔に対する上層配線Ａのアライメントがずれても、プラグＢの側面で配線Ａに接触している面積は低下し難いので、ビア部における抵抗の増大を抑え、電流密度の局所的な上昇を抑えることができる。 - 特許庁

To provide a direct-current testing device capable of applying a stable constant voltage to a device to be tested (DUT), realizing high-density mounting by suppressing heat generation, and realizing miniaturization and cost reduction, and a semiconductor device equipped with the device.例文帳に追加

安定した一定の電圧をＤＵＴに印加することができ、発熱を抑えることにより高密度実装が可能であり、更には小型化及び低コスト化を実現することができる直流試験装置、及び当該装置を備える半導体試験装置を提供する。 - 特許庁

To eliminate problems that in an ion beam source device, when a space charge is formed by extracted ions and an extracted current density becomes large, a proportionally large electric field is generated, and as a result, an ion beam is self-divergent.例文帳に追加

本発明はイオンビーム源装置において、引き出されたイオンによって空間電荷が形成され、引き出し電流密度が大きくなると、それに比例した大きな電場が発生し、その結果イオンビームが自己発散するような問題点を除去することを課題とする。 - 特許庁

To obtain an electron beam irradiation device which prevents temperature rise of irradiation window by unifying more electron current density, preventing the destruction of the irradiation window and attaining reliability of the electron beam irradiation device, and simplifying more the scanning waveform of the electron beam.例文帳に追加

電子電流密度をより一層均一化して照射窓の温度上昇を防ぎ、照射窓の破壊を防止して電子線照射装置の信頼性を図るとともに、電子線の走査波形を簡略化でき、一層簡略化を図った電子線照射装置を得る。 - 特許庁

To provide a Group-III nitride semiconductor light-emitting device having high light-emission intensity, by making a hetero-junction light-emitting region and a current diffusion layer disposed on a silicon single crystal substrate from a good-quality Group-III nitride semiconductor crystalline layer with low crystal defect density.例文帳に追加

珪素単結晶基板上に設けるヘテロ接合発光部及び電流拡散層を、結晶欠陥密度の少ない良質のＩＩＩ族窒化物半導体結晶層から構成することにより、高発光強度のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子を得る。 - 特許庁

On the inside surface of the metal vessel 3, a nonlinear resistance film 13 is provided that is made of a nonlinear resistance material, which has characteristics that resistance value decreases as current density increases, filled with a filler having inductive capacity different from this nonlinear resistance material.例文帳に追加

金属容器３の内側表面には、電流密度が増大するにつれて抵抗値が低下する特性を備えた非線形抵抗材にこの非線形抵抗材と誘電率の異なる充填材が充填された非線形抵抗膜１３が設けられている。 - 特許庁

Then, after an annealing treatment is conducted, the Si-insulating film with semiconductor nano-particles embedded therein shows a current density larger than 1A/cm^2, in an electric field small than a damping coefficient (k) 3MV/cm in a range of 0.01 to 1.0 at a wavelength 632 nm.例文帳に追加

次いでアニール処理することにより、半導体ナノ粒子を埋め込んだＳｉ絶縁膜は、波長６３２ｎｍでの０．０１〜１．０の範囲の減衰係数（ｋ）、３ＭＶ／ｃｍより小さい電場としたときに１Ａ／ｃｍ^２よりも大きい電流密度を示す。 - 特許庁