「deep-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a probe or the like capable of performing simultaneously inspection on each plane position of portions having different depth, namely, a surface layer part and a middle part or a deep part.例文帳に追加

表層部と中間部又は深部という深さの異なる部位の同平面位置における検査を同時に行うことの可能な探触子等を提供すること。 - 特許庁

According to the structure, the area can be reduced significantly as compared with a connection structure of the n+ type source region 5 and the p+ type silicon substrate 1 employing a deep diffusion layer.例文帳に追加

この構成により深い拡散層によるｎ＋型ソース領域５とｐ＋型シリコン基板１の接続構造に比べて、大幅に面積を縮小することができる。 - 特許庁

The buffer layer 6 can be formed at a deep position from a back contact surface, thus suppressing the occurrence of a punch through phenomenon caused by the flaw, or the like during the manufacturing process.例文帳に追加

裏面接触面から深い位置にバッファ層６を形成することができるため、製造工程中についた傷などによるパンチスルー現象の発生が抑制される。 - 特許庁

The soil improvement is actualized using at least one kind of a fermentation material biodegradable with a microorganism and seawater or ocean deep layer water, applying the fermentation material to soil, spraying the seawater or the ocean deep layer water in a stock solution as it is without dilution and then carrying out shallow plowing operation on the surface part of soil.例文帳に追加

微生物により分解可能な少なくとも一種類の発酵素材と、海水もしくは海洋深層水と、を用い、前記発酵素材を土壌に散布した後、前記海水もしくは海洋深層水を希釈せずに原液のまま散布し、しかる後に土壌表面部を浅く鋤く作業を経ることにより、土壌改良が実現される。 - 特許庁

A deep nitriding-hardened layer and surface durability are obtained by performing a high-temperature treatment to form the deep nitriding-hardened layer in a short time and a composite low-temperature treatment to ensure the corrosion resistance by any of a gas-nitriding method, an ion-nitriding method and a salt-bath nitriding method to reform the surface of a steel.例文帳に追加

鉄鋼材料の表面を改質するガス窒化法，イオン窒化法及び塩浴窒化法の何れかにおいて、深い窒化硬化層を短時間で形成するための高温処理と、耐食性を確保するための低温処理の複合処理を行うことにより、深い窒化硬化層と表面の耐食性を有することを特徴とする窒化処理方法。 - 特許庁

The metal etched product has a metallic pattern having a side wall made by a primary etching which makes an opening on the surface layer side of a metal layer, and a side wall made by a secondary etching in a deep layer side, which uses an electrodeposited photoresist; and having the etching factor of the opening in the metallic pattern controlled to 2.6 or higher.例文帳に追加

開孔部が金属層の表層側に一次エッチングによる側壁を有し、深層側に電着フォトレジストを用いた二次エッチングによる側壁を有する金属パターンであって、該金属パターンの開孔部のエッチングファクターが２．６以上であること特徴とする金属エッチング製品。 - 特許庁

The multilayered film for deep drawing comprises one outer layer (A) made of 10-40 wt.% of a polyamide resin with a saturated water absorption of below 5% and 60-90 wt.% of an aliphatic polyamide resin with a saturated water absorption of 5% or more and the other outer layer (C) being a heat seal layer.例文帳に追加

飽和吸水率が５％未満のポリアミド樹脂１０〜４０重量％と飽和吸水率が５％以上の脂肪族ポリアミド樹脂６０〜９０重量％を含む一方の外層（Ａ）と、ヒートシール層である他方の外層（Ｃ）からなる深絞り成形用多層フィルム。 - 特許庁

Thus, the impurity layer is continuously irradiated with the pulses 10a and 10b so that effects similar to those to be obtained when the impurity layer is irradiated with a simple pulse whose half width is long can be obtained, and that high activation rate can be realized from the shallow region to deep region of the impurity layer.例文帳に追加

このようにパルス１０ａ，１０ｂを連続して不純物層に照射することにより、半値幅の長い単パルスを不純物層に照射したのと同様の効果が得られ、不純物層の浅い領域から深い領域まで高活性化率を実現できる。 - 特許庁

A printed wiring board consists of an insulator substrate 1, a lower wiring 2, an insulator layer 3 for build-up, a metal post 4 and an electrode pad 5, and the pad 5 is one formed into the same conductor layer as a conductor layer constituting an upper wiring and has a deep curved surface- shaped recess 5a in its center.例文帳に追加

プリント配線板は、絶縁体基板１、下層の配線２、ビルトアップ用の絶縁体層３、金属ポスト４、及び電極パッド５とからなり、電極パッド５は上層配線と同じ導体層に形成されたものであり、かつ中央が深い曲面状の窪み５ａを有する。 - 特許庁

An n^++ diffusion layer 3 is formed by ion implantation or diffuison method in the dicing region of the semiconductor wafer 1, in such a manner that it may reach an n^++ layer 11 formed in a deep place of the semiconductor wafer 1 from the front surface of the wafer.例文帳に追加

半導体ウェハ１のダイシング領域にｎ^＋＋拡散領域３を、ウェハ表面から、半導体ウェハ１の深いところに設けられたｎ^＋＋層１１に達するように、イオン注入法や拡散法により形成する。 - 特許庁

This causes an equipotential-line distribution to be nearly horizontal to a substrate plane at a junction between the p-type deep layer 10 and the p-type resurf layer 15, thus enabling an electric field to match a direction substantially vertical to the substrate plane, or the azimuth direction of a [0001] plane.例文帳に追加

これにより、ｐ型ディープ層１０とｐ型リサーフ層１５の接合部分において、等電位線分布は基板平面にほぼ水平となり、電界がほぼ基板垂直方向、つまり［０００１］面の方位に掛かるようにできる。 - 特許庁

The light-absorbing layer 30 is formed by implanting ions of an element capable of forming a deep level by breaking a crystal of the substrate 10, and has a function of absorbing light emitted from an active layer 12.例文帳に追加

光吸収層３０は、基板１０の結晶を破壊し、深い準位を形成することの可能な元素をイオン注入することよって形成されたものであり、活性層１２から発せられた光を吸収する機能を有している。 - 特許庁

With this structure, an equipotential line distribution is almost horizontal to the substrate plane in a joint portion between the p-type deep layer 10 and a p-type resurf layer 15 so that an electric field can be applied to almost the substrate vertical direction, i.e., the azimuth of [0001] plane.例文帳に追加

これにより、ｐ型ディープ層１０とｐ型リサーフ層１５の接合部分において、等電位線分布は基板平面にほぼ水平となり、電界がほぼ基板垂直方向、つまり［０００１］面の方位に掛かるようにできる。 - 特許庁

A second groove 111 so deep as to reach the auxiliary electrode 109 is formed on a surface opposite from the active layer 105 side of the n-type layer 106 in a region facing a part of the auxiliary electrode 109.例文帳に追加

また、ｎ型層１０６の活性層１０５側とは反対側の表面であって、補助電極１０９の一部と対向する領域に、その補助電極１０９に達する深さの第２の溝１１１が形成されている。 - 特許庁

Since inert C ion species enter voids of carbon site to eliminate the voids, diffusion of B is suppressed and a stepwise junction of the deep base layer 30 and the n- epi layer 2 is formed.例文帳に追加

このように、Ｃを注入することにより、炭素サイトの空孔に不活性なイオン種が入り込み、空孔を無くすことができるため、Ｂの拡散が抑制され、ディープベース層３０とｎ^- 型エピ層２との接合部が階段型接合となる。 - 特許庁

To provide an optical recording medium wherein deformation of a reflection layer is not generated by suppressing deterioration of heat radiation properties of the whole layer on the deep side when viewed from a light incident side, in the optical recording medium having two recording layers containing an organic dye.例文帳に追加

有機色素を含む２層の記録層を有する光記録媒体において、光入射側からみて奥側の層全体の放熱性の悪化を抑えて反射層の変形を発生させない光記録媒体を提供する。 - 特許庁

To provide a vehicle body height-adjusting structure of a walking type working machine, which can stably do works in a prescribed working depth in spite of a field having a shallow surface soil layer and a field having a deep surface soil layer without causing the increase in the size, weight and cost of a vehicle body.例文帳に追加

車体の大型化や重量化及びコストの高騰などを招くことなく、作土層の浅い圃場と作土層の深い圃場とにかかわらず、所定の作業深さで作業を安定して行えるようにする。 - 特許庁

The semiconductor device includes an n-type diffusion region 17 which functions as a cathode of the photodiode PD and the source of a MOS transistor MT, and is constituted from two diffusion layers of a relatively deep first diffusion layer 15 and a relatively second shallow diffusion layer 16.例文帳に追加

フォトダイオードＰＤのカソード、および、ＭＯＳトランジスタＭＴのソースとして機能するＮ型拡散領域１７を、比較的深い第１拡散層１５および比較的浅い第２拡散層１６の２つの拡散層で構成する。 - 特許庁

To contribute in developing the food manufacturing industry and the medical supply industry, promoting health, and progressing the advanced science such as life science by taking the ocean deep water of high purity directly from a ocean deep water layer by an economical method in safety without affected by the intake situation.例文帳に追加

高い純度の海洋深層水を取水立地に左右されずに、安全で経済的な方法で、直接海洋深層水層から取水することにより、食品製造業や医薬品産業の発展、健康の増進、生命科学等の先端的な科学の進歩に貢献する。 - 特許庁

The manufacturing method of a semiconductor device comprises a process for preparing a double SOI substrate, a process for forming a deep trench, a process for embedding the deep trench, a process for forming an opening 54, a process for forming a hole 56, a process for depositing polycrystalline silicon layer 80, and a process for forming a bipolar transistor.例文帳に追加

２重ＳＯＩ基板を用意する工程と、ディープトレンチを形成する工程と、ディープトレンチを埋め込む工程と、開口部54を設ける工程と、空孔部56を設ける工程と、多結晶シリコン層80を堆積する工程と、バイポーラトランジスタを形成する工程とを有している。 - 特許庁

To block harmful X rays and increase the light emission efficiency in a conventional deep UV source arranged so that an Al_xGa_1-xN/AlN multiple quantum well (MQW) layer of a wide band gap semiconductor having no harmful substance mercury is excited by an electron beam to obtain deep UV light from the multiple quantum well staying in its excitation state.例文帳に追加

有害物質水銀を含まないワイドバンドギャップ半導体のAl_xGa_1-xN/AlN多重量子井戸（MQW）層を電子線で励起して励起状態の多重量子井戸から深紫外光を得る従来の深紫外光源において、有害なＸ線を阻止して、発光効率を高める。 - 特許庁

The floating structure has an opening opened upward at nearly the middle part of the structure, a skirt suspended from the circumference of the opening to the deep sea water zone and a pump placed on the floating structure and discharging the surface layer of the deep sea water lifted in the opening.例文帳に追加

浮体構造物であって、該浮体構造物の略中央に上方に解放した開口部を設け、この開口部周縁に深層水領域まで垂下したスカートを設け、上記浮体構造物上部に開口部内の深層水の表層水を排出するポンプを設けたこと。 - 特許庁

In the inspection method of pinholes reaching as deep as an aluminum foil layer generated at the inner layer side of an outer package body of a vessel shape formed in a shape having a recess made by press molding a package material at least equipped with the outer layer, an aluminum foil layer and the inner layer, the vessel is to have metallic sludge formed at parts of the pinholes by a plating method.例文帳に追加

外層と、アルミニウム箔層と、内層とを少なくとも備えた包装材をプレス成形することにより凹部を備えた形状に成形した容器状外装体の内層側に生じた前記アルミニウム箔層にまで達するピンホールの検査方法であって、前記容器を鍍金法にて前記ピンホールの部分に金属析出物を形成することを特徴とするピンホールの検査方法。 - 特許庁

This storing method for liquid carbon dioxide is characterized by putting liquid carbon dioxide in a carbon dioxide non-transmissible and deformable container and holding the container in an oceanic deep layer under the conditions of temperature and pressure capable of maintaining carbon dioxide in a liquid state and this container is the multi-layer storing container having a high molecular material layer and a metal layer for the method.例文帳に追加

液体二酸化炭素を二酸化炭素不透過性かつ変形可能な容器に入れ、該容器を二酸化炭素が液体状態を維持し得る温度と圧力の条件下にある海洋深層に保持することを特徴とする液体二酸化炭素の貯蔵方法、及びそのための高分子材料層と金属層とを有する多層の貯蔵容器。 - 特許庁

Compressed air of 150 l/cm^2/min or more is blown out vertically to the sea level from a deep layer part of low temperature with the difference of 10°C or more from the seal-level temperature.例文帳に追加

海面温度との差が１０°Ｃ以上の低温度である深層部から、１５０ｌ／ｃｍ^２／ｍｉｎ．以上の圧搾空気を海面に対し垂直方向に噴出させる。 - 特許庁

To provide a building not increased in cost even if a support layer is located in a deep position nor causing a problem such as floating and negative friction according to ground subsidence.例文帳に追加

支持層が深い位置にある場合にもコストが嵩むものとならず、さらに、地盤沈下に伴い浮き上がり・ネガティブフリクションなどの問題が発生することの無いような建物を提供する。 - 特許庁

To provide an element technique for increasing a luminous intensity of deep ultraviolet light while using an AlGaInN-based material and especially an AlGaN-based material as the material of a luminous layer.例文帳に追加

発光層の材料としてＡｌＧａＩｎＮ系の材料、特に、ＡｌＧａＮ系の材料を用いつつ、深紫外光の発光強度を高めるための要素技術を提供する。 - 特許庁

The p-type diffusing layer 6 is formed by the ion implantation step of two times conforming to the shape of a contact hole 15 and an impurity concentration at a surface area, and a deep area thereof is adjusted.例文帳に追加

Ｐ型の拡散層６は、コンタクトホール１５の形状に合わせて、２回のイオン注入工程により形成され、その表面部と深部との不純物濃度が調整されている。 - 特許庁

To provide a direct acting guide unit which is cheaper than a conventional stainless steel-made direct acting guide unit, has a deep hardened layer, and exhibits a long life even under lubrication in the presence of foreign matters.例文帳に追加

従来のステンレス鋼製の直動案内ユニットよりも安価であり、硬化層も深く、異物が混入した潤滑下でも長寿命な直動案内ユニットを提供する。 - 特許庁

Moreover, since the longitudinal direction of the trench 6 is formed perpendicularly to the longitudinal direction of the p-type deep layer 10, displacement in the mask for forming these elements does not affect device characteristics.例文帳に追加

また、トレンチ６の長手方向とｐ型ディープ層１０の長手方向とが垂直とされているため、これらを形成するためのマスクずれがデバイス特性に影響を与えることはない。 - 特許庁

A ground improving device 32 provided with a stirring shaft 30 having a stirring/mixing vane 28 on the tip side is used in improving the ground 10 by a deep layer mixing process method.例文帳に追加

深層混合処理工法により地盤１０の改良を行う際には、先端側に攪拌混合翼２８が設けられた攪拌軸３０を備えた地盤改良装置３２が用いられる。 - 特許庁

The prongs 12 bite deep into a pile layer 16 without resistance as polyester resin is slippery and adamant, and the mat 18 cannot easily slip while placed on a precise long cut pile carpet.例文帳に追加

ポリエステル樹脂が滑り易く剛直なため、突起１２が抵抗なくパイル層１６に深く食い込み、長く緻密なカットパイルカーペットの上に置き敷きしてズレ移動し難い敷物１８が得られる。 - 特許庁

To provide a photomask having a smooth surface and superior scratch resistance and antifouling property, and suppressing influences on optical characteristics, even in a photomask with a light-shielding layer having a high or deep concavo-convex pattern.例文帳に追加

凹凸の大きい遮光層を有するフォトマスクにおいても、表面が滑らかで、耐傷性、防汚性に優れ、光学特性への影響が抑制されたフォトマスクを提供する。 - 特許庁

A node dielectric and a conductive trench fill region filling a deep trench are recessed to a depth that is substantially coplanar with a top surface of a semiconductor-on-insulator (SOI) layer.例文帳に追加

ノード誘電体及び深いトレンチを充填する導電性トレンチ充填領域がセミコンダクター・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）層の上面とほぼ同一面となる深さにまで窪まされる。 - 特許庁

To provide a method for activating impurities, by which the impurities existing at a deep position from the substrate surface of a semiconductor substrate, having the impurities added to its surface layer, is activated.例文帳に追加

表層に不純物が添加された半導体基板の基板表面から深い位置に存在する不純物の活性化を行うことができる不純物活性化方法を提供する。 - 特許庁

In this configuration, the epitaxial layer in no need of the high-temperature and long time heat treatment is arranged as a deep well and the complementary high breakdown voltage MISFET is formed.例文帳に追加

この構成は、高温かつ長時間の熱処理を施す必要のないエピタキシャル層を深いウェルとして配置し、相補型の高耐圧ＭＩＳＦＥＴを形成する構成である。 - 特許庁

To provide light absorbing composition, which can be used as antireflection covering composition which is useful when deep UV use is contained, especially a flattened covering layer is required.例文帳に追加

ディープＵＶ用途を含む、特に、平坦化被覆層が要求される場合に有用である反射防止被覆組成物として使用することができる新規な光吸収組成物を提供する。 - 特許庁

A photosensitive resin layer using particles containing an alloy portion as a coloring agent is exposed, and developed so as to form a deep color separating wall with ≥1.0 μm thickness on the substrate.例文帳に追加

着色剤として合金部分を含む粒子を用いた感光性樹脂層を露光、現像して、厚み１．０μｍ以上の濃色離画壁を前記基板上に形成する。 - 特許庁

A method for forming semiconductor device includes a step of forming a deep trench 14 into a substrate 12 and another step of forming the lining of a dielectric layer 26 in the lower section of the trench 14.例文帳に追加

本発明の半導体装置形成方法は基板１２に深トレンチ１４を形成するステップと、深トレンチの下部に誘電体層２６のライニングを形成するステップを有する。 - 特許庁

The cosmetic product contains either one or both of ancient saline water sealed deep in the earth core layer and lake water obtained from Great Salt Lake in an amount of ≥0.05 mass%.例文帳に追加

地核深層中に封止された古代塩水及びグレート・ソルト・レイクから得られる湖水のうち少なくともいずれか一方を０．０５質量％以上含有する化粧料。 - 特許庁

The flow of the deep current which is pointed upward as it flows along the tilted rectangular plate reaches a surface layer by flowing diagonally upwards even after separating upward from the guide plate.例文帳に追加

傾斜した長方形の板にそって流れる間に上方に向けられた深層水の流れは、誘導板から上方に離れてのちも斜め上方に流れて表層に到達する。 - 特許庁

Thus, a reformed layer can be formed at arbitrary positions in the wafer W, for example, at the relatively shallow position Pa, a substantially intermediate position Pb and the relatively deep position Pc.例文帳に追加

したがって、ウェハＷ内の任意の位置、例えば比較的浅い位置Ｐａ、ほぼ中間の位置Ｐｂ、比較的深い位置Ｐｃに、それぞれ改質層を形成することができる。 - 特許庁

Accordingly, a large gap of a bottom part of a trench 6 can be secured from the bottom part of the p-type deep layer 10 , and a large process window can be secured in forming the trench 6.例文帳に追加

したがって、ｐ型ディープ層１０の底部からトレンチ６の底部のギャップを大きくとることが可能になり、トレンチ６を形成する際のプロセスウィンドウを大きく取ることが可能となる。 - 特許庁

The lunch 1 shown in the figure 1 is obtained by nipping the bits of deep fried tempura batter 4 between boiled rice layers 2, topping the ground boiled sweet potato and pumpkin 3 on the boiled rice layer and packing the ground boiled sweet potato and/or pumpkin, etc., into a container 5.例文帳に追加

図１に示す弁当１は、天カス４をご飯２の間に挟みこみ、その上につぶしたサツマイモ及び／又はカボチャ３を載せて、容器５に詰めたものである。 - 特許庁

Therefore, when it is worn, the surface layer part such as the blood draining port and the deep part such as the pelvis circumference are warmed by far infrared radiation radiated from the Bincho charcoal 21 to alleviate physiological pain.例文帳に追加

従って、装用時には備長炭２１から放射される遠赤外線によって、排血口などの表層部と骨盤周辺などの深部を加温して、生理痛を緩和する。 - 特許庁