「dielectric normal」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To obtain a reduction resistant dielectric composition low in rate of change of capacitance in wide temperature range having a long high temperature load life and a large dielectric constant at normal temperature.例文帳に追加

広い温度範囲で容量変化率が小さく、かつ高温負荷寿命が長く、しかも常温における比誘電率が大きい耐還元性誘電体組成物を得る。 - 特許庁

A conductor (Cu) thin film 6 is further deposited on the dielectric thin film 5 under normal temperature at the substrate temperature of 150°C or below and then the conductor thin films 4, 6 and the dielectric thin film 5 are stripped along with the resist pattern 2 to form a wiring pattern 7 lift-off method.例文帳に追加

この後、レジストパターン２と共にその上の導体薄膜４，６と誘電体薄膜５を剥離させ、リフトオフによって配線パターン７を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory in which enlargement of chip size is not required even if a normal dielectric capacitor is used and operation speed is fast.例文帳に追加

常誘電体キャパシタを使用してもチップサイズの拡大を招かず、動作の速い半導体メモリを提供する。 - 特許庁

Many though-holes 2 are formed on the dielectric member 1 in parallel with the normal direction 3 of the parallel plates, that is, a direction of a normal (axial direction) of incident and radiation faces of an electromagnetic wave.例文帳に追加

誘電体部材１には、この平板部材の法線方向３、すなわち電磁波の出入斜面の法線方向（軸方向）と平行に多数の貫通孔２が形成されている。 - 特許庁

The display apparatus comprises N normal scanning electrodes 11, a plurality of normal pixel electrodes arranged in a matrix, and a dielectric material layer disposed between them.例文帳に追加

表示装置を、Ｎ本の正規の走査電極１１とマトリクス状に配設された複数の正規の画素電極５とそれらの間に設けられた誘電性材料層とを備えたものとする。 - 特許庁

A dummy cell circuit has at least one normal dielectric capacitor, and a potential applied to these terminals has special relation.例文帳に追加

ダミーセル回路は、少なくとも１個の常誘電体キャパシタを有し、これらの端子に印加される電位を特別の関係とする。 - 特許庁

An opening is formed by penetrating and defining the first passivation stack using normal lithography technology and dielectric etching technology.例文帳に追加

開口を、通常のリソグラフィ技術および誘電エッチング技術によって、第１のパッシベーション・スタックを貫通して画定し形成する。 - 特許庁

To provide a novel and improved development carrier capable of showing a high dielectric constant under normal temperature, and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

常温時で高誘電率を示すことが可能な、新規かつ改良された現像用キャリア及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a normal-pressure plasma treatment device capable of facilitating a replacement work of a solid dielectric and which can be stably installed on an upper electrode.例文帳に追加

固体誘電体の交換作業を容易化でき、かつ上側の電極にも安定して設置できる常圧プラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

Surface wave exciting plasma is formed in the internal space S of a dielectric tube 23 within the plasma treatment device 20 and plasma detoxifying treatment is performed under a normal pressure.例文帳に追加

プラズマ処理装置２０では、誘電体チューブ２３の内部空間Ｓに表面波励起プラズマを生成させ、常圧下でプラズマ除害処理を行う。 - 特許庁

The piezoelectric element 2 can elongate/contract in the direction normal to the dielectric substrate 1, i.e. in the Z axis direction on the drawing, when a voltage is applied to the surface thereof.例文帳に追加

ピエゾ素子２は、その表面に電圧を印加することによって、誘電体基板１の法線方向即ち図中のｚ軸方向に伸縮動作することができる。 - 特許庁

A normal dielectric film 68 that covers the plate-shaped principal surface a surrounding the protruding section and has such a thickness that its surface is substantially the same level as that of the protruding surface b, is formed.例文帳に追加

この凸部の周囲の、板状部の主表面ａを覆い、かつその表面が頂面ｂと実質的に同一面位置となる厚みで常誘電体膜６８を形成する。 - 特許庁

A dielectric film 420 comprises a first phase which appears in a normal temperature in a bulk state, and a second phase which appears in a higher temperature than the first phase in a bulk state.例文帳に追加

そして誘電膜４２０は、バルク状態において常温で出現する第１相と、バルク状態において第１相より高温で出現する第２相と、を含んでいる。 - 特許庁

To protect against dielectric breakdown during manufacture and to suppress the power consumption of an electronic device in normal use after manufacture as much as possible while evading problems of electric corrosion.例文帳に追加

製造中における静電放電破壊保護をなすとともに、電蝕の問題を回避しつつ、製造後の電子装置の通常使用中において消費電力を極力抑える。 - 特許庁

The vibration part has a structure wherein a plurality of layers including an upper principal surface electrode 2, a piezoelectric substrate 3, a lower principal surface electrode 4 and a dielectric layer 5 are laminated in the principal surface normal direction.例文帳に追加

この振動部は上主面電極２と圧電基板３と下主面電極４と誘電体層５とを含む複数の層を主面法線方向に積層した構成である。 - 特許庁

A liquid crystal 30 having a nematic phase at normal temperature and having negative dielectric anisotropy is encapsulated between a TFT substrate 10 having no alignment layer formed thereon and a counter substrate 20.例文帳に追加

配向膜を形成していないＴＦＴ基板１０と対向電極２０との間に、常温でネマチック相を示し、誘電率異方性が負の液晶３０と封入する。 - 特許庁

When the inside terminal 11 is pushed to a normal position within the housing hole 25 of the dielectric body 13 fixed into an outside terminal 12, the restored and deformed inside metal lance 30 is fitted to the second locking hole 32 to engagingly lock the inside terminal 11 in the locked state to the dielectric body 13.例文帳に追加

内側端子１１が、外側端子１２内に固着された誘電体１３の収容孔２５内の正規位置まで押し込まれると、復元変形した内側金属ランス３０が第２係止孔３２に嵌まり、内側端子１１が誘電体１３に対して抜け止め状態に係止される。 - 特許庁

To provide a transfer device constituted so that the polarization of the dielectric of a transfer belt may be appropriately suppressed and a normal transfer current may be maintained irrespective of a copying time, and a transfer process may be satisfactorily performed.例文帳に追加

転写ベルトの誘電体に生じる分極を適切に抑制し、複写時間に関わらず正常な転写電流を保ち、転写を良好に行うことのできる転写装置を提供する。 - 特許庁

To provide an image forming apparatus which prevents toner from being scattered at the periphery of a dot and suppresses image density unevenness due to variances in the thickness and dielectric constant of an image receiving means 10 such as a belt and normal paper.例文帳に追加

ドット周辺のトナー飛散を防止し、またベルトや普通紙等の受像手段１０における厚みや誘電率のバラツキに起因する画像濃度ムラを抑制する画像形成装置を提供する。 - 特許庁

A discharge electrode 3 is inserted into a container 2 to be sanitized positioned under normal temperature and pressure condition and at the same time a dielectric 5 and a counter electrode 6 are arranged in such a manner that they surround the container 3.例文帳に追加

常温常圧下に置かれた殺菌対象の容器２内に放電極３を挿入するとともに、その容器３を囲むようにして誘電体５及び対向電極６を配置する。 - 特許庁

To provide an adhesive film which can achieve a low dielectric constant and a low dielectric loss in the high-frequency region, has good workability such as tackiness at normal temperature and flexibility of a film in the step of processing the film, and is used in electric and electronic applications and an epoxy resin composition which is used in preparing the adhesive film.例文帳に追加

高周波領域での低誘電率化および低誘電損失化を達成することができ、かつ、常温でのタック性、フィルムの可撓性などフィルムの加工工程における作業性が良好な電気・電子用途の接着フィルム、および、該接着フィルムの作成に用いるエポキシ樹脂組成物の提供。 - 特許庁

A first transparent dielectric layer 2, a reproduction layer 3 which is in the in-plane magnetization state at normal temperature and in a perpendicularly magnetized state accompanied by temperature rise, a second transparent dielectric layer 11, a metal film layer 4, a recording layer 5 consisting of a perpendicularly magnetized film and a protective layer 6 are successively formed on a substrate 1.例文帳に追加

基板１上に、第１の透明誘電体層２と、室温において面内磁化状態であり温度上昇に伴い垂直磁化状態となる再生層３と、第２の透明誘電体層１１と、金属膜層４と、垂直磁化膜からなる記録層５と、保護層６とを順次形成する。 - 特許庁

A first interlayer dielectric is formed on a semiconductor substrate having a semiconductor element formed thereon, and a tantalum nitride film is formed on the first interlayer dielectric by first sputtering at a substrate temperature from a normal temperature to 400°C with a nitride gas partial pressure ratio of 3-10% in a reaction gas.例文帳に追加

半導体素子が形成された半導体基板上に第１層間絶縁膜を形成し、基板温度を常温から４００℃までの温度に設定し、反応ガス中の窒素ガス分圧比を３乃至１０％として、第１スパッタリングにより、前記第１層間絶縁膜上に窒化タンタル膜を形成する。 - 特許庁

To provide a dielectric ceramic composition for high-frequency use, having high Q-value in high-frequency range and exhibiting suppressed lowering of Q-value at high temperature (120°C) compared with the Q-value at normal temperature (25°C).例文帳に追加

高周波領域において、高いＱ値を有しかつ、Ｑ値が常温時（２５℃）のＱ値に比べて高温時（１２０℃）のＱ値の低下率を小さく抑えることができる高周波用誘電体磁器組成物を提供する。 - 特許庁

The ferroelectric film is so etched as to leave the part of the ferroelectric film that is located above the protruding section and the part that touches the normal dielectric film and surrounds the part located above the protruding section with a prescribed width.例文帳に追加

強誘電体膜に対しエッチングを行って、強誘電体膜のうち、凸部の上側部分と、常誘電体膜と接触しかつ当該上側部分を所定幅で取り囲む部分とを残存させる。 - 特許庁

The resistive layer 18 is set in such a way that when seen from the normal direction of a principal surface of the dielectric substrate 12, it overlaps a position where the outer edge of the discharge electrode 14 and the outer edge of the induction electrode 16 cross each other.例文帳に追加

抵抗層１８は、誘電体基板１２の主面の法線方向から見たときに、放電電極１４の外縁と誘導電極１６の外縁とが交差する位置に重なるように設けられている。 - 特許庁

An upper electrode film 61 is formed on such an area that extends from a part of the ferroelectric film that faces the protruding surface b to the area facing the plate-shaped principal surface a via the normal dielectric film and the ferroelectric film.例文帳に追加

この強誘電体膜上のうち、頂面ｂと対向する領域から、板状部の主表面ａと常誘電体膜及び強誘電体膜を介して対向する領域に亘って、上部電極膜６１を形成する。 - 特許庁

To obtain a dielectric ceramic composition for an electronic device which is composed of a composition capable of controlling the temperature characteristic (τf) in the normal direction while keeping a high Q value, particularly controlling near 0 ppm/°C and shortening the sintering time.例文帳に追加

高いQ値を保持して温度特性τfの正方向へのコントロール、特に0ppm/℃に近いところで制御することを可能にするとともに、焼結時間の短縮を達成できる組成からなる電子デバイス用誘電体磁器組成物の提供。 - 特許庁

The gate electrode is connected to a first ferroelectric substance capacitor, and a second capacitor which is the ferroelectric substance capacitor which is smaller in a residual polarization than the first capacitor, or is a normal dielectric capacitor having a perovskite structure.例文帳に追加

ゲート電極に、第１の強誘電体キャパシタと、第２のキャパシタを接続し、且つ第２のキャパシタは第１のキャパシタよりも残留分極が小さい強誘電体キャパシタであるか、またはペロブスカイト構造を有する常誘電体キャパシタとする。 - 特許庁

A hyper NRD guide (HNRD) and a normal NRD guide (NNRD) are constituted by arraying a dielectric strip 3 between a lower conductor plate 1 and an upper conductor plate confronted thereto, a third nonradiative dielectric line is constituted by providing a groove with depth, which gradually becomes shallow, between these two lines and in this part, line conversion is performed.例文帳に追加

下部の導電体板１と、これに対向する上部の導電体板との間に誘電体ストリップ３を配してハイパーＮＲＤガイド（ＨＮＲＤ）およびノーマルＮＲＤガイド（ＮＮＲＤ）を構成するとともに、この２つの線路の間に、ＨＮＲＤの溝に続いて深さが次第に浅くなる溝を設けて第３の非放射性誘電体線路を構成し、この部分で線路変換を行う。 - 特許庁

The terminating apparatus of power cable comprises a stress corn made of normal temperature shrinkage rubber and fixed to the end part of a cable, a bushing provided on the outer circumference of the cable while covering the stress corn, and an insulating compound filling the inside of the bushing wherein the stress corn made of normal temperature shrinkage rubber is composed of high dielectric silicon rubber having permittivity ε of 10-100.例文帳に追加

ケーブルの終端部に装着する常温収縮ゴム製ストレスコーンと、該ストレスコーンを覆うようにケーブル外周に設ける碍管と、前記碍管内に充填する絶縁混和物とからなり、前記常温収縮ゴム製ストレスコーンは誘電率εが１０〜１００の高誘電シリコーンゴムで構成されていることを特徴とする電力ケーブル終端部である。 - 特許庁

The liquid crystal having negative dielectric anisotropy is initial-orientation-controlled along a normal direction without having pretilt, an inclination direction is controlled by inclined electric fields in an end of the pixel electrode 19 and an end of the orientation control window 24, by applying voltage, and pixels are divided.例文帳に追加

負の誘電率異方性を有する液晶はプレチルトを有することなく法線方向に初配向制御され、電圧印加により、画素電極19端及び配向制御窓24端における斜め電界に傾斜方向が制御され、画素分割が行われる。 - 特許庁

The liquid crystal having negative dielectric anisotropy is initial-orientation-controlled along a normal direction without having pretilt, an inclination direction is controlled by inclined electric fields in a pixel electrode 19 end and an orientation control window 24 end, by applying a voltage, and pixels are divided.例文帳に追加

負の誘電率異方性を有する液晶はプレチルトを有することなく法線方向に初配向制御され、電圧印加により、画素電極19端及び配向制御窓24端における斜め電界に傾斜方向が制御され、画素分割が行われる。 - 特許庁

In an apparatus 1, of a pair of upper and lower electrodes 10 and 20 for forming a normal pressure plasma space 1a, the lower electrode 20 has an electrode body 20X and a dielectric plate 23 separately positioned so as to cover the top surface of the body.例文帳に追加

装置Ｍ１において、常圧プラズマ空間１ａを形成する上下一対の電極１０，２０のうち、下側の電極２０は、電極本体２０Ｘと、その上面を覆うようにして分離可能に位置決めされた誘電体板２３とを有している。 - 特許庁

To provide a thin-film capacitor which is less easy to cause dielectric breakdown as compared with a normal one, even when an excessive pulse electric field is applied, in the decoupling thin-film capacitor used in a power supply line where a quick power supply is needed for a semiconductor integrated circuit.例文帳に追加

半導体集積回路への速やかな電力供給が必要とされる電源ラインに使用されるデカップリング薄膜コンデンサにおいて、従来のものに比べて過大なパルス電界がかかった場合でも、絶縁破壊が起きにくい薄膜コンデンサを提供する。 - 特許庁

To provide a means to control the variation of a Qf value with temperature, to improve a Q value at high temperatures and to control its lowering, while controlling the variation of the resonance frequency with temperature within a narrow range, in a dielectric porcelain composition having a high Q value at normal temperatures.例文帳に追加

常温において高いＱ値を有する誘電体磁器組成物において、共振周波数の温度変化を小さく抑えながら、Ｑｆ値の温度変化を制御し、高温におけるＱ値を改善し、その低下を制御する手段を提供すること。 - 特許庁

If the thickness of the second dielectric layer is partially made thinner than the normal film thickness, the thermal condition of the recording layer is changed and the change from a crystal state to an amorphous state can not be realized by rewriting laser output in the area where the thickness is set thinner.例文帳に追加

第２誘電体層の厚さを通常の膜厚より部分的に薄くすると、薄く設定された領域では、記録層の熱的条件が変わり、書き換えのためのレーザ出力では結晶質から非晶質へ変化させることができなくなる。 - 特許庁

To provide a piezoelectric ceramic composition which is free of lead and can be fired at normal pressure, and more distinguished than ever before in at least one of features characteristic in a piezoelectric ceramic composition, such as the piezoelectric d_31 constant, and a method of producing the same, a piezoelectric element and a dielectric element using the same.例文帳に追加

鉛を含まず、常圧にて焼成が可能であり、圧電ｄ_31定数等の圧電磁器組成物特有の特性のうち少なくとも１つが従来より優れた圧電磁器組成物及びその製造方法、並びに該圧電磁器組成物を利用した圧電素子及び誘電素子を提供すること。 - 特許庁

The extending direction of the slot 3 is same as a normal direction of a substrate end surface of the dielectric substrate 1 which becomes an antenna opening portion 5, and the two hyperbolic tangent function curves for configuring the tapered portion 4a are asymmetry about a center axis of the slot 3.例文帳に追加

スロット３の伸長方向は、アンテナ開口部５となる誘電体基板１の基板端面の法線方向と同一方向であり、かつ、テーパー部４ａを構成する２本の双曲線正接関数曲線は、スロット３の中心軸に関して非対称となっている。 - 特許庁

A nearly vertical electric field is applied to a liquid crystal layer formed of a nematic liquid crystal material which is arranged between a couple of polarizing plates arranged in an orthogonal nicol state and has positive dielectric anisotropy to make display of a normal black mode (black display when no voltage is applied).例文帳に追加

直交ニコル状態に配置された一対の偏光板の間に配置された、正の誘電異方性を有するネマティック液晶材料からなる液晶層に略垂直な電界を印加することによって、ノーマリーブラックモード（電圧無印加時に黒表示）の表示を行う。 - 特許庁

Assuming the chemical formula of the dielectric film 1, 2 is MnOm (oxide) in MnFm (fluoride) and standard generation enthalpy under normal temperature is ΔH0, ΔH0/m<-456 kJ/mol is satisfied for oxide and, ΔH0/m<-434 kJ/mol is satisfied for fluoride.例文帳に追加

前記誘電体膜１、２の化学式をＭ_nＯ_m（酸化物）又はＭ_nＦ_m（フッ化物）とし、常温での標準生成エンタルピーをΔＨ_0とした場合、酸化物の場合ではΔＨ_0／ｍ＜−４５６ｋＪ／ｍｏｌを満たし、フッ化物の場合ではΔＨ_0／ｍ＜−４３４ｋＪ／ｍｏｌを満たすようにする。 - 特許庁

In this method for producing an epoxy resin by reacting a phenol compound with an epihalohydrin in the presence of an organic solvent and an alkali metal hydroxide, the reaction is carried out in the presence of the organic solvent having ≤120°C boiling point and ≥30 (20°C) (normal pressure) dielectric constant represented by acetonitrile.例文帳に追加

フェノール類化合物とエピハロヒドリンとを，有機溶媒とアルカリ金属水酸化物の存在下で反応させてエポキシ樹脂を製造する方法において、アセトニトリルに代表される、有機溶媒が１２０℃以下の沸点（常圧）と３０以上（２０℃）の誘電率をもつ有機溶媒の存在下に反応させる。 - 特許庁

At least one electrode of electrodes on the high-potential and low-potential sides is fabricated by a plurality of electrodes, an inorganic dielectric having a structure permitting flowing of a gas is filled between the electrodes to generate glow discharge between the electrodes so as to make the gas present between the electrodes plasma under normal pressure.例文帳に追加

高電位側と低電位側の電極の少なくともいずれか一方を複数の電極により構成し、その電極間に気体が流れることが可能な構造を有する無機誘電体を充填して、該電極間にグロー放電を発生させ、該電極間に存在する気体を常圧下でプラズマ化するように構成する。 - 特許庁

To provide a writing method for a nonvolatile memory device, in which a sensing margin of data is improved during reading operation by allowing an antifuse of a OTP (One Time Programmable) unit cell to be subjected to normal dielectric breakdown during writing operation, thereby malfunction is prevented to improve the reading operation reliability of the OTP unit cell.例文帳に追加

書き込み動作時ＯＴＰ（Ｏｎｅ Ｔｉｍｅ Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ）単位セルのアンチヒューズを正常に絶縁破壊させて読み出し動作時にデータのセンシングマージンを改善させることで、誤動作を防止し、ＯＴＰ単位セルの読み出し動作の信頼性を改善させることができる不揮発性メモリ装置の書き込み方法を提供する。 - 特許庁

A normal dielectric capacitor 24 storing data by electric charges at a DRAM mode and a ferroelectric capacitor 21 storing data by a non-volatile mode are arranged in parallel, one side nodes of them are connected by a common cell plate 4, the other side nodes are connected by a switching element 22, while the nodes and a bit line 5 are connected by a switch element 2.例文帳に追加

ＤＲＡＭモード時に電荷によってデータを記憶する常誘電体キャパシタ２４と不揮発モードでデータを記憶する強誘電体キャパシタ２１を並列に配し、それらの一方のノードを共通セルプレート４で接続し、もう一方のノード間をスイッチ素子２２で接続するとともにそのノードとビット線５とをスイッチ素子２で接続する。 - 特許庁