「dislocation」に関連した英語例文の一覧と使い方(26ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method of manufacturing silicon epitaxial wafer by which the growing speed of an epitaxial layer can be improved, while the occurrence of slipping dislocation formed on a silicon epitaxial wafer is suppressed.例文帳に追加

シリコンエピタキシャルウェーハに形成されるスリップ転位の発生を抑止しながら、エピタキシャル層の成長速度を向上させることのできるシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

To prevent crystal defects originating from diffusion dislocation from occurring so as to improve a semiconductor device in manufacturing yield when the semiconductor device is formed by the use of a diffused silicon wafer.例文帳に追加

拡散シリコンウェハを用いて半導体デバイスを製造する際に、拡散転移に基づいて生じる結晶欠陥の発生を防止し、半導体デバイス製造の歩留まりを改善する。 - 特許庁

To provide a semiconductor layer growth substrate which allows a low-dislocation-density good GaN semiconductor layer to be formed thereon and to provide a semiconductor device using the same and having excellent characteristics.例文帳に追加

転位密度の小さい、良好なＧａＮ系半導体層を形成することができる、半導体層成長用基板と、それを用いた、特性に優れた半導体装置とを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that allows the formation of a nitride semiconductor layer with low dislocation and evenness on a substrate having irregularity on its surface, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

本発明の実施形態は、表面に凹凸を加工した基板上に、低転位で均一な窒化物半導体層を形成できる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The dislocation density of the stripe region 13 is greater than that of the single crystal region 15, and the crystal orientation of the stripe region 13 differs from that of the single crystal region 15.例文帳に追加

ストライプ領域１３の転位密度は単結晶領域１５の転位密度より大きく、ストライプ領域１３の結晶方位は単結晶領域１５の結晶方位と異なる。 - 特許庁

To provide a silicon single crystal pull-up apparatus capable of reducing microdefects due to bubbles or the like formed on the surface of a quartz crucible and single crystal dislocation generation.例文帳に追加

石英ルツボの表面に形成される気泡等に起因する微小欠陥や単結晶の有転位化を低減することができるシリコン単結晶の引上げ装置を提供する。 - 特許庁

To provide an endoscope cap which credibly prevents dislocation and is produced easily, and also to provide an endoscope or the same having a simplified structure and used with the endoscope cap.例文帳に追加

位置ずれを確実に防止可能であるとともに製造が容易な内視鏡用キャップ、および内視鏡用キャップとともに用いられる、簡素化された構造の内視鏡等を実現する。 - 特許庁

The nanocomposite magnet raw material powder 1 of the polycrystal has its plastic deformation restricted very much, so it also has dislocation (defect) restricted to prevent an increase of generation sites of crystal nucleuses.例文帳に追加

多結晶のナノコンポジット磁石原料粉末１は塑性変形が非常に制限されているので転位（欠陥）も制限され、結晶核の生成サイトの増加が防止される。 - 特許庁

To reduce surface defect by reducing the density of dislocation of a crystal layer in a process for forming a crystal layer of a nitride semiconductor using a lateral growth technology of seed crystal.例文帳に追加

種結晶による横方向成長技術を用いて窒化物半導体の結晶層を形成する工程において、結晶層の転位密度を低減し、表面欠陥を少なくする。 - 特許庁

To simply and easily obtain a large-area AlGaN layer holding high quality with little dislocation and no crack, and a UV light emitting element using the AlGaN layer.例文帳に追加

低転位で、クラックがなく、高品質を維持した大面積のＡｌＧａＮ層を、そして、そのＡｌＧａＮ層を用いた紫外発光素子を簡単且つ容易に実現しようとする。 - 特許庁

To obtain a compound semiconductor substrate with superior electrically insulating performance between a compound semiconductor layer and an Si substrate, low dislocation density, and high quality, and a method for manufacturing this substrate.例文帳に追加

化合物半導体層とＳｉ基板との間の電気絶縁性にすぐれ、かつ転位密度の低い高品質の化合物半導体基板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a process for fabrication of a nitride semiconductor substrate with a low dislocation, especially, making to suppress a stress which is inherent in the nitride semiconductor substrate with a little curvature.例文帳に追加

低転位であり、特に、窒化物半導体基板に内在する応力を抑制させて、反りの少ない窒化物半導体基板の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

By the progress of recrystallization by annealing, crystal grains grow to be large crystal grains, a grain boundary is reduced, and lattice defects such as atomic vacancies or dislocation are reduced as well.例文帳に追加

熱処理によって再結晶が進行することで、結晶粒が大結晶粒に成長して結晶粒界が低減するとともに、原子空孔、転位などの格子欠陥も低減される。 - 特許庁

To obtain a semiconductor member having low dislocation density of a surface by preventing intersecting between crystal growth from a convex portion of a substrate having unevenness and crystal growth from a concave portion.例文帳に追加

凹凸を有する基板の凸部からの結晶の成長と凹部からの結晶の成長とが交差することを防止して、表面の転位密度が低い半導体部材を得る。 - 特許庁

To provide a manufacturing process with the productivity improved better than ever for obtaining a semiconductor bulk crystal having a low dislocation density and a small warpage by using a base substrate consisting of different substrates.例文帳に追加

異種基板から成る下地基板を用いて転位密度が低くかつ反りの小さい半導体バルク結晶を得る製造工程において、その生産性を従来よりも向上させること。 - 特許庁

To actualize an increase in current capacity and low AC loss by suppressing a drift more than before by easily performing dislocation with less strain influence on a wire rod than before.例文帳に追加

従来よりも線材に歪み影響を与えることなく簡便に転位することにより、従来よりも偏流を抑制して電流容量の増加および低交流損失を実現する。 - 特許庁

The surface of the silicon carbide substrate 1 is treated with chemical mechanical polishing and is then treated with hydrogen polishing, thereby further reducing the propagation of the basal plane dislocation to the epitaxial layer.例文帳に追加

炭化珪素基板１の表面を化学機械研磨で処理し、次いで水素エッチングで処理することにより、さらにエピタキシャル層へのベーサルプレーン転位の伝播を低減することができる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a group III nitride crystal, a group III nitride crystal substrate and a group III nitride semiconductor device with low dislocation density and low impurity concentration.例文帳に追加

転位密度が低く、かつ、不純物の濃度が低いＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法、ＩＩＩ族窒化物結晶基板およびＩＩＩ族窒化物半導体デバイスを提供する。 - 特許庁

To provide a low dislocation density nitride semiconductor substrate excellent in cleavability, and to provide a nitride semiconductor laser element capable of a single mode with the main laser beam FFP free of ripples.例文帳に追加

劈開性に優れた低転位の窒化物半導体基板、主レーザ光のＦＦＰにリップルの乗らない良好な単一モードとなる窒化物半導体レーザ素子を提供することである。 - 特許庁

To provide a semiconductor light-emitting element, a nitride semiconductor layer and a nitride semiconductor layer formation method of high performance, which satisfy both of low dislocation density and excellent surface flatness.例文帳に追加

低転位密度と良好な表面平坦性とを両立した、高効率な半導体発光素子、窒化物半導体層、及び、窒化物半導体層の形成方法を提供する。 - 特許庁

To improve characteristics of an electrostatic voltage resistance etc., by inserting an intermediate layer between n-type nitride semiconductor layers and reducing threading dislocation generated on an interface between a sapphire substrate and GaN.例文帳に追加

ｎ型窒化物半導体層間に中間層を挿入し、サファイア基板とＧａＮとの界面で発生する貫通転位を減少させ、耐静電圧の向上等の特性を改善すること。 - 特許庁

In addition, a light-detecting layer 14 is similarly made of a nitride semiconductor including Al at a smaller content than the nitride semiconductor and having a dislocation density 10^10/cm^2 or below.例文帳に追加

さらに、受光層１４を同じく前記窒化物半導体よりも少ない含有量でＡｌを含み、転位密度が１０^１０／ｃｍ^２以下の窒化物半導体から構成する。 - 特許庁

Thereby, the propagation of the dislocation from the seed crystal to the growing crystal side can be suppressed and the high quality compound semiconductor single crystal can be obtained in a good yield.例文帳に追加

これによって、後述するように種結晶から成長結晶側への転位の伝搬が抑制され、高品位の化合物半導体単結晶を歩留り良く得ることができる。 - 特許庁

To manufacture a silicon carbide semiconductor element without any influence to element characteristics due to crystal defects by specifying the positions of dislocation and lamination defects in a wafer surface, and their types.例文帳に追加

ウェハ面内における転位、積層欠陥の位置およびその種類を特定し、これに基づいて、結晶欠陥による素子特性への影響がない炭化珪素半導体素子を製造する。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor element, nitride semiconductor wafer, and manufacturing method for nitride semiconductor layer, which is formed on a silicon substrate and is capable of achieving excellent crystal quality with a low dislocation density.例文帳に追加

シリコン基板上に形成される、低転位密度で結晶品質が優れた窒化物半導体素子、窒化物半導体ウェーハ及び窒化物半導体層の製造方法を提供する。 - 特許庁

When the dislocation density is not more than 1×10^8 cm^-2 on a main surface 11a of the gallium nitride substrate 11, the density of electron traps in the gallium nitride epitaxial film 13 is reduced.例文帳に追加

窒化ガリウム基板１１の主面１１ａにおいて、転位密度が１×１０^８ｃｍ^−２以下であるとき、窒化ガリウムエピタキシャル膜１３中の電子トラップの密度が低減される。 - 特許庁

It was said that Utaemon VI suffered from congenital dislocation of his left leg, so he was laid up for a few years since it got worse when he was young but could eventually walk again after major surgery. 例文帳に追加

六代目歌右衛門は、先天性の左足脱臼を患っており、幼少時にそれが悪化して数年寝込み、大手術を行ってやっと歩けるようになったといわれる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

To provide a working vehicle capable of restricting the dislocation in the fore-and-aft direction of a transmission case simply in a case a right and a left machine body frame are coupled with the outside surface of the transmission case.例文帳に追加

ミッションケースの外面に左右の機体フレームを連結する場合、前記ミッションケースの前後方向の位置ずれを簡単に規制できるようにした作業車両を提供するものである。 - 特許庁

To provide a finger rail structure for preventing dislocation from the finger rail of a shield finger, even in a state where it is substantially loaded as in the compressed state, as in the actual loading state thereof, while the number of components used is controlled, as much as possible.例文帳に追加

部品点数を抑えつつ、シールドフィンガーが装着と同等に圧縮された実装状態でもフィンガーレールから外れることを防止するフィンガーレール構造を提供する。 - 特許庁

To provide a bearing unit capable of holding the rotating performance by preventing a thrust bearing from rotation, dislocation, etc. and establishing a favorable cost performance by enhancing the use efficiency of the material for thrust bearing.例文帳に追加

スラスト軸受の回転、位置ズレ等を防止して回転性能を保持するとともに、スラスト軸受の材料の利用効率を高めコスト的に有利な軸受ユニットを提供する。 - 特許庁

To provide a handle center adjusting method and a joint for adjusting a handle center capable of easily conducting the adjusting operation of the handle center and of performing adjustment of a minor dislocation easily.例文帳に追加

ハンドルセンターの調整作業が容易に行なえると共に、僅かなずれの調整も容易に行なうことができるハンドルセンター調整方法及びハンドルセンター調整用ジョイントの提供。 - 特許庁

To suppress vibration of the liquid surface caused in the vicinity of a melt line when a silicon single crystal is pulled and to produce a crucible providing a good DF (dislocation-free) rate even when it is used for pulling the crystal for a long time.例文帳に追加

シリコン単結晶引き上げ時において、メルトライン付近で発生する液面振動を少なくし、かつ長時間引き上げでもDF化率が良いルツボをつくることを目的とする。 - 特許庁

To provide a winding machine for an electrode sheet allowing wound sheets to be accurately positioned at a winding starting point and uniformly wound without causing wrinkling or winding dislocation.例文帳に追加

被巻取りシートを巻取り開始位置に正確に位置決めすることができて、皺や巻ずれが発生することなく均一に巻き取ることができる電極シートの巻取り機を提供する。 - 特許庁

Thus, the dislocation of a terminal cover 5, when mounted, is avoided to prevent the entry of rainwater.例文帳に追加

ガスケット４に密封ターミナル７の周囲を囲う凸形状のリブ４ａを備えたことによって、ターミナルカバー５装着時の位置ズレを防止でき、雨水等の浸入を防止することが可能になる。 - 特許庁

To provide a coaxial connector capable of automatically, smoothly, and properly making correction of axial dislocation of a center contact and an external contact and adjustment of a fitting gap when fitting a connector.例文帳に追加

コネクタ嵌合時に中心コンタクト及び外部コンタクトの軸ズレの修正と嵌合ギャップの調整とが自動的に問題なく適切に行なわれるようにした同軸コネクタを提供すること。 - 特許庁

To provide a glass run channel assembly constituted so that a projection as a positional dislocation preventive structure can be accurately and stably formed in a predetermined position of the glass run channel assembly.例文帳に追加

位置ズレ防止手段としての突起をガラスランチャンネル組立体の所定の位置に正確かつ安定して形成することができる構成のガラスランチャンネル組立体を提供する。 - 特許庁

To produce a silicon single crystal of which oxygen concentration distribution in both the direction of crystal growth and the crystal plane can be uniformly controlled and in which the occurrence of a dislocation can be prevented.例文帳に追加

結晶成長方向の酸素濃度分布および結晶面内の酸素濃度分布を均一に制御するとともに、有転位化を防止できるシリコン単結晶を製造できる。 - 特許庁

To provide a flexible joint with a heat insulation structure, for underground constructions, which facilitates processing and mounting thereof, and can accommodate large separating/approaching dislocation of the underground constructions.例文帳に追加

加工や装着を容易に行うことができると共に地下構築物の大きな離接変位を許容し得る耐熱構造を備えた地下構築物の可撓継手を提供する。 - 特許庁

Then, the output voltage of the light receiving element 34 is fetched in a CPU 22 via a counter 24, the quantity of the dislocation of the sheet 4 is calculated by the CPU 22 and the kind of the sheet 4 is also discriminated.例文帳に追加

そして、受光素子３４の出力電圧をカウンタ２４を経てＣＰＵ２２に取り込み、ＣＰＵ２２にて用紙４の位置ズレ量を演算し、用紙４の種類も判別する。 - 特許庁

Thus the strain generated between the layer 14 and the layer 15 is alleviated by a grating constant difference and a thermal expansion coefficient difference, and the crystal defect such as dislocation or the like is suppressed.例文帳に追加

これにより、格子定数差および熱膨張係数差によりクラッド層１４とガイド層１５との間に生じる歪みが緩和され、転位などの結晶欠陥の発生が抑制される。 - 特許庁

To provide a seat structure for a vehicle capable of eliminating a dislocation of an occupant's head relative to a headrest and turning-up of his clothing as much as practicable when the seat back is reclined (tilted backward).例文帳に追加

シートバックのリクライニング（後傾）時に乗員の頭部のヘッドレストに対する位置ずれ及び乗員の衣服の捲れ上がりを極力解消することができる車両用シート構造を得る。 - 特許庁

A substrate surface 2 is irradiated with an electron beam 1 and has intensity for generating dislocation inside the substrate, and a range that is longer than the depth from the substrate surface 2 at the interface of two parts having different temperatures, in which a crystal defect begins to be generated in the depthwise direction of the substrate; and cracks with dislocation as a starting point are generated and form a cleavage plane 5, and the substrate is divided.例文帳に追加

基板表面２に、その強さが基板の内部に転位を生じさせる強さであり、またその飛程が基板の深さ方向において結晶欠陥が生じ始める、温度が異なる２つの部分の界面の基板表面２からの深さよりも長い電子ビーム１を照射し、転位を起点としたクラックを発生させて劈開面５を形成し、基板を分割する。 - 特許庁

(1) The dislocation concentrated region 24 has a V-shape by forming an inclined plane composed of facet planes 23 on both sides of a bottom which is a dense dislocation region of a stripe-state, becomes a stripe-state by growing the nitride while the inclined plane of the facet planes 23 is maintained so as to concentrate crystal defects, and further becomes various states.例文帳に追加

（１）ストライプ状の高密度の欠陥領域を底とするとともに、その底の両側にファセット面２３から成る斜面を形成することでＶ字型とし、そのファセット面２３の斜面を維持させながら成長させることにより、その斜面の下部に結晶欠陥を集中させることで、ストライプ状になり、さらに、種々の状態になっている転位集中領域２４。 - 特許庁

In the silver halide emulsion, normal silver halide grains having ≥10 dislocation lines 1 and the relation of I1<I2 between the average silver iodide content (I1) of the inside and the average silver iodide content (I2) of the outside including the dislocation line region preferably occupy ≥50% of the number of all grains.例文帳に追加

転位線を１０本以上有する正常晶ハロゲン化銀粒子であって、該転位線を１０本以上有する正常晶ハロゲン化銀粒子の転位線領域よりも内側の平均沃化銀含有率（Ｉ_1）と、転位線領域を含む外側の平均沃化銀含有率（Ｉ_2）の関係がＩ_1＜Ｉ_2である粒子が、全粒子個数の５０％以上であることを特徴とする感光性ハロゲン化銀乳剤。 - 特許庁

The guide parts 12c and 12d are arranged being offset in the wiring direction, or three guide parts 22c, 22d, 22e are arranged zigzag, to suppress dislocation of the wire harness W/H in the wiring direction.例文帳に追加

ガイド部１２ｃ、１２ｄは配策方向にオフセット状にずらして配置、あるいは、３つのガイド部２２ｃ、２２ｄ、２２ｅを千鳥配置させてワイヤハーネスＷ／Ｈの配策方向へのズレを発生しにくくする。 - 特許庁