1153万例文収録!

「element layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(354ページ目) - Weblio英語例文検索


小窓モード

プレミアム

ログイン
設定

設定

Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > element layerに関連した英語例文

セーフサーチ:オン

不適切な検索結果を除外する

不適切な検索結果を除外しない

セーフサーチについて

element layerの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 18197



例文

To provide a liquid resin composition that is a liquid resin composition which can form a resin composition layer on a support by printing, is tack-free at room temperature after drying or drying and partially-hardening a liquid resin composition, is excellent in semiconductor element holding power after subsequently loading a semiconductor element and excellent in reliability such as solder cracking resistance with low elasticity after hardening; and to provide a semiconductor apparatus made therewith.例文帳に追加

本発明は、印刷により支持体上に樹脂組成物層が形成可能な液状の樹脂組成物であって、液状樹脂組成物の乾燥、または、乾燥および半硬化後に室温においてタックフリーであり、その後半導体素子搭載後の半導体素子保持力に優れ、且つ硬化後に低弾性で耐半田クラック性に優れるなどの信頼性に優れる液状樹脂組成物およびそれを用いて作製した半導体装置を提供することにある。 - 特許庁

The method of manufacturing the light-emitting element includes steps of: forming a semiconductor film including an active layer on a substrate; forming division grooves sectioning the semiconductor film into semiconductor light-emitting element regions; forming buried protective portions by filling the division grooves with a resist material; forming a metal film for plating start, covering surfaces of the semiconductor film and buried protective portions; and forming a metal support of metal plating on the metal film.例文帳に追加

半導体発光素子の製造方法は、基板上に活性層を含む半導体膜を形成する工程と、半導体膜を半導体発光素子領域に区画する分割溝を形成する工程と、分割溝にレジスト材を充填して埋め込み保護部を形成する工程と、半導体膜および埋め込み保護部の表面を覆うメッキ開始用の金属膜を形成する工程と、金属膜上に金属メッキからなる金属支持体を形成する工程と、を含む。 - 特許庁

The semiconductor device has a semiconductor element 2 mounted on a rectangular PBGA substrate 1 composed of an epoxy circuit board 11 having Cu wirings 12 in an inner layer, the semiconductor element 2 sealed with an epoxy resin 4, and mounting solder balls 5 disposed on the backside of the PBGA substrate 1.例文帳に追加

内層にCu配線12を有するエポキシ回路基板(11)で構成される矩形のPBGA基板1上に半導体素子2が搭載され、かつ半導体素子2がエポキシ樹脂4により封止されるとともに、PBGC基板1の裏面に実装用の半田ボール5が配設されている半導体装置において、PBGA基板1のコーナ部には、外方向に向けて放射状に突出された突起形状部14がエポキシ回路基板(11)を形成しているエポキシ樹脂により一体形成される。 - 特許庁

In the multiple string varistor noise filter compound element, each varistor noise filter compound element with two or more varistor dielectric layers laminated therein, includes a grounding dielectric multi-layer with a grounding pattern having each grounding terminal connection formed therein, an inductor dielectric multilayer an inductor pattern having an input terminal connection and an output terminal connection formed therein, and an output terminal and a grounding terminal jointed with each connection.例文帳に追加

多連バリスタ−ノイズフィルター複合素子は、複数のバリスタ誘電体層が積層されたバリスタ−ノイズフィルター複合素子において、それぞれに接地端子接続部を有する接地パターンが形成された多層の接地誘電体層と、前記接地誘電体層の間に積層され、入力端子接続部と出力端子接続部とを有するインダクターパターンが形成された多層のインダクター誘電体層と、前記各接続部に連結された入出力及び接地端子を備えて構成される。 - 特許庁

例文

The magnet-resistive element includes a underlayer, a magnetization fixing layer having a ferromagnetic film whose magnetization direction is substantially fixed in one direction, a non-magnetic intermediate layer, and a free layer consisting of a ferromagnetic film whose magnetization direction is changed in accordance with an external magnetic field and can apply a current to the film surfaces of these layers in the vertical direction.例文帳に追加

本発明では、下地層と、磁化の方向が実質的に一方の方向に固定された強磁性膜を有する磁化固定層と、非磁性中間層と、磁化の方向が外部磁界に応じて変化する強磁性膜よりなる磁化自由層とを含み、これらの層の膜面に対して垂直方向に通電可能な磁気抵抗効果素子であって、当該磁化固定層が、当該下地層に接して設けられた硬質磁性材料と絶縁材料を含むグラニュラー層からなる第一の強磁性層と、非磁性結合層と、軟磁性材料からなる第二の強磁性層と、からなることを特徴とする磁気抵抗効果素子を構成している。 - 特許庁


例文

A light-emitting element of a refractive index waveguide-type includes: a substrate 1 transparent to a light-emitting wavelength; a first conductivity-type clad layer 4 showing the same conductivity type as the substrate formed on the substrate; and an active layer structure 5 formed on the first conductivity-type clad layer.例文帳に追加

発光波長に対して透明な基板1、該基板上に形成され該基板と同じ導電型を示す第1導電型クラッド層4、および該第1導電型クラッド層上に形成された活性層構造5を有する屈折率導波型の発光素子であって、前記基板と前記第1導電型クラッド層の間に第1導電型低屈折率層3が形成されており、かつ、前記基板の発光波長に対する屈折率n_sub、前記第1導電型クラッド層の発光波長に対する平均屈折率の実数部分n_clad1、および前記第1導電型低屈折率層の発光波長に対する平均屈折率n_LIL1が以下の関係式(式1)を満足することを特徴とする発光素子。 - 特許庁

In this electrochemical measurement sensor for measuring gas components in a gas mixture and/or the gas concentration with the use of a sensor element disposed on an ion conductive solid electrolyte and having at least one electrode at least exposed regionally to the gas, the electrode includes at least two layers, and the second layer opposite to the gas has a electron conductivity higher than that of the first layer counterposed to the solid electrolyte.例文帳に追加

イオン伝導性固体電解質体上に配置された、少なくとも領域的にガスに暴露される少なくとも1個の電極を有するセンサー素子を用いてガス混合物中のガス成分および/またはガス濃度を測定するための電気化学的測定センサーの場合に、電極が少なくとも2つの層を有し、この場合ガスに対向した第2の層は、固体電解質体に対向した第1の層と比較してよりいっそう高い電子伝導性を有する。 - 特許庁

A method for manufacturing a photoelectric converter includes the steps of directly dissolving chalcogen elemental substance and metal in a mixed solvent including an organic compound containing a chalcogen element and a Lewis base organic solvent to prepare a material solution, applying the material solution onto a light absorbing layer 3 consisting of a first semiconductor to form a film, and heating up the film to form a buffer layer 4 consisting of a second semiconductor including a chalcogen compound semiconductor.例文帳に追加

含カルコゲン元素含有有機化合物とルイス塩基性有機溶剤とを含む混合溶媒に、カルコゲン元素の単体および金属を直接溶解させることにより、原料溶液を作製する工程と、第1の半導体から成る光吸収層3上に前記原料溶液を塗布して被膜を形成する工程と、前記被膜を加熱してカルコゲン化合物半導体を含む第2の半導体から成るバッファ層4を形成する工程と、を具備する。 - 特許庁

In the photoelectric conversion element provided with a first electrode with an electron transport compound covered, a second electrode facing the electron transport compound of the first electrode, and a hole transport layer composed of a hole transport material between the electron transport compound of the first electrode and the second electrode, the hole transport layer is laminated with a compound having different molecular weight, and a hole transport material near a second electrode side is a polymer.例文帳に追加

電子輸送性化合物が被覆された第一電極と、前記第一電極の電子輸送性化合物と対峙する第二の電極と、前記第一電極の電子輸送性化合物と前記第二の電極との間にホール輸送性材料からなるホール輸送層を具備した光電変換素子において、ホール輸送層が分子量の異なる化合物で積層されており、第二電極側に近いホール輸送材料が高分子であることを特徴とする光電変換素子。 - 特許庁

例文

The organic EL element has a hole injection electrode 2 and an electron injection electrode 6 facing against each other, one or more organic layer(s) provided between the hole injection electrode 2 and the electron injection electrode 6, and one or more inorganic layer(s) 3, 5 provided between the hole injection electrode 2 and the electron injection electrode 6.例文帳に追加

互いに対向して配置されたホール注入電極2及び電子注入電極6と、ホール注入電極2及び電子注入電極6の間に配置された1層以上の有機層と、ホール注入電極2及び電子注入電極6の間に配置された1層以上の無機層3,5と、を備え、 上記有機層のうちの少なくとも1層は発光層4であり、発光層4は下記一般式(I)で示される化合物を含有することを特徴とする有機EL素子。 - 特許庁

例文

A light emitting element has a substrate, a plurality of lower electrodes disposed in a stripe shape, a plurality of transparent counter electrodes disposed in a stripe shape, and a luminescent layer disposed between the lower electrode and the transparent counter electrodes, and the display device has an auxiliary electrode disposed on the transparent counter electrodes and a first insulating layer below the auxiliary electrode and between the transparent counter electrode and the lower electrode.例文帳に追加

基板と、ストライプ状に配置される複数の下部電極と、複数の下部電極に交差し、ストライプ状に配置される複数の透明対向電極と、下部電極及び前記透明対向電極との間に配置される発光層と、を有する発光素子であって、透明対向電極上に配置される補助電極と、補助電極の下であって、透明対向電極と下部電極との間に設けられる第一の絶縁層とを有する表示装置。 - 特許庁

In the organic electroluminescent element composed of one or a plurality of organic compound layers sandwiched between a pair of electrodes, one of which is transparent or translucent, at least one layer of the organic compound layers contains charge transportation polyurethane having repetitive units including a kind of substituted diphenylamine shown by a particular general formula as a partial structure and at least one layer of the organic compound layers contains a light-emitting polymer.例文帳に追加

一方が透明または半透明である一対の電極間に挾持された一つまたは複数の有機化合物層より構成される有機電界発光素子において、該有機化合物層の少なくとも一層が、特定の一般構造式で示される置換ジフェニルアミンの一種を部分構造として含む繰り返し単位を有する電荷輸送性ポリウレタンを含有し、さらに該有機化合物層の少なくとも一層が、発光性高分子を含有する有機電界発光素子。 - 特許庁

The manufacturing method of an optical semiconductor element comprises the steps of forming a substantially stripe-shaped protruded structure by selectively dry etching an InGaAlP layer formed on a substrate up to the middle of its thickness, forming a protective film on the upper surface and both side surfaces of the protruded structure, and forming the ridge including the protruded structure by etching the InGaAlP layer around the protruded structure with a solution containing fluorinated acid.例文帳に追加

基板上に形成されたInGaAlP層をその厚みの途中まで選択的にドライエッチングして略ストライプ状の凸状体を形成する工程と、前記凸状体の上面と両側面とに保護膜を形成する工程と、前記凸状体の周囲の前記InGaAlP層をフッ酸を含有する溶液でエッチングすることにより、前記凸状体を含むリッジを形成する工程と、を備えたことを特徴とする光半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The photoelectric conversion element comprises a photoelectric conversion layer 11, a negative electrode 12 containing, as a component, a single layer graphene and/or a multilayer graphene where some of carbon atoms arranged on one surface of the photoelectric conversion layer 11 are replaced by at least nitrogen atoms, and a positive electrode 13 arranged on the other surface of the photoelectric conversion layer 11.例文帳に追加

本発明の実施形態の光電変換素子は、光電変換層11と、前記光電変換層11の一方の面に配置された炭素原子の一部が少なくとも窒素原子に置換された単層グラフェン及び/又は多層グラフェンを構成要素とする陰電極12と、前記光電変換層11の他方の面に配置された陽電極13とを、具備することを特徴とし、また、本発明の実施形態の光電変換素子の製造方法は、炭素原子の一部が少なくとも窒素原子に置換された単層グラフェン及び/又は多層グラフェンを構成要素とする陰電極12を基板上に形成する工程と、前記陰電極12上に光電変換層11を形成する工程と、前記光電変換層11の上に陽電極13を作製する工程を、具備することを特徴とする。 - 特許庁

The active material layer is covered with a coating containing a complex compound consisting of at least one element of Y and Yb, and at least one element of Mn, Al, Fe, Cu, and Ag, or a complex compound consisting of at least one of Y and Yb, at least one of Mn, Al, Fe, Cu, and Ag, and at least one of Co and Ni.例文帳に追加

多孔性のニッケル焼結基板に水酸化ニッケルを主体とする活物質が充填されてなるアルカリ蓄電池用ニッケル極において、多孔性のニッケル焼結基板に形成された活物質の表面部に、Y,Ybから選択される少なくとも1種の元素と、Mn,Al,Fe,Cu,Agから選択される少なくとも1種の元素との複合化合物又はY,Ybから選択される少なくとも1種の元素と、Mn,Al,Fe,Cu,Agから選択される少なくとも1種の元素と、Co,Ni から選択される少なくとも1種の元素との複合化合物を含む被覆層を設けた。 - 特許庁

To obtain a nonlinear optical material which is a waveguide type nonlinear optical material and effectively can performs poling without using a conductive polymer as a lower cladding layer, has a large electro-optic effect and excellent stability, and provide a method of manufacturing the same, and a nonlinear optical element using the nonlinear optical material.例文帳に追加

導波路型の非線形光学材料であって、下部クラッド層に導電性ポリマーを用いることなく有効にポーリングを行うことができ、電気光学効果が大きく、しかも安定性に優れる非線形光学材料、及びその製造方法、並びに上記非線形光学材料を用いた非線形光学素子を得ることである。 - 特許庁

To provide an optical sheet or an optical sheet group which is further optically efficient and has environmental resistance by using a layer of a thermoplastic resin containing a number of air-containing fine pores as a structure in improvement of an optical sheet used for illumination optical path control in a display back light unit using a liquid crystal display element.例文帳に追加

液晶表示素子を用いたディスプレイ用バックライト・ユニットにおける照明光路制御に使用される光学シートの改良にあたり、構造として空気を含む微細な空洞を多数含有する熱可塑性樹脂の層を使用することによって、光学的により効率的で環境耐性のある光学シートもしくは光学シート群を提供する。 - 特許庁

The method for producing a nitride semiconductor comprises a step for preparing a silicon substrate 1 containing a group III element in the vicinity of the surface 1f, and a step for growing a first clad layer 2 as an oxide semiconductor containing gallium on the surface 1f of the silicon substrate 1 by supplying gallium and nitride to the surface of the silicon substrate 1.例文帳に追加

窒化物半導体の製造方法は、表面1f近傍に周期律表第IIIB族元素を含むシリコン基板1を準備する工程と、シリコン基板1の表面にガリウムと窒素とを供給してガリウムを含有する酸化物半導体としての第1のクラッド層2をシリコン基板1の表面1f上に成長させる工程とを備える。 - 特許庁

In the solid polyelectrolyte membrane-catalyst metal composite electrode, catalyst layers are formed, on both faces of the solid polyelectrolyte membrane, which contain the catalyst metal deposited by reduction of ions of the catalyst metal, and on the surface of the catalyst layer serving as the anode, element is carried which is equal to the catalyst metal or more likely to be oxidized than the catalyst metal.例文帳に追加

固体高分子電解質膜の両面に、触媒金属のイオンの還元により析出した触媒金属を含む触媒層が形成され、且つアノードとなる触媒層の表面に、触媒金属と同等であるか又はそれよりも酸化されやすい元素が担持されている固体高分子電解質膜・触媒金属複合電極である。 - 特許庁

In the manufacturing process of a photoelectric conversion element comprising an electrolyte layer between a porous electrode 3 and a counter electrode, at least one of the steps of treating the porous electrode 3 with a solution is performed by pressing a retaining material 9 retaining the solution against the porous electrode 3 to provide the porous electrode 3 with the solution from the retaining material 9.例文帳に追加

多孔質電極3と対極との間に電解質層が設けられた構造を有する光電変換素子を製造する場合に、多孔質電極3を液で処理する工程の少なくとも一つを、液を保持する保持材9を多孔質電極3に押圧して保持材9からこの液を多孔質電極3に供給することにより実行する。 - 特許庁

An array base plate 100 includes an organic EL element 40 formed by a first electrode 60 formed like an independent island in each pixel arranged in a matrix, a second electrode 66 disposed opposite to the first electrode 60 and formed in common to all pixels, and a light emitting layer 64 held between the first electrode 60 and the second electrode 66.例文帳に追加

アレイ基板100は、マトリクス状に配置された画素毎に独立島状に形成された第1電極60と、第1電極60に対向して配置され全画素に共通に形成された第2電極66と、第1電極60と第2電極66との間に保持された発光層64と、によって構成された有機EL素子40を備えている。 - 特許庁

Signal wiring of a surface layer only which does not go through a via hole is realized by making spacing between conductors of bus wiring in adjacent two directional coupling elements and spacing between signaling terminals in connector equal, and using the directional coupling element with spacing of signalling terminal shorter than the spacing between signaling terminals of the connector.例文帳に追加

隣り合う2つの方向性結合素子におけるバス配線用の配線間間隔とコネクタにおける信号用端子間間隔を等しくし、かつコネクタの信号用端子間間隔よりも短い信号端子の間隔を持つ方向性結合素子を使用することにより、ビアホールを介さない表面層のみの信号配線が実現される。 - 特許庁

The thin film piezoelectric element comprises a lower electrode formed on a substrate, a piezoelectric thin film containing lead formed on the lower electrode and an upper electrode arranged on the piezoelectric thin film wherein a material principally comprising iron is employed in the substrate and one or more diffusion preventive layer is arranged between the lower electrode and the substrate.例文帳に追加

基板上に下部電極を形成し、該下部電極上に鉛を含有する圧電薄膜を形成し、該圧電薄膜の上に更に上部電極を配した薄膜圧電素子において、該基板として鉄を主成分とする材料を用い、かつ該下部電極と基板との間に1層以上の拡散防止層を配することを特徴とする薄膜圧電素子。 - 特許庁

The method of manufacturing a solar cell device of semiconductor comprises the steps of: doping a semiconductor wafer before a diffusion process with a group IV element on the periodic table, its compound or a mixture containing any of them from the surface layer becoming the light receiving surface side; and repairing crystal damage by annealing.例文帳に追加

また半導体の太陽電池デバイスの製造方法において、拡散工程前の半導体ウエハに対し、元素周期律表の第IV族元素又はその化合物或いはその何れかを含む混合物を受光面側となる表層からドーピングし、アニーリングにより結晶ダメージを修復することを特徴とする太陽電池デバイスの製造方法の構成とした。 - 特許庁

This polyolefin foam comprises a resin composition layer, on at least one part of a surface thereof, that contains a polymeric compound hard to be charged with static electricity, a mineral containing a rate element and at least one of either tormarine or far-infrared radiating ceramic, and discharges the minus ion and at the same time radiates far-infrared.例文帳に追加

ポリオレフィン発泡体の表面の少なくとも1部に、静電気に帯電しにくい高分子化合物、並びに希有元素類を含む鉱物、及び少なくともトルマリン若しくは遠赤外線放射セラミックスのいずれか一方を含有し、マイナスイオンを放出すると同時に遠赤外線を放射する樹脂組成物の層を形成したことを特徴とする。 - 特許庁

To provide an organic electroluminescence element which includes a crystal structure, optimizes resistibility and ionization potential, improves carrier injection ability and transportability, has high luminous efficiency, high luminous brightness, and no defect by using a flat layer of a molybdenum oxide, to provide its manufacturing method, and to provide an organic elecroluminescence display.例文帳に追加

結晶構造を含み、かつ平坦な酸化モリブデン層を具備することによって、抵抗率やイオン化ポテンシャルを最適化し、キャリア注入性や輸送性を向上させ、高発光効率、高発光輝度、長寿命、かつ欠陥が無い有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法並びに有機エレクトロルミネッセンス表示装置を提供すること。 - 特許庁

In the solid-state image sensing element having the selective transistor 206 adjacent to an amplifying transistor 205, an interlayer insulating layer 7 is provided between a first well region 2a of the amplifying transistor 205 and a second well region 2b of the selective transistor 206, and an impurity concentration of the second well region 2b is higher than that of the first well region 2a.例文帳に追加

増幅トランジスタ205と隣接した選択トランジスタ206を有する固体撮像素子において、増幅トランジスタ205の第1ウェル領域2aと選択トランジスタ206の第2ウェル領域2bとの間には層間絶縁層7が設けられ、第1ウェル領域2aの不純物濃度よりも第2ウィル領域2bの不純物濃度が高い。 - 特許庁

In the fire-retardant sheet, fire-retardant layers including a fire retardant agent and a synthetic resin bonding agent are provided on one side or both sides of a substrate film containing no halogen element, the area ratio of the fire-retardant layer on the substrate film is 2-60%, and the haze rate of the substrate film is not greater than 40% when measured according to JISK7105.例文帳に追加

難燃性シートは、ハロゲン元素を含有しない基材フィルムの片面又は両面に、難燃剤および合成樹脂結着剤を含有する難燃層が設けられ、前記基材フィルム上における難燃層の面積比率が2〜60%であり、かつ基材フィルムのJISK7105に従って測定される曇価が40%以下であることを特徴とする。 - 特許庁

A semiconductor DBR mirror formed on an active layer is formed divided as a 1st DBR mirror and a 2nd DBR mirror, and a current stricture is provided only at the part of the 1st DBR mirror to reduce the thickness of a narrow area of a current path, thereby obtaining an element which can operate with both high and low voltages.例文帳に追加

活性層の上部に形成する半導体DBRミラーを、第1のDBRミラーと第2のDBRミラーに分けて形成し、電流狭窄は第1のDBRミラーの部分にのみ設けることにより、電流経路の狭い領域の厚さを薄くすることが可能で、低電圧動作と高温動作が可能な素子を得ることができる。 - 特許庁

This element is provided with a substrate, a structure arranged on the surface of the substrate by using metals in seclusion, and a target material capture allocated on surface of the structure to detect a target material utilizing localized plasmon resonance, where the above structure is designed as at least two metal layers are laminated with non-conductive layer in between.例文帳に追加

基板と、該基板表面上に金属を用い孤立して配された構造体と、該構造体上に配された標的物質捕捉体と、を有し、局在プラズモン共鳴を利用して標的物質を検出するための素子において、前記構造体を、少なくとも2つの金属層を、該金属層の間に非導電層を挟んで積層してなる構造とする。 - 特許庁

To reduce fluctuation in characteristics of an element formed in a processing circuit part in spite of installation of the processing circuit part, which processes a value detected by a detection part, in a semiconductor chip in a mechanical quantities detector, in which the semiconductor chip having the detection part detecting impression of a dynamic quantity is connected to a base via a connection layer.例文帳に追加

力学量の印加を検出する検出部を有した半導体チップが接合層を介して台座に接合された力学量検出装置において、検出部が検出した値を処理する処理回路部を半導体チップに設けたとしても、処理回路部に形成された素子の特性が変動してしまうのを抑制すること。 - 特許庁

An outer circumferential region of the capacitor element is coated with a coating resin layer excepting the anode lead wire and the surface of the anode lead wire opposing the insertion surface, an anode terminal is formed on the anode lead wire and the peripheral region thereof, and a cathode terminal is formed on the surface opposing the insertion surface of the anode lead wire and the peripheral region thereof.例文帳に追加

このコンデンサ素子における陽極導出線と陽極導出線の植立面に対向する面とを除く外周面領域に外装樹脂層が被覆され、陽極導出線およびその周辺領域には陽極端子が形成され、陽極導出線の植立面に対向する面およびその周辺領域には陰極端子が形成される。 - 特許庁

The liquid crystal display is provided with a liquid crystal display element 1 and a backlight 2 and constituted so that a crossing region of display electrodes opposed to each other interposing a liquid crystal layer therebetween is made to be a pixel region, a light reflection part 34 and light transmission part 34a are provided and the color filter corresponding to each pixel region is formed.例文帳に追加

本発明の液晶表示装置は、液晶表示素子1と、バックライト2とを備えるとともに、前記液晶層を挟んで互いに対向する表示電極の交差領域を画素領域に光反射部34と光透過部34aを設けるとともに、且つ各画素領域に相当するカラーフィルタを形成してなる液晶表示装置である。 - 特許庁

A collector electrode made of ITO membrane is formed on the face plate 30 on the opposing face to the rear plate 20, and a plurality of pixels (picture elements) are formed on the opposing face to the rear plate 20 of the collector electrode, and each electron source element 10 is arranged for each sub pixel 32 made of one phosphor cell (phosphor layer) respectively.例文帳に追加

フェースプレート30におけるリヤプレート20との対向面にはITO膜よりなるコレクタ電極が形成されるとともに、コレクタ電極におけるリヤプレート20との対向面に、複数のピクセル(画素)が形成されており、各電子源素子10はそれぞれ1つの蛍光体セル(蛍光体層)からなるサブピクセル32毎に配設されている。 - 特許庁

The sealing resin composition is one for sealing a gap formed at the connection part between a connection electrode part formed on a wiring board and a conductor element mounted on the wiring board, wherein multilayer-structure-forming particles are contained in the sealing resin composition, and at least one layer of the multilayer-structure-forming particles has a siloxane skeleton.例文帳に追加

配線基板上に形成された接続用電極部と配線基板上に搭載された半導体素子との接続部に生じる空隙部分を封止するための封止樹脂組成物であって、封止樹脂組成物中に多層構造となる粒子を含み、多層構造となる粒子の少なくとも1層以上はシロキサン骨格を有する。 - 特許庁

In the production method of the photoelectric conversion element at least having a conductive support body and a layer of semiconductor fine particles sensitized by coloring matter, the semiconductor fine particles are dipped in an absorbent liquid composed of at least organic salt, dye and a solvent to have the dye absorbed on its surface.例文帳に追加

少なくとも導電性支持体と色素によって増感された半導体微粒子の層とを有する光電変換素子の作成方法であって、少なくとも有機塩基、色素、溶媒から成る吸着液に半導体微粒子を浸漬して半導体微粒子の表面に色素を吸着させる事を特徴とする光電変換素子の作成方法。 - 特許庁

To provide an adhesive composition that enables preparation of a film type adhesive to be used for adhesion of a semiconductor element and having both of low temperature sticking property and reflow resistance, and to provide a film type adhesive using the composition, an adhesive sheet, a semiconductor wafer with an adhesive layer, a semiconductor device, and a method for manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

半導体素子の接着に用いられ、低温貼付性と耐リフロー性とを兼ね備えるフィルム状接着剤の実現を可能とする製膜性に優れた接着剤組成物、並びに、これを用いたフィルム状接着剤、接着シート、接着剤層付半導体ウェハ、半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

In the separator for an electrochemical element made of a three-layered porous sheet, the content of a fibrillated thermal resistance fiber of a second layer is larger than that of each of first and third layers, cellulose is contained in any one of the first and second layers, and the content of cellulose is 5-65 mass% in the entire porous sheet.例文帳に追加

3層である多孔質シートからなる電気化学素子用セパレータであって、第2層のフィブリル化耐熱性繊維の含有量が、第1層と第3層よりも多く、且つ、少なくとも第1層と第2層の何れか一方の層にセルロースを含有し、セルロースの含有率が多孔質シート全体に対して5〜65質量%である電気化学素子用セパレータ。 - 特許庁

To provide a sealant for a liquid crystal one-drop-fill process, which is not repelled even when being applied on an alignment layer with hydrophobicity imparted thereto and which prevents disconnection in a sealing pattern even when a fine sealing pattern is drawn, and to provide a vertical conduction material and a liquid crystal display element.例文帳に追加

滴下工法による液晶表示素子の製造において、疎水性が付与された配向膜上に塗布された場合であっても弾かれることがなく、また、微細なシールパターンを描いた場合であっても、シールパターンに断線が生じることのない液晶滴下工法用シール剤、上下導通材料、及び、液晶表示素子を提供する。 - 特許庁

To provide a formation method of a copper metal wiring of a semiconductor element which can improve burying of copper, by maximizing the suction site of chemical reinforcing agent on the surface of a diffusion barrier layer by carrying out a plasma treatment after chemical reinforcing agent deposition when a copper metal wiring is formed by using a CECVD method.例文帳に追加

CECVD法を用いて銅金属配線を形成する場合、化学的強化剤蒸着後プラズマ処理を行うことにより、拡散障壁層の表面に化学的強化剤の吸着サイトを極大化させ、これにより銅の埋込み特性を向上させることができる半導体素子の銅金属配線形成方法を提供すること。 - 特許庁

The element is provided with a plurality of luminescent layers 3a, 3b and 3c formed of the organic materials with luminescent organic substances different from one another doped, and a luminescent organic substance having an energy gap larger than those of the luminescent organic substances doped into the other luminescent layers 3b and 3c is doped into the luminescent layer 3a positioned on the nearest side to the negative electrode 2.例文帳に追加

異なる発光性有機物質がドープされた有機材料よりなる複数層の発光層3a,3b,3cを備え、最も陰極2側に位置する発光層3aに、他の発光層3a,3bにドープされている発光性有機物質のエネルギーギャップより大きいエネルギーギャップを有する発光性有機物質がドープされている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor element whereby warpage of a wafer is reduced to a degree not causing a problem on device characteristics and handling of the wafer when a semiconductor layer is selectively grown on a mask by ELO growth, and a semiconductor laser by which warpage of the wafer is reduced in the case of LD while a dislocation density of a stripe light-emitting part is reduced.例文帳に追加

ELO成長によりマスク上に半導体層を選択成長する場合に、ウェハの反りをデバイス特性やウェハのハンドリングに支障がない程度に小さくし得る半導体発光素子の製法およびLDにする場合にストライプ状発光部の転位密度を小さくしながら、ウェハの反りを抑制する半導体レーザを提供する。 - 特許庁

At least one insulating layer 5 among a plurality of insulating layers 1, 3, and 5 contains conductive particles 19, and the electric element 17 is electrically connected to the via hole conductor 11 and/or wiring circuit layers 8, 9, 13, and 15 on the side of the wiring board A through a concentration portion 21 formed using the conductive particles 19.例文帳に追加

前記複数の絶縁層1、3、5のうち、少なくとも1層の前記絶縁層5が導電性粒子19を含有し、前記電気素子17が前記導電性粒子19による凝縮部21を介して前記配線基板A側のビアホール導体11および/または配線回路層8、9、13、15と電気的に接続してなる。 - 特許庁

To provide a thin film magnetic head that causes no deterioration of insulation property between the lead against a magnetoresistance element and the upper/lower shield, even if a shield gap layer is made thinner for the purpose of improving the thermal asperity of the magnetoresistance effect type thin film magnetic head, and than also reduces the resistance of the lead so as to accurately read a minute reproducing signal.例文帳に追加

磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドのサーマルアスピリティを改善するために、シールドギャップ層を薄くしても磁気抵抗素子に対するリードと上下のシールドとの間の絶縁特性の劣化を生じることがなく、しかもリードの抵抗を低くして微小な再生信号を正確に読み取れる薄膜磁気ヘッドを提供する。 - 特許庁

In the optical element which consists of a phosphor 2 emitting fluorescence 5 by exciting light 4, and an optical filter 1 provided on a exciting light incident side of the phosphor, the optical filter is composed of a cholesteric layer, the optical use efficiency is enhanced by using scattered light to a back surface from the phosphor as reflected light 5b and the bright display is performed.例文帳に追加

励起光4により蛍光5を出射する蛍光体2と、その蛍光体の励起光入射側に設けられた光学フィルタ1からなる光学素子において、光学フィルタをコレステリック層により構成して、蛍光体からの後面への散乱光を反射光5bとして光利用効率を高め明るい表示を行う。 - 特許庁

To provide a semitransmission type color filter wherein peak values of a color layer in a light reflection region and in a light transmission region can be reduced, color purities when a backlight is used and when a color liquid crystal display element is used as a reflection type, can be made nearly equal to each other and the color purity especially when the backlight is used can be enhanced.例文帳に追加

着色層の光反射領域における突出値および光透過領域における突出値を小さくすることが可能で、バックライト使用時と反射型として使用するときとの間で色純度をほぼ同等とすることができ、特にバックライト使用時の色純度を高めることができる半透過型カラーフィルタを提供する。 - 特許庁

An electrode cap and a resistor assembly element are integrated to form a resistor, after a resistance value is adjusted and an insulating protective film is formed, flaws and dirt sticking to the electrode cap surface made of Sn/Sn alloy plating during a manufacturing process and an oxidized layer formed on the surface are removed by hydrochloric acid to cleans them, and an oxidation preventing film is formed on the cleansed surface.例文帳に追加

電極キャップと抵抗体を一体化して抵抗器を形成し、抵抗値調整、絶縁保護膜を形成した後に、Sn/Sn合金メッキからなる電極キャップ表面に製造工程で付いた傷や汚れや表面に形成された酸化層を塩酸系溶液で除去して清浄にし、清浄にした表面に酸化防止膜を形成する。 - 特許庁

In a process for manufacturing a semiconductor device 9 by bonding a reinforcing member 14a to a thin semiconductor element 1a, the reinforcing material for the semiconductor device used as a material of the reinforcing member 14a is composed of a thin planar main plate, and an adhesive layer 4b of resin adhesive material having a low elastic modulus formed on one side of the main plate.例文帳に追加

薄型の半導体素子1aに補強部材14aを接合して成る半導体装置9の製造工程において補強部材14aの素材として用いられる半導体装置用の補強材を、薄板形状の主板とこの主板の一方側の面に形成され低弾性係数の樹脂接着材より成る接着層4bとで構成する。 - 特許庁

Furthermore, the element 4 and circuit electrode 31 are arranged on the intermediate layer 3aM or on reverse surface 3a2 in a region F of the wiring board 3 directly below the leads 2a to integrate the integrated circuit device to high density and also easily detected the foreign matters, etc., which can possibly short-circuits by optically seeing through between the leads 2a.例文帳に追加

また、リード2aの直下となる配線基板3の領域F内の中間層3aMまたは裏面3a2に、素子4、回路電極31を配置すれば、集積回路装置を1高密度高集積化することと、リード2a間を光学的に透視による短絡しうる異物等の検出が容易になることが両立可能となる。 - 特許庁

例文

This optical sheet 40 includes: a body part 42; a plurality of unit shape elements 45 disposed side by side at the light emission side of the body part and respectively extended linearly in the direction intersecting the array direction; and a reflection layer 50 provided on a first area including the apex most separated from the body part in the light emission surface of the unit shape element.例文帳に追加

光学シート40は、本体部42と、本体部の出光側に並べて配置され、各々が配列方向と交差する方向に線状に延びる、複数の単位形状要素45と、単位形状要素の出光面のうちの本体部から最も離間した頂部を含む第1領域上に設けられた反射層50と、を有する。 - 特許庁




  
Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
こんにちは ゲスト さん

ログイン

Weblio会員(無料)になると

会員登録のメリット検索履歴を保存できる!

会員登録のメリット語彙力診断の実施回数増加!

無料会員に登録する
英→日 日→英
こんにちは ゲスト さん

ログイン

Weblio会員(無料)になると

会員登録のメリット検索履歴を保存できる!

会員登録のメリット語彙力診断の実施回数増加!

無料会員に登録する

©2026 GRAS Group, Inc.RSS