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element layerの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 18197件
Related to a nitride semiconductor device comprising a nitride luminous element layer 9 on a GaN substrate 1, the GaN substrate 1 is doped with Mg, whose doping amount is 1×1017-1×1020 cm-3, with the thickness of the GaN substrate 1 being 100 μm or larger.例文帳に追加
GaN基板1上に窒化物系の発光素子層9を有する窒化物系半導体素子において、GaN基板1はMgがドーピングされており、そのドーピング量が1×10^17cm^-3以上、1×10^20cm^-3以下の範囲であり、且つ前記GaN基板1の厚みが100μm以上であることを特徴とする。 - 特許庁
When a liquid crystal layer of the LCOS is transferred from splay alignment to bend alignment, a large voltage is applied as an applied voltage CE to a common electrode of the liquid crystal display element for 0.5 to 60 seconds from the start of transfer.例文帳に追加
本発明の液晶表示装置は、画面全体を一度に書き換える一括転送方式のLCOSを備え、そのLCOSの液晶層をスプレイ配向からベンド配向へ転移させるときに、液晶表示素子の共通電極への印加電圧CEとして、転移スタート時から0.5秒〜60秒間、大なる電圧を印加する。 - 特許庁
Concerning the piezoelectric vibrator constituted by housing a piezoelectric vibrating element in a ceramic package composed of a multi- layer ceramic plate and a ceramic side wall part formed around the outer peripheral edge of this ceramic plate, the ceramic plate is raised from the bottom of the side wall part and a recessed part is formed on the outside bottom of the package.例文帳に追加
多層セラミック板と該セラミック板の外周縁に形成したセラミック側壁部とからなるセラミックパッケージに圧電振動素子を収容して構成する圧電振動子であって、前記セラミック板を前記側壁部底部より底上げし、パッケージの外側底部に凹陥部を形成した圧電振動子とする。 - 特許庁
In the liquid droplet ejection head, a piezoelectric element 144 is constituted of a piezoelectric body 156 and electrode layers 158, 160 provided at the opposite end faces of the piezoelectric body 156 in its thickness direction, with each electrode layer 158, 160 having an insulating tin oxide film 162 and metal films 164, 166 in order from the piezoelectric body 156 side.例文帳に追加
圧電素子144は、圧電体156と、この圧電体156の厚み方向の両端面に設けられた電極層158、160と、で構成され、それぞれの電極層158、160は、圧電体156側から順に、絶縁性酸化錫膜162及び金属膜164、166を有している。 - 特許庁
In a photoelectric conversion section D1 formed in the element formative layer 11, by controlling voltage to be impressed to the separated electrode 22 and the accumulating electrode 23, a prescribed amount among charges, formed in response to receiving light quantity is weighed as unnecessary charges to draw the remaining effective charges as a received light output.例文帳に追加
素子形成層11に形成された光電変換部D1において受光光量に応じて生成された電荷のうちの規定量を分離電極22と蓄積電極23とに印加する電圧を制御することにより不要電荷として秤量し残りの有効電荷を受光出力として取り出す。 - 特許庁
A capacitive insulation film 23 and the upper electrodes 24 are sequentially formed on the upper side on the second inter-layer film 25 in a way of bridging over the openings and the peripheral region of the openings, and the effective region of the capacitive element is equal to a region of the capacitive insulation film 23 in contact with the lower electrodes 22.例文帳に追加
第2の層間絶縁膜25の上面における開口部及び開口部の周辺領域に跨るように容量絶縁膜23と上部電極24とが順次形成されており、容量素子の有効領域は、容量絶縁膜23が下部電極22と接する領域と等しくなっている。 - 特許庁
The ultrasonic atomizing device 10 is structured by a piezoelectric element and is provided with a PZT vibrator 13 generating ultrasonic wave having 20-80 kHz frequency band and a tacky adhesive layer provided in the outer peripheral edge face of the PZT vibrator 13 and capable of suppressing the oscillation of the PZT vibrator 13.例文帳に追加
超音波霧化装置10は、圧電素子で構成され、20kHz〜80kHzの周波数帯域の超音波を発生するPZT振動子13と、PZT振動子13の外周端面に設けられ、このPZT振動子13の発振を抑制する粘着層15とを備えたことを特徴とする。 - 特許庁
In this manufacturing process of a semiconductor light-emitting element made of a III nitride semiconductor, a manufacturing process is adopted which makes null the number of times of covering a contact layer surface with dielectric films in a step of forming a p-type electrode, and thereby the electrical characteristics of the p-type electrode can be made to have a lower resistance.例文帳に追加
III族窒化物半導体からなる半導体発光素子の製造プロセスにおいて、p型電極を形成する工程におけるコンタクト層表面への誘電体膜の被覆回数を0回とする製造プロセスを採用することにより、p型電極の電気特性を低抵抗化することができる。 - 特許庁
The method is used to manufacture the inductor element 300, and it includes a step to etch a semiconductor substrate 110 to form a pillar-shaped part 140 wherein a face parallel to the semiconductor substrate 110 in the surface direction is apart from its periphery and a step to form an Au layer 320 on the surface of the pillar-shaped part 140.例文帳に追加
インダクタ素子300の製造方法であって、半導体基板110をエッチングすることにより、半導体基板110の面方向に平行な面が周囲から離間した柱状部140を形成する工程と、柱状部140の表面にAu層320を形成する工程とを含む。 - 特許庁
Moreover, the heating element plate 20 includes a reinforcing metal group 70 not electrically connected to a common electrode 28a on the upper surface between the common electrode 28a formed at a position closer to the circuit board 40 relative to an individual electrode 28b, and an end close to the circuit board 40 in a thermal insulation layer 22b.例文帳に追加
また発熱体板20は、個別電極28bよりも回路基板40に近接する位置に形成された共通電極28aと、保温層22bにおける回路基板40に近接する端部との間の上面に、共通電極28aと電気的に導通していない補強金属群70を具備する。 - 特許庁
A semiconductor laser element 1 comprises: a semiconductor layer 10 having an active region 13 extending along a reference axis A, and a principal surface P1; a first end surface E1 and a second end surface E2 which intersect the reference axis A; and a first groove 24 and a second groove 25 which are provided on the principal surface P1.例文帳に追加
半導体レーザ素子1は、基準軸Aに沿って延在する活性領域13と主面P1とを有する半導体積層10と、基準軸Aに交差する第1の端面E1及び第2の端面E2と、主面P1に設けられた第1の溝24及び第2の溝25とを備える。 - 特許庁
In the flat image display device provided with a cathode substrate with a cold-cathode element formed, an anode substrate with a phosphor formed, and a spacer arranged between the cathode substrate and the anode substrate for supporting the both substrates, the spacer is structured of a matter having a conductive crystallized glass layer on the surface of a base material made of conductive glass.例文帳に追加
冷陰極素子を形成したカソード基板と、蛍光体を形成したアノード基板と、カソード基板とアノード基板の間に配置され両基板を支持するスペーサとを備えた平面型画像表示装置において、スペーサを導電性ガラスよりなる基材の表面に導電性の結晶化ガラス層を有するもので構成する。 - 特許庁
This manufacturing method of the organic EL element at least has a process to form a barrier rib pattern on a transparent substrate, and a process to form a layer by transferring hole transport ink to an region surrounded by the barrier rib by a letterpress printing method, and the surface tension of the hole transport ink is 40 mN/m or less.例文帳に追加
透明基板上に隔壁パターンを形成する工程と、上記隔壁で囲まれた領域に凸版印刷法により正孔輸送インキを転写して層を形成する工程とを少なくとも有し、該正孔輸送インキの表面張力が40mN/m以下である有機EL素子の製造方法。 - 特許庁
To provide an X-ray detector and an X-ray CT device using it capable of minimizing the error of the position deviation between a slice thickness direction collimator plate end part and the slice thickness direction of an X-ray detection element block separation layer, improving X-ray utilization efficiency and homogenizing detection characteristics among respective X-ray detection elements.例文帳に追加
スライス厚方向コリメータ板端部とX線検出素子ブロック分離層のスライス厚方向との位置ずれの誤差を最小にして、X線利用効率の向上と各X線検出素子間の検出特性の均質化が図れるX線検出器及びそれを使用したX線CT装置を提供する。 - 特許庁
For example, when the heat conductive layer 21 is made of CuNi and the high melting material layers 22 and 23 are made of Ru, the temperature dependency of the resistance change ratio of the entire heating element 20 can be appropriately made small because in CuNi and Ru, the temperature dependency of a resistance change ratio is inclined to be opposite.例文帳に追加
また発熱導体層21を例えばCuNiで形成し、高融点材料層22,23をRuで形成すると、CuNiとRuは、抵抗変化率の温度依存性が逆の傾向であるため、前記発熱体20全体の抵抗変化率の温度依存性を適切に小さくすることができる。 - 特許庁
To provide a distributed feedback semiconductor laser element which stably oscillates in the oscillation wavelength longer than the peak wavelength of the optical gain distribution of an active layer, shows a large sub-mode suppression ratio (SMSR), assures good single mode property of vertical mode even when amount of de-tuning is large, and also assures higher resistance for reflected returning beam.例文帳に追加
活性層の光利得分布のピーク波長より長い発振波長で安定して発振し、大きな副モード抑圧比(SMSR)を示し、かつデチューニング量が大きくても縦モードの単一モード性が良好で、反射戻り光耐性が高い分布帰還型半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁
Furthermore, the present invention relates to a micro-optical element manufacturing method characterized in including a surface light emission laser production step of producing a surface light emission layer by performing step formation processing to form the plurality of steps on the substrate, and a lens formation step of integrally forming the lens over all the top face of each of the steps.例文帳に追加
また、基板上に複数の段差部を形成する段差部形成処理を行い、面発光レーザを作製する面発光レーザ作製工程と、それぞれの前記段差部の頂上面の全面にレンズを一体的に形成するレンズ形成工程とを含むことを特徴とする微小光学素子の製造方法である。 - 特許庁
The oxide superconductor such as a copper oxide superconductor containing a rare earth element is constituted of an oxide super-conductive bulk body impregnated with a low-melting point metal or an oxide super- conductive bulk body impregnated with the low-melting point metal and having a thin layer of the low-melting point metal on the outer surface.例文帳に追加
例えば“希土類元素を含む銅酸化物超電導体”等の酸化物超電導体を、低融点金属が含浸した酸化物超電導バルク体、あるいは低融点金属が含浸しかつ外表面に低融点金属の薄層を有した酸化物超電導バルク体からなる構成とする。 - 特許庁
An ND filter 10 which forms a nonreflective cycle layer 23 made of a large number of minute rugged cyclic structures 21 at an imaging element side on a substrate 11 and forms an ND film 15 at the other side of the substrate 11, is placed in a photographic optical system of the camera to improve the antireflection function.例文帳に追加
カメラの撮影光学系内にNDフィルタ10を配置し、このNDフィルタ10は基板11上の撮像素子側に多数の微細凹凸周期構造体21による無反射周期層23を形成し、基板11の他面にND膜15を成膜することにより、反射防止機能を向上させる。 - 特許庁
The semiconductor element 700 has a first conductivity-type silicon carbide bulk substrate 1 having a principal surface 1p and a rear surface 1r; and has a first conductivity-type high concentration impurity epitaxial layer 3 which is formed on the rear surface 1r of the silicon carbide bulk substrate 1, and contains the impurity with a concentration higher than the one of the silicon carbide bulk substrate 1.例文帳に追加
半導体素子700は、主面1pおよび裏面1rを有する第1導電型の炭化珪素バルク基板1と、炭化珪素バルク基板1における裏面1rに形成され、炭化珪素バルク基板1よりも高い濃度で不純物を含む第1導電型の高濃度不純物エピタキシャル層3とを備える。 - 特許庁
A light-emitting element 100 comprises: an n-type GaN semiconductor substrate 113; a plurality of n-type GaN rod-shaped semiconductors 121 formed apart from one another in an upright state on the n-type GaN semiconductor substrate 113; and a p-type GaN semiconductor layer 123 covering the n-type GaN rod-shaped semiconductors 121.例文帳に追加
この発光素子100は、n型GaN半導体基部113と、n型GaN半導体基部113上に立設状態で互いに間隔を隔てて形成された複数のn型GaN棒状半導体121と、n型GaN棒状半導体121を覆うp型GaN半導体層123とを備えた。 - 特許庁
The light emitting device comprises a substrate 5 having a recess, a light emitting element 2 arranged in the recess, and a phosphor layer 3 composed of phosphor particles having a mean particle diameter (D50) of 15-30 μm and transparent resin having viscosity of 1-3 Pa s before curing and filling the recess.例文帳に追加
凹部を有する基材5と;前記凹部内に配置された発光素子2と;平均粒径(D50)が15μm以上、30μm以下の蛍光体粒子および硬化前の粘度が1Pa・s以上、3Pa・s以下の透明樹脂を有してなり、前記凹部内に充填された蛍光体層3と;を具備することを特徴とする。 - 特許庁
In the ridge waveguide type III group nitride compound semiconductor laser diode element, a ridge part including a first region including a central part and continuing in a lengthwise direction, and a second region sandwiching both the sides of the first region with an average thickness of its layer thinner than that of the second region, is formed.例文帳に追加
リッジ導波路型のIII族窒化物系化合物半導体レーザダイオード素子において、中央部を含み且つ長手方向に連続する第1領域と、該第1領域を両側から挟み且つその平均層厚が該第1領域の平均層厚よりも小さい第2領域と、を含むリッジ部を形成する。 - 特許庁
In the organic luminous element which has at least a pair of electrodes composed of an anode and a cathode, or plurality of layers composed of organic compound held between the above electrodes, at least one layer out of above layers composed of organic compounds contains a spiro-compound with the structure shown in the formula.例文帳に追加
陽極及び陰極からなる一対の電極と、該一対の電極間に挟持された一または複数の有機化合物からなる層を少なくとも有する有機発光素子において、前記有機化合物からなる層の少なくとも一層が下記式で示されるスピロ化合物を含有する有機発光素子。 - 特許庁
By removing an alignment error between the gate electrode 116 and the cathode layer 112 and preventing the residue during development of carbon nanotube paste from remaining, current leakage between electrodes, short circuit or diode emission or the like can be prevented, thereby providing electric field emission element where the electric field emission performance is improved.例文帳に追加
ゲート電極116と陰極層112との整列誤差を除去し、炭素ナノチューブのペーストを現像する際に残渣の残存を抑制することにより電極間の電流漏れ、短絡現象及びダイオードエミッション等が防止され、電界放出性能が向上された電界放出素子を提供することができる。 - 特許庁
Nodes of the competitive layer are divided into a plurality of class from the weight element to the biological activity obtained through learning, and biomarkers effective for estimation of the biological activity is recognized by comparing weight elements corresponding to the expression amount of the protein of the node of the competitive layers belonging to each class.例文帳に追加
学習を通じて獲得した生理活性値に対応する重み要素の値に基づいて、競合層のノードを複数のクラスに分割し、各クラスに属する競合層のノードが持つ蛋白質発現量に対応する重み要素を比較して、生理活性の推定に有効なバイオマーカーと認定する。 - 特許庁
Rod shaped lamps 21 extending in a direction normal to the direction of conveyance of the photo-alignment layer, trough shaped condensers 22, and polarization element units 10, 10' comprising a plurality of wire-grid polarizing elements aligned along a direction of extension of the rod shaped lamps 21 are mounted on the respective light irradiating portions 20A, 20B arranged in the multistage manner.例文帳に追加
多段に配置された各光照射部20A,20Bに、光配向膜の搬送方向に対して直交する方向に伸びる棒状のランプ21と樋状集光鏡22と、複数のワイヤーグリッド偏光素子を上記線状のランプ21の伸びる方向に沿って並べた偏光素子ユニット10,10’を設ける。 - 特許庁
A transmission element 1 has a structure of a heating body 23 laminated via an insulating layer 22 on a board 21 made of a radiative material, and locally changes the temperature of a medium contacted with the heating body 23, to generate a compressional wave according to the density change accompanying with the temperature change, when the heating body 23 is energized.例文帳に追加
送信素子1は、放熱性材料で形成された基板21に、断熱層22を介して発熱体23を積層した構造を有し、発熱体23に通電することにより、発熱体23に接触している媒体の温度を局所的に変化させ、この温度変化に伴う密度変化によって疎密波を発生させる。 - 特許庁
This prevents cracks from occurring, suppresses creep-up growth from a bottom side growth part of the trench region to restrain the film thickness of a side face growth part, thereby obtaining a nitride semiconductor laser element formed with a nitride semiconductor growth layer having excellent surface flatness at a high yield.例文帳に追加
このことにより、クラックの発生を防止し、併せて、前記掘り込み領域の底面成長部からの這い上がり成長を抑制し、側面成長部の膜厚を抑えることで、表面平坦性の良好な窒化物半導体成長層が形成された窒化物半導体レーザ素子を高い歩留まりで得ることができる。 - 特許庁
The anisotropic thermally conductive member 110 is constituted by alternately laminating a plurality of thermally conductive layers, comprising a material having heat conductivity higher than that of the heating element 10 at least within a plane, and thermal resonator layers whose layer thickness is determined, according to the mean free path and the wavelength of the phonons that are to be the object.例文帳に追加
異方性熱伝導部材110は、少なくとも面内で発熱体10よりも熱伝導率の高い材料からなる複数の熱伝導層と、対象とするフォノンの平均自由行程および波長に応じて層厚が決定される熱共振体層とが交互に積層されて構成される。 - 特許庁
The first and second memory element include respectively insulating layers 20 and 120, floating gates 22 and 122, third impurity diffused regions 15 and 25, and a common intermediate insulating layer 26, and a common control gate 28 connected to the first and second impurity diffused layers in common.例文帳に追加
第1および第2記憶素子100はそれぞれ、ゲート絶縁層20,120、フローティングゲート22,122、選択酸化絶縁層24,124、および第3不純物拡散層15,25を含み、かつ、共通の中間絶縁層26、共通のコントロールゲート28を有し、共通の第1および第2不純物拡散層16,14に接続されている。 - 特許庁
This organic electroluminescent element is formed, by laminating a cathode 3, an organic compound thin film 4 containing at least a luminescent layer, and an anode 5 in this order, and the cathode 3 and the organic compound thin film 4 are disposed so that the organic compound thin film 4 is positioned on the inside of the cathode 3 as seen in a planar view.例文帳に追加
プラスチック材料からなる基板2上に陰極3、少なくとも発光層を含む有機化合物薄膜4、及び陽極5をこの順に積層して形成されるとともに、平面から見て陰極3の内側に有機化合物薄膜4が位置するように陰極3と有機化合物薄膜4とが配置される。 - 特許庁
This element is constituted so that the light-emitting brightness in the light-emitting region LA is made nearly uniform by the pixel regulation layer 8.例文帳に追加
正孔を注入する陽極3と、発光層6と、電子を注入する陰極7と、正孔または電子のうち少なくとも一方の注入を制御して発光層6の発光領域LAを規制する画素規制層8とを有し、画素規制層8によって発光領域LAにおける発光輝度をほぼ均一にするよう構成した。 - 特許庁
By using the high-resolution photosensitive polyimide for an insulating film for the upper and the lower electrodes of the superconducting tunnel junction element, forming via holes in the insulating layer is accomplished only by a lithography process, and as compared to the insulating film formation using a vacuum process based on prior arts, a high cost is reduced and the process steps are greatly simplified.例文帳に追加
高解像感光性ポリイミドを超伝導トンネル接合素子の上部及び下部電極の絶縁膜として用いることにより、絶縁層へのビアホール加工がリソグラフィ工程のみで達成され、従来の真空プロセスを用いる絶縁膜形成に比べて、多大なコストが軽減され、大幅に工程を簡略化できる。 - 特許庁
The solid electrolytic capacitor, composed of a capacitor element having a solid electrolyte layer, outer electrodes and an exterior covering resin with the exterior covering resin having a modulus of bending elasticity of 1,200-1,400 kg/mm2 and a thermal expansion coefficient of 0.8-1.7×10-5/°C at glass transition temperature or lower.例文帳に追加
固体電解質層を形成したコンデンサ素子と外部電極および外装樹脂からなる固体電解コンデンサにおいて、上記外装樹脂の曲げ弾性率が1200〜1400kg/mm^2で、かつガラス転移温度以下での熱膨張係数が0.8〜1.7×10^−5/℃であることを特徴としている。 - 特許庁
The liquid crystal display element having a pair of substrates 2 and 3 disposed closely and opposite to each other, a liquid crystal layer 4 packed in the gap in-between and a backlight 8 is characterized in that a reflection plate 5 having an opening part 6 and a light condensing means 7 are provided on a substrate 3 disposed on the backlight 8 side.例文帳に追加
近接対向して配置された一対の基板2、3と、その間隙に充填された液晶層4と、バックライト8とを有する液晶表示素子において、バックライト8側に配置された基板3上に、開口部6を有する反射板5と、集光手段7とを設けたことを特徴とする。 - 特許庁
The organic light emitting device is provided with a filling material interposed between an element substrate on which an organic light emitting portion is formed and a sealing substrate and an organic protective layer interposed between the organic light emitting portion and the filling material and composed of one or more of an organic material which can be thermally vapor-deposited, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加
有機発光部が形成された素子基板と封止基板との間に備わった充填材;有機発光部と充填材との間に介在され、一つ以上の熱蒸着可能な有機物質からなる有機保護層を具備した有機発光装置及びその製造方法が提供される。 - 特許庁
In a process to select a kind of layer structures of a chiral smectic C phase by cooling down the element from a cholesteric phase or from an isotropic liquid phase under the application of an electric field in the MDL treatment, the electric field to be applied is given by an electric signal the time interval and the amplitude of which are asymmetrically modulated in positive and negative directions.例文帳に追加
MDL処理時にコレステリック相もしくは等方性液体相から電場を印加しながなら冷却してカイラルスメクティックC相の層構造を1種類に選択する過程において、印加する電場を時間幅と振幅が正負非対称に変調された電気信号により与えるようにした。 - 特許庁
The low-permittivity film of 0.5-0.6 μm, formed on a silicon wafer has a hardness of 0.45 GPa or more in DHT115 as measured at a weight of 10 mg and a specific permittivity of 1.0-2.4 as measured at 1 MHz, and the semiconductor element uses this low-permittivity film as a layer insulation film of a multilayer wiring.例文帳に追加
シリコンウエハー上に膜厚0.5〜0.6μmの膜を形成し、荷重10mgで測定した時の膜の硬度DHT_115 が0.45GPa以上で、1MHzで測定した比誘電率が1.9〜2.4である低誘電率膜及びこの低誘電率膜を多層配線の層間絶縁膜として用いた半導体素子。 - 特許庁
(1) The write-once optical recording medium has a recording layer having at least an oxide of Bi and an oxide of M (M is at least one element selected from Mg, Al, Zn, Li, Si, Hf, Sn, Y, B) as main components on a substrate, and the content of oxygen of the oxides is lower than that of stoichiometric composition.例文帳に追加
(1)基板上に、少なくとも、Biの酸化物とM(Mは、Mg、Al、Zn、Li、Si、Hf、Sn、Y、Bの中から選ばれた少なくとも一種の元素)の酸化物を主成分とする記録層を備え、該酸化物の酸素含有量が化学量論組成よりも少ないことを特徴とする追記型光記録媒体。 - 特許庁
An area 22b1 (non-opposing area) which does not oppose to the light emitting element 21 for the light transmission plate 22 is coated to a white color to form a reflection layer 23 for reflecting the light traveling backward an extension section 22b of the light transmission plate 22 and reintroducing the same into the extension section 22b.例文帳に追加
導光板22の延長部22bの導光板用発光素子側端面において、導光板用発光素子21と非対向となる部位22b1(非対向部位)は白色に塗装され、導光板22の延長部22bを逆行する光を反射して延長部22bへ再導入するための反射層23を形成している。 - 特許庁
To provide a new arylamine polymer useful as a polymer material for use in an organic thin film EL element having excellent light-emitting characteristics and excellent durability and as a polymer material for use in the active layer of an organic transistor and also as an organic electronic material such as a material for use in electrophotographic photoreceptor.例文帳に追加
優れた発光特性を有すると共に耐久性に優れた有機薄膜EL素子用の高分子材料として、有機トランジスタの活性層用高分子材料として、また、電子写真感光体用材料などの有機エレクトロニクス用素材として有用な新規アリールアミン重合体を提供すること。 - 特許庁
The piezoelectric thin film element includes an antiferroelectric film 16, disposed between upper and lower electrodes 17 and 14 and an adhesion layer 15, disposed between the lower electrode 14 and antiferroelectric film 16, and is made of a composition expressed by PbZrxTi1-xO3 (0.5≤x≤0.7).例文帳に追加
本発明に係わる圧電体薄膜素子は、上部電極17と下部電極14に挟まれる反強誘電体膜16を備える圧電体薄膜素子であって、下部電極14と反強誘電体膜16の間にPbZr_xTi_1-xO_3(0.5≦x≦0.7)を組成とする密着層15を備えることを特徴とする。 - 特許庁
The pixel electrode 27 is provided with a connection region to which connection wiring for electrically connecting the pixel electrode 27 to power supply potential, and an arrangement region where a functional layer in which at least a part region of regions other than the connection region constitutes the electrooptical element is arranged.例文帳に追加
画素電極27には画素電極27と電源電位とを電気的に接続するための接続配線が接続された接続領域が設けられるとともに、接続領域以外の領域のうち少なくとも一部の領域が電気光学素子を構成する機能層が配置される配置領域が設けられている。 - 特許庁
The liquid crystal display element is provided with a liquid crystal layer interposed between substrates and having negative dielectric constant anisotropy and comprises first and second dielectric layers 20 and 21 provided on an upper part of pixel electrodes 27A and 27B and an upper part of a common electrode 11 to be opposed to each other for electrically forming capacitance.例文帳に追加
基板間に挟持された負の誘電率異方性を有する液晶層を具備し、画素電極27A、27B上部及び共通電極11の上部に、各々電気的に容量を形成するために対向して設けられた第1の誘電体層20および第2の誘電体層21からなる。 - 特許庁
To provide coating liquid for forming a color conversion layer with little gas generation, superior in fluorescent properties, and with low sintering temperature, as well as, a substrate for an organic EL element and an organic EL display device, capable of displaying proper images without defects, such as dark spots.例文帳に追加
本発明は、ガスの発生が少なく、蛍光性能に優れ、焼結温度の低い色変換層を形成するための色変換層形成用塗工液、ならびに、ダークスポット等の欠陥のない良好な画像表示が可能な有機EL素子用基板および有機EL表示装置を提供することを主目的とする。 - 特許庁
This medium is a vertical two-layered medium in which a magnetic recording layer comprises Co, Cr, Pt, and C of 0.2 at% or more and less than 1 at%, or comprises Co, Cr, Pt, and C, and includes in addition at least one element selected out of from among the group consisting of Ni, Fe, Re, and Ru.例文帳に追加
磁気記録層が、Co、Cr、Pt及び0.2at%以上1at%未満のCを含むか、あるいは磁気記録層が、Co、Cr、Pt、Cを含有し、かつNi、Fe、Re、及びRuからなる群から選択される少なくとも1元素をさらに含有する垂直二層媒体。 - 特許庁
Since the refractive indexes of the double refraction medium layer and of the homogeneous refractive index transparent material are different when the abnormal ray polarization is incident to the objective optical element OBJ1, the abnormal ray polarization is diffracted at a saw-tooth uneven section, and the transmission wave surface is changed in accordance with this diffraction, then a divergent angle or convergent angle is changed.例文帳に追加
対物光学素子OBJ1に異常光偏光が入射すると複屈折媒質層と均質屈折率透明材料の屈折率が異なるので、異常光偏光は鋸歯状の凹凸部で回折され、それに応じて透過波面が変化し発散角もしくは収束角が変化する。 - 特許庁
In a planer type bidirectional photothyristor element which has a thyristor of a PNPN structure constituted of a PNP transistor Tr1 and an NPN phototransistor Tr2 on an Si substrate 1, hFE of the NPN phototransistor Tr2 is increased by using an SiGe layer as a base region 3a of the NPN phototransistor Tr2.例文帳に追加
Si基板1上にPNPトランジスタTr1とNPNフォトトランジスタTr2とからなるPNPN構造のサイリスタを有するプレーナ型双方向フォトサイリスタ素子において、NPNフォトトランジスタTr2のベース領域3aにSiGe層を用いてNPNフォトトランジスタTr2のhFEを高くする。 - 特許庁
This organic light emitting element has at least a pair of electrodes comprising an anode and a cathode and layers nipped by the pair of the electrodes and containing one or a plurality of organic compounds, wherein at least one layer of the layers containing the organic compound contains a compound represented by the general formula [1].例文帳に追加
陽極および陰極からなる一対の電極と、該一対の電極間に挟持された一または複数の有機化合物を含む層を少なくとも有する有機発光素子において、前記有機化合物を含む層のうち少なくとも一層が下記一般式[1]で示される化合物を含有する有機発光素子。 - 特許庁
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