「element layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(348ページ目) - Weblio英語例文検索

A photoelectric conversion element 100 comprises a substrate 11 having a flat surface S, a plurality of semiconductor nanowires 2 which are arrayed on the flat surface S and extend in a tapered shape from the flat surface S, and a semiconductor layer 30 which fills gaps between the plurality of semiconductor nanowires 2 and has a carrier type different from that of the semiconductor nanowires 2.例文帳に追加

平坦面Ｓを有する基板１１と、平坦面Ｓ上に配列され、平坦面Ｓから先細り状に延びる複数の半導体ナノワイヤー２と、複数の半導体ナノワイヤー２同士の間隙を充填し、半導体ナノワイヤー２とは異なるキャリアタイプの半導体層３０と、を備える光電変換素子１００。 - 特許庁

To provide an organic EL element causing little uneven illumination within a pixel due to an uneven film thickness of an organic luminescent medium layer near a barrier rib when a thin film is formed of an organic luminescent material on a substrate provided with the barrier rib by a wet deposition method, and a simple method of manufacturing the same.例文帳に追加

隔壁を設けた基板に対して有機発光材料を湿式成膜法で薄膜形成した場合に、隔壁近傍における有機発光媒体層の膜厚ムラに起因する画素内の発光ムラの発生の少ない有機ＥＬ素子と、それを簡便に製造し得る製造方法とを提供する。 - 特許庁

To provide an electrode active material sheet with a support which allows convenient and uniform formation of an electrode active material layer on a collector, especially a perforated collector having front-to-back through-holes such as a punching metal and an expanded metal, and a method for producing an electrode for an electrochemical element by using the same.例文帳に追加

集電体、特にパンチングメタルやエキスパンドメタルなどの表裏貫通孔を有する孔開き集電体上に簡便に、しかも均一に電極活物質層を形成することができる支持体付電極活物質シートとそれを用いた電気化学素子用電極の製造方法を提供する。 - 特許庁

The thermoelectric conversion module 10 includes a heat radiating side substrate 11, a thermoelectric element 16 mounted on the heat radiating side substrate 11 by way of a wiring electrode 12, the block electrode 14, a block arrangement electrode 12a to mount the block electrode 14, and the solder layer 13 to joint the block electrode 14 and the block arrangement electrode 12a.例文帳に追加

熱電変換モジュール１０は、放熱側基板１１と、放熱側基板１１状に配線電極１２を介して載置される熱電素子１６と、ブロック電極１４と、ブロック電極１４を載置するブロック配置用電極１２ａと、ブロック電極１４とブロック配置用電極１２ａを接合する半田層１３とを有する。 - 特許庁

The photoelectric conversion element, made by lamination of a conductive thin film, a photoelectric conversion film of an organic layer, and a transparent conductive oxide film on a substrate in this order, has the photoelectric conversion film having a thickness of 150 nm or more and the transparent conductive oxide film having a thickness of 5 nm or more and 10 nm or less.例文帳に追加

基体上に導電性薄膜、有機層からなる光電変換膜、透明導電性酸化物薄膜の順に積層されてなる光電変換素子において、光電変換膜の膜厚が１５０ｎｍ以上であり、前記透明導電性酸化物薄膜の膜厚が５ｎｍ以上１０ｎｍ以下とした。 - 特許庁

To provide a modified OVM stripe structure for preventing a risk in a field in which a card including an OVM stripe has an operational problem relating to a static discharge via a metal layer, specifically to an inter-end discharge electrically connecting a card holder body and a trading device or a conductive element in a reader.例文帳に追加

ＯＶＭストライプを含むカードが、金属層を経由する静電放電、特にカードホルダーの本体と取引装置またはリーダー中の導電性素子を電気的に結ぶ端部間放電に関連した操作上の問題を起こす分野において危険性を除くために、修正されたＯＶＭストライプ構造を提供する。 - 特許庁

To provide a liquid crystal device in which an insulating film having a continuous flat surface on the upper layer side of a pixel electrode, is formed throughout an element substrate, and an insulating film having a uniform film thickness is also formed on each pixel electrode, and also to provide a method for manufacturing the liquid crystal device, and a projection display device.例文帳に追加

素子基板全体にわたって、画素電極の上層側に連続した平坦面を備えた絶縁膜を形成することができるとともに、各画素電極上に均等な膜厚の絶縁膜を設けることができる液晶装置、液晶装置の製造方法、および投射型表示装置を提供すること。 - 特許庁

In the inductor built-in component 10 incorporating a planar coil layer 12 (inductor element), n layers (n is an integer ≥1) of planar coil layers 12 are formed on a substrate 11, and a magnetic flux leakage prevention metal cap 14 provided with a recess 14a is mounted so as to house the substrate 11 by the recess 14a.例文帳に追加

平面コイル層１２（インダクタ素子）を内蔵したインダクタ内蔵部品１０において、基板１１上にｎ層（ｎは１以上の整数）の平面コイル層１２を形成し、凹部１４ａを有する磁束漏洩防止金属キャップ１４を、その凹部１４ａで基板１１を収容するようにして装着する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a solid electrolytic capacitor, forming a solid electrolyte layer consisting of a conductive polymer onto a flat-plate-shaped anode electrode element by chemical oxidation polymerization of a two-liquid method readily applicable to mass production to have favorable ESR (Equivalent Series Resistance) characteristics and capacitance characteristics and free of degradation of LC (Liquid Crystal) characteristics.例文帳に追加

平板状の陽極電極体に対し、量産工程に適用しやすい二液法の化学酸化重合により導電性高分子からなる固体電解質層を形成し、良好なＥＳＲ特性と静電容量特性を有するとともに、ＬＣ特性の劣化もない固体電解コンデンサの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide: a vertical group III nitride semiconductor light-emitting element capable of solving problems of a lateral structure and a flip-chip structure, and increasing the amount of light emitted from the front surface by efficiently reflecting light traveling toward the rear surface out of ultraviolet light generated by a light-emitting layer; and a method of producing the same.例文帳に追加

ラテラル構造およびフリップチップ構造の問題を解決し、さらに発光層で発生した紫外光のうち、裏面に向かう光を効率的に反射して表面からの発光量を増大させることができるバーチカル型III族窒化物半導体発光素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device includes: an element-isolation insulating film 30 formed on a major surface 10a of a semiconductor layer 10, and having a first opening 38N and a second opening 38P; an n-type MOSFET 101N provided in the first opening; and a p-type MOSFET 101P provided in the second opening.例文帳に追加

半導体層１０の主面１０ａに形成され、第１開口部３８Ｎと第２開口部３８Ｐとを有する素子分離絶縁膜３０と、第１開口部の内側に設けられたｎ型ＭＯＳＦＥＴ１０１Ｎと、第２開口部の内側に設けられたｐ型ＭＯＳＦＥＴ１０１Ｐと、を備えた半導体装置を提供する。 - 特許庁

The light source device 100 includes a light emitting element 10 which emits first light L1, a substrate 20 which is irradiated with the first light L1 and has an irradiation region 21 with an irregular surface formed, and a fluorescent light emitting layer 30 formed in the irradiation region 21, excited by the first light L1, and emitting second light L2.例文帳に追加

光源装置１００は、第１の光Ｌ１を出射する発光素子１０と、第１の光Ｌ１により照射され、凹凸が形成された照射領域２１を有する基板２０と、照射領域２１に形成され、第１の光Ｌ１により励起されて第２の光Ｌ２を発する蛍光発光層３０と、を含む。 - 特許庁

In the solid-state image pickup element, a step is formed in the vicinity of a boundary between both parts that a front surface of a light receiving plane of the pixel part area is positioned lower than the upper surface of the multilayer wiring part area, and a sloped transparent resin layer whose surface protrudes downward is provided on a surface ranging from the step to the pixel part.例文帳に追加

固体撮像素子において、画素部領域の受光面表面が多層配線部領域の上面より低い位置となるように両部の境界付近に段差が形成され、段差から画素部にいたる表面上に、その表面が下に凸なスロープ状の透明樹脂層を設けた。 - 特許庁

The light-reflective conductive particle for this anisotropic conductive adhesive used for subjecting a light-emitting element to anisotropic conductive connection to a wiring board is formed with: a core particle coated with a metal material; and a light-reflective layer located on a surface thereof and formed of light-reflective inorganic particles each having a refractive index of ≥1.52.例文帳に追加

発光素子を配線板に異方性導電接続するために使用する異方性導電接着剤用の光反射性導電粒子は、金属材料で被覆されているコア粒子と、その表面に屈折率が１．５２以上の光反射性無機粒子から形成された光反射層とから構成される。 - 特許庁

The ink jet recording element comprises a substrate, on which a porous image receiving layer consisting of (a) particles having the primary grain size of 7-40 nm whose diameter can be agglomerated to the maximum 300 nm and (b) cationic polymer grains, containing at least 20 mol% of cationic mordant portion insoluble to water, is provided.例文帳に追加

（ａ）最大３００ｎｍまで凝集してもよい直径が７〜４０ｎｍの一次粒径を有する粒子、（ｂ）少なくとも２０モル％のカチオン性媒染剤部分を含む水不溶性のカチオン性ポリマー粒子を含んで成る多孔性画像受容層を上に有する支持体を含んで成るインクジェット記録要素。 - 特許庁

A charge trapping memory cell whose band gap structure has been designed includes a charge trapping element that is separated from a metal or metal compound gate, such as a platinum gate, by a blocking layer of material having a high dielectric constant, such as aluminum oxide, and separated from a semiconductor body including a channel by an improved tunneling dielectric material.例文帳に追加

バンドギャップを構造設計した電荷捕捉メモリーセルは、プラチナゲートのような金属又は金属化合物のゲートから、酸化アルミニウムのような高い誘電定数を有する材料のブロッキング層によって隔離され、チャンネルを含む半導体本体から改良されたトンネリング誘電体によって隔離される電荷捕捉素子を有する。 - 特許庁

The first semiconductor device 20 has: a first wiring substrate 21; a first semiconductor element 23 arranged on the top surface of the first wiring substrate 21; a first electrode 25 arranged on the top surface of the first wiring substrate 21; and an insulating layer 29 having an opening 29a that exposes part of the first electrode 25.例文帳に追加

第１の半導体装置２０は、第１の配線基板２１、第１の配線基板２１の上面に設けられた第１の半導体素子２３、第１の配線基板２１の上面に設けられた第１の電極２５及び第１の電極２５の一部を露出する開口部２９ａを有する絶縁層２９を有する。 - 特許庁

The semiconductor device 1 includes a porous layer 4, containing a compound obtained through hydrolysis or a condensation reaction between at least one kind of alkoxysilane selected from a group of monoalkoxysilane, dialkoxysilane and trialkoxysilane, and a tetraalkoxysilane, and having density of 0.7 g/cm^3 or less which is formed between the substrate 2 and the semiconductor element 3.例文帳に追加

半導体装置１を、基板２と半導体素子３との間にモノアルコキシシラン、ジアルコキシシラン、トリアルコキシシランからなる群より選ばれる少なくとも１種のアルコキシシランと、テトラアルコキシシランとの加水分解・縮合反応により得られる化合物からなり、０．７ｇ／ｃｍ^3以下の密度を有する多孔質層４を備えたものとする。 - 特許庁

In the VA mode liquid crystal display element where liquid crystal molecules 111 forming a liquid crystal layer 11 are aligned in four directions by ribs 12 in a state where voltages are applied to a common electrode 14 and a pixel electrode 16, a front-side retardation plate 4 is inserted between a front-side polarizing plate 2 and a liquid crystal cell.例文帳に追加

共通電極１４及び画素電極１６に電圧を印加した状態では、液晶層１１を形成する液晶分子１１１が、リブ１２によって４方向に配向するＶＡモード液晶表示素子において、前側偏光板２と液晶セルの間に前側位相差板４を挿入する。 - 特許庁

A valve element 5 formed in the groove 3 is formed of the same material as that of the first main substrate layer 1a, protrudes from a first side wall 3a of the groove 3, is formed at a fixed interval from a second side wall 3b opposing the first side wall 3a, and has a film thickness deformable by the pressure of fluid flowing in the flow passage when seen from above.例文帳に追加

溝３に形成された弁体５は、第１主基板層１ａと同じ材料からなり、溝３の第１側壁３ａから突出し、第１側壁３ａに対向する第２側壁３ｂとは間隔をもって形成され、流路内を流れる流体圧力で変形可能な上方から見た膜厚をもつ。 - 特許庁

A compound semiconductor which is a sulfide which contains Cu, Zn, Ge and S and whose Cu/Ge ratio (atomic ratio) is less than 2.00, or a compound semiconductor which is a sulfide which contains Cu, Zn, Ge, Sn and S and whose Cu/(Sn+Ge) ratio (atomic ratio) is less than 2.00, is used as a light-absorbing layer of the photoelectric element.例文帳に追加

Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇｅ及びＳを含む硫化物であり、Ｃｕ／Ｇｅ比（原子比）が２．００未満である化合物半導体若しくはＣｕ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｓｎ及びＳを含む硫化物であり、Ｃｕ／（Ｓｎ＋Ｇｅ）比（原子比）が２．００未満である化合物半導体を光電素子の光吸収層とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a ceramic circuit substrate which can reduce burning strain while preventing problems of stamping unnecessary ruggedness on a front layer conductor or a passive element, causing a foreign matter adhesion, or decreasing a plating property and solder wettability in the method of manufacturing the ceramic circuit substrate by the simultaneous burning step using a restricted sheet.例文帳に追加

拘束シートを用いた同時焼成工程によるセラミック回路基板の製造方法において、表層導体や受動素子に不必要な凹凸をスタンプ（stamp）したり、異物付着を起こしたり、メッキ性や半田濡れ性の低下といった問題の発生を防ぎつつ、焼成ひずみをより小さくできる方法を提供する。 - 特許庁

In the cell driving piezoelectric/elctrostrictive actuator 1, the piezoelectric/elctrostrictive element 4 is formed by laying a plurality of layer piezoelectric/elctrostrictive bodies 14 and film-like electrodes 18, 19 alternately and the end parts of the electrodes 18, 19 are buried in the piezoelectric/elctrostrictive bodies 14 at least on the inside of the cell 3.例文帳に追加

セル駆動型圧電／電歪アクチュエータ１は、圧電／電歪素子４が、複数の層状の圧電／電歪体１４と膜状の電極１８，１９とが交互に積層されてなるとともに、電極１８，１９の端部が、少なくともセル３内側において圧電／電歪体１４内に埋設されていることを特徴とする。 - 特許庁

To suppress formation of a void as a connection defect caused by trapping of a gas in a connection layer by eliminating the need of working, such as, grooving on the reverse surface of a semiconductor element, even when a semiconductor is connected using a conductive adhesive producing an extremely large amount of gas.例文帳に追加

ガスの発生がきわめて多量な導電性接着剤を用いて半導体素子の接続を行う場合においても、半導体素子の裏面に溝加工などの加工を不要とし、接続層内部にガスがトラップされることにより形成される接続欠陥としてのボイドの発生を抑制することである。 - 特許庁

For the gettering area, a first and a second remaining polycrystallin silicon layers 69, 70 are provided in contact respectively with the upper and lower ends of the element forming area R1 of the silicon layer 63 on the side of the main surface.例文帳に追加

そして、ゲッタリング領域として、主面側シリコン層６３のうち素子形成領域Ｒ１に位置する部分の上縁部に接する第１の残留多結晶シリコン層６９と、主面側シリコン層６３のうち素子形成領域Ｒ１に位置する部分の下縁部に接する第２の残留多結晶シリコン層７０とが設けられている。 - 特許庁

A drive device comprises: a clock generation part to generate a clock signal; and an applied voltage control part to change an area of a potential well 11 in the plane along the surface of an element formation layer 13 by controlling the timing to apply control voltage to an adjacent electrode 10 among the electrodes 10.例文帳に追加

駆動装置は、クロック信号を発生させるクロック生成部と、電極１０のうち隣接する電極１０に制御電圧を印加するタイミングを制御することにより素子形成層１３の表面に沿った面内でのポテンシャル井戸１１の面積を変化させる印加電圧制御部とを備える。 - 特許庁

The magnetic shield layers 60a, 60b can be formed efficiently, by sputtering method by the use of soft magnetic metal partially in common with a target element for forming each layer of the MRAM device 10.例文帳に追加

さらに、磁気シールド層６０ａ，６０ｂに軟磁性金属を用いることによりスパッタ法で形成可能になり、この軟磁性金属をＭＲＡＭ素子１０各層を形成するターゲットの元素と一部共通にすれば、磁気シールド層６０ａ，６０ｂをＭＲＡＭ素子１０各層と同一スパッタ装置で効率的に形成することが可能になる。 - 特許庁

The manufacturing method of an organic electroluminescent element comprises a process of forming the inorganic sealing layer having an inorganic sealing film composed of either a silicon oxide, a silicon nitride, or a silicon oxynitride on the second electrode, and a process of applying a plasma treatment on a surface of the inorganic sealing film by using fluorine-containing gas.例文帳に追加

第二電極上に形成する無機封止層が、酸化ケイ素、又は窒化ケイ素、酸窒化ケイ素のいずれか一つからなる無機封止膜を形成する工程と、該無機封止膜の表面にフッ素含有ガスを用いたプラズマ処理をおこなう工程とにより形成する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。 - 特許庁

In this organic EL display device formed by laminating a color conversion filter layer and an organic EL light emitting element on a transparent substrate one by one, the boundary surface between color filter layers of one or two colors selected from a group comprising red (R), blue (B), and green (G) and the transparent substrate in contact with them has a projecting and recessed shape.例文帳に追加

透明基板上に色変換フィルタ層および有機ＥＬ発光素子を順次積層した有機ＥＬディスプレイパネルであって、赤色（Ｒ）、青色（Ｂ）および緑色（Ｇ）よりなる群から選択される一色または二色のカラーフィルタ層と、それらに接する透明基板との境界面が凹凸形状を有する。 - 特許庁

In the optical semiconductor element, where an optical semiconductor chip having an active layer which radiates or absorbs a light is bonded on a substratum by using a bonding member, the bonding member is formed so as to have a light-reflecting surface which makes an acute angle with a side surface of the optical semiconductor chip, on the outside the optical semiconductor chip.例文帳に追加

光を放射又は吸収する活性層を備えた光半導体チップが接合部材を用いて基材上に接合されてなる光半導体素子において、接合部材を光半導体チップの外側に光半導体チップの側面と鋭角をなす光反射面を有するように形成した。 - 特許庁

The circularly polarized light controlling optical element 10 is obtained by adding a chiral agent and a photo-polymerization initiator to liquid crystal molecules with cholesteric regularity and applying them on a glass substrate 12, on which an alignment layer 16 is formed, and by hardening them with weak ultraviolet ray irradiation in the state in which the interface of the side opposite to the glass substrate 12 is exposed to the air.例文帳に追加

配向膜１６が形成されたガラス基板１２上にコレステリック規則性を備えた液晶分子を、カイラル剤及び光重合開始剤を添加して塗布し、ガラス基板１２と反対側の界面を空気に暴露した状態で弱い紫外線で照射して硬化し、円偏光制御光学素子１０を得る。 - 特許庁

To provide an optical sheet pasting material for improvement of light-extraction efficiency for an EL element, with improved light-extraction efficiency as well as lowered visibility of defects of an optical sheet surface, and with easy-to-peel-off performance, that is, a rework property between a pasting layer and a translucent substrate after pasting.例文帳に追加

光取り出し効率を向上させるとともに光学シート表面の傷の視認性を下げるとともに貼合後に貼合層と透光性基板との間にて剥がしやすい性能、即ちリワーク性を有するＥＬ素子用の光取り出し効率向上のための光学シート貼合用材料を提供する。 - 特許庁

To provide an ink-jet printer head which solves a problem caused by thickness of a piezoelectric sheet and an electrode, obtains an excellent jet performance by bringing out well a piezoelectric characteristic of the piezoelectric sheet and obtaining full displacement of an active part, and prevents occurrence of defects such as an electrode cut, a laminated layer release and the like, and also to provide its piezoelectric element.例文帳に追加

圧電シート及び電極の厚さに基づく問題を解決し、圧電シートの圧電特性を良好に発揮させて活性部位の十分な変位を得て優れた噴射性能を得るととともに、電極切れや積層剥離等の不具合を発生させることのないインクジェットプリンタヘッドおよび圧電素子を提供すること。 - 特許庁

The microelectronic mechanical system (MEMS) element has a substrate side electrode 23, a beam 27 having a driving side electrode 26 which double as a reflection film driven by an electrostatic force acting between the substrate side electrode 23 and the driving side electrode 26 and a wiring layer 28 connected to the driving side electrode, and the surface roughness of the driving side electrode 26 is 10 nm or smaller.例文帳に追加

基板側電極２３と、この基板側電極２３との間に働く静電力により駆動する反射膜を兼ねる駆動側電極２６を有するビーム２７と、駆動側電極に接続された配線層２８とを有し、駆動側電極２６の表面祖度が１０ｎｍ以下に設定されて成る。 - 特許庁

The surface treatment film deposited on the surface of a zinc-based metal comprises trivalent chromium oxides, supporting salt or acid as the additive element of a surface treatment liquid, and hexavalent chromium oxides in which the concentration of the hexavalent chromium film to the total weight of the film including a zinc-based metal layer is regulated to ≤ 100 ppm.例文帳に追加

亜鉛系金属の表面に形成されている表面処理皮膜であって、３価クロム酸化物と、表面処理液の添加成分である支持塩または酸と、亜鉛系金属層を含む皮膜総重量に対する６価クロム膜中濃度が１００ｐｐｍ以下に規制された６価クロム酸化物とを含んでいる。 - 特許庁

In the dye-sensitized photoelectric conversion element having an electrolyte layer between a semiconductor electrode 3 including semiconductor fine particles on which sensitizing dye is adsorbed and a counter electrode 5, two kinds of dyes are used as dye, and the two kinds of dyes are adsorbed in different portions on the surface of the semiconductor electrode 3.例文帳に追加

増感用の色素が吸着した半導体微粒子などからなる半導体電極３と対極５との間に電解質層６を有する色素増感光電変換素子において、色素として二種類の色素を用い、この二種類の色素を半導体電極３の表面の互いに異なる部位に吸着させる。 - 特許庁

To provide an aluminum nitride substrate for mounting a light-emitting element, which has superior reflection characteristics in the visible light range, is inexpensive, eliminates the need to form a gap for insulation with wiring on a surface of the aluminum nitride substrate, and has a reflection layer with superior corrosion resistance; and to provide a light-emitting device using the aluminum nitride substrate.例文帳に追加

可視光域で優れた反射特性を有し、安価で、窒化アルミニウム基板表面の配線との間に絶縁用のギャップの形成が不要で、耐食性に優れた反射層を有する発光素子搭載用窒化アルミニウム基板、およびこの窒化アルミニウム基板を用いた発光デバイスを提供すること。 - 特許庁

The rim guard part 5 has an inner rubber part 8 made of hard rubber positioned inside in the tire width direction and an outer rubber part 9 made of soft rubber positioned outside in the tire width direction, and at least one composite reinforcing layer 10 made from a rubber containing reinforcing element is provided in such a way as covering the outside surface of the inner rubber part.例文帳に追加

リムガード部５は、タイヤ幅方向内側に位置する硬質ゴムからなる内側ゴム部分８と、タイヤ幅方向外側に位置する軟質ゴムからなる外側ゴム部分９とを有し、内側ゴム部分の外面を覆うように、補強素子含有ゴムで構成される少なくとも１枚の複合補強層１０を配設してなる。 - 特許庁

The black layer 46 is subjected to dry etching to integrally form a peripheral light-shielding film 45 covering the peripheral region S of a pixel forming region A of the solid-state imaging element 10, and an aperture pattern to leave a black matrix 41 as boundaries among red, green and blue pixels 40R, 40G and 40B, respectively, on the pixel forming region A.例文帳に追加

黒色層４６をドライエッチングして、固体撮像素子１０の画素形成領域Ａの周縁領域Ｓを覆う周縁遮光膜４５と、画素形成領域Ａ上に赤色・緑色・青色画素４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂ間の境界となるブラックマトリックス４１を残すように開口パターンとを一体形成する。 - 特許庁

The display device includes a first substrate, a second substrate, a layer including a display element which is interposed between the first substrate and the second substrate, and stacked polarizers on an outer side of the first substrate or the second substrate.例文帳に追加

第１の基板と、第２の基板と、前記第１の基板と第２の基板との間に挟持された表示素子を有する層と、前記第１の基板または第２の基板の外側に、積層された偏光子と、を有し、前記積層された偏光子は、それぞれ互いの吸収軸がパラレルニコルとなるように配置された表示装置に関するものである。 - 特許庁

That electrolyte is used in an electrochemical element, e. g. an electric double layer capacitor or a conductive polymer redox capacitor.例文帳に追加

特定のイオン性液体と特定の有機溶媒をイオン性液体の濃度が２５℃±１℃における電気伝導度最大となる濃度から体積比で±５０％以内の範囲で混合することにより電気伝導度が高い電解質を作製し、これを電気化学素子、例えば電気２重層キャパシタ、導電性高分子レドックスキャパシタの電解液として使用する。 - 特許庁

A TFT 110 which is a switching element disposed by each of pixels and a reflecting layer 44 which is insulated from the TFT 110 and reflects the light made incident by transmitting a second electrode 250 consisting of ITO, etc., from a second substrate 200 side onto insulating films covering the TFT 110 are formed on a first substrate 100.例文帳に追加

第１基板１００には、画素毎に設けられたスイッチ素子であるＴＦＴ１１０、ＴＦＴ１１０を覆う絶縁膜の上にＴＦＴ１１０と絶縁され、第２基板２００側からＩＴＯ等からなる第２電極２５０を透過して入射される光を反射する反射層４４を形成する。 - 特許庁

The filter element is constituted by spirally winding a filter layer, which is formed by alternately laminating filter cloths formed into an envelope shape to house spacers and separate spacers, around a center pipe having a water gathering hole of filtered water and the opening parts of the filter cloths formed into the envelope shape are opposed to the water gathering hole.例文帳に追加

封筒状に形成してスペーサを収納した濾過布とさらに別のスペーサとを交互に積層して形成した濾過層を、濾過水の集水孔を有する中心パイプの周囲にスパイラル状に巻囲した濾過エレメントであって、封筒状に形成した濾過布の開口部が集水孔に対向している濾過エレメント。 - 特許庁

This configuration offers the composite board 1 having a plurality of layers and the manufacturing method for the composite board 1 which eliminate a sharp film thickness change at the end of the dielectric layer that may cause a crack on an electrode, etc., on the board 3 to trigger the breakage of a wiring electrode, and the EL element panel using the composite board.例文帳に追加

基板上の電極等にクラックを発生し、これに伴い配線電極の断線を引き起こす可能性のある、誘電体層の端部の急峻な膜厚変化を解消した、複数層を有する複合基板とその製造方法、および複合基板を用いたＥＬ素子パネルを提供することができる。 - 特許庁

In the belt-shaped inner lead 10 for connecting the solar cell element produced by coating a metal foil 11 with a solder layer 7 and connecting the electrodes of two adjacent solar cell elements by soldering, the surface part of the metal foil 11 opposing the electrode has a substantially convex shape.例文帳に追加

隣接する２つの太陽電池素子の電極を半田付けにて接続するために設けられた、金属箔１１に半田層７を被覆して成る帯状の太陽電池素子接続用インナーリード１０であって、前記金属箔１１の前記電極と対向する面部が略凸形状を成したことを特徴とする。 - 特許庁