「element layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(347ページ目) - Weblio英語例文検索

When manufacturing the dye-sensitized photoelectric conversion element having a working electrode 10, an opposite electrode 20, and an electrolyte containing body 30, first of all, the working electrode 10 for holding a dye 14 and the opposite electrode 20 are manufactured on a metal oxide semiconductor layer 12 with a porous structure.例文帳に追加

作用電極１０および対向電極２０と共に、電解質含有体３０を備えた色素増感型の光電変換素子を製造する際に、まず、多孔質構造を有する金属酸化物半導体層１２に色素１４が担持されている作用電極１０と、対向電極２０とを作製する。 - 特許庁

The method of manufacturing an organic EL element includes steps of: forming first electrodes 111 on a substrate 2; forming, on the first electrodes 111, organic functional layers 110 each having at least an organic luminescent layer 70; and forming second electrodes 12 on the organic functional layers 110.例文帳に追加

基板２上に第１の電極１１１を形成する工程と、第１の電極１１１上に少なくとも有機発光層７０を有してなる有機機能層１１０を形成する工程と、有機機能層１１０上に第２の電極１２を形成する工程と、を備えた有機ＥＬ素子の製造方法である。 - 特許庁

The weight being fixed to an electromechanical conversion element comprises a base alloy containing tungsten within a range of 95-97.5 wt% and the remainder which is a binder containing one or two kinds of copper and nickel, and a nickel plating layer adhering to the surface of the base alloy.例文帳に追加

本発明の重りは，電気−機械変換素子に取り付けられて使用される重りであって，タングステンを９５〜９７．５重量％の範囲内で含み，残部が銅とニッケルとのうち１種または２種を含むバインダーである基合金と，基合金の表面に付着されたニッケルメッキ層とを有するものである。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor light emitting element using an SiC substrate wherein a p electrode and an n electrode are opposed to each other, and capable of stabilizing a drive voltage by reducing carrier depletion due to spontaneous polarization and piezoelectric polarization caused on a boundary of a semiconductor layer.例文帳に追加

ＳｉＣ基板を用いてｐ電極とｎ電極を対向させた窒化物半導体発光素子を構成するとともに、半導体層の界面に発生する自発分極やピエゾ分極によるキャリア空乏化を低減させて、駆動電圧を安定させることができる窒化物半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

In the semiconductor transistor element 10 in manufacturing, a source electrode 18 and a drain electrode 20 have configurations each having a concave portion P holding semiconductor ink drops, and a semiconductor layer 22 is formed by dropping a semiconductor ink drop 22A between the source electrode 18 and the drain electrode 20, each having the concave portion P.例文帳に追加

半導体トランジスタ素子１０においては、製造時において、ソース電極１８及びドレイン電極２０を、半導体インク滴を保持しうる凹部Ｐを有する構成とし、この凹部Ｐを有するソース電極１８及びドレイン電極２０の間に、半導体インク滴２２Ａを滴下することで半導体層２２を形成する。 - 特許庁

The piezoelectric element has a piezoelectric film 14 principally comprising Pb and at least two elements out of Ti, Zr, Zn, Nb and Mg, and a seed layer 13 having principal components identical to those of the piezoelectric film 14 and stronger against corrosion than the piezoelectric film 14 is formed on the piezoelectric film 14.例文帳に追加

Ｔｉ、Ｚｒ、Ｚｎ、Ｎｂ、およびＭｇのうち少なくともいずれか二つの元素、ならびにＰｂを主成分として含む圧電性膜１４を有する圧電素子であって、上記圧電性膜１４とその主成分が同一で、かつ圧電性膜１４より腐蝕に強いシーズ層１３が圧電性膜１４と積層された構成である。 - 特許庁

The polyelectrolytic element is manufactured by applying to a supporting body a resin, a polymerizable compound having one or more ethylenic unsaturated bond in its molecule, a photo polymerization initiator or heat polymerization initiator, and a polyelectrolytic layer containing an electrolytic solution and then radiating the supporting body with light or electron ray or heating the supporting body.例文帳に追加

樹脂、エチレン性不飽和結合を分子内に１個以上有する重合性化合物、光重合開始剤若しくは熱重合開始剤、及び電解液を含有する高分子電解質層を支持体上に塗布し、光照射、電子線照射又は加熱してなる高分子電解質エレメント。 - 特許庁

To achieve a modulator integrated laser satisfying both a highly reliable DWDM optical transmission laser having an oscillation wavelength invariant with time regardless of the material system of an active layer forming a semiconductor optical element, and a low capacity external modulator capable of high speed operation with high yield and low cost.例文帳に追加

半導体光素子を形成する活性層の材料系を問わず、経時的に発振波長が変動しない高信頼性を有するＤＷＤＭ光伝送用レーザと、高速動作が可能な低容量な外部変調器とを両立する変調器集積レーザを高歩留・低コストで実現する。 - 特許庁

To suppress a crack in a cathode layer of a capacitor element and a rise in interface resistance caused by stress generated by the expansion of an exterior resin by a heat history and exposure to a high temperature caused by the solder mounting of the solid electrolytic capacitor to a printed board and contraction on cooling.例文帳に追加

固体電解コンデンサのプリント基板上へのはんだ実装の際、高温下に曝される為、この熱履歴により、外装樹脂が膨張、冷却時の収縮により発生する応力が原因となって、コンデンサ素子の陰極層に亀裂が発生し、界面抵抗が上昇することを抑制すること。 - 特許庁

In the electron emission element 1, an electron acceleration layer 4 disposed between an electrode substrate 2 and a thin film electrode 3 contains conductive fine particles 8, insulator fine particles 7 larger than the conductive fine particles 8 in mean diameter, and crystalline electron carrying agent 9.例文帳に追加

本発明の電子放出素子１では、電極基板２と薄膜電極３との間に設けられた電子加速層４が、導電微粒子８と、導電微粒子８の平均径よりも大きい平均径の絶縁体微粒子７と、結晶性電子輸送剤９とを含み、結晶性電子輸送剤９は、結晶化している。 - 特許庁

A rear-surface film 2 for a flip-chip semiconductor to be provided for protecting a rear surface of a semiconductor element which is mounted on an adherend by flip chip comprises at least a layer containing at least a thermoset resin component and not containing a thermoplastic resin component.例文帳に追加

フリップチップ型半導体裏面用フィルム２は、被着体上にフリップチップ接続された半導体素子の裏面を保護するためのフリップチップ型半導体裏面用フィルム２であって、少なくとも熱硬化性樹脂成分により形成され、かつ、熱可塑性樹脂成分を含まない層を少なくとも備えることを特徴とする。 - 特許庁

The semiconductor device includes a diode 7 that is formed on a semiconductor substrate and serves as a temperature detection element to detect abnormal heat generation, and a thermal conduction layer 102 that is formed between the diode 7 and the semiconductor substrate and has a thermal conductivity higher than that of the semiconductor substrate.例文帳に追加

本発明にかかる半導体装置は、半導体基板上に形成された、異常発熱を検出するための温度検出用素子であるダイオード７と、ダイオード７と半導体基板との間に形成され、半導体基板より高い熱伝導率を有する熱伝導層１０２と、を備えるものである。 - 特許庁

A photosensitive printing element with a substrate and a photopolymerizable layer containing a photopolymerizable composition containing at least one elastomer binder, at least one monomer, an initiator having sensitivity to active radiation and at least one photo-bleachable compound having sensitivity to active radiation is disclosed.例文帳に追加

支持体、および少なくとも１種のエラストマーバインダと、少なくとも１種のモノマーと、活性輻射線に感受性を有する開始剤と、活性輻射線に感受性を有する少なくとも１種の光退色性化合物とを含有する光重合性組成物を含む光重合性層を有する感光性印刷エレメントを開示する。 - 特許庁

To provide an etching method which allows for selective wet etching for dissolving a layer composed of a specific metal material such as Ti preferentially, and also allows for effective cleaning and removing of residues produced by etching, ashing, or the like, and to provide an etching liquid for use therein, and a manufacturing method of a semiconductor element using the same.例文帳に追加

Ｔｉ等の特定の金属材料からなる層を優先的に溶解する選択的なウエットエッチングを可能とし、しかもエッチング・アッシング等により生じる残渣をも効果的に洗浄除去することができるエッチング方法及びこれに用いるエッチング液、これを用いた半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the element, two electrode layers are both constituted of an n-type semiconductor or a p-type semiconductor and light is emitted by injecting a hole (when an electrode is constituted of an n-type semiconductor) or an electron (when an electrode is constituted of a p-type semiconductor) inside an active layer by Zener tunneling effect.例文帳に追加

２つの電極層がいずれもｎ型半導体又はｐ型半導体から構成され、ツェナートンネル効果（バンド間トンネル効果）によって活性層内に正孔（ｎ型半導体により電極が構成される場合）又は電子（ｐ型により電極が構成される場合）を注入し発光する素子。 - 特許庁

A semiconductor light-emitting element 1 of the present invention comprises: a conductive reflective layer 9 stacked at the other surface side of a semiconductor stack 14, a transparent conductive film 21 formed on one surface of the semiconductor stack 14, and a surface electrode 17 formed on a surface of the transparent conductive film 21.例文帳に追加

本発明の半導体発光素子１は、半導体積層体１４の他方の表面側に積層された導電反射層９、半導体積層体１４の一方の表面に形成された透明導電膜２１、透明導電膜２１の表面に形成された表面電極１７を備える。 - 特許庁

This is an annular extra cushion plate comprising 6-divided plate element pieces and individual plate pieces are treated with the super-high speed flame spraying (HP/HVOF method or HP/HVAF method) to form an abrasion-resistant flame-sprayed coating layer 4 mainly made of tungsten carbide or chromium carbide.例文帳に追加

６枚に分割されたプレート素片２，２…からなる円環状のエキストラクッションプレート１であって、各プレート素片２の表裏両面に、超高速フレーム溶射法（ＨＰ／ＨＶＯＦ法もしくはＨＰ／ＨＶＡＦ法）によりタングステンカーバイトもしくはクロームカーバイトを主成分とする超硬合金の耐摩耗性溶射皮膜４を形成する。 - 特許庁

In a multilayer substrate for the semiconductor device in which the electronic component 13 such as a semiconductor element or a passive component is buried in the composite material layer 12 forming one part of the supporting substrate 2, a material of low elastic modulus is used as a die bond material 16 in mounting the electronic component 13 on a core substrate 11.例文帳に追加

半導体素子や受動部品などの電子部品１３が支持基板２の一部を成すコンポジット材料層１２中に埋込まれて成る半導体装置用の多層基板において、電子部品１３をコア基板１１に装着するにあたって、ダイボンド材１６を低弾性率の材料とする。 - 特許庁

The display element 220a includes a light transmission layer 223a having a first principal surface that includes first relief structures on at least a part thereof, and an alignment of the first relief structures, when being observed from a first direction under a specific lighting condition, displays a first image as an image of a structural color.例文帳に追加

表示要素２２０ａは、第１レリーフ構造が少なくとも一部に設けられた第１主面を有している光透過層２２３ａを含み、第１レリーフ構造の配列は、特定の照明条件のもとで第１方向から観察した場合に第１画像を構造色の像として表示する。 - 特許庁

A light shielding layer 13 is formed on the solid protection film 9 in order to cover at least one part of the circuit of the nondisplay area, in the electroluminescent display formed with the solid protection film 9 on a two-dimensional light emitting element array arranged two-dimensionally with a plurality of elements on a substrate 1.例文帳に追加

基板１の上に複数の素子が２次元に配置された２次元発光素子アレイの上に固体保護膜９が形成された電場発光表示装置において、少なくとも非表示領域の回路の一部を覆うように、前記固体保護膜９上に遮光層１３が形成されていることを特徴とする。 - 特許庁

To provide an ultraviolet exciting phosphor which can efficiently enhance the efficiency of light emission efficiency under vacuum UV excitation and can improve the light emission efficiency (light emission brightness), when used as the phosphor layer of a light-emitting device such as a plasma display, and to provide a discharge and light-emitting element or the like using the ultraviolet exciting phosphor.例文帳に追加

真空紫外線励起下において発光効率を効果的に高めることが可能であり、プラズマディスプレイなどの発光装置の蛍光体層として使用した場合に、発光効率（発光輝度）を向上させることができる紫外線励起蛍光体およびそれを用いた放電発光素子等を提供する。 - 特許庁

The optical element 10 wherein a pair of substrates 21 and 22 comprising the substrate 22 comprising a uniaxial crystal are formed and a liquid crystal layer 20 is interposed between the pair of substrates 21 and 22 is characterized in that the uniaxial crystal has an optical axis in a direction other than the normal direction of the substrates.例文帳に追加

一軸結晶からなる基板２２を含んでなる一対の基板２１、２２を形成し、一対の基板２１、２２の間に液晶層２０を挟持してなり、一軸結晶は、基板法線方向以外の方向に光学軸を有するものであることを特徴とする光学素子１０などにより課題を解決した。 - 特許庁

An organic EL element 40 is provided with a 1st electrode 62 placed on the side of a supporting substrate 100, a 2nd electrode 66 placed opposed to the 1st electrode 62, and an organic light emitting layer 64 formed of an organic compound having a light emitting capability placed between the 1st electrode 52 and the 2nd electrode 66.例文帳に追加

有機ＥＬ素子４０は、支持基板１００側に配置された第１電極６２と、第１電極６２に対向配置された第２電極６６と、第１電極６２と第２電極６６との間に配置され発光能を有する有機化合物によって形成された有機発光層６４と、を備えている。 - 特許庁

To provide a sensor element available to an electrochemical measurement system capable of carrying, on the surface of a collector body, a sensing layer formed by including a biocatalyst identifying a target substance or a selectively permeable membrane selectively-obstruct permeation of a coexistence interfering substance causing an undesirable electrochemical reaction and a manufacturing method therefor.例文帳に追加

標的物質を識別する生体触媒を含んでなる感応層、または好ましくない電気化学的反応を引き起こす共存妨害物質の透過を選択的に阻止する選択透過膜を集電体表面に強く担持できる、電気化学測定系に利用されるセンサ素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The organic EL display device has organic EL element OLEDs and a ultraviolet-ray shielding layer MFL of which transmissivity of visible light at wave length of 418 nm or shorter is not more than 3%, and that from 450 nm to 770 nm is not less than 40%.例文帳に追加

本発明の有機ＥＬ表示装置は、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤと、その前面側に配置されると共に可視光線についての透過率が４１８ｎｍ以下の各波長で３％以下であり且つ４５０ｎｍ乃至７７０ｎｍの各波長で４０％以上である紫外線遮断層ＭＬＦとを具備したことを特徴とする。 - 特許庁

The photoelectric conversion element has a photoreceptor layer having composite sensitizing coloring matter and semiconductor fine particles, and is characterized in using, as the composite sensitizing color matter, coloring matter having a structure represented by general formula (1) and coloring matter having a structure represented by general formula (2).例文帳に追加

複合増感色素と半導体微粒子とを有する感光体層を具備した光電変換素子であって、前記複合増感色素として、下記一般式（１）で表される構造を有する色素と、下記一般式（２）で表される構造を有する色素とを用いることを特徴とする光電変換素子。 - 特許庁

The organic electroluminescence element having at least organic layers between a cathode and an anode is characterized in that at least one layer A of the organic layers contains an oligomer which has, as a repeating unit, a chemical structure represented by specific general formula and has a polymerization degree within a range of 2-20.例文帳に追加

陰極と陽極との間に、少なくとも有機層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、該有機層の少なくとも１つの層Ａが、特定一般式で表される化学構造を繰り返し単位として有する重合度が２〜２０の範囲内である低重合体を含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 特許庁

In a diffractive optical element where a plurality of diffraction gratings are laminated, an area where a phase change in the diffraction gratings of each layer is inconsistent occupies equal to or larger than 30% of the area of a unit period and also the phase change in the whole diffraction gratings is substantially consistent in a unit periodic structure.例文帳に追加

複数の回折格子を積層した回折格子であり、単位周期構造内において、各層の回折格子における位相変化が不整合である領域が少なくとも単位周期の３割以上の領域を占め、かつ回折格子全体としての位相変化は概整合していることを特徴とする回折光学素子。 - 特許庁

To provide an end face emitting nitride semiconductor light-emitting element capable of forming a high-dislocation density region and a low-dislocation density region without being affected by surface flatness in a nitride semiconductor growth layer, where a plurality of nitride semiconductor thin films are laminated on a wafer in a plane.例文帳に追加

本発明は、高転位密度領域と低転位密度領域を面内に有するウェーハ上に複数の窒化物半導体薄膜を積層して成る窒化物半導体成長層の表面平坦性の影響を受けることなく作製できる端面出射型の窒化物半導体発光素子を提供することを目的とする。 - 特許庁

The Cu alloy structuring the base material of the connection terminal, is preferred to contain at least one element selected from a group of Ni, Sn and Zn, a thickness of the plated layer is preferred to be 1 to 5 μm, and a total thickness of the connection terminal is preferred to be 0.1 to 0.3 mm.例文帳に追加

接続端子の基材を構成するＣｕ合金は、Ｎｉ、ＳｎおよびＺｎよりなる群から選択される少なくとも１種の元素を含有していることが好ましく、メッキ層の厚みは１〜５μｍであることが好ましく、接続端子の総厚みは０．１〜０．３ｍｍであることが好ましい。 - 特許庁

When a read-out current I_R is supplied between the second wiring W2 for the supply of the read-out current I_R and the common wiring WC since this is not through the spin filter SF, a spin polarized current is not supplied to the inside of the magnetoresistance effect element MR, and the reversal of the magnetization of the magnetically sensitive layer F becomes difficult.例文帳に追加

読み出し電流Ｉ_Ｒの供給用の第２配線Ｗ２と共通配線ＷＣとの間に、読み出し電流Ｉ_Ｒを供給すると、これはスピンフィルタＳＦを介していないため、磁気抵抗効果素子ＭＲ内には、スピン分極電流が供給されず、感磁層Ｆの磁化反転は困難となる。 - 特許庁

A battery element which is laminated and wounded with a positive plate 2 and a negative plate 3 via a separator 4 is windingly attached with a winding attachment tape 1 including a pH-responsive copolymer in an adhesion layer, accommodated in an outer casing, and sealed by being injected with a nonaqueous electrolyte solution whose acidity rises by being reacted with a water content.例文帳に追加

正極板２と負極板３とをセパレータ４を介して積層し捲回した電池素子を、ｐＨ応答性高分子を粘着層に含む捲き止めテープ１により捲き止め、外装体に収納し、水分と反応して酸性度が上昇する非水電解質溶液を注入し封止する。 - 特許庁

The light-emitting element 10 is provided with: an LED chip 11; and the color conversion layer 12 that is made of a light-transmitting material containing a phosphor that is excited by light radiated from the LED chip 11 and radiates light having a wavelength longer than that of the LED chip 11 and is formed on one surface side of the LED chip 11.例文帳に追加

発光素子１０は、ＬＥＤチップ１１と、ＬＥＤチップ１１から放射される光によって励起されてＬＥＤチップ１１よりも長波長の光を放射する蛍光体を含有した透光性材料からなりＬＥＤチップ１１の一表面側に形成された色変換層１２とを備える。 - 特許庁

In the printing original plate having an image recording layer containing a water-insoluble and alkali-soluble resin and an IR absorbent on a supporting body, the plate is manufactured by applying and drying a coating liquid containing a surfactant having a reactive group and an F or Si element.例文帳に追加

水不溶且つアルカリ可溶性樹脂及び赤外線吸収剤を含む画像記録層を支持体上に設けた印刷版用原板において、反応性基と、Ｆ又はＳｉ元素とを含む界面活性剤を含有する塗布液を塗布乾燥してなることを特徴とする平版印刷版用原板。 - 特許庁

To reduce equivalent series resistance (ESR) without upsizing a capacitor element which comprises a metal anode body 1 for valve action, a dielectric film formed to the anode body, and a solid electrolyte layer 4 stacked on the dielectric film of the anode body.例文帳に追加

弁作用金属製の陽極体１と、この陽極体に対して形成した誘電体膜と、前記陽極体に対して前記誘電体膜に重ねて形成した固体電解質層４とから成るコンデンサ素子において、このコンデンサ素子における等価直列抵抗（ＥＳＲ）を、その大型化を招来することなく低くする。 - 特許庁

To provide an electron emission element and its manufacturing method for suppressing diode light emission owing to a crack by preventing generation of the crack in an insulating layer when a cathode electrode is patterned and lowering a drive voltage as well as improving screen brightness by enhancing conductivity of the cathode electrode.例文帳に追加

カソード電極をパターニングする時に，絶縁層にクラックが生じないようにすることにより，クラックによるダイオード発光を抑制し，カソード電極の導電性を高めることにより，画面輝度を向上させると同時に，駆動電圧を下げることができる電子放出素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The organic electroluminescence element is fabricated through such procedures that a transparent metal oxide film consisting of indium-tin oxide is laminated on a glass base board and that the metal oxide is subjected to a plasma surface processing using oxygen where the fluorine content is below 1 wt.%, and thereby an anode layer 10 is formed.例文帳に追加

ガラス基板上にインジウム錫酸化物から成る透明性金属酸化物膜を積層した後に、この金属酸化物に対してフッ素含有量を１重量％以下とする酸素を用いたプラズマ表面処理を施して形成した陽極層１０を用いて有機エレクトロルミネッセンス素子を作製する。 - 特許庁

This organic electroluminescent element has at least organic compound layers including an organic luminescent layer caught between a pair of electrodes, and characterized by forming all the organic compound layers with organic compound materials each formed of a halogen-containing compound and having a concentration of impurity less than 1,000 ppm.例文帳に追加

少なくとも一対の電極間に挟持された有機発光層を含む有機化合物層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、全ての有機化合物層をハロゲン含有化合物からなる不純物の濃度が１０００ｐｐｍ未満の有機化合物材料で形成した有機エレクトロルミネッセンス素子である。 - 特許庁

Thermal barrier layers 3, 5 consisting of zirconium oxide are formed on the surface of a base material 1 formed of alloy mainly consisting of nickel, cobalt or iron via a metallic bond layer 2 of alloy which contains at least one of nickel, cobalt and iron and consists of at least one element of chromium, aluminum and yttrium.例文帳に追加

ニッケル、コバルトもしくは鉄を主成分とする合金からなる基材１の表面に、ジルコニウム酸化物からなる遮熱層３，５を、ニッケル、コバルト、鉄のうち少なくとも１つを含み、これとクロム、アルミニウム、イットリウムの少なくとも１つの元素とからなる合金の金属結合層２を介して形成する。 - 特許庁

By separating the semiconductor substrate having a bad thermal conductivity from the Gunn diode, heat generated by the Gunn diode active layer of the thin film Gunn diode element 1 can be easily dissipated to the millimeter wave resonator substrate side, resulting in the suppression in rise in temperature of the Gunn diode and subsequent stabilization of millimeter wave output strength.例文帳に追加

ガンダイオードから熱伝導性の低い半導体基板を分離したことによって、薄膜ガンダイオード素子１のガンダイオード活性層で発生した熱を容易にミリ波共振器基板側へ放熱することが可能であり、ガンダイオードの温度上昇を抑制してミリ波出力強度を安定化することができる。 - 特許庁

The present invention provides: an organic electronics material containing a) charge transporting compound with at least one cation polymerizable substituent group, b) cationic polymerization initiator, and c) radical polymerization initiator; and an organic electronics element having a layer formed by applying and depositing the organic electronics material on a substrate.例文帳に追加

ａ）１つ以上のカチオン重合性置換基を有する電荷輸送性化合物と、ｂ）カチオン重合開始剤と、ｃ）ラジカル重合開始剤と、を含有することを特徴とする有機エレクトロニクス用材料、及び該有機エレクトロニクス用材料を基板上に塗布し、成膜した層を有する有機エレクトロニクス素子である。 - 特許庁

A near-field light generating element 23 accommodated in the groove 24g of an encasing layer 24 has an outer surface that includes a first end face 23a having a near-field light generating part 23f, a second end face opposite the first end face 23a, and a coupling portion that couples the first end face and the second end face.例文帳に追加

収容層２４の溝部２４ｇ内に収容された近接場光発生素子２３は、近接場光発生部２３ｆを含む第１の端面２３ａと、第１の端面２３ａの反対側に位置する第２の端面と、第１の端面と第２の端面を連結する連結部とを含む外面を有している。 - 特許庁

Then, the device heat-treats the substrate 11, which is in a state where an organic solution 14x is applied to and filled in the slits 21a, in all columns under reduced pressure, to uniformly and totally dry it to film-deposit an organic EL layer 14, on a pixel electrode 12 exposed to an EL element formation region Re1 of each pixel PIX.例文帳に追加

次いで、全ての列のスリット２１ａ内に有機溶液１４ｘが塗布、充填された基板１１を、減圧した状態で加熱処理して、均一かつ一括して乾燥させて、各画素ＰＩＸのＥＬ素子形成領域Ｒelに露出する画素電極１２上に有機ＥＬ層１４を成膜する。 - 特許庁

The solid-state image pickup device is characterized in that the closed space 11 of the light receiving region formed on a solid-state image pickup element as an upper layer of a silicon substrate 1 with a frame wall 6 and a sealing glass plate 7 is filled with transparent inert oil 10 of ≤1.3 in refractive index, especially, fluorine-based oil typically of perfluoro-polyester oil.例文帳に追加

シリコン基板１上層の固体撮像素子の上に枠壁６と封止ガラス板７により形成された受光領域の閉鎖空間１１に、屈折率１．３以下の透明不活性オイル１０、特に、パーフルオロポリエーテル油を代表とするフッ素系オイルが充填されていることを特徴とする固体撮像装置である。 - 特許庁

A region of at least one or more of the luminous limit element is a smaller region than effective luminous flux, when disk discrimination of the optical disk or detection of the number of layers or focus jump to the other layer or spherical aberration is performed, transmissivity of a region being smaller than effective luminous flux is made small.例文帳に追加

光束制限素子の少なくとも１つ以上の領域は、有効光束よりも小さい領域であり、前記光ディスクのディスク判別、もしくは層数の検出、もしくは他の層へのフォーカスジャンプもしくは球面収差補正を行なうときには有効光束よりも小さい領域の透過率を小さくする。 - 特許庁