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element layerの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 18197件
This oxygen gas detection element equipped with a nanowire, including a CU core and a carbon-coating layer formed so as to coat the CU core, is constituted so that the nanowire shows an adsorption/desorption action to oxygen gas at a room temperature, and that the oxygen gas is detected through the adsorption/desorption action of the oxygen gas.例文帳に追加
Cuコアと、このCuコアを被覆するようにして形成された炭素被覆層とを含むナノワイヤを具え、このナノワイヤが室温において酸素ガスに対して脱吸着作用を呈し、前記酸素ガスの前記脱吸着作用を通じて前記酸素ガスを検出するようにして、酸素ガス検出素子を構成する。 - 特許庁
The semiconductor device (100) includes an external connecting terminal (2) formed on an active surface of a semiconductor element (1), the pedestal (10a) formed on the external connecting terminal, and the solder ball (7) fixed on the pedestal, wherein the pedestal is provided with a selection plating layer (6).例文帳に追加
半導体素子(1)の能動面上に形成される外部接続端子(2)と、前記外部接続端子上に形成される台座(10a)と、前記台座上に固着される半田ボール(7)と、を有する半導体装置(100)であって、前記台座が選択メッキ層(6)を備えることを特徴とする半導体装置。 - 特許庁
A first substrate 100 has a TFT 110 as a switch element provided for each pixel, and a reflective layer 44, which is insulated from the TFT 110 and reflects light made incident from the side of a second substrate 200 through a second electrode 250 made of ITO etc., formed on an insulating film covering the TFT 110.例文帳に追加
第1基板100には、画素毎に設けられたスイッチ素子であるTFT110、TFT110を覆う絶縁膜の上にTFT110と絶縁され、第2基板200側からITO等からなる第2電極250を透過して入射される光を反射する反射層44を形成する。 - 特許庁
Alternatively, on the active material layer, at least part of a surface of a particle of Mg_2A or LaA_2 and a particle of the element A are coated with a metal material with low forming ability of a lithium compound, as well as a gap is preferably formed between the particles coated with the metal material.例文帳に追加
あるいは、活物質層においては、Mg_2A又はLaA_2の粒子及び元素Aの粒子の表面の少なくとも一部が、リチウム化合物の形成能の低い金属材料で被覆されているとともに、該金属材料で被覆された該粒子どうしの間に空隙が形成されていることが好ましい。 - 特許庁
In this ceramic heater for forming a heating element on one surface or the inside of a ceramic substrate composed of a nonoxide ceramic plate-like body, the ceramic heater is characterized in that surface roughness of a ceramic substrate surface is Ra≤20 μm, and the protective layer is formed at least in a part of the ceramic substrate.例文帳に追加
非酸化物セラミック製の板状体からなるセラミック基板の一方の面または内部に発熱体が形成されてなるセラミックヒータであって、前記セラミック基板表面の面粗度は、Ra≦20μmであり、前記セラミック基板の少なくとも一部に保護層が形成されてなることを特徴とするセラミックヒータ。 - 特許庁
A recess, such as a hole and a microchannel, is formed on the surface of the crystal substrate 20 in the SOI substrate thus obtained, machining required as a DNA chip and a micro fluidics chip is performed, and a silicon semiconductor element for analyzing and evaluating the sample adhered to and held by the recess is formed on the SOI layer 12.例文帳に追加
このようにして得られたSOI基板の石英基板20の表面にホールやマイクロ流路などの凹部を形成してDNAチップやマイクロフルイディスクチップとして必要な加工を施し、SOI層12にはこの凹部に付着・保持された試料を分析・評価するためのシリコン半導体素子を形成する。 - 特許庁
The rug which has warmth and heat retaining property and is made of a fibrous fabric, is obtained by setting a pocket at least at one place, and inserting, into the pocket, a heating element made by laminating a metallic sheet, a far infrared radiation irradiating sheet containing black silica, and a heating layer.例文帳に追加
繊維布帛からなるひざ掛けにおいて、少なくとも一箇所にポケットを設け、該ポケット内に金属シートとブラックシリカを含有する遠赤外線放射シートと発熱層を積層した発熱体を挿入することによって、従来にない暖かさと保温性のあるひざ掛けを得えられることを見出し本発明に到達した。 - 特許庁
The electroluminescent element emits light by the recombination of the holes injected from the positive electrode and the electrons injected from the negative electrode and comprises one or more layers of the organic compound layers between the positive electrode and the negative electrode, and an inorganic compound is dispersed in at least one layer of the organic compound layers.例文帳に追加
陽極から注入される正孔と陰極から注入される電子との再結合により発光する電界発光素子であり、陽極と陰極の間に一層または複数層の有機化合物層を有し、この有機化合物層の少なくとも一層に無機化合物が分散されている。 - 特許庁
To improve the characteristics of a TFT(thin-film transistor) by forming the interface between a region constituting an active layer, especially a channel formation region, and to make an insulating film into a satisfactory interface and also provide a semiconductor device provided with a semiconductor circuit consisting of a semiconductor element, having uniform characteristics and the manufacturing method of the device.例文帳に追加
本発明は、活性層、特にチャネル形成領域を構成する領域と絶縁膜との界面を良好なものとすることにより、TFTの特性を向上させるとともに均一な特性を有する半導体素子からなる半導体回路を備えた半導体装置およびその作製方法を提供するものである。 - 特許庁
To improve the insertability of resin into an insulating layer section directly under a heat spreader, in a resin-sealed semiconductor device transfer mold wherein a power semiconductor chip and a heat spreader are respectively bonded to lead frame 1st die pad front and rear surfaces and an active element chip is bonded to a 2nd die pad front surface.例文帳に追加
リードフレームの第1ダイパッドの表面及び裏面にそれぞれ電力用半導体チップ及びヒートスプレッダが接合され、第2ダイパッドの表面に能動体素子チップが接合された樹脂パッケージ型半導体装置のトランスファーモールドにおいて、ヒートスプレッダ直下の絶縁層部への樹脂の注入性を向上させる。 - 特許庁
The magnetite particle, in which the magnetite core particle is provided on the surface with a covering layer containing a compound having one or more kinds of elements except for iron, is characterized in that the particle, in which the above core particle is provided on the surface with the above compound having an element except for iron, undergoes a dry-type mechanochemical treatment.例文帳に追加
マグネタイトコア粒子の表面に、1種または2種以上の鉄以外の元素の化合物を含む被覆層を有するマグネタイト粒子において、前記コア粒子の表面が、前記鉄以外の元素の化合物で被覆された粒子に、乾式のメカノケミカル処理を行ったものであることを特徴とするマグネタイト粒子。 - 特許庁
The light-emitting device, made by providing an organic insulating film 284, reflecting films 27, inorganic insulating films 25, pixel electrodes 23, and a light-emitting layer 60 on one side of an element substrate 2, has openings 26 of the inorganic insulating films 25 formed reaching the organic insulating film 284 at areas where no pixel electrodes 23 are formed in plane view.例文帳に追加
素子基板2の一方面側に、有機絶縁膜284、反射膜27、無機絶縁膜25、画素電極23および発光層60を備えてなる発光装置であって、平面視において画素電極23の非形成領域に、有機絶縁膜284に至る無機絶縁膜25の開口部26が形成されている。 - 特許庁
An exposure device which exposes an image with a light beam modulated by a spatial modulation element in accordance with image information is used, and a prescribed area of a photosensitive material 150 (photoresist) applied on a core layer 206 being an optical wiring board material is exposed and patterned with a light beam (UV) to form an etching mask 150A.例文帳に追加
画像情報に応じて空間変調素子により変調された光ビームで画像露光を行う露光装置を用い、光配線基板材料であるコア層206上に塗布した感光材料150(フォトレジスト)の所定領域を光ビーム(UV)により露光してパタニングしエッチングマスク150Aを形成する。 - 特許庁
The tunnel magnetoresistive element comprises a first ferromagnetic body, a second ferromagnetic body, and an insulator sandwiched between these ferromagnetic bodies wherein at least one ferromagnetic body has a single crystal of full Heusler alloy grown epitaxially on the (100) face of a base material and a thin Mg layer is provided between the full Heusler alloy and the insulator.例文帳に追加
第1の強磁性体と、第2の強磁性体と、これら強磁性体間に挟まれて存在する絶縁体とを具え、強磁性体の少なくとも一方は、基材上に(100)面にエピタキシャル成長したフルホイスラー合金の単結晶を有し、フルホイスラー合金と絶縁体との間に薄いMg層を具えている。 - 特許庁
The original plate for the planographic printing plate is characterized by sequentially disposing an interlayer containing a compound which contains a metal element with two or more valences and a photosensitive layer containing an infrared ray absorbent, a radical generator and a radical polymerizable compound on an aluminum support which has a roughened surface with an anodic oxidation coating film formed thereon.例文帳に追加
粗面化し陽極酸化被膜を形成したアルミニウム支持体上に、2価以上の金属元素を含む化合物を含有する中間層、赤外線吸収剤、ラジカル発生剤及びラジカル重合性化合物を含有する感光層を順次設けてなることを特徴とする平版印刷版用原版。 - 特許庁
To provide a flexible wiring board equipped, having an electromagnetic wave shielding layer that can intercept electromagnetic waves irradiated from the wiring board and the incidence of noise from the board, even in electronic equipment in which a liquid crystal displaying element side and main body side are separably and movably formed, and in addition, has durability against frequent bending.例文帳に追加
液晶表示素子側と本体側とが分離・移動可能に形成された電子機器にあっても、フレキシブル配線基板からの電磁波の放射や雑音の入射を遮蔽することができ、かつ頻繁な折り曲げに対して耐久性のある電磁波遮蔽層を備えたフレキシブル配線基板の提供にある。 - 特許庁
The display element comprises a plurality of pixels, therein, one pixel is made by laminating two parallel structures of color layer in which three kinds of colored layers having different colors to each other are arranged optically in parallel and the region of approx. 2/3 in area ratio can be displayed in the same color at the same time.例文帳に追加
複数の絵素を有してなり、一絵素が、少なくとも、互いに異なる色相を呈する3種類の着色層を光学的並列に配置した着色層並列体を2層積層してなり、面積比で一絵素における略2/3の領域が同時に同色表示可能であることを特徴とする表示素子である。 - 特許庁
To provide a method of forming contact plug of a semiconductor element which can suppress formation of voids in a metal layer forming process subsequent to a contact plug forming process by selectively etching a subsequent interlayer insulation film formation of a contact plug so that the surface of the uppermost portion of the contact plug is higher than the surface of the uppermost portion of the interlayer insulation film.例文帳に追加
コンタクトプラグの形成後、コンタクトプラグの最上部の表面が層間絶縁膜の最上部の表面より高くなるように層間絶縁膜を選択的にエッチングすることにより、後続の金属層形成工程の際にボイドの生成を抑制する、半導体素子のコンタクトプラグ形成方法を提供すること。 - 特許庁
The all silicon quantum computing element is provided with a silicon terrace 6 in a ^28Si isotope wafer not having a nuclear spin, a bridge 3 having an atom chain of linearly grown ^29Si in a step 7 of the terrace 6, a cap layer of ^28Si to be grown, and a ferromagnetic micro magnet (a magnet) deposited in correspondence to the bridge 3.例文帳に追加
核スピンを持たない^28Si同位体ウエハ中にシリコンのテラス6と、このテラス6の段差7に1次元的に成長された^29Siの原子鎖8とを有するブリッジ3と、成長される^28Siのキャップ層と、前記ブリッジ3に対応して蒸着される強磁性体のマイクロマグネット(磁石)1とを具備する。 - 特許庁
The silver halide photographic element comprises a light- sensitive silver halide emulsion layer having associated therewith a coupler that forms a dye for which the λ_max using spin-coating is shifted towards the infrared region of the spectrum by at least 30 nm, when compared to the λ_max of the same dye in solution form, to a value of at least 700 nm.例文帳に追加
スピン塗工法を用いたλ_maxが、溶液形態の同じ色素のλ_maxと比較したときに、少なくとも30nmスペクトルの赤外領域に向かってシフトして少なくとも700nmの値になる色素を形成するカプラーを関連して有する感光性ハロゲン化銀乳剤層を含んで成るハロゲン化銀写真要素。 - 特許庁
A flexible pressure contacting element 6 pressure contacts the workpiece to the lower side of a vacuum chamber 8 by the pressure difference generated between the product side half chamber 10 of the vacuum chamber 8 and a pressure side half chamber 9, and exposes the workpiece to the heating action having the welding temperature or higher or the heat curing temperature or higher of the adhesion layer in the laminator.例文帳に追加
真空チャンバ8の製品側ハーフチャンバ10と加圧側ハーフチャンバ9との間に生じる圧力差によってフレキシブル圧接体6は加工物を真空チャンバの下側面に圧接し、ラミネータにおいて加工物を接着層の溶着温度以上または熱硬化温度以上の加熱作用下にさらす。 - 特許庁
The bonded optical element includes: two optical substrates 11 and 12 having positioning parts 17_1 and 17_2 on the outside of an optical effective diameter D_0; and a resin layer 4 composed of a UV curable resin 1 charged in a space 3 formed by two optical substrates 11 and 12 and the positioning parts 17_1 and 17_2.例文帳に追加
光学有効径D_0よりも外側に位置決め部17_1,17_2を有する2つの光学基材11、12と、2つの光学基材11,12と位置決め部17_1,17_2とによって空間3が形成され、この空間3内に充填される紫外線硬化型樹脂1による樹脂層4とを備えている。 - 特許庁
Either one of the anode and cathode of the semiconductor laser element 5 is connected to the wiring pattern 2c of the flexible wiring board 2 abutted to the upper surface 1a of the base 1, and the wiring pattern 2c is electrically connected to the base 1 through an opening 7 provided on the part to be abutted to the base 1 of the insulating layer 2b.例文帳に追加
半導体レーザ素子5のアノードまたはカソードの何れかは、基台1の上面1aに当接されたフレキシブル配線基板2の配線パターン2cに接続されており、配線パターン2cは、絶縁層2bの基台1に当接する部位に設けられた開口部7を介して、基台1に電気的に接続されている。 - 特許庁
The liquid crystal optical element, having the liquid crystal layer held between two transparent substrates with an interposed rectangular seal formed, such that long-side seals are thinner than short-side seals adopts constitution such that long-side seal widths decrease from two intersections of the long-side seals and short-side seals to the centers.例文帳に追加
短辺シールの幅よりも長辺シールの幅を細くして形成された長方形状のシールを介して、2枚の透明基板間に液晶層を挟持する液晶光学素子において、長辺のシール幅が長辺シールと短辺シールとの2つの交点から中央に向けて細くなる構成を採用した。 - 特許庁
The light-emitting element comprises a first electrode and a second electrode which are installed opposite to each other and of which at least one is transparent or semi-transparent, and a light-emitting layer which is pinched between the first electrode and the second electrode and which is constituted by dispersing the light-emitting particles in a matrix made of positive hole transport materials.例文帳に追加
発光素子は、互いに対向して設けられ、少なくとも一方が透明又は半透明である、第1電極及び第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に挟持され、正孔輸送材料からなるマトリクス中に発光体粒子が分散して構成された発光層と、を備える。 - 特許庁
The ink composition is used for image-forming apparatus for forming image having ≥650 dpi picture element density at ≥0.5 m^2/min recording rate by dropping it onto media having an image-receiving layer, and contact angle variation at one second in the initial stage when dropping 1μl ink composition onto the media is ≥3.0 degree.例文帳に追加
受像層を有するメディア上に打滴して、画素密度650dpi以上、記録速度0.5m^2/min以上で、画像形成する画像形成装置に用いられるインク組成物であって、前記インク組成物1μlを前記メディアに滴下したときの初期1秒の接触角変化量が3.0度以上である。 - 特許庁
A first interlayer insulating film 205 is formed on a semiconductor substrate 201 where an element isolation film 202 and a Tr are formed, then a bit line connection hole 206 and a connection conduction pad connection hole 207 are provided, and a first conductive layer is formed and patterned for the formation of a bit line 208 and a connection conduction pad 209.例文帳に追加
素子分離膜202とTrが形成された半導体基板201上に第1層間絶縁膜205を形成後、ビット線用接続孔206と接続導通パッド用接続孔207を形成し、全体の上に第1伝導層を形成しパターニングしてビット線208及び接続導通パッド209を形成する。 - 特許庁
To provide a method for producing a spinel ferrite thin film with (100) preferred orientation while suppressing oxidization of a metal electrode layer in a lower part of a spinel ferrite thin film and thermal diffusion at a lower part interface and eliminating contamination due to atmospheric components at an upper part interface, in a spin filter effect element including a spinel ferrite thin film arranged in a laminated structure.例文帳に追加
積層構造の中にスピネルフェライト薄膜を配置したスピンフィルタ効果素子において、スピネルフェライト薄膜下部の金属電極層の酸化および下部界面の熱拡散を抑制し、上部界面の大気成分による汚染を排除しつつ、(100)優先配向したスピネルフェライト薄膜を製造する方法を提供する。 - 特許庁
Since the ink 3 is easily transferred from a stamp 1 in the high surface free energy part 5a, and the ink 3 is hardly transferred from the stamp 1 in the low surface free energy part 5b because surface free energy is small, miniaturization of an electrode pattern and increase of the thickness of an electrode layer are allowed in manufacturing an organic TFT element.例文帳に追加
高表面自由エネルギー部5aでは、スタンプ1からインク3が転写されやすく、低表面自由エネルギー部5bでは、表面自由エネルギーが小さいためにスタンプ1からインク3が転写されにくくなるため、有機TFT素子の製造において、電極パターンの微細化や、電極層の厚膜化が可能となる。 - 特許庁
A first and a second thermistor layer 7 and 8, are formed on the edge faces of a thermistor element 2; a first and a second external electrode 9 and 10, are formed on the thermistor layers 7 and 8 respectively for the formation of a thermistor; and the electrical characteristics of the thermistor can be regulated easily, by selecting those materials that constitute the thermistor layers 7 and 8.例文帳に追加
サーミスタ素体2の端面2a,2bに第1,第2のサーミスタ層7,8が形成されており、第1,第2のサーミスタ層7,8上に第1,第2の外部電極9,10が形成されており、サーミスタ層7,8を構成する材料を選択することにより電気的特性を容易に調整し得るサーミスタ1。 - 特許庁
To provide an organic EL device forming an organic thin film layer comprising a plurality of layers by a simple wet method of a manufacturing process by using a material of an arbitrary organic electroluminescent element (EL) and having high light emitting efficiency and long service life, and also to provide its manufacturing method and an organic solution for the organic EL device realizing it.例文帳に追加
任意の有機エレクトロルミネッセンス素子(EL)の材料を用いて、製造工程の簡便な湿式法により複数層からなる有機薄膜層を形成可能で、高発光効率かつ長寿命な有機EL素子、その製造方法及びそれを実現する有機EL素子用有機溶液を提供する。 - 特許庁
The optical information recording apparatus has a light source for recording, a spatial light modulator converting radiation light for recording into information light carrying information and reference light, a condensing part condensing the information light and the reference light on an information recording layer, an imaging element detecting light intensity distribution of the information light and a control means.例文帳に追加
光情報記録装置は、記録用光源と、情報を担持する情報光と参照光に記録用照射光を変換する空間光変調器と、情報記録層へ情報光、参照光を集光する集光部と、情報光の光の強度分布を検出する撮像素子と、制御手段と、を有する。 - 特許庁
To provide a thin film magnetic head eliminating the generation of deterioration of the insulation property between leads and upper/lower shields for a magneto-resistive element even though the shield gap layer is thinned for improving the thermal aspirity of the magneto-resistive thin magnetic head, and also capable of accurately reading a minute reproducing signal by lowering the resistance of the lead.例文帳に追加
磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドのサーマルアスピリティを改善するために、シールドギャップ層を薄くしても磁気抵抗素子に対するリードと上下のシールドとの間の絶縁特性の劣化を生じることがなく、しかもリードの抵抗を低くして微小な再生信号を正確に読み取れる薄膜磁気ヘッドを提供する。 - 特許庁
The piezo-electric element includes the Si substrate, a piezo-electric film of niobic acid potassium sodium of perovskite structure whose general formula is (K, Na)NbO_3 formed on the upper portion of the Si substrate, and an intermediate layer formed between the Si substrate and the piezo-electric film, which makes the piezo-electric film generate stress in a compressing direction.例文帳に追加
本発明に係る圧電素子は、Si基板と、Si基板の上方に形成され、一般式が(K,Na)NbO_3であるペロブスカイト構造のニオブ酸カリウムナトリウムの圧電膜と、Si基板と圧電膜との間に形成され、圧電膜に圧縮方向の応力を生じさせる中間層とを備える。 - 特許庁
A circuit diagram editor having a function for applying a symbol name and a symbol number to elements of same configuration and for collectively describing a plurality of elements of same configuration in one element in a circuit diagram in an upper layer is configured to prepare a terminal connection table 22 for an arbitrary cell 10, and to achieve wiring expressions by using the terminal connection table 22.例文帳に追加
上位階層の回路図において、同一構成の要素にシンボル名とシンボル番号を付与して、複数の同一構成の要素を一つの要素に一括表記する機能を有する回路図エディタに、任意のセル10について端子接続表22を作成し、端子接続表22を用いた配線表現を可能とする。 - 特許庁
A region of the optical element 30 from which light transmitted through the first region 31a is emitted is provided with a second polarization conversion layer 33 configured to convert a polarization direction of the light transmitted through the first region 31a from the different linear polarization (P polarization) into the one linear polarization (S polarization).例文帳に追加
そして、この第1領域31aを透過した光が光学素子30を出射する領域には、第1領域31aを透過した光の偏光方向を、他の直線偏光(P偏光)から一の直線偏光(S偏光)に変換する第2偏光変換層33を備えるものである。 - 特許庁
To provide a film-forming composition which is superior in heat resistivity and dielectric constant characteristics, especially, in CMP durability for forming a silicon system film, having a proper uniform thickness suitably available as an inter-layer insulating film in a semiconductor element, and to provide a porous insulating film which uses this film-forming composition and a method for manufacturing the film.例文帳に追加
半導体素子などにおける層間絶縁膜として使用するのに適した、適当な均一な厚さを有するシリコーン系膜が形成可能な、しかも耐熱性、誘電率特性に優れ、特にCMP耐性に優れた膜形成組成物、これを用いた多孔質絶縁膜、およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁
This burglar preventing element 1 is provided with a lower-side conducting route 2 consisting of a coil and an upper-side conducting route 3 consisting of a coil, which are wound in the reverse direction, overlap in at least one overlapped area, and with an additional dielectric layer 4 at the overlapped area.例文帳に追加
防犯エレメント1は、巻線からなる下側導通経路2及び巻線からなる上側導通経路3を備え、これら2つの導通経路が逆方向に巻回され、少なくとも1つの重複領域において重複し、2つの導通経路の重複領域に追加の誘電体層4を備えている。 - 特許庁
The semiconductor device comprises a semiconductor substrate 1, a buried insulating film 2 formed on the semiconductor substrate 1, an active region 30 formed on the buried insulating film 2, a partial separation insulating film 4 buried selectively in the surface layer part in the active region 30, and a diode element formed in the active region 30.例文帳に追加
半導体装置は、半導体基板1と、半導体基板1上に形成された埋込み絶縁膜2と、埋込み絶縁膜2上に形成された活性領域30と、活性領域30の表層部分に選択的に埋込まれた部分分離絶縁膜4と、活性領域30に形成されたダイオード素子とを備える。 - 特許庁
To provide a new radiation-sensitive composition for colored layer formation having good storage stability as a solvent-containing liquid composition and giving pixels and a black matrix excellent in solvent resistance to various solvents and in adhesion to a substrate, and to provide a color filter and a color liquid crystal display element.例文帳に追加
溶媒を含有する液状組成物としての保存安定性が良好であり、かつ幅広い溶剤に対する耐溶剤性、基板との密着性等にも優れた画素およびブラックマトリックスを与える新規な着色層形成用感放射線性組成物新規な着色層形成用感放射線性組成物を提供する。 - 特許庁
To provide a technology for suppressing the deterioration of performance in the semiconductor element such as a MISFET formed on a main surface of the semiconductor substrate by suppressing the diffusion of copper atoms attached to a back surface of the semiconductor substrate from the back surface into the semiconductor substrate, in a semiconductor device where copper wiring is used in a wiring layer.例文帳に追加
配線層に銅配線を使用する半導体装置において、半導体基板の裏面に付着した銅原子が半導体基板の裏面から内部へと拡散することを抑制し、半導体基板の主面に形成されているMISFETなどの半導体素子の特性劣化を抑制できる技術を提供する。 - 特許庁
To provide a photoelectric converter wherein an open circuit voltage and a short circuit current are increased and the photoelectric conversion efficiency is improved without making an n-type conductivity type semiconductor layer contain a high concentration impurity element, and to suppress the discharge amount of carbon dioxide upon manufacturing by providing the photoelectric converter.例文帳に追加
n型導電型半導体層に高濃度に不純物元素を含有させることなく、開放電圧および短絡電流を増加させ光電変換効率を向上させた光電変換装置を提供すること、および、該光電変換装置の提供により製造時の二酸化炭素排出量を抑制すること。 - 特許庁
In the method for manufacturing the semiconductor device having an element isolation structure of a shallow trench isolation system, after a trench 14 is formed on a surface of a silicon substrate 11; an inner surface 14a of the trench 14 is cleaned to remove a pollutant, and next a defective layer 15 of the inner surface 14a of the trench 14 is removed.例文帳に追加
シャロートレンチアイソレーション方式の素子分離構造を有する半導体装置の製造方法であって、シリコン基板11の表面に溝14を形成した後に、溝14の内表面14aを洗浄して汚染物を除去し、次いで、溝14の内表面14aの欠陥層15を除去する。 - 特許庁
The nonlinear element 1 is provided with a first electrode 6 to which a voltage V1 is applied by a first voltage applying means 61, a second electrode 5 to which a voltage V2 is applied by a second voltage applying means 62, set on a lower layer 22, and an insulative thin film 24 which insulates the first electrodes 5 from the second electrode 5.例文帳に追加
非線形素子1は、第1の電圧印加手段61により電圧V_1を印加される第1の電極6と、下部層22の上に設けられ、第2の電圧印加手段62により電圧V_2を印加される第2の電極5と、第1の電極6と第2の電極5とを絶縁する絶縁性薄膜24とを有する。 - 特許庁
The thermoelectric conversion module 10 comprises a heat radiation side substrate 11, a thermoelectric element 16 placed on the heat radiation side substrate 11 by way of a wiring electrode 12, a block electrode 14, a block arrangement electrode 12a on which the block electrode 14 is placed, and a solder layer 13 for jointing the block electrode 14 to the block arrangement electrode 12a.例文帳に追加
熱電変換モジュール10は、放熱側基板11と、放熱側基板11状に配線電極12を介して載置される熱電素子16と、ブロック電極14と、ブロック電極14を載置するブロック配置用電極12aと、ブロック電極14とブロック配置用電極12aを接合する半田層13とを有する。 - 特許庁
A diffusion sheet 18 is structured of an anisotropic diffusion layer (an anisotropic diffusion sheet) with a larger light diffusion angle in a direction (an X direction) parallel to a forming direction of prism grooves 12a, 12b than in a direction (a Y direction) vertical to a forming direction of prism grooves 12a, 12b of a deflection separation element 10.例文帳に追加
本発明では、拡散シート18として、偏光分離素子10のプリズム溝12a,12bの形成方向に対して垂直な方向(Y方向)よりも、プリズム溝12a,12bの形成方向に対して平行な方向(X方向)に大きな光の拡散角を有する異方性拡散層(異方性拡散シート)で構成する。 - 特許庁
The element has a structure in which an intermediate layer 13 with a periodic structure is sandwiched between a first and a second optical waveguide 12A, 12B formed on a first and a second substrate 11A, 11B, respectively, wherein a recess 12a is periodically formed on the opposing face side of the first and second optical waveguides 12A, 12B.例文帳に追加
第1および第2の基板11A,11B上にそれぞれ形成された第1および第2の光導波路12A,12Bによって周期構造を有する中間層13をサンドイッチした構造を有し、第1および第2の光導波路12A,12Bの対向する面側に凹部12aが周期的に形成されている。 - 特許庁
A core layer being a prepreg prepared by impregnating fiber cloth with a resin and drying the impregnated fiber cloth is held between two surface layers, each of which is formed by coating a metal foil with a thermosetting resin, so that the thermosetting resin becomes inside and, after the whole is molded under heating, the metal foil is removed to manufacture the plastic substrate for the display element.例文帳に追加
繊維布に樹脂を含浸・乾燥させたプリプレグであるコア層を、金属箔に熱硬化性樹脂をコートし熱硬化させた表面層2層で前記熱硬化性樹脂が内側になるようにして挟み込み、加熱成形後、金属箔を除去する表示素子用プラスチック基板の製造方法。 - 特許庁
To alleviate an influence of post spacers on liquid crystal alignment, and to moderate disorder of the liquid crystal alignment caused by a switching element in a liquid crystal display device having a liquid crystal layer interposed between a pair of substrates which are separated from each other with the post spacers arranged in a panel and protrusions formed in the panel.例文帳に追加
パネル内に配置された柱状スペーサによって一対の基板を離間して液晶層を狭持しており、またパネル内に突起が形成されている液晶表示装置において、該柱状スペーサによる液晶配向への影響を緩和し、またスイッチング素子による液晶配向の乱れを緩和する。 - 特許庁
By injecting the Cl-based gas or Br-based gas in the step of growing a nitride single crystal layer containing Al by using a lateral epitaxial overgrowth method (LEO), an adverse influence on the crystal growth due to the Al element (such as formation of a polycrystal) on the upper face of the dielectric mask can be eliminated.例文帳に追加
本発明によると、横方向エピタキシャル過成長法(LEO)を利用してAlを含んだ窒化物結晶層を成長させる場合に、Cl系ガスまたはBr系ガスを注入することにより誘電体マスクの上面においてAl元素による結晶成長への悪影響(例えば、多結晶体の形成)を解消することができる。 - 特許庁
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