「element layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(346ページ目) - Weblio英語例文検索

The light control element which has a substrate with electrooptic effect, and an optical waveguide and an electrode for modulation formed on the substrate having a ridge structure is characterized in that a DC drift preventive layer is provided on the substrate surface where the optical waveguide is formed and an annealing process is carried out after ridge machining.例文帳に追加

電気光学効果を有する基板と、該基板上に形成された光導波路と変調用電極とを備え、該基板がリッジ構造を有する光制御素子において、前記光導波路を形成する基板表面に、ＤＣドリフト防止層を設けると共に、リッジ加工後にアニール処理を施すことを特徴とする。 - 特許庁

Consequently, mobility of both hole and electron is enhanced in the emission layer 20 and since good carrier balance state can be sustained such that they are recombined efficiently, such element characteristics as emission luminance and emission efficiency can be sustained at a high level over a long term.例文帳に追加

これにより、発光層２０におけるホール及び電子の双方の移動度が高められ、両者が効率よく再結合するようにキャリアバランス良好な状態に保つことができるようになるため、発光輝度、発光効率などの素子特性を長期間にわたって高水準に維持することが可能となる。 - 特許庁

The liquid composition with a mixing ratio of the fine fibrous compound to the powder ion exchange resin of 5-100 wt.% is mixed and applied to the support followed by dehydration and drying, whereby an element for filtration machine or a deodorant sheet in which the powder ion exchange resin is inseparably fixed to a surface layer can be produced.例文帳に追加

粉末イオン交換樹脂に対し、微小繊維状化合物の混合割合を５〜１００重量％とした液状組成物を支持体と混合塗付し、脱水・乾燥することで、粉末イオン交換樹脂が表層に固着して剥離することのない濾過機用エレメントや消臭シートが出来る。 - 特許庁

To provide a solid electrolytic capacitor in which residence of unreacted monomer can be reduced when conductive polymer is formed as an electrolytic layer in a capacitor element, expansion of the capacitor is suppressed even if a temperature rise/fall step is performed repeatedly, and the equivalent series resistance (ESR) can be lowered.例文帳に追加

コンデンサ素子に電解質層として導電性高分子を形成する際に、未反応モノマーが滞留するのを低減することができ、昇降温工程を繰り返し実施してもコンデンサの膨張が少なく、かつ、等価直列抵抗（ＥＳＲ）値を低くすることができる固体電解コンデンサを提供する。 - 特許庁

An anode foil having an oxide film layer formed on the surface is wound along with a cathode foil and a separator to form a capacitor element which is then immersed into PVA aqueous solution of 0.005-1.5 wt% for 5 sec or longer under a temperature between normal temperature and 100°C and dried for 3 min or longer under a temperature between normal temperature and 150°C.例文帳に追加

表面に酸化皮膜層が形成された陽極箔を陰極箔及びセパレータと共に巻回してコンデンサ素子を形成し、このコンデンサ素子を０．００５ｗｔ％〜１．５ｗｔ％のＰＶＡ水溶液に、常温〜１００℃前後の温度で５秒以上浸漬し、常温〜１５０℃で３分以上乾燥する。 - 特許庁

To provide a magnetic recording medium in which a recording layer is formed in a prescribed recessed and projecting pattern, a recording element is formed as a projecting part of the recessed and projecting pattern to have high surface recording density and a crash of a magnetic head hardly occurs to have high reliability, and a magnetic recording and reproducing device provided with such a magnetic recording medium.例文帳に追加

記録層が所定の凹凸パターンで形成され、記録要素が凹凸パターンの凸部として形成されて面記録密度が高く、且つ、磁気ヘッドのクラッシュが生じにくく信頼性が高い磁気記録媒体及びこのような磁気記録媒体を備える磁気記録再生装置を提供する。 - 特許庁

To provide a radiation sensitive composition for a color filter generating no chip or no hiatus even with low exposure, further giving rise to pixels with excellent adhesion property to a substrate and to a light shielding layer and with excellent heat resistance and being excellent in application and development properties, and to provide the color filter formed of the same and a liquid crystal display element provided with the color filter.例文帳に追加

低露光量でも欠けや欠落が生じず、かつ基板および遮光層への密着性、耐熱性に優れた画素を与え、塗布性と現像性に優れるカラーフィルタ用感放射線性組成物、それから形成されたカラーフィルタ、およびそのカラーフィルタを具備する液晶表示素子を提供すること。 - 特許庁

At a predetermined position on wiring layers 11c, 11d of a substrate part 11, an LED element 12 provided on the packaging surface of bumps 12a, 12b is mounted, and the gap between the lower surface thereof and the upper surface of the substrate part 11 is filled with an insulating layer 13 made of a silicone material so as to bury the bumps 12a, 12b.例文帳に追加

基板部１１の配線層１１ｃ，１１ｄ上の所定位置には、バンプ１２ａ，１２ｂが実装面に設けられたＬＥＤ素子１２が搭載され、その下面と基板部１１の上面との間には、バンプ１２ａ，１２ｂを埋める様にしてシリコーン材による絶縁層１３が充填される。 - 特許庁

To provide a thin-film magnetic head preventing side reading of a track (side track) adjacent to the track to be reproduced while stabilizing the magnetic domain control of a free layer by disposing ferromagnetic films on both side faces of a magneto-resistance effect element, its manufacturing method, and a magnetic recording device equipped with the same.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子の両側面に強磁性膜を設けてフリー層の磁区制御を安定化させる構成を採りながら、再生するトラックに隣接するトラック（サイドトラック）に対するサイドリーディングを防ぐことのできる薄膜磁気ヘッド、その製造方法、およびその薄膜磁気ヘッドを備えた磁気記録装置を提供する。 - 特許庁

In the method of forming wirings of a semiconductor element in which ultra-fine electronic circuit wirings are formed, the electronic circuits are formed by embedding conductor materials including at least Cu layer into the substrate material and only the open surface of the electronic circuits is covered with a material for preventing movement by thermal diffusion of the conductor material.例文帳に追加

微細な電気回路配線を形成する半導体素子の配線形成方法において、基材中に少なくともＣｕ層を含む導電体材料の埋め込みにより電気回路を形成し、該導電体材料の熱拡散移動を防止する材料によって、前記電気回路の開放表面のみを被覆する。 - 特許庁

An electric insulating layer 61 side is made to face a piezoelectric element 13 side to set the terminal 57 oppositely to the common electrode 19, and a liquid conductive adhesive 79 is filled in the through-hole 67 in a state that the first liquid stopper 69-1 is interposed in the gap between the terminal 57 and the common electrode 19.例文帳に追加

電気絶縁層６１側を圧電素子１３側に望ませて端子部材５７を共通電極１９に対面させ、端子部材５７と共有電極板１９との間隙に第１の液止め部材６９−１を介在させた状態で、貫通孔６７内に導電性接着剤液７９が充填されている。 - 特許庁

In the respective ridge parts 13, a central position in the width direction of the Au plating layer 14 is intentionally displaced to a central position in the width direction of its lower light emitting part 7, and the shear strain is applied to the respective light emitting parts 7 in a stage before mounting the semiconductor laser element array 8 on the sub-mount 6.例文帳に追加

各リッジ部１３において、Ａｕメッキ層１４の幅方向の中心位置は、その下方の発光部７の幅方向の中心位置に対して意図的に変位され、半導体レーザ素子アレイ８をサブマウント６に実装する前の段階で各発光部７に剪断歪みが加わるようになっている。 - 特許庁

To suppress formation of a void as a connection defect caused by trapping of a gas in a connection layer by eliminating the need of working, such as, grooving on the reverse surface of a semiconductor element, even when a semiconductor is connected using a conductive adhesive producing a very large amount of gas.例文帳に追加

ガスの発生がきわめて多量な導電性接着剤を用いて半導体素子の接続を行う場合においても、半導体素子の裏面に溝加工などの加工を不要とし、接続層内部にガスがトラップされることにより形成される接続欠陥としてのボイドの発生を抑制することである。 - 特許庁

To present a method for growing a light emitting element structure in a selective region on a substrate, and variously changing the shape of a nitride semiconductor layer selectively grown in this manner, and to provide a vertical type light emitting device which realizes an optical high extraction efficiency by using such a structure, and its manufacturing method.例文帳に追加

基板上の選択的な領域で発光素子構造を成長させ、このように選択的に成長された窒化物半導体層の形状を多様に変化させる方法を提示し、かかるな構造を用いて高い光抽出効率を実現できる垂直型発光素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

An organic luminescent layer manufacturing process in this manufacturing method of the organic EL element uses a printing cylinder on the surface circumference of which at least a plurality of solvent resistant projecting parts are continuously formed, and an organic luminescent material is printed on a substrate to be transferred.例文帳に追加

有機ＥＬ素子の製造方法における有機発光層製造工程が、少なくとも複数の耐溶剤性の凸部が表面円周上に連続形成された印刷用シリンダーを用い、被転写基板へ有機発光材料の印刷を行うことを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法を提供するものである。 - 特許庁

The magnetic head includes a read head and a write head and is formed by grounding the read element 5 for constituting the read head to a substrate 4 via a resistor 10, wherein a shield pattern 7a as an electromagnetic wave shield layer is integrally formed to a lower shield 7 with arrangement for two-dimensionally covering a region where the resistor 10 is formed.例文帳に追加

リードヘッドとライトヘッドとを備え、前記リードヘッドを構成するリード素子５を、抵抗１０を介して基板４に接地して形成した磁気ヘッドであって、前記抵抗１０が形成された領域を面的に覆う配置に、下部シールド７に電磁波シールド層としてシールドパターン７ａを一体に形成している。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device in which there is offered a technique capable of raising a bonding property of the semiconductor device, by forming an element isolation film and a gate line after forming a polysilicon layer for plug especially including a dopant on a semiconductor substrate, and capable of simplifying a process.例文帳に追加

本発明は半導体素子の製造方法に関し、特に半導体基板上に不純物を含むプラグ用ポリシリコン層を形成したあと、素子分離膜とゲートラインを形成して半導体素子の接合特性を向上させることができ、工程を単純化することができる技術を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing light-emitting diode device capable of suppressing the increase of manufacturing cost, emitting white light uniformly, improving light extraction efficiency, while preventing deterioration of light-emitting efficiency of an optical semiconductor layer, and a light-emitting diode element used in the manufacturing method.例文帳に追加

製造コストの上昇を抑制できるとともに、光半導体層の発光効率の低下を防止しながら、均一な白色光を発光して、光の取出効率を向上させることができる発光ダイオード装置の製造方法、および、その製造方法に用いられる発光ダイオード素子を提供すること。 - 特許庁

To remove a plurality of layers of reaction products generated in trenches while holding the desired characteristics of each element in a semiconductor device in a manufacturing method for forming the trenches and embedding insulating films in the trenches and isolating the elements after forming a gate insulating film and a gate electrode layer on a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板上にゲート絶縁膜およびゲート電極層を形成した後、溝を形成し当該溝内に絶縁膜を埋込んで素子分離するための製造方法において、半導体装置内の各素子の所望の特性を保持しつつ溝内に生成された複数層の反応生成物を除去することを可能とする。 - 特許庁

The circuit module 10 comprises a mounting board 110, and a circuit device 11 plug-in mounted on the mounting board 110 wherein the circuit device 11 has a structure including a wiring board 12 provided with a wiring layer on the surface, and a circuit element connected electrically with the wiring board 12.例文帳に追加

本実施の形態の回路モジュール１０は、実装基板１１０と、この実装基板１１０に差込実装された回路装置１１とを具備し、回路装置１１は、表面に配線層が設けられた配線基板１２と、配線基板１２に電気的に接続された回路素子とを含む構造となっている。 - 特許庁

The photodetection element 1 is provided with a silicon substrate 9 where a photodetector 11 is formed, a circuit board 7 mounting the silicon substrate 9, at least one wirings 15 connecting the silicon substrate 9 with the circuit board 7 electrically, a cover layer 3 covering the wirings 15, and an exposed part 4 where the photodetector 11 is exposed.例文帳に追加

受光素子１は、受光部１１が形成されたシリコン基板９と、シリコン基板９を実装する回路基板７と、シリコン基板９と回路基板７とを電気的に接続し、少なくとも１つ以上の配線１５と、配線１５を覆うカバー層３、受光部１１が露出する露出部４を備えている。 - 特許庁

The rare-earth-doped optical fiber is composed of a core doped with a rare earth element and at least a layer of clad surrounding the core, wherein the difference between a loss of a wavelength of 1,240 nm and a loss of a wavelength of 1,200 nm is within a range between 20 dB/km-300 dB/km.例文帳に追加

希土類元素が添加されたコアと、該コアを囲む少なくとも１層のクラッドとからなる希土類添加光ファイバにおいて、波長１２４０ｎｍの損失と波長１２００ｎｍの損失との差が２０ｄＢ／ｋｍ〜３００ｄＢ／ｋｍの範囲内であることを特徴とする希土類添加光ファイバ。 - 特許庁

Then the compound semiconductor layer 50 is stuck to the element substrate 7 by pressurizing the laminate 130 through the softened pressurizing cushion layers 150 and 111 between the first and second pressurizing members 51 and 52, while the laminate 130 is heated to a sticking temperature at which the cushion layers 150 and 111 are softened.例文帳に追加

そして、加圧クッション層１５０，１１１が軟化する貼り合わせ温度に積層体１３０を加熱しつつ、第一加圧部材５１と第二加圧部材５２との間で該積層体１３０を、軟化した加圧クッション層１５０，１１１を介して加圧することにより、化合物半導体層５０と素子基板７とを貼り合わせる。 - 特許庁

In the insulating films 4a, 4b, a polycrystalline silicon film (resistor element) 6 and a polycrystalline silicon film (lower electrode of a capacitor) 8, which have their upper end surface at a position lower than that of the single crystalline layer surface 2a of the semiconductor substrate 2, are formed and the surface of the semiconductor substrate 2 including STI is flattened.例文帳に追加

前記絶縁膜４ａ、４ｂ中には、半導体基板２の単結晶層表面２ａよりも低い位置にその上端表面を有する多結晶シリコン膜（抵抗素子）６、及び多結晶シリコン膜（キャパシタ下部電極）８が形成され、ＳＴＩを含む半導体基板２の表面は平坦化されている。 - 特許庁

When the core part 94 is formed by selectively radiating an activation energy light beam or the like on a core layer 9 by using a mask 20, the positioning is performed by relatively moving the substrate 2 on which the element 1 has been mounted two dimensionally with respect to the mask 20 so that the point A of the mask 20 coincides with the position of the light emitting part 101.例文帳に追加

マスク２０を用いてコア層９に活性エネルギー光線等を選択的に照射しコア部９４を形成する場合、マスク２０の箇所Ａが発光部１０１の位置に一致するよう、素子１搭載済みの基板２をマスク２０に対し２次元方向に相対的に移動して位置合わせする。 - 特許庁

In a magnetic recording and reproducing apparatus using a perpendicular recording medium having a soft magnetic backing layer, a soft magnetic shield 40 is provided so as to surround upper parts and side planes of magnetic head elements 11, 12, 14, 15, distance between the soft magnetic shield 40 and the medium is made smaller than distance between the soft magnetic shield and the magnetic head element.例文帳に追加

軟磁性裏打ち層を有する垂直記録媒体を用いた磁気記録再生装置において、磁気ヘッド素子１１，１２，１４，１５の上部及び側面を取り囲むように軟磁性シールド４０を設け、軟磁性シールド４０と媒体との距離を、軟磁性シールドと磁気ヘッド素子との距離よりも小さくする。 - 特許庁

In the organic EL element having the planarizing film 50 and the electric field light-emitting layer 40 made of the organic resin, the reflective film 60 and the semi-transmissive film 30, all of the reflective film 60, the semi-transmissive film 30, and auxiliary wiring 70 connected to the semi-transmissive film are formed of a Al-Ni base alloy.例文帳に追加

有機樹脂からなる平坦化膜５０及び電界発光層４０と、反射膜６０と、半透過膜３０とを備える有機ＥＬ素子において、反射膜６０、半透過膜３０、半透過膜に接続する補助配線７０のいずれもがＡｌ−Ｎｉ系合金で形成されていることを特徴する有機ＥＬ素子。 - 特許庁

More specifically, the method for manufacturing the thin film dielectric element comprises a step for forming the thin film dielectric of (Ba_1-xSr_x)_aTiO_3(0≤x≤1, 1.0≤a≤1.2) on a conductive electrode layer, and a step for annealing the thin film dielectric thus formed at 600-1,000°C.例文帳に追加

具体的には、本願発明は、導電性電極層上に（Ｂａ_１−ｘＳｒ_ｘ）_ａＴｉＯ_３（０≦ｘ≦１、１．０≦ａ≦１．２）からなる薄膜誘電体を形成する工程と、形成した前記薄膜誘電体を６００℃を超えて１０００℃以下でアニールする工程と、を含む薄膜誘電体素子の製造方法である。 - 特許庁

To provide a thin film magnetic head provided with an MR element, in which a sufficient bias magnetic field for domain control can be supplied to a magnetization free layer of an MR laminate, consequently, proper linear response having no noise can be performed, a magnetic disk drive device provided with the thin-film magnetic head, and to provide a manufacturing method for the thin-film magnetic head.例文帳に追加

充分な磁区制御用バイアス磁界をＭＲ積層体の磁化自由層に供給することができ、その結果、ノイズのない良好な線形応答が可能なＭＲ素子を備えた薄膜磁気ヘッド、薄膜磁気ヘッドを備えた磁気ディスクドライブ装置、及び薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。 - 特許庁

In the light-emitting layer 90 constituted of red color elements 92R, blue color elements 92B, and green color elements 92G, a vibration of a given frequency 170 is added on an interface jointing with at least either color element 92 out of the blue color elements 92B and the green color elements 92G to make a surface of the interface rugged.例文帳に追加

赤の色要素９２Ｒ、青の色要素９２Ｂおよび緑の色要素９２Ｇで構成される発光層９０において、青の色要素９２Ｂおよび緑の色要素９２Ｇの内、少なくとも一つの色要素９２と接合する界面に、所定の周波数１７０の振動を加えて、界面の表面を凸凹にする。 - 特許庁

An MEMS element is provided with a substrate-side electrode 45 and a beam 46 which is arranged opposite to the substrate-side electrode 45 and has a drive-side electrode 48 which performs drive with electrostatic attraction or electrostatic repulsive force to be exerted between the drive-side electrode 48 and the substrate-side electrode 45, and the substrate-side electrode 45 is formed of a single crystal semiconductor layer.例文帳に追加

基板側電極４５と、基板側電極４５に対向して配置され、基板側電極４５との間に働く静電引力又は静電反発力により駆動する駆動側電極４８を有してなるビーム４６とを備え、基板側電極４５が、単結晶半導体層で形成されて成る。 - 特許庁

In the wavelength conversion element having a core 32 consisting of a nonlinear optical crystal and the ridge optical waveguide in which the surface of the core 32 not in contact with a substrate 31 is formed of an air layer, the concentration distribution of Li on a cross section of the core 32 shows a gradual increase from the center part 33 of the core 32 to the outer peripheral part.例文帳に追加

非線形光学結晶からなるコア３２と、コア３２の基板３１に接していない面が空気層からなるリッジ型の光導波路を有する波長変換素子において、コア３２断面のＬｉの濃度分布は、コア３２の中央部３３から外周部に向かってなだらかに増加している。 - 特許庁

The electric resistance heating and warming cloth product comprises a cloth layer which has a first face and a second face on the reverse side and an electric resistance heating and warming element that has a configuration of a conductive string mounted on the first face of the cloth, for example, sewn in embroidery and heats and warms when connected with the power source.例文帳に追加

電気抵抗加熱／加温複合布製品は、第１の面及び反対側の第２の面を有する布層と、例えば刺繍縫いで布層の第１の面に取着された導電糸の形態をなし、電源に接続されると加熱／加温を行うようになっている電気抵抗加熱／加温素子とを備えている。 - 特許庁

In an antenna device 1 including a substantially disc like circuit board 3 on which a ground conductor layer 33 is provided, and a sheet-metal antenna element 2 mounted on the circuit board 3, a radiation conductor plate 20 consisting of a metal flat plate is arranged parallel to the circuit board 3 and five metal pieces 21-25 are used to support the radiation conductor plate 20.例文帳に追加

接地導体層３３が設けられた略円板状の回路基板３に板金製のアンテナ素子２が取り付けられたアンテナ装置１であって、金属平板からなる放射導体板２０が回路基板３と略平行に配置されていると共に、５個の金属片２１〜２５が放射導体板２０を支持している。 - 特許庁

Further, the rolling element has a rolling face, of which the surface is worked by cutting work and burnishing work, of which the roughness is 0.1 μmRa or less, of which the maximum residual compressive stress is -1000 MPa or less, and in which the residual compressive stress layer is formed from the surface to the internal depth of 0.3 mm.例文帳に追加

また、切削加工とバニシング加工とにより転動面の表面が加工され、面粗さが０．１μｍＲａ以下であり、最大圧縮残留応力が−１０００ＭＰａ以下であり、表面から内部深さ０．３ｍｍまで圧縮残留応力層が形成されてなる転動面を備えている。 - 特許庁

This manufacturing method of an optical element, which is formed by providing a color filter on an insulating film, is a method, where the insulating film consisting of a silicon nitride film 8 formed by a plasma CVD(chemical vapor deposition) method is formed and after a surface layer in the film 8 is etched, a color filter 9 consisting of a pigment negative photoresist material is formed on the film 8.例文帳に追加

絶縁層上にカラーフィルタを設けてなる光学素子の製造方法であって、プラズマＣＶＤ法によって形成された窒化シリコン膜８からなる絶縁層を形成し、窒化シリコン膜８の表面層をエッチングした後、窒化シリコン膜８上に顔料系のネガ型フォトレジスト材料からなるカラーフィルタ９を形成する。 - 特許庁

The method for manufacturing the forming die includes steps of: making the forming die (51) of a single crystal material and forming a transfer pattern (29) by etching on the surface (20A) of the forming die (51); and converting the proximity (22A) of the surface including the surface (20A) into a hardened layer (22) comprising a compound of the element constituting the single material.例文帳に追加

また、成形型（５１）を単結晶材で形成し、成形型（５１）の表面（２０Ａ）にエッチングで転写形状（２９）を形成する工程と、表面（２０Ａ）を含むその近傍（２２Ａ）を単結晶材を構成する元素の化合物からなる硬化層部（２２）にする工程とを有する成形型の製造方法とした。 - 特許庁

In the chip-type inductor, a coil 20 made of a spiral conductive film pattern is formed on an outer periphery surface in the longitudinal direction of a chip element body 10 made of an insulating material, the outer periphery of the coil is covered with an insulating layer 24, and an external electrode 26 is provided at both end sections so that each is connected to a coil terminal.例文帳に追加

絶縁材料からなるチップ素体１０の長手方向外周面に螺旋状の導体膜パターンからなるコイル２０が形成され、該コイルの外周が絶縁層２４で覆われ、それぞれコイル端末に接続するように両端部に外部電極２６が設けられている構造のチップ型インダクタである。 - 特許庁

The iron nitride powder consists of mainly Fe_16N_2 and has, on at least a part of the powder particle surface, a coating layer including at least one element selected from the group consisting of rare earth metal elements, aluminum and silicon, and cobalt-containing ferrite with a composition represented by (Co_xFe_1-x)Fe_2O_4, wherein 0<x≤1.例文帳に追加

Ｆｅ_16Ｎ_2を主成分とする窒化鉄粉末であって、粉末表面の少なくとも一部に、希土類金属元素、アルミニウムおよびシリコンからなる群から選ばれる少なくとも一種の元素ならびに（Ｃｏ_xＦｅ_1-x）Ｆｅ_2Ｏ_4（０＜ｘ≦１）で表される組成を有するコバルト含有フェライトを含む被覆層を有する窒化鉄粉末。 - 特許庁

The multilayer piezoelectric/electrostrictive element is provided with the substrate 1, a plurality of the piezoelectric/electrostrictive parts 2 and 3 and a plurality of electrodes 4, 5 and 6, and the piezoelectric/electrostrictive parts 2 and 3 and the electrodes 4, 5 and 6 are alternately stacked on the substrate 1, and a piezoelectric/electrostrictive part 12 positioned on a lowermost layer is directly fixed on the substrate 1 or through the electrode 4.例文帳に追加

基体１と、複数の圧電／電歪部２，３と、複数の電極４，５，６とを備え、圧電／電歪部２，３と電極４，５，６とが基体１上に交互に積層され、かつ、最下層に位置する圧電／電歪部１２が、基体１上に直接又は電極４を介して固着されてなる多層型圧電／電歪素子である。 - 特許庁

The O plate 86 is disposed between the liquid crystal display element 51 and a polarization beam splitter 48 in such a way that a direction L8 of the pretilt of a liquid crystal molecule 75 of a liquid crystal layer 69 and the fast axis L6 are parallel to each other, and further the vapor deposition direction 96 and the direction L8 are opposed to each other with respect to the z-axis.例文帳に追加

液晶層６９の液晶分子７５がプレチルトする方向Ｌ８と進相軸Ｌ６とが平行になるように、かつ、蒸着方向９６と方向Ｌ８とがｚ軸に対して反対側となるように、液晶表示素子５１と偏光ビームスプリッタ４８との間にＯプレート８６は配置される。 - 特許庁

To solve the problem that since the TEG (test element group) of a semiconductor integrated circuit is configured of a plurality of shift registers, and the number of terminals of inputs and outputs of the shift registers is relatively smaller than the layout size, the density of wiring is made small after carrying out placing and routing, and the failure detecting sensitivity of a wiring layer is made low as a result.例文帳に追加

半導体集積回路のＴＥＧ（評価素子群）は、複数のシフトレジスタで構成されるが、シフトレジスタではセルレイアウトサイズに比べて相対的に入出力の端子数が少ないため、配置配線を行うと配線の密度が小さくなり、その結果として配線層の不良検出感度が低くなる。 - 特許庁

A complementary metal oxide semiconductor(CMOS) device, having a metal silicide contact which is durable against high-temperature annealing used for activating the source-drain region of the device is provided by adding at least an alloy element to an initial metal layer used for forming the silicide.例文帳に追加

デバイスのソース・ドレイン領域を活性化するのに使用される高温アニールに耐える金属シリサイド・コンタクトを有する相補型金属酸化物半導体（ＣＭＯＳ）デバイスが、シリサイドを形成するのに使用される初期の金属層に対して少なくとも１つの合金元素を追加することによって提供される。 - 特許庁

The semiconductor element 10 is formed into a Schottky type or p-n junction type or Schottky/p-n junction composite type horizontal diode structure which has a horizontal main conductive path in a conductive layer 1, and unit anodes 5u and unit cathode electrodes 2u that are adjacent to each other in horizontally integrated arrangement.例文帳に追加

半導体素子１０を、導電層１内において水平方向に主導通経路を有し、かつ、単位アノード部５ｕと単位カソード電極２ｕとを互いに隣接する形で横方向に集積化してなる、ショットキー型もしくはＰ−Ｎ接合型の、あるいはこれらが複合された横型ダイオード構造とする。 - 特許庁

To prepare a biodegradable resin film having excellent weather resistance, easy combustibility and gas barrier properties by including layer compound hydroxide particle powder composed of a nontoxic element and usable for various kinds of packaging films, agricultural films, or the like.例文帳に追加

本発明は、無害な元素によって構成された層状複水酸化物粒子粉末を含有させることによって、耐候性、易燃焼性およびガスバリヤ性に優れた生分解性樹脂フィルムに関するものであり、当該生分解性樹脂フィルムは各種包装用フィルム、農業用フィルム等に用いることができる。 - 特許庁