「element layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(358ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a probe card in which the yield can be enhanced by eradicating poor sticking of assembly resulting from conventional level difference caused by probe trace, conductivity can be ensured easily by utilizing a conductive layer portion, and stabilized inspection environment can be achieved, and to provide a semiconductor element inspection method employing it.例文帳に追加

従来のプローブ痕による段差で発生する組立付着不具合を撲滅して、歩留まりを向上することができるとともに、導電層部分を活用することで導電性を容易に確保することができ、安定した検査環境を実現することができるプローブカードおよびそれを用いた半導体素子検査方法を提供する。 - 特許庁

To easily and economically manufacture a semiconductor substrate having a semiconductor layer row provided with active zones suitable for a lateral principal extending direction, a principal surface, and the generation of radiation, and a radiant emission semiconductor chip provided with an electrical connection element disposed on the principal surface that can be pulse-operated in a reduced modulation time.例文帳に追加

ラテラルな主延在方向、主要面、放射生成に適している活性ゾーンを備えている半導体層列を有して半導体基体、主要面に配置されている電気的な接続エレメントを備えた放射放出半導体チップを、低減された変調時間でパルス化作動可能であると同時に簡単にしてかつコスト面で有利に製造できるようにする。 - 特許庁

A device comprises the capacity element 18 composed of the capacitive insulating film 16 which is formed on a semiconductor substrate 10 made of silicon and composed of a bottom electrode 15 and top electrode 17 made of platinum and the insulating metal oxide sandwiched between them, and a barrier layer 21B which is made of titanium oxide having an interface with the top electrode 17.例文帳に追加

シリコンからなる半導体基板１０の上に形成され、白金からなる下部電極１５及び上部電極１７並びにそれらの間に挟まれた絶縁性の金属酸化物からなる容量絶縁膜１６により構成された容量素子１８と、上部電極１７と界面を持つ窒化チタンからなるバリア層２１Ｂとを備えている。 - 特許庁

To provide an EL device having a spectral band width of emission wavelength greatly narrower that that of a usual organic EL light emitting element and superior wavelength selectivity and capable of emitting light with directivity being applicable to not only a display but also optical communication and easily guiding the output light into a core layer of an optical fiber portion with high efficiency.例文帳に追加

発光波長のスペクトル幅が従来の有機ＥＬ発光素子に比べて格段に狭く、波長選択性に優れ、かつ指向性持って光を出射でき、表示体だけでなく光通信などにも適用でき、しかも、出力光を光ファイバ部のコア層に容易に高効率で導入することができるＥＬ装置を提供する。 - 特許庁

In an organic electroluminescent element with one or more organic compound layers pinched between a pair of electrodes consisting of an anode and a cathode at least one of which is transparent or translucent, at least one layer from the organic compound layers includes one or more kinds of compounds expressed in formula (I).例文帳に追加

少なくとも一方が透明又は半透明である陽極及び陰極よりなる一対の電極間に、一つ又は複数の有機化合物層が挾持されてなる有機電界発光素子において、該有機化合物層の少なくとも一層が、下記一般式（Ｉ）で表される化合物を１種以上含有することを特徴とする有機電界発光素子である。 - 特許庁

An auxiliary capacitor 17 is a capacitor interposed between the auxiliary capacity line 17 and pixel electrode 16 and has a 2nd electrode part 182 which is coupled with a 2nd conductive layer 142 of the two-terminal type nonlinear element 14 and a 1st electrode part 181 branching off from the auxiliary capacity line 17 to overlap the 2nd electrode part 182.例文帳に追加

補助容量１７は、補助容量線１７と画素電極１６との間に介在する容量であり、二端子型非線形素子１４の第２導電層１４２に連結された第２電極部１８２と、この第２電極部１８２と重なり合うように補助容量線１７から分岐した第１電極部１８１とを有する。 - 特許庁

In this case, since formation of the capacitive element having the ferroelectric film on the lower electrode 8 is executed only by bonding the ferroelectric film 12 previously formed on the other substrate on the conductive adhesive layer 11, even if the processing temperature in forming the ferroelectric film 12 is comparatively high, the protective film 5 can be prevented from suffering thermal damage.例文帳に追加

この場合、下部電極８上への強誘電体膜を有する容量素子の形成は、導電性接着層１１の上面に予め別の基板に形成した強誘電体膜１２を接着するだけであるので、強誘電体膜１２を形成する際の処理温度が比較的高温であっても、保護膜５が熱的ダメージを受けることはない。 - 特許庁

This organic electroluminescent element is characterized by having in the same layer, a multifunctional oligomer or a multifunctional polymer having, in each molecule, at least two out of a unit A containing a molecule having a function of a luminescent host, a unit B containing a molecule having a positive hole transporting function, and a unit C containing a molecule having an electron transporting function; and a phosphorescent dopant.例文帳に追加

発光ホストの機能を有する分子を含む単位（Ａ）、正孔輸送の機能を有する分子を含む単位（Ｂ）及び電子輸送の機能を有する分子を含む単位（Ｃ）のうち、少なくとも２つを分子内に有する多機能オリゴマーまたは多機能ポリマーと、燐光性ドーパントを同一層に有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 特許庁

The image display apparatus 2 extracts only encoding data of one of the layers from the encoding data of an electronic document constituted by a layer structure, decodes the extracted encoding data, and displays only an image element allocated to one of the layers as a summary image when the electronic document is browsed by automatic page feeding (leafing through).例文帳に追加

画像表示装置２は、自動ページ送り（ぱらぱらめくり）により電子文書を閲覧する場合に、レイヤ構造で構成された電子文書の符号データの中から、一部のレイヤの符号データのみを抽出し、抽出された符号データを復号化して、一部のレイヤに割り当てられた画像要素のみを要約画像として表示する。 - 特許庁

Wiring layers 4a, 4b, 4c are formed on a semiconductor substrate 1 through an insulating layer 3, and a semiconductor chip 20 having a diode structure formed as the radiation detection element 51 is mounted in the bare state on the semiconductor substrate 1, and a material of the semiconductor substrate 1 mounted with the semiconductor chip 20 is the same as a material of the semiconductor chip 20.例文帳に追加

半導体基板１上には絶縁層３を介して配線層４ａ、４ｂ、４ｃが形成され、ダイオード構造が放射線検出素子５１として形成された半導体チップ２０をベア状態のままで半導体基板１上に実装し、半導体チップ２０が実装される半導体基板１の材質と半導体チップ２０の材質とを同一とする。 - 特許庁

The backlight 13 is provided with a transparent substrate 14, an organic electroluminescent element 15 provided on a light incident face 14 of the transparent substrate 14, a dispersion film 17 pasted on the light outgoing face 142 of the transparent substrate 14 through an adhesive layer 16, and two prism sheets 18, 19 provided on the light outgoing face 171 side of the dispersion film 17.例文帳に追加

バックライト１３は、透明基板１４と、透明基板１４の光入射面１４１上に設けられた有機エレクトロルミネッセンス素子１５と、透明基板１４の光出射面１４２に接着層１６を介して貼り付けられた散乱フィルム１７と、散乱フィルム１７の光出射面１７１側に設けられた２つのプリズムシート１８，１９とを備えている。 - 特許庁

The crystal satisfies the conditions of that the perovskite crystal structure of the piezoelectric element layer is a tetragonal system, a (001) surface azimuth and a (111) surface azimuth are mixed, and that a ratio of orientation rate of a (001) surface azimuth to a film thickness is set larger than the ratio of the orientation rate of the (111) surface azimuth to the film thickness.例文帳に追加

そして結晶が、圧電体層のペロブスカイト結晶構造は正方晶系であること、（００１）面方位と（１１１）面方位とが混在していること、膜厚に対する（００１）面方位の配向割合の比が膜厚に対する（１１１）面方位の配向割合の比より大きく設定されていること等の条件を満たしている。 - 特許庁

In the liquid crystal display device constructed by sealing a liquid crystal with negative dielectric anisotropy therein, on an element substrate of a lower side substrate, data lines, TFD elements, and auxiliary electrodes are formed, and on them an over layer is formed, and a pixel electrode with a planar shape of nearly three circular pieces is formed in a sub-pixel region thereon.例文帳に追加

負の誘電率異方性を有する液晶が封入されてなる液晶表示装置において、下側基板の素子基板上には、データ線、ＴＦＤ素子及び補助電極が形成され、それらの上にはオーバーレイヤーが形成され、その上のサブ画素領域内には、略三串団子状の平面形状をなす画素電極が形成されている。 - 特許庁

A planar silicon carbide semiconductor element is formed in a silicon carbide semiconductor layer 22 of a main surface side of a substrate 14, and it solves the problem by utilizing a horizontal Schottky diode including on the main surface side of the substrate 14 both a rectifying electrode 28 forming a Schottky conjunction and a non-rectifying electrode 30 forming an ohmic contact.例文帳に追加

基板１４の主面側の炭化珪素半導体層２２に形成されるプレーナ型の炭化珪素半導体素子であって、ショットキー接合を形成する整流性電極２８と、オーミック接合を形成する非整流性電極３０とを共に前記基板１４の主面側に有する横型ショットキーダイオードを用いることにより上記課題を解決できる。 - 特許庁

The production method of a silicon wafer comprises at least growing a silicon single crystal bar by Chokralski method, slicing the silicon single crystal bar to silicon single crystal substrates, and thereafter, implanting an element on the whole surface of the silicon single crystal substrate opposite to the surface thereof on which devices are formed, to form the strain layer.例文帳に追加

シリコンウェーハの製造方法であって、少なくとも、チョクラルスキー法によってシリコン単結晶棒を育成し、該シリコン単結晶棒をスライスしてシリコン単結晶基板に加工した後、該シリコン単結晶基板の素子が形成される面とは反対の面の全面に元素の注入を行って歪み層を形成することを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。 - 特許庁

To provide an oxide thin film or a nitride thin film deposition element which can maintain the interface property of the oxide thin film by ALD and can highly maintain the substrate certainly, and without a possibility that an ALD high film quality layer which makes an interface with the substrate may be damaged and deteriorated, by utilizing a CVD method without lowering the throughput of depositing.例文帳に追加

ＡＬＤによる酸化物薄膜又は窒化物薄膜と基板との界面特性を確実に高く維持することができると共に、成膜のスループットを低下せず、更にＣＶＤ法を利用することによって基板との界面をなすＡＬＤ高膜質層が損傷劣化する虞のない酸化物薄膜又は窒化物薄膜堆積体を提供すること。 - 特許庁

This reflection type hologram screen 3A consists of a reflection type hologram 1 which is periodically arranged, in a one-dimensional or two-dimensional array form, with minute element holograms 1R, 1G and 1B which consist of reflection type volume holograms, do not have beam condensing or diverging properties and vary in the wavelengths to be reflected and diffracted and a transparent scattering layer 2 arranged on its incident side.例文帳に追加

反射型体積ホログラムからなり、集光性あるいは発散性を持たず反射回折する波長が異なる微小な要素ホログラム１Ｒ、１Ｇ、１Ｂが１次元あるいは２次元アレー状に周期的に配置されてなる反射型ホログラム１と、その入射側に配置された透過散乱層２とからなる反射型ホログラムスクリーン３Ａ。 - 特許庁

To suppress disorder of alignment of liquid crystal molecules when a non-twist alignment type liquid crystal element is manufactured having liquid crystal molecules of a liquid crystal layer aligned having molecule long axes in a rubbing direction by performing rubbing treatment on alignment films formed on mutually opposite internal surfaces of a pair of substrates in parallel directions.例文帳に追加

一対の基板の互いに対向する内面それぞれに形成された配向膜を平行な方向にラビング処理し、液晶層の液晶分子の分子長軸を配向膜のラビング方向に揃えて配向させた非ツイスト配向型の液晶表示素子を製造する際に、液晶分子の配向に乱れを生じさせることを抑制する。 - 特許庁

The semiconductor laser element manufacturing method has a first step in which a striped ridge structure 8, 9 is formed to the upper part of a laminated structure, including an active layer 5 formed on a substrate 1, and a second step for forming a Schottky barrier SB on the upper face of the laminated structure, other than the ridge structure 8, 9 by utilizing ion bombardment.例文帳に追加

本発明に係る半導体レーザ素子の製造方法は、基板１上に形成された活性層５を含む積層構造の上部に、ストライプ状のリッジ構造８、９を形成する第１工程と、イオン衝撃を利用してリッジ構造８、９以外の積層構造の上面にショットキーバリアＳＢを形成する第２工程とを有する。 - 特許庁

Consequently, the thermal relaxation layer of the soft resin spacer 16 is located between the integrated semiconductor light emitting element body 17 and optical lens 14, and the semiconductor light emitting device can be realized which prevents the interface peeling at each of members against a thermal stress in variation of an external temperature, is high in a light discharge efficiency, and has a high reliability.例文帳に追加

そのため、一体化した半導体発光素子体１７と光学レンズ１４との間に軟質樹脂スペーサ１６による熱応力緩和層を備えたことになり、外部温度変化時の熱応力に対して各部材間の界面剥離を阻止し、光取出し効率の高い、高信頼性の半導体発光装置を実現することができた。 - 特許庁

To provide an electric double-layer capacitor, which improves the volumetric efficiency of an activated carbon electrode in a capacitor element, to be wound by interposing a separator between the anode and the cathode and whose energy density can be enhanced by a method where an electrode sheet, in which one face of a collector of superior mass productivity is coated with slurry is used as the anode and the cathode.例文帳に追加

量産性に優れた集電体の片面にスラリーを塗布してなる電極シートを陽極、陰極に使用し、該陽極と陰極間にセパレータを介在させて捲回してなるコンデンサ素子中の活性炭電極の体積効率を改善し、エネルギー密度を向上させることができる電気二重層コンデンサを提供すること。 - 特許庁

In the manufacturing method of the gas barrier property film with the transparent conductive film, and the manufacturing method of the organic electroluminescence element, the pressure during the manufacture of the film is 0.5-2.0 Pa when the transparent conductive film is deposited by a vacuum film manufacturing method on the transparent gas barrier property film having at least one layer of a ceramic film on a transparent resin film.例文帳に追加

透明樹脂フィルム上に少なくとも１層以上のセラミック膜を有する透明ガスバリア性フィルム上へ透明導電膜を真空製膜法により製膜する際、該製膜時の圧力が０．５〜２．０Ｐａであることを特徴とする透明導電膜付ガスバリア性フィルムの製造方法及び有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。 - 特許庁

To provide a metallic material for glass melting treatment, which enables the extension of the service life of an apparatus by the effective strengthening of the joinability between iridium and a surface layer consisting of platinum or the like known as an element suppressing the oxidation of iridium being the one of physically and chemically most stable materials in the high temperature region of ≥1,550°C, and to provide its production method.例文帳に追加

1550℃以上の高温域で物理的、化学的にも最も安定な材料の一つであるイリジウムの酸化を抑制することで知られている白金等からなる表面層のイリジウムとの接合性を効果的に強化されて装置寿命の延命を図ることができるガラス溶融処理用金属材料及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In the electroluminescent element that is constructed of one or plural organic compound layers that are clipped between a pair of electrodes of which at least one is transparent or semitransparent, at least one layer of the organic compound layers contains at least one kind of compounds as expressed in formula (I).例文帳に追加

少なくと一方が透明または半透明である一対の電極間に挾持された一つまたは複数の有機化合物層より構成される電界発光素子において、該有機化合物層の少なくとも一層が、下記一般式（Ｉ）で示される化合物の少なくとも１種を含有してなることを特徴とする有機電界発光素子である。 - 特許庁

To provide a method for efficiently removing active hydrogen oxide (the one present as a hetero element-containing functional group such as COOH, CHO and OH) present in a carbon material at a relatively low temperature, and to provide a carbon active material suitable for a polarizable electrode including an electric double layer capacitor.例文帳に追加

本発明は、炭素材中に存在する活性酸化水素（例えば、ＣＯＯＨ、ＣＨＯ、ＯＨなどのような含ヘテロ元素官能基として存在している）を、比較的低温で、かつ効率的に除去する方法を提供し、また、電気二重層キャパシタをはじめとする分極性電極に適した炭素活物質を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a positive electrode active material for lithium secondary battery and manufacturing method for the active material, wherein the positive electrode active material consists of a core containing lithium compound and a surface processed layer formed on the core and containing one or more coating substances selected from the group comprising hydroxide, oxyhydroxide, oxycarbonate, and hydroxycarbonate of a coating element.例文帳に追加

本発明はリチウム二次電池用正極活物質及びその製造方法に関するものであり、この正極活物質はリチウム化合物を含む、コア及びコア上に形成されたコーティング元素のヒドロキシド、オキシヒドロキシド、オキシカーボネート及びヒドロキシカーボネートからなる群より選択される少なくとも一種以上のコーティング物質を含む表面処理層からなる。 - 特許庁

To provide a polymerizable composition which has high light-shielding properties in an infrared region and high translucency in a visible light region, and with which a pattern having excellent resolution in alkali development can be formed, and which has excellent temporal stability, as well as photosensitive layer, a permanent pattern, a wafer level lens, a solid state imaging element and a pattering method using the composition.例文帳に追加

赤外領域における遮光性が高く、可視光領域における透光性が高く、かつ、アルカリ現像による解像性に優れたパターンを形成可能であり、更には、経時安定性に優れた重合性組成物、並びに、これを用いた感光層、永久パターン、ウエハレベルレンズ、固体撮像素子、及び、パターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a highly sensitive and highly reliable solid state imaging element by flattening a surface without generating the deterioration of an yield while securing the degree of freedom in a process as it is, and improving the working accuracy of a photodiode unit even upon microfabrication, pixel increasing and enlarging, in an electric charge transfer device employing an electric charge transfer electrode of a single layer structure.例文帳に追加

単層構造の電荷転送電極を用いた電荷転送装置において、微細化、多画素化、大型化に際しても、工程の自由度を確保したままで歩留まり低下を生じることなく、表面の平坦化をはかり、フォトダイオード部の加工精度の向上をはかることにより、高感度で信頼性の高い固体撮像素子を提供する。 - 特許庁

To provide a biodegradable resin composition having a high biodegradation rate and excellent heat resistance (blocking resistance) by including composite layer multiple hydroxide particle powder composed of a nontoxic element or compound and usable for various kinds of containers, various kinds of packaging films, agricultural mulch films, etc.例文帳に追加

本発明は、無害な元素又は化合物から構成された複合層状複水酸化物粒子粉末を含有させることによって、生分解速度が大きく、耐熱性（耐ブロッキング性）に優れた生分解性樹脂組成物を得るものであり、当該生分解性樹脂組成物は、各種容器、各種包装用フィルム、農業用マルチフィルム等に用いることができる。 - 特許庁

A piezoelectric oscillation gyro module 1 is provided with the piezoelectric oscillation gyro element 2, having an electrode pad taken from a detecting oscillation arm and a driving oscillation arm, a metal bump 10 formed on an upper face of the electrode pad, and a central base 4 having the metal bump 10; and a flexible board 3, having a lead 12 overlying the surface of a base film 11 via an adhesive layer 13.例文帳に追加

圧電振動ジャイロモジュール１は、検出用振動アーム及び駆動用振動アームから引き出された電極パッド及びその上面に形成された金属バンプ１０を中央基部４に有する圧電振動ジャイロ素子２と、ベースフィルム１１の表面に接着層１３を介してリード１２を積層したフレキシブル基板３とを備える。 - 特許庁

The antenna includes a dielectric substrate 25 for an antenna including a layer of a planar element 21 having a side edge portion constituted by either one of a curved line and line segments which are connected to each other while their inclinations are changed stepwise, and a substrate 26 on which the dielectric substrate 25 is placed and a ground pattern 22 having a tapered shape with respect to the dielectric substrate 25 is formed.例文帳に追加

側縁部が曲線と傾きが段階的に変更されて接続された線分とのうちいずれかで構成される平面エレメント２１の層を含むアンテナ用誘電体基板２５と、アンテナ用誘電体基板２５が設置されアンテナ用誘電体基板２５に対して先細り形状を有するグランドパターン２２が形成された基板２６とを含む。 - 特許庁

The high dielectric constant gate insulating film 3 has a first region 3a sectioned from the source layer 6 side end to the upper part of the channel region 2 while spaced apart from the semiconductor substrate 1, and a second region 3b other than the first region 3a wherein the atomic density of metal element in the first region 3a is higher than that in the second region 3b.例文帳に追加

この高誘電率ゲート絶縁膜３は、半導体基板１から離隔しつつソース層６側の端からチャネル領域２上方まで区画された第１領域３ａとこの第１領域３ａ以外の第２領域３ｂとを有し、第１領域３ａ内の金属元素の原子濃度が、第２領域３ｂ内の金属元素の原子濃度よりも高い。 - 特許庁

A stripe width which is at least in a ridge shape is provided directly below and in parallel with a stripe 201, at least in a ridge shape of the reverse side of a nitride semiconductor substrate 5 at the side opposite to a side with element structure, and a light absorbable film 202 for absorbing light with a laser oscillation wavelength which leaked out from a laser waveguide including an active layer is formed.例文帳に追加

素子構造を有する側とは反対の窒化物半導体基板５裏面の少なくともリッジ形状のストライプ２０１の真下であって且つ平行に、少なくともリッジ形状のストライプ幅を有し、活性層を含むレーザ導波路から漏れ出したレーザ発振波長の光を吸収できる光吸収膜２０２が形成されてなる。 - 特許庁

In a reproducing head part 20, a first part 181 consisting of one kind or two kinds or more out of tungstic oxide, titanium oxide, tin oxide, and strontium oxide and having specific resistance of 10 kΩcm or less is provided between an upper shield layer 19 and a MR element and between a pair of electrode layers 17L, 17R.例文帳に追加

再生ヘッド部２０では、酸化タングステン、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化錫および酸化ストロンチウムのうちのいずれか１種または２種以上からなり１０ｋΩ・ｃｍ以下の比抵抗を有する第１部分１８１が、上部シールド層１９とＭＲ素子１５および一対の電極層１７Ｌ，１７Ｒとの間に設けられている。 - 特許庁

An optical pickup device 20 has a light source 21 emitting at least light, an objective lens 24 condensing light emitted from the light source 21 on an information recording surface through a light transmission protecting layer 23, and a case 26 housing a light receiving element 25 receiving reflected light reflected by an optical recording medium 22, or the like.例文帳に追加

光ピックアップ装置２０は、少なくとも光を出射する光源２１と、光源２１から出射された光を、光記録媒体２２の光透過保護層２３を介して情報記録面に集光する対物レンズ２４と、光記録媒体２２によって反射された反射光を受光する受光素子２５とを収容する筐体２６を有する。 - 特許庁

The slitted elastic sealing element 10 is equipped with an elastomer 11 having a slit 14 extending along the piercing direction (x) of a cylindrical member and a resin film 15 including a layer comprising a cyclic olefinic polymer for covering a surface including the puncturing position 16 of the cylindrical member and/or a surface 13 including a piercing position 17.例文帳に追加

本発明のスリット入り弾性封止体１０は、筒状部材の挿通方向ｘに沿って伸びるスリット１４を有する弾性体１１と、筒状部材の穿刺位置１６を含む面１２および／または貫通位置１７を含む面１３を被覆する、環状オレフィン系重合体からなる層を含む樹脂フィルム１５と、を備える。 - 特許庁

The light emitting element comprises a plurality of LED chips 13 emitting light of different colors, an inside resin lens 12 for sealing the LED chips 13, an outside resin lens 11 formed around the inside resin lens 12, and a diffusion layer 18 formed of transparent resin mixed with a scattering material at least above the LED chips 13 of the inside resin lens 12.例文帳に追加

異なる色を発光する複数のＬＥＤチップ１３と、ＬＥＤチップ１３を封止する内側樹脂レンズ１２と、内側樹脂レンズ１２の周囲に形成された外側樹脂レンズ１１と、内側樹脂レンズ１２の少なくともＬＥＤチップ１３の上方に散乱材を混入した透明樹脂で形成した拡散層１８とを備えたものである。 - 特許庁

The via contact 18 is not formed on an area within at least twice or less of the disposing pitch of a diffused layer region from the short side of the first connecting wiring 12 at the end of the first connecting wiring 12 opposed to the end of the lead wiring 16 to the second connecting wiring 13 via an element region 11.例文帳に追加

そして、引出し配線１６が第２の接続配線１３に接続されている端部と素子領域１１を挟んで対向する第１の接続配線１２の端部において、第１の接続配線１２の短辺から拡散層領域の配置ピッチの少なくとも２倍以内の領域にはビアコンタクト１８が形成されていない構成とする。 - 特許庁

To provide a method and system for depositing a metal oxide, in which deposition is performed with good film characteristics on an organic layer while making effective use of the excellent features of the film structure by ordinary sputtering by reducing the kinetic energy possessed by the sputter particles (thin film-constituting atoms) in sputtering and a method and apparatus for manufacturing an organic EL element.例文帳に追加

スパッタリングにおけるスパッタ粒子（薄膜構成原子）の持つ運動エネルギーを軽減することにより、通常のスパッタリングによる優れた膜構造の特徴を活かしつつ有機層上に特性の良い成膜を可能にする、金属酸化物の成膜方法および成膜装置、有機ＥＬ素子の製造方法および製造装置を提供する。 - 特許庁

An A/F sensor includes a sensor element 10 having a solid electrolyte layer and a pair of electrodes sandwiching it, wherein one of the pair of electrodes is used as a gas detection electrode and the other is used as a reference electrode, and generates a sensor output by a current flowing between the pair of electrodes corresponding to the gas concentration of a specific component in a gas under measurement.例文帳に追加

Ａ／Ｆセンサは、固体電解質層及びそれを挟む一対の電極を有し、一対の電極のうち一方をガス検出電極、他方を基準電極とするセンサ素子１０を備え、被検出ガス中の特定成分のガス濃度に応じて一対の電極間に流れる電流によりセンサ出力を生じさせる。 - 特許庁

In the positive electrode material using lithium nickel manganese oxide as a positive active material, a part of a lithium layer is replaced with at least one kind of element selected from alkali metals and alkali earth metals, and the symmetry of the space group of crystals is R-3m.例文帳に追加

リチウムニッケルマンガン酸化物を正極活物質に用いてなる正極材料であって、前記リチウムニッケルマンガン酸化物において、Ｌｉ層の一部がアルカリ金属及びアルカリ土類金属から選ばれる少なくとも１種の元素によって置換されており、結晶の空間群の対称性がＲ−３ｍであることを特徴とする正極材料。 - 特許庁

The plurality of pixels include a switching transistor for controlling writing of the image signal to the pixels, a light emitting element having a pixel electrode, a common electrode provided with the common potential, and an electroluminescent layer provided between the pixel electrode and the common electrode, and a driving transistor for controlling electric potential of the pixel electrode according to the image signal.例文帳に追加

そして、複数の画素は、画素への画像信号の書き込みを制御するスイッチング用トランジスタと、画素電極、共通電位の与えられる共通電極、及び画素電極と共通電極の間に設けられた電界発光層を有する発光素子と、画像信号に従って画素電極の電位を制御する駆動用トランジスタと、を有する。 - 特許庁

To provide a nitride compound semiconductor light emitting element which can greatly shift its light emitting wavelength to a long wavelength, even if having e.g. an InxGa1-xN light emitting active layer or a lower mixed crystal ratio of In, has a sufficient life and can select the light emitting wavelength in a wide wavelength range from blue to red, etc.例文帳に追加

例えば、Ｉｎ_xＧａ_1-xＮを発光活性層に持つ発光素子においても、低いＩｎの混晶比でも、長波長側に大きく発光波長をシフトさせる事が可能になり、十分な寿命を有し、且つ青色から赤色など幅広い波長領域において発光波長を選択することができる窒化物半導体発光素子を提供すること。 - 特許庁

Semiconductor device includes a field effect transistor having a gate electrode comprised of side wall insulating films on a plurality of active regions, and a wiring formed on an element isolation region by using the same material as the gate electrode where the side wall insulating films are selectively removed and then a silicide layer thicker than that of the gate electrode is formed.例文帳に追加

半導体装置は、複数の活性領域にサイドウォール絶縁膜を備えたゲート電極を持つ電界効果トランジスタを有し、素子分離領域上にゲート電極と同一材料を用いて形成された配線を有し、素子分離領域上ではサイドウォール絶縁膜が選択的に除去され、ゲート電極のシリサイド層より厚いシリサイド層が形成される。 - 特許庁

In order to constitute an LDD region having a gradient of impurity concentration as described, a tapered gate electrode 119 is provided to energize ionized impurity element for conductive control through electric field, and to include it to a semiconductor layer via the gate electrode 119 and a gate insulating film 130.例文帳に追加

このような不純物元素の濃度勾配を有するＬＤＤ領域２１１を形成するために、本発明ではテーパー部を有するゲート電極１１９を設け、イオン化した導電型制御用の不純物元素を、電界で加速してゲート電極１１９とゲート絶縁膜１３０を通過させて半導体層に添加する方法を用いる。 - 特許庁