「element layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(362ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide electrode paint for producing composite particles where a conductive assistant is applied uniformly to the surface of an active substance with high productivity by dispersing the conductive assistant, as desired, into solvent, composite particles employing it, an electrode having an electrode layer formed of such composite particles, and an electrochemical element having such an electrode.例文帳に追加

溶媒に導電助剤を所望のように分散させることによって、高い生産性をもって、活物質の表面に導電助剤が均一に付着した複合化粒子を製造することができる電極塗料、それを用いた複合化粒子、かかる複合化粒子によって形成された電極層を有する電極、ならびに、かかる電極を備えた電気化学素子を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of suppressing the excess growth of the metal silicide of the peripheral part of an element isolating film to a bump-like state when the metal silicide is formed by a salicide technology, and reducing a leakage current in a connecting interface of a diffused layer generated by the excess metal silicide and to provide the semiconductor device.例文帳に追加

サリサイド技術により金属シリサイドを形成する際に素子分離膜の周辺部分の金属シリサイドが瘤状に過剰成長するのを抑制することができ、過剰な金属シリサイドにより発生する拡散層の接合界面におけるリーク電流を低減することができる半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

A nitride semiconductor laser element 10 is constituted so that the main surface of the nitride semiconductor substrate 101 is a (1-100) surface, a resonator end surface intersects with the main surface, in a cleavage constituting the resonator end surface, a digging portion 115 which is a digging region opened toward the nitride semiconductor layer surface is formed aside of at least one side of a stripe type waveguide.例文帳に追加

窒化物系半導体レーザ素子１０は、窒化物半導体基板１０１の主面が（１−１００）面であり、共振器端面は、主面に直交し、共振器端面を構成する劈開面において、ストライプ状導波路の少なくとも片側の脇に、窒化物半導体層表面に向けて開口した掘り込み領域である掘り込み部１１５を備える構成とする。 - 特許庁

The nitride system semiconductor laser element 100 comprises: the nitride semiconductor substrate 101 having a main surface of (11-20) surface; a resonator end surface orthogonal to the main surface; and an excavating part 114 as an excavating region for opening to the surface of the nitride semiconductor layer at least at one side of a stripe-shaped waveguide on a cleaving surface comprising the resonator end surface.例文帳に追加

窒化物系半導体レーザ素子１００は、窒化物半導体基板１０１の主面が（１１−２０）面であり、共振器端面は、主面に直交し、共振器端面を構成する劈開面において、ストライプ状導波路の少なくとも片側の脇に、窒化物半導体層表面に向けて開口した掘り込み領域である掘り込み部１１４を備える構成とする。 - 特許庁

Organic functional material ink is supplied to letterpress convex parts with the use of a printing machine equipped with a plurality of anilox rolls, which then are endowed with at least either the different number of wires, different cell angles, or different sculpturing patterns, and then is transferred from the letterpress to a substrate to form an organic functional layer, in the manufacturing method of the organic functional element.例文帳に追加

複数のアニロックスロールを備え、さらにそのアニロックスロールが、互いに異なる線数、異なるセル角度、異なる彫刻パターン、の少なくともいずれかを備えていることを特徴とする印刷機を用いて、凸版凸部に有機機能性材料インキを供給し、凸版から基板上にインキを転写して有機機能層を形成することを特徴とする有機機能性素子の製造方法。 - 特許庁

The polysilicon film formed like an island as a semiconductor layer 1a constituting a TFT 30 as a switching element is heated by means of a sheet-fed semiconductor manufacturing device using a resistance-heating-type heater as a heat source under temperature conditions for releasing film stress occurring in oxidative reaction on the surface of the polysilicon film to form a gate insulation film 2 made of the silicon oxide film.例文帳に追加

スイッチング素子としてのＴＦＴ３０を構成する半導体層１ａとして島状に形成されたポリシリコン膜に、抵抗加熱式のヒータを熱源とする枚葉式の半導体製造装置を用い、ポリシリコン膜の表面に酸化反応時に発生する膜応力を解放する温度条件で加熱を行ってシリコン酸化膜からなるゲート絶縁膜２を形成する。 - 特許庁

To provide a cleaning composition which can prevent corrosion of the metal layer on a semiconductor substrate, especially of titanium nitride, and can sufficiently remove plasma etching residue or ashing residue produced in the production process thereof by solving a problem peculiar to a cleaning composition containing a hydroxylamine compound adjusted substantially to neutral, and to provide a cleaning method using the cleaning composition and a method of manufacturing a semiconductor element.例文帳に追加

実質的に中性に調整されたヒドロキシルアミン化合物を含有する洗浄組成物に特有の課題を解決し、半導体基板の金属層、特に窒化チタンの腐食を防止し、しかもその製造工程で生じるプラズマエッチング残渣やアッシング残渣を十分に除去することができる洗浄組成物、これを用いた洗浄方法及び半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the semiconductor light emitting element, the pad electrode is disposed at the position except the surface of the light transmissive electrode layer.例文帳に追加

上記課題を解決するために、本発明は、光透過性電極層と電気的に接続され光透過性電極層を通じて半導体層にキャリアを供給するためのキャリア用電極と、キャリア用電極と電気的に接続された、ワイヤーボンディング用のパッド電極とを含む半導体発光素子であって、パッド電極を光透過性電極層の表面以外の位置に配置させた半導体発光素子である。 - 特許庁

The diffraction grating type optical function element has a Bragg diffraction grating formed halfway in an optical path guiding a light signal along the optical path and uses the transmission peak or reflection peak by the diffraction of the grating, and the diffraction grating is formed by irradiating a high-refractive-index glass material layer on a plane substrate with ultraviolet rays and performing a heat treatment at 510 to 850°C for 10 minutes to 24 hours.例文帳に追加

光信号を導波する光路の途中に、当該光路に沿ってブラッグ回折格子が形成され、その格子の回折による透過ピークあるいは反射ピークを利用する回折格子型光機能素子であって、平面基板上の高屈折率ガラス材料層に対する紫外線照射と、５１０〜８５０℃で１０分〜２４時間の熱処理により回折格子を形成する。 - 特許庁

The thin-film capacitor element 10 comprises the thin-film capacitor 15 having a dielectric layer 13 and two electrodes 12 and 14 sandwiching it, external terminals 23 electrically connected to the electrodes respectively, and resistive layers 30 each being provided between the electrode and the external terminal and adjacent to the electrode and having a resistivity larger than that of the adjacent electrode.例文帳に追加

本発明の薄膜キャパシタ素子１０は、誘電体層１３とそれを挟む２つの電極１２，１４を有する薄膜キャパシタ１５と、前記電極と電気的に接続される外部端子２３とを備え、前記電極と外部端子との間に設けられ、前記電極に隣接するとともに、前記隣接する電極よりも大きな抵抗率を有する材料からなる抵抗層３０を有する。 - 特許庁

In the substrate manufacturing apparatus used in a process for forming a thin film such as an organic layer or the like in the organic EL element by bonding liquid droplets to a substrate and irradiating the liquid droplet applied substrate with electromagnetic waves such as infrared rays or the like, the indicated region corresponding to the center parts of the liquid droplets or the peripheral parts or the like thereof are selectively irradiated with the electromagnetic waves.例文帳に追加

基板上に液滴を付着させ、赤外線等の電磁波を照射して有機ＥＬ素子における有機層等の薄膜を形成する工程に用いられる基板製造装置であって、上記基板製造装置は、液滴の中心部又は周囲部等に対応する指定された領域に対して選択的に電磁波を照射するものである基板製造装置である。 - 特許庁

In this waveguide type optical module 100, a heating and cooling element 32 which controls a temperature of the waveguide type optical device 3 is provided on the waveguide type optical device 3 having temperature dependency via a soaking plate 30 and a heat relaxing layer (heat relaxing material within a recessed part 31), and a least a part of the soaking plate 30 comes into contact with the waveguide type optical device 3.例文帳に追加

温度依存性を有する導波路型光素子３上に、均熱板３０および熱緩衝層（凹部３１内の熱緩衝材）を介して導波路型光素子３の温度を制御する加温冷却素子３２が設けられており、均熱板３０の少なくとも一部が導波路型光素子３に接していることを特徴とする導波路型光モジュール１００。 - 特許庁

It also has a capacity element 20 having a lower electrode 21 formed as a part of the first wiring pattern 14, and a capacity insulating film 22 and an upper electrode 23 formed on the lower electrode 21 one by one; and a protection film 24 covering the capacity insulating film 22, the upper electrode 23, and a part of the lower electrode 21, and covered by the second insulating layer 13.例文帳に追加

また、第１の配線パターン１４の一部として形成された下部電極２１、並びに、下部電極２１上に順次に形成された容量絶縁膜２２及び上部電極２３を有する容量素子２０と、容量絶縁膜２２及び上部電極２３と下部電極２１の一部とを覆い、且つ、第２の絶縁層１３によって覆われる保護膜２４とを備える。 - 特許庁

In the solid-state imaging apparatus having a light receiving sensor section 1 of silicon semiconductor, a metal silicide layer 20 having a band gap smaller than that of silicon such as β-FeSi_2 and exhibiting high absorptivity in infrared region is provided on the light receiving surface side of a first conductivity type well region 13 constituting a depletion region which constitutes a photoelectric conversion element in the light receiving sensor section 1.例文帳に追加

シリコン半導体による受光センサ部１を有する固体撮像装置であって、受光センサ部１の光電変換素子を構成する空乏化領域を構成する第１導電型のウエル領域１３の受光面側にβ−ＦｅＳｉ_２等のシリコンに比しバンドギャップが小さく赤外領域に高い吸収性を有する金属シリサイド層２０を設ける。 - 特許庁

A nickel-hydrogen battery includes a negative electrode furnished with hydrogen storage alloy and a positive electrode equipped with a positive electrode active material layer containing a positive electrode active material using as the base material at least either of nickel hydroxide and nickel oxide and an element having such a property as heightening the rate of utilization of the positive electrode active material when added thereto and a property to make segregation when the cyclic number of charge and discharge increases.例文帳に追加

ニッケル水酸化物およびニッケル酸化物の少なくとも一方を基材とする正極活物質と、正極活物質に添加され正極活物質の利用率を高める性質と充電放電のサイクル数が増加すると偏析する性質とをもつ元素とを含む正極活物質相を備た正極と、水素吸蔵合金を備えた負極とを有するニッケル水素電池である。 - 特許庁

In the dye-sensitized solar cell provided with a metal oxide semiconductor electrode made of metal oxide with dyes absorbed on the surface, a charge transfer layer, and an opposing electrode in that order on a conductive base material, the metal oxide contains needle crystal of alkali metal titanate having a platinum-group element on the surface and alkaline earth metal titanate.例文帳に追加

導電性基材上に、色素が表面に吸着された金属酸化物からなる金属酸化物半導体電極と、電荷移動層と、対向電極とを順次有する色素増感型太陽電池において、該金属酸化物が、表面に白金族元素を有するチタン酸アルカリ金属の針状結晶と、チタン酸アルカリ土類金属とを含有することを特徴とする色素増感型太陽電池。 - 特許庁

This integration type multilayer chemical analytical element for measuring the concentration of glucose, cholesterol or lactic acid in blood has a reagent layer 21 containing a composition comprising an oxidase selected from the group consisting of a peroxidase, a leuco pigment having absorption peaks at 600-700 nm wavelengths and exhibiting color development, glucose oxidase, cholesterol oxidase and lactic acid oxidase and having 30-80% porosity.例文帳に追加

ペルオキシダーゼ、６００〜７００ｎｍの範囲の波長に吸収ピークを有する発色を示すロイコ色素、及びグルコースオキシダーゼ、コレステロールオキシダーゼ又は乳酸オキシダーゼからなる群より選ばれる酸化酵素を含む組成物を含有する、空隙率が３０〜８０％の範囲の多孔質材料からなる試薬層を有する全血中のグルコース、コレステロール又は乳酸の濃度測定用一体型多層化学分析要素。 - 特許庁

In a dry etching method, first reaction gas containing hydrogen and second reaction gas containing fluorine are brought into contact with a heating element 110 to generate hydrogen radicals and fluorine radicals, the hydrogen radicals and the fluorine radicals are reacted with the first reaction gas and the second reaction gas to generate etching gas, and a silicon oxide layer on a substrate is etched with the etching gas.例文帳に追加

本実施形態のドライエッチング方法は、水素を含む第１の反応ガスとフッ素を含む第２の反応ガスとを加熱体１１０に接触させることで、水素ラジカルとフッ素ラジカルとをそれぞれ生成し、前記水素ラジカルおよび前記フッ素ラジカルと、前記第１の反応ガスおよび前記第２の反応ガスとを反応させることでエッチングガスを生成し、前記エッチングガスによって基板上のシリコン酸化物層をエッチングする。 - 特許庁

In the surface emitting laser element, at least one of a pair of distributed Bragg reflectors includes a second resonance region 114 that is different from a resonance region 107 made up of an active layer 105 and resonator spacer layers 104, 106, and the second resonance region 114 is provided in the region exclusive of the range from a center of the current injection region to a predetermined distance.例文帳に追加

一対の分布ブラッグ反射器のうちの少なくとも一方の分布ブラッグ反射器は、活性層１０５と共振器スペーサー層１０４，１０６とから構成される共振領域１０７とは別の第２の共振領域１１４を含み、該第２の共振領域１１４は、電流注入領域の中心から所定の距離の範囲を除く領域に設けられている事を特徴としている。 - 特許庁

In the reflective liquid crystal display element comprising a polarizer 11, a birefringent film layer 12, forward scattering film layers 10a, 10b with scarce backward scattering characteristics and with strong forward scattering characteristics and a liquid crystal cell 13 with a mirror reflection plate, the forward scattering film layers are characterized by including at least one film having an angular range of scattering asymmetric with respect to the film normal.例文帳に追加

偏光子11と、複屈折フィルム層12と、後方散乱特性がほとんどなく前方散乱特性が強い前方散乱フィルム層10a，10bと、鏡面反射板を有する液晶セル13とから構成される反射型液晶表示素子において、前記の前方散乱フィルム層には散乱角度範囲がフィルムの法線方向に対して非対称であるものを少なくとも１枚含んでなることを特徴とするものである。 - 特許庁

The image forming element includes an image forming layer and a base, the base includes a closed-cell foam core sheet and upper and lower flange sheets bonded to the core sheet, the upper flange sheet contains an oriented polystyrene or polypropylene polymer, the modulus of the upper flange sheet is 1,000-3,500 MPa and the roughness of the upper surface of the base is <0.4 μm Ra.例文帳に追加

画像形成層とベースとを含んで成る画像形成要素であって、前記ベースが、独立気泡フォームコアシートとそれに接着された上部および下部フランジシートとを含んで成り、前記上部フランジシートが配向ポリスチレンまたはポリプロピレンポリマーを含んで成り、前記上部フランジシートのモジュラスが１０００〜３５００ＭＰａの間であり、前記ベースの上部表面の粗さが０．４μｍＲａ未満である画像形成要素。 - 特許庁

In the liquid crystal display element having a liquid crystal interposed between a pair of substrates, the satisfactory alignment and the satisfactory contrast characteristics can be made compatible with each other and the simplification of the stages and the reduction of the material cost can be provided by forming a protrusion for controlling the alignment and a light shielding layer shielding light on the same substrate by using the same material.例文帳に追加

一対の基板間に液晶を挟持してなる液晶表示素子において、同一基板上に配向を制御する突起物と光を遮光する遮光層が形成されており、前記突起物と前記遮光層を同一材料で形成することにより、良好な配向と良好なコントラスト特性を両立すると共に工程の簡略化と材料費の低減を提供することができる。 - 特許庁

In the organic electroluminescent element having an organic compound layer containing a plurality of luminous layers between a pair of electrodes, each of the plurality of luminous layers contains a luminous material having a mutually different structure, at least one type of the luminous materials is a phosphorescent luminous material, and at least two layers of the plurality of luminous layers contain mutually different host materials.例文帳に追加

一対の電極間に複数の発光層を含む有機化合物層を有する有機電界発光素子にであって、該複数の発光層の各々が相異なる構造を有する発光材料を含み、該発光材料のうち少なくとも１種が燐光発光材料であり、該複数の発光層のうち少なくとも２層が、各々、相異なるホスト材料を含むことを特徴とする有機電界発光素子。 - 特許庁

To provide a cell and a cell plate for a porous metal supporting type solid oxide fuel cell forming a thin film state battery element on a light weight, thin and low cost gas permeating metal substrate provided with reduction resistance and oxidation resistance preventing peeling or cracking of an electrolyte layer due to a difference in heat expansion and furthermore, a fuel cell using them.例文帳に追加

耐還元性及び耐酸化性を備え、軽量、薄肉、且つ安価なガス透過性金属基板に薄膜状の電池要素を形成することができ、ヒートサイクルの繰り返しによっても熱膨張差による電解質層の剥離や割れを防止することができ、耐久性に優れた多孔質金属支持型の固体酸化物形燃料電池用セル及びセル板、さらにこれらを用いた燃料電池を提供する。 - 特許庁

To manufacture a semiconductor device excellent in element characteristics and reliability with high yield by carrying out dry etching of a multilayer film having an SiGe film containing Si and Ge and an oxide film to form a gate electrode pattern and a gate oxide film pattern, and then sufficiently removing dry etched products or particles adhering to a semiconductor substrate without damaging the SiGe layer or the gate oxide film configuring the gate electrode.例文帳に追加

Ｓｉ及びＧｅを含有するＳｉＧｅ膜と酸化膜とを有する積層膜をドライエッチングしてゲート電極パターン及びゲート酸化膜パターンを形成した後、ゲート電極を構成するＳｉＧｅ層とゲート酸化膜とを損傷させることなく、半導体基板上に付着したドライエッチ生成物やパーティクルを十分に除去し、素子特性および信頼性に優れた半導体装置を歩留りよく製造する。 - 特許庁

The light emitting device has a thin film transistor comprising a semiconductor layer having a source, drain and channel regions and a gate electrode, an insulating film disposed on the gate electrode, and a light emitting element on the insulating film, wherein the thin film transistor and a current supply line are electrically connected by a connection wire disposed on the insulating film and made of the same material as a first electrode.例文帳に追加

ソース、ドレインおよびチャネル領域を有する半導体層と、ゲート電極とを有する薄膜トランジスタと、ゲート電極上に設けられた絶縁膜と、絶縁膜上の発光素子とを有する発光装置であって、絶縁膜上に設けられた、第１の電極と同一材料でなる接続配線によって、薄膜トランジスタと電流供給線との電気的な接続をとることを特徴とする。 - 特許庁

This is an organic EL display device in which an organic EL element having a micro resonator structure is arranged two-dimensionally, and comprises a condensing structure for condensing the light emitted from the above micro resonator structure on the light extraction face side of the micro resonator structure along the light extraction direction in order, and a shading layer having an opening, and the above condensed light is transmitted selectively through the opening.例文帳に追加

微小共振器構造を有する有機ＥＬ素子が二次元的に配列された有機ＥＬディスプレイ装置であって、該微小共振器構造の光取り出し面側に、光取り出し方向に沿って順に、前記微小共振器構造から出射した光を集光する集光構造と、開口を有する遮光層とを有し、該開口を通して前記集光された光を選択的に透過させる。 - 特許庁

To provide a light emitting diode element for improving light take-out efficiency and having high light emitting efficiency by forming a cover layer wherein the change of an antireflection effect by the heat generation of a light emitting diode chip is small without the need of microfabrication to a substrate and the light emitting diode chip or an optical member for converging light, and to provide a light emitting diode device using it.例文帳に追加

基板や発光ダイオードチップへの微細加工や集光用光学部材を必要とせず、かつ、発光ダイオードチップの発熱による反射防止効果の変化が小さい被覆層を発光ダイオードチップ上に形成することによって光の取り出し効率を向上させ、高い発光効率を有する発光ダイオード素子およびそれを用いた発光ダイオード装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

The material for forming the optical absorption layer of the solar cell comprises at least one type of oxide selected from an oxide having a perovskite crystal structure represented by formula: an R2CuO4 (wherein R is a rare earth element) and an oxide having a perovskite crystal structure represented by formula: an XZ2Cu3O6 (wherein X is yttrium, lanthanum or praseodymium, and Z is an alkali earth metal).例文帳に追加

一般式：Ｒ_2ＣｕＯ_4（式中、Ｒは希土類元素である）で表されるペロブスカイト型結晶構造を有する酸化物、及び一般式：ＸＺ_2Ｃｕ_3Ｏ_6（式中、Ｘはイットリウム、ランタン又はプラセオジムであり、Ｚはアルカリ土類金属である）で表されるペロブスカイト型結晶構造を有する酸化物から選ばれた少なくとも一種の酸化物からなる太陽電池の光吸収層形成用材料。 - 特許庁

This manufacturing method of a magnetoresistive effect element which has palladium- or manganese-based antiferromagnetic layers 24a and 24b adjacent to a soft magnetic layer 23 comprises a process in which the antiferromagnetic layers 24a and 24b are formed and a process in which antiferromagnetism of at least 30 oersted is given to the antiferromagnetic layers 24a and 25b by heat treatment.例文帳に追加

軟磁性層２３と接してＰｄ、Ｍｎを主成分とする反強磁性層２４ａ，２４ｂが形成されている磁気抵抗効果素子の製造方法であって、反強磁性層２４ａ，２４ｂを形成する工程と、次いで、反強磁性層２４ａ，２４ｂを加熱処理することにより反強磁性層２４ａ，２４ｂに３０エルステッド以上の反強磁性を付与する工程とを有することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a junction element with high joining property of an ion exchange membrane to use as the junction of the separator and the electrode layer preventing output drop of a fuel cell even after a long use using an ion exchange membrane mainly comprising a crosslinked ion exchange resin with high dimensional stability, high heat resistance, and high methanol permeability suitable for the junction in an electrochemical device such as a direct methanol fuel cell.例文帳に追加

直接メタノール型燃料電池等の電気化学的デバイスにおける隔膜−電極接合体として好適な、寸法安定性、耐熱性、メタノール非透過性に優れた架橋型のイオン交換樹脂を主とするイオン交換膜を用いた隔膜−電極接合体において、隔膜であるイオン交換膜と、電極層との接合性がよく、長期間の使用によっても燃料電池出力の低下しない接合体。 - 特許庁

This optical head device 11 includes a diffraction element (HOE) 24 furnished with a diffractive pattern capable of providing such a light spot that the fluctuation of focus error mainly containing a component in the radial direction among reflection laser beams reflected by the optical disk is hardly to occur, on a light receiving face of a photodetector 28 for receiving the reflection laser beams reflected by a recording layer of the optical disk to output a corresponding signal.例文帳に追加

この発明の光ヘッド装置１１は、光ディスクの記録層で反射された反射レーザ光を受光して対応する信号を出力する光検出器２８の受光面に、光ディスクで反射された反射レーザ光のうちのラジアル方向の成分を主として含むフォーカスエラーの変動が生じにくい光スポットを提供可能な回折パターンが与えられた回折素子（ＨＯＥ）２４を含む。 - 特許庁

In the manufacturing device of the organic EL display device covering a part of or a whole organic EL layer with a film by evaporation and covering at least one electrode of the organic EL element with a film by sputtering, an evaporation source 3 used for evaporation and a target 4 are provided in one chamber 1, where the evaporation and the sputtering are performed without moving a substrate 2 of the organic EL display device.例文帳に追加

有機ＥＬ層の一部又は全部を蒸着によって成膜し、有機ＥＬ素子の少なくとも１つの電極をスパッタによって成膜する有機ＥＬ表示装置の製造装置であって、１つのチャンバー１に、蒸着に使用される蒸着源３とスパッタに使用されるターゲット４が設けられ、有機ＥＬ表示装置の基板２を移動させずに蒸着とスパッタを行うものである。 - 特許庁

With the organic EL element 1 containing a laminate 10 pinching an organic layer 8 with a transparent electrode (anode) 3 and a back plate (cathode) 9 in a sealed vessel 12 shutting off outside air, the sealed vessel 12 is provided with a storage space S for containing the laminate 10, in which, a drying means 14 is sealed for maintaining a powder state even if moisture is absorbed.例文帳に追加

有機層８を透明電極（陽極）３と背面電極（陰極）９とで挟持した積層体１０を、外気から遮断する気密容器１２内に収納する有機ＥＬ素子１に関し、気密容器１２に積層体１０を収納する収納空間Ｓを備え、収納空間Ｓ内に、水分を吸着することにより吸湿しても粉末状態を維持する乾燥手段１４を封入してなる。 - 特許庁

In this field emission element by forming cathode holes 11 having a prescribed diameter in islands of cathode electrode 2 right under emitter corns 7, the resistance R1 between the emitter corns 7 and the islands of cathode electrode 2 is determined by the film thickness of a resistance layer 4 and the diameter of the cathode holes 11, thereby the resistance R1 can be made larger than the conventional resistance between an emitter and a cathode.例文帳に追加

エミッタコーン７の直下とされる島状カソード電極２に所定径状のカソードホール１１を形成することで、エミッタコーン７と島状カソード電極２との間の抵抗値Ｒ１は、抵抗層４の膜厚とカソードホール１１の径状とによって決定されるものとなるため、エミッタコーン７と島状カソード電極２との間の抵抗値Ｒ１を、従来のエミッタ−カソード間の抵抗値に比べて大きくすることができる。 - 特許庁

The method for making a planographic printing plate by heat developing, without using water in a contact state of a heat-developing silver salt photosensitive element with physical developing nuclei is characterized in that an aluminum plate, having an anodized aluminum layer, is used as the support body and that the coating liquid used is a dispersion in an aqueous system, comprising at least polyvinylalcohol, acryl-based latex and gelatin as a binder.例文帳に追加

熱現像性銀塩感光要素と物理現像核を接触状態で、水を用いることなく、加熱現像する平版印刷版の作成方法において、支持体としてアルマイト層をもつアルミニウム板を用い、かつ該塗液はバインダーとして少なくともポリビニルアルコール、アクリル系ラテックス、及びゼラチンからなる水系に分散された塗液であることを特徴とする平版印刷版の作成方法。 - 特許庁

The pattern region of each layer constituting at least the piezoelectric element 300 is covered by an insulation membrane 100 formed of an inorganic insulation material.例文帳に追加

液滴を吐出するノズル開口にそれぞれ連通する圧力発生室１２が形成される流路形成基板１０と、流路形成基板１０の一方面側に振動板を介して設けられる下電極６０、圧電体層７０及び上電極８０からなる圧電素子３００とを具備し、少なくとも圧電素子３００を構成する各層のパターン領域が、無機絶縁材料からなる絶縁膜１００によって覆われているようにする。 - 特許庁

In the optical element, the base member is formed from a material (glass, metals, ceramics or the like) having a smaller coefficient of linear expansion than the resin which forms the above resin layer.例文帳に追加

連続的な曲面部を有するベース部材Ｂ１と、このベース部材の曲面部上に樹脂（熱硬化型樹脂や紫外線硬化型樹脂）により一体形成され、表面にそれぞれ反射面Ｒ１〜Ｒ３となる互いに不連続な複数の曲面を有する樹脂層Ａ１とを備えた反射光学素子において、ベース部材を上記樹脂層を形成する樹脂よりも線膨張係数が小さな材料（ガラス、金属、セラミック等）により形成する。 - 特許庁

In the organic photoelectric conversion element having the photoelectric conversion layer made of at least one kind of electron donative material and electron acceptive material between a pair of electrode at least one of which is transparent or translucent, the electron acceptive material contains a metal fine particle and/or a metal oxide fine particle surface-modified with a fullerene derivative.例文帳に追加

少なくとも一方が透明又は半透明である一対の電極間に、少なくとも一種の電子供与性材料及び電子受容性材料からなる光電変換層を有する有機光電変換素子において、前記電子受容性材料が、フラーレン誘導体によって表面修飾された金属微粒子及び／又は金属酸化物微粒子を含むことを特徴とする有機光電変換素子である。 - 特許庁

In the photosensitive element having a plastic film A, a photosensitive resin layer and a plastic film B in this order for forming a photosensitive resin pattern on a substrate, the plastic film A is a polyethylene terephthalate film or a polypropylene film and is removed in sticking to the substrate and the thickness of the plastic film A is larger than that of the plastic film B.例文帳に追加

基板上に感光性樹脂パターンを形成するための、プラスチックフィルムＡ、感光性樹脂層、プラスチックフィルムＢをこの順で有する感光性エレメントにおいて、前記プラスチックフィルムＡがポリエチレンテレフタレートフィルム又はポリプロピレンフィルムであり、前記プラスチックフィルムＡは基板貼り合わせ時に除去されるフィルムであり、前記プラスチックフィルムＡの厚さが前記プラスチックフィルムＢの厚さよりも厚い感光性エレメント。 - 特許庁

To provide a semiconductor device wherein an element structure is refined and reliability is improved by being provided with an uniformly formed gate insulating film together with a refined semiconductor layer, and its manufacturing method, and to provide a display device wherein high definition display is possible and the reliability is improved by using the semiconductor device, and its manufacturing method.例文帳に追加

微細化された半導体層と共に均一に成膜されたゲート絶縁膜を備え、これにより素子構造の微細化と共に信頼性の向上が図られた半導体装置およびその製造方法を提供すること、さらにはこの半導体装置を用いることにより高精細な表示が可能で信頼性の向上が図られた表示装置およびその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a ceramic wiring board in which a semiconductor component and a wiring structure can be formed conveniently with high precision even if the wiring structure is complicated or shrunk due to reduction in size or high integration of the semiconductor component being mounted, a dielectric layer around a conductor element is scarcely deformed, and flatness on the major surface of a substrate for forming component connection pads can be enhanced.例文帳に追加

実装される半導体部品の小型化ないし高集積化に伴い、組み込まれる配線構造が複雑化ないし微細化しても、これらを簡便かつ高精度に形成でき、また、導体要素の周囲にてセラミック誘電体層の変形がほとんど生じず、部品接続用のパッドが形成される基板主表面の平坦性を大幅に向上できるセラミック配線基板を提供する。 - 特許庁

The thermoelectric conversion element includes a pair of p and n thermoelectric semiconductors 14 and 15 which are sandwiched between a pair of electrodes 11 and 12 facing each other and includes a metal for reducing the degree of anisotropy of heat conduction and electrical conductivity between the electrodes and the thermoelectric semiconductors and has a stress-relaxing layer which includes carbon nanotubes 13, to which flexibility is imparted by introducing a proper quantity of gaps.例文帳に追加

対向する一対の電極１１，１２に挟まれたｐ、ｎ熱電半導体対１４，１５からなる熱電変換素子であって、該電極と該熱電半導体間に熱伝導と電気伝導性の異方性を少なくする金属を内包すると共に、適量の空隙を導入して可撓性を付与したカーボンナノチューブ１３からなる応力緩和層を有することを特徴とする熱電変換素子。 - 特許庁

In the display element, an electrolytic layer containing silver or a compound containing silver in a chemical structure is provided between counter electrodes, and an electric field is applied between the counter electrodes to cause dissolution and deposition of silver and display an image.例文帳に追加

対向電極間に、銀または銀を化学構造中に含む化合物を含有する電解質層を有し、該対向電極間に電界を与えることで銀の溶解析出が生じ、画像表示を行う表示素子において、該電解質層が、下記一般式（Ｇ−１）または（Ｇ−２）で表される化合物を含有し、ハロゲンイオンを実質的に含有せず、かつ銅または銅を化学構造中に含む化合物を含有することを特徴とする表示素子。 - 特許庁

A method of manufacturing an SiC semiconductor element includes steps of: doping a surface layer of an SiC substrate 1 with an impurity; depositing a carbon film 2 on a surface of the SiC substrate doped with the impurity in an inert gas atmosphere; annealing the SiC substrate having the carbon film deposited; and removing the carbon film deposited on the annealed SiC substrate.例文帳に追加

ＳｉＣ基板１の表面層に不純物のドーピングを行なう工程と、不純物がドーピングされたＳｉＣ基板の表面に、不活性ガス雰囲気中でカーボン膜２を堆積する工程と、カーボン膜が堆積されたＳｉＣ基板をアニール処理する工程と、アニール処理されたＳｉＣ基板に堆積されているカーボン膜を除去する工程とを含むことを特徴とするＳｉＣ半導体素子の製造方法。 - 特許庁