「embedded Type」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a ceiling embedded type indoor unit structure of air conditioner in which the number of parts and the cost can be reduced by making possible to use panel members commonly.例文帳に追加

パネル部材の共用化を可能にして、部品点数及びコストの低減を可能にした空気調和装置の天井埋込型室内ユニット構造を提供する。 - 特許庁

To provide an embedded type sensor base capable of evading a sensor from being short-circuited between terminals thereof by infiltration of water into the sensor, even when water leakage is generated in a ceiling.例文帳に追加

天井内で漏水が発生した場合でも、感知器内に水が浸入して感知器の端子間がショートするのを回避することができる埋込型感知器ベースを得る。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device having an embedded gate electrode in a memory cell region and a planar-type gate electrode and a through electrode in a peripheral circuit region.例文帳に追加

メモリセル領域に埋め込みゲート電極を有し、周辺回路領域にプレーナ型ゲート電極と貫通電極を有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

This nonvolatile semiconductor storage element is provided with an n+ type drain layer 3 formed in a first region on an embedded oxidized layer 2 formed on a semiconductor substrate.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶素子は、半導体基板の上に形成される埋め込み酸化層２の上の第１領域に形成されるｎ＋型ドレイン層３を備える。 - 特許庁

The rotor 5 consists of a cage type secondary conductor 5B fitted around a rotor yoke section 5A, and a permanent magnet 31 embedded in the rotor yoke section 5A.例文帳に追加

回転子５は、回転子継鉄部５Ａの周辺部に設けられた籠型２次導体５Ｂと、回転子継鉄部５Ａに埋め込まれた永久磁石３１とから構成する。 - 特許庁

The rod type keys 5 have base ends 5a which are normally protruded and exposed to the outside of the case 4a but are embedded in the case 4a at the time of locking.例文帳に追加

ロッド形キー５は、その基端５ａを平常時は施錠装置４のケース４ａ外に突き出させて露出させると共に、ロック時はケース４ａ内に埋没可能に設ける。 - 特許庁

Ions are implanted with conductor layer patterns 114b as a mask to form an embedded type impurity diffusion layer 120 near the surface of the semiconductor substrate between the patterns 114b.例文帳に追加

導電層パターン１１４ｂをマスクとしてイオン打ち込みを行い、これらの間の半導体基板の表面近傍に埋め込み型不純物拡散領域１２０を形成する。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a mask ROM, capable of reducing a cell array region by efficiently reducing the pitch of an embedded type impurity diffused region.例文帳に追加

埋込型不純物拡散領域のピッチを効率的に縮小することにより、セルアレイ面積を縮小することができるマスクＲＯＭの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a ceiling embedded type air conditioner having a structure of drain cap where drain water can be discharged or stored without applying or removing a drain cap.例文帳に追加

本発明は、ドレンキャップを着脱せずとも、ドレン水を排水及び貯水することができるドレンキャップの構造を備えた天井埋込型空気調和機を提供する。 - 特許庁

A core part of the column is provided as a column whose base part is embedded in a foundation so as to be self-supported, whose head part serves as a free end, and which is a cantilever type in itself.例文帳に追加

その芯部を、脚部が基礎に埋設されて自立するとともに頭部が自由端とされてそれ自体がキャンティレバー形式の堀立柱として設ける。 - 特許庁

To provide a monitor for, even in the case of making a touch sensor type button embedded in a frame function as any button, letting a user know its existence and function.例文帳に追加

フレームに埋設されたタッチセンサ式ボタンを如何なるボタンとして機能させる場合であっても、その存在および機能をユーザに知らしめることができるモニタを提供する。 - 特許庁

An interval 12a, between a first N-type embedded diffused layer 2 and a second N-type diffused layer 3 formed on the surface of a P-type semiconductor substrate 1, is adjusted so that the fluctuations of a punch-through voltage becomes smaller according to the impurity concentration of the substrate 1.例文帳に追加

Ｐ型半導体基板１の表面に形成された第１のＮ型埋め込み拡散層２と第２のＮ型埋め込み拡散層３との間隔１２ａは、Ｐ型半導体基板１の不純物濃度に応じてパンチスルー電圧のばらつきが小さくなるように調整される。 - 特許庁

The semiconductor device is formed with P-type embedded diffusion regions 4 discretely connected to a partial bottom face of the P-type body region 3, each extending in a direction parallel to the substrate surface, and having high concentration relative to that of the N-type drift region 5 so that respective tips reach the inside of the drift region 5.例文帳に追加

そして、Ｐ型ボディ領域３の一部底面に離散的に連結すると共に、それぞれが基板面に平行な方向に延伸し、各先端がドリフト領域５内に達するよう、Ｎ型ドリフト領域５より高濃度のＰ型埋め込み拡散領域４が形成される。 - 特許庁

Multiple destination profiles in which paper type information indicating the paper type of an output color chart being embedded according to a predetermined rule is acquired (step S26) and paper type information is extracted from each of the multiple destination profiles acquired (step S27).例文帳に追加

カラーチャート出力時の紙種を示す紙種情報が予め定められた規則に則って埋め込まれている複数のデスティネーションプロファイルを取得し（ステップＳ２６）、当該取得された複数のデスティネーションプロファイルのそれぞれから紙種情報を抽出する（ステップＳ２７）。 - 特許庁

In an RESURF MOSFET, an n-type upper diffusion area 115 that has higher n-type impurity concentration than that in other parts of a drift area 102 is provided between a drain area 109 and a drift embedded area 114 on the surface of an n-type drift area 102.例文帳に追加

ＲＥＳＵＲＦＭＯＳＦＥＴにおいて、Ｎ型ドリフト領域１０２の表面部におけるドレイン領域１０９とドリフト埋め込み領域１１４との間に、ドリフト領域１０２の他の部分と比べてより高いＮ型不純物濃度を有するＮ型上部拡散領域１１５が設けられている。 - 特許庁

To provide an embedded permanent magnet type rotary electric machine capable of reducing a cogging torque, a torque ripple and a reluctance torque and improving a torque output and having the cogging torque and current-torque characteristics same as those of a surface magnet type permanent magnet type rotary electric machine.例文帳に追加

コギングトルク、トルクリップル、リラクタンストルクを低減し、トルク出力を高めるとともに、コギングトルクや電流-トルク特性は、表面磁石型永久磁石式回転電機と同等の特性を有する埋め込み型永久磁石式回転電機を提供することを目的とする。 - 特許庁

In a semiconductor device for the electrostatic protection of an SCR structure formed in an SOI substrate, an embedding n^+-type region 12 is formed on an embedded insulating film 11, and an anode n-type region 20 and a cathode p-type region 21 include extended regions 20a and 21a.例文帳に追加

ＳＯＩ基板に形成されたＳＣＲ構造の静電気保護用半導体装置において、埋め込み絶縁膜１１上に埋め込みｎ^+ 型領域１２を形成し、アノードｎ型領域２０、カソードｐ型領域２１は、延長領域２０ａ、２１ａを備えている。 - 特許庁

A selection insulating film 14, formed of silicon oxide is formed on the front side of the semiconductor region 3a, while being embedded in the depth direction of the n-type semiconductor region 3a, and the n-type semiconductor region 3a becomes smaller in thickness as compared to that of the p-type semiconductor region 3b.例文帳に追加

ｎ形半導体領域３ａの表面側にｎ形半導体領域３ａの深さ方向に埋め込まれた形でシリコン酸化膜からなる選択絶縁膜１４が形成され、ｎ形半導体領域３ａの厚みがｐ形半導体領域３ｂの厚みに比べて薄くなる。 - 特許庁

To provide a construction technology of a non-embedded type column base capable of more efficiently reinforcing proof stress of a column base section, maintaining good workability having a non-embedded type column base structure and, at the same time, by effectively using a downward region of a base plate while utilizing a special property in terms of strength constituted by combining the base plate with anchor bolts.例文帳に追加

非埋込み型柱脚構造の有する良好な施工性を維持するとともに、その非埋込み型柱脚構造におけるベースプレートとアンカーボルトとの組合わせからなる強度的な特性を活かしながらベースプレートの下方領域を有効利用して、より効率的に柱脚部の耐力を補強し得る非埋込み型柱脚の施工技術を提供する。 - 特許庁

To provide a two-way ceiling-embedded air conditioner taking over a function and a design required for a two-way cassette type based on a superior structure as a four-way cassette type air conditioner, and improving the air conditioning performance.例文帳に追加

４方向カセット型の空調機としての優れた構造を基本に、２方向カセット型に求められる機能、デザイン性を継承するとともに、空調性をも向上させた２方向天井埋込型空気調和装置を提供する。 - 特許庁

An N-type low-concentration drain region 3, a source region 5, a drain ohmic region 7, a P-type channel region 9, and an ohmic channel region 11 are formed in a silicon layer 1c at a depth reaching an embedded oxide film 1b.例文帳に追加

シリコン層１ｃに、埋め込み酸化膜１ｂに達する深さで、Ｎ型の低濃度ドレイン領域３、ソース領域５、ドレインオーミック領域７、及びＰ型のチャンネル領域９、オーミックチャンネル領域１１が形成されている。 - 特許庁

To provide an embedded-type mail box with satisfactory appearance even in the case of use in an independent-type mode by eliminating a joint between the box-shaped main body part and the hood part of the mail box and improving the watertightness of the box-shaped main body part.例文帳に追加

郵便受け箱の箱状本体部と庇部との繋ぎ目を無くし、箱状本体部の水密性を高め、独立タイプの態様として使用した場合においても、外観の良好な埋め込みタイプの郵便受け箱を提供する。 - 特許庁

By rapidly eliminating the depletion of the p+-type embedded layer 9 by injection holes from the p+-type carrier injection layer 10, the turn-on time can be shortened and a high speed operation is made possible, and additionally, switching loss is made small.例文帳に追加

このｐ＋型キャリア注入層１０からホールの注入により、ｐ＋型埋込み層９の空乏化を速やかに解消することにより、ターンオン時間を短縮し、高速動作を可能ににすると共に、スイッチング損失を小さくする。 - 特許庁

The conductive bonding layer 121 is formed so as to be embedded in the groove 114b of the semiconductor laser element portion 110 and to be embedded in a space from the ridge portion 114a and the support portion 114c of the semiconductor laser element portion 110 to the p-type Ge substrate 100.例文帳に追加

そして、導電性接着層１２１は、半導体レーザ素子部１１０の溝部１１４ｂを埋め込むとともに、半導体レーザ素子部１１０のリッジ部１１４ａおよび支持部１１４ｃと、ｐ型Ｇｅ基板１００との間の空間を埋めるように形成されている。 - 特許庁

The channel stopper 40 comprises a core 42, comprising phosphorus glass embedded in the channel formed deep near the separation wall 30 by etching, etc., and a channel-stop layer 44 in an N-type region formed by applying heat to the embedded phosphorus glass, and the phosphorus is diffused around the channel.例文帳に追加

チャンネルストッパ４０は、エッチングなどにより分離壁３０近傍に深く形成した溝に埋め込まれたリンガラスからなるコア４２と、埋め込んだリンガラスに熱を加えてリンを溝の周囲に拡散させて形成したＮ型領域のチャンネルストップ層４４とにより形成する。 - 特許庁

The transducer has a photodiode and an insulation gate-type transistor; the embedded region 8 of high impurity concentration for collecting charges generated in the photodiode is arranged, in a well 13 below the gate electrode of the transistor; and the embedded region 8 is self-matched with the source side end part of the gate electrode 2.例文帳に追加

フォトダイオードと絶縁ゲート型トランジスタを有し、そのトランジスタのゲート電極下方のウエル１３内に、フォトダイオードで発生した電荷を集めるための高不純物濃度の埋め込み領域８を設け、その埋め込み領域８をゲート電極２のソース側端部に自己整合させる。 - 特許庁

The MOS type gates Mgx1 and MOS type storing gates Mccd of all pixels are turned on at once, and charges stored in the photodiodes PD of the pixels are transferred to a substrate region (an N type layer 23 forming an embedded channel) directly below the storing gates Mccd through corresponding MOS type gates Mgx1 in all pixels and stored and held in the substrate region ((C)).例文帳に追加

全画素のＭｇｘ１及びＭｃｃｄがそれぞれ一斉にオンとされ、全画素のフォトダイオードＰＤに蓄積されていた電荷が全画素で対応するゲートＭｇｘ１を通して、ＭＯＳ型蓄積用ゲートＭｃｃｄの直下の基板領域（埋め込みチャネルを形成するＮ^−層２３）に転送されて蓄積、保持される（（Ｃ））。 - 特許庁

Then, the deep p-type implantation region is annealed up to a surface of the silicon carbide surrounding the shallow n-type implantation region at temperature and time sufficient for lateral diffusion without vertically diffusing the embedded deep p-type implantation region up to the silicon carbide substrate surface through the shallow n-type implantation region.例文帳に追加

その後、前記深いｐ型注入領域を前記浅いｎ型注入領域を囲む炭化シリコン表面まで、該埋め込まれた深いｐ型注入領域を該浅いｎ型注入領域を通って炭化シリコン基板表面まで縦方向に拡散させることなく、側方拡散させるのに十分な温度及び時間でアニールする。 - 特許庁

The semiconductor device 20 is provided with a trench 3 formed in an n-type well region 2a of an epitaxial layer 2, an embedded electrode 5 formed inside the trench 3, and a bidirectional zener diode which is formed in a p^--type region 2b of the epitaxial layer 2 and is composed of a plurality of n^+-type diffusion regions 7 and p^+-type diffusion regions 8.例文帳に追加

この半導体装置２０は、エピタキシャル層２のｎ型ウェル領域２ａに形成されたトレンチ３と、トレンチ３の内面上に形成された埋め込み電極５と、エピタキシャル層２のｐ^-型領域２ｂに形成され、複数のｎ^+型拡散領域７およびｐ^+型拡散領域８によって構成された双方向ツェナーダイオードとを備えている。 - 特許庁

A grating 30, constituted of an n-type AlGaN layer, is formed by a selective growth method using lateral growth via a selective growth mask 32 formed of a dielectric film on the n-type AlGaN clad layer 18, and embedded by the n-type GaN optical waveguide layer 20 whose index of refraction is different from that of the n-type AlGaN layer.例文帳に追加

ｎ型ＡｌＧａＮ層からなる回折格子３０は、誘電体膜で形成された選択成長マスク３２を介してｎ型ＡｌＧａＮクラッド層１８上にＡｌＧａＮの横方向成長性を利用した選択成長法により設けられ、ｎ型ＡｌＧａＮ層とは屈折率の異なるｎ型ＧａＮ光導波層２０で埋め込まれている。 - 特許庁

To provide an installation structure for a connection box, which can make heat radiation of a directly embedded type power cable efficient, and can reduce the width of a joint bay.例文帳に追加

直接埋設式電力ケーブルの放熱を効率化すると共に接続箱が収納されるジョイントベイの幅を小さくすることができる接続箱の設置構造を提供する。 - 特許庁

To provide an embedded type hub built-in rosette with beautiful outward appearance and safety capable of constructing a LAN with excellent installation workability, and adapted to wire accessories in compliance with the JIS standards.例文帳に追加

美観性と安全性を備え且つ施工性の良好なＬＡＮの構築を可能にし、ＪＩＳ規格適合配線器具に対応した埋め込み型ＨＵＢ内蔵ローゼットを提供する。 - 特許庁

To provide a ceiling embedded type air conditioner capable of completing work during installation and maintenance for a short time and suppressing generation and growth of slime caused by bacteria.例文帳に追加

据付やメンテナンスの時の作業を短時間で終わらすことができ、且つ細菌によるスライムの生成、成長を抑制することができる天井埋込形空気調和機を提供する。 - 特許庁

To improve a breakdown voltage of a semiconductor device having a lateral MOS transistor structure of a trench gate type configured to have an embedded layer arranged in a region separated from other elements.例文帳に追加

素子間分離された領域に埋込層を配して構成したトレンチゲートタイプの横型ＭＯＳトランジスタ構造を有する半導体装置において耐圧性に優れたものとする。 - 特許庁

Therefore, the strength of the rotor 3 is increased by preventing stress concentration from occurring on the rotor core 7, and the torque of the permanent magnet embedded type motor 1 is increased because of the cavity portion 11.例文帳に追加

これにより、ロータコア７での応力集中が防止されてロータ３の強度がアップし、空隙部１１の存在により永久磁石埋込型モータ１のトルクもアップする。 - 特許庁

A vertical-type field effect transistor includes a semiconductor layer 2 having multiple trenches 10 with a stripe geometry, a gate electrode 50 partially embedded in the multiple trenches 10, base regions 20 and 21, and a source region 25.例文帳に追加

ストライプ状の複数のトレンチ１０を有する半導体層２と、複数のトレンチ１０に部分的に埋め込まれたゲート電極５０と、ベース領域２０，２１と、ソース領域２５とを備える。 - 特許庁

To reduce parasitic capacity other than an active layer in order to cope with a high speed modulation in an embedding hetero type semiconductor light element, in which the active layer is embedded in a semi-insulation semiconductor.例文帳に追加

活性層を半絶縁半導体で埋め込む、埋め込みヘテロ型半導体光素子において、高速変調動作に対応するべく、活性層以外の寄生容量を低減する。 - 特許庁

To provide an embedded ridge type semiconductor laser in which the crystalline deterioration of a third upper clad layer is prevented when a current block layer contains Al, an operating voltage is low and an efficiency is high.例文帳に追加

電流ブロック層がＡｌを含む場合における、第３上部クラッド層の結晶性劣化を防止し、動作電圧が低く高効率な埋込リッジ型半導体レーザを提供する。 - 特許庁

To provide a ceiling-embedded type illumination fixture in which a space necessary for working under the roof is decreased, and heat interference caused by a lighting device and a lamp is decreased.例文帳に追加

施工時に必要な天井裏のスペースを減少させるとともに、点灯装置とランプとによる熱干渉を減少させた天井埋込型照明器具を提供することを目的とする。 - 特許庁

Besides, just before the waveguide is embedded by a current block layer 11, an active layer 4 is removed by etching so that the end face injection type semiconductor laser with window structure can be prepared.例文帳に追加

また、導波路を電流ブロック層１１で埋め込む直前に、活性層４をエッチングにより除去する事で、窓構造付で端面非注入な半導体レーザが簡便に作成できる。 - 特許庁

In the manufacturing method of an insulated gate type semiconductor device, after a forming gate trench 21, an insulating layer wherein impurities are not doped to the gate trench 21, namely a non-doped, is embedded.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法では，ゲートトレンチ２１を形成した後，ゲートトレンチ２１に対して不純物をドープしない，いわゆるノンドープの絶縁膜の埋め込みを行う。 - 特許庁

The dose emitted to a local site in the living organism is measured in the real time by the intracorporeal embedded type real time micro dosimeter device comprising constitution described hereinbefore.例文帳に追加

以上の構成から成る体内埋め込み型のマイクロ線量計装置により生体内の局所に照射される放射線線量をリアルタイムに計測する事が可能となる。 - 特許庁

In a trench capacitor 40, a substrate 60 is provided with a trench 44, an embedded plate electrode 42, a node dielectric 46, an oxide collars 48, trench electrode materials 50, and a conductive type strap 56.例文帳に追加

トレンチ・コンデンサ４０は、基板６０に、トレンチ４４、埋め込みプレート電極４２、ノード誘電体４６、酸化物カラー４８、トレンチ電極材料５０、導電性ストラップ５６を有する。 - 特許庁

In the semiconductor substrate, a p-type impurity diffusion embedded layer 16 is extendedly provided from the layers 15 to the lower part of the region 6 and the layer 16 becomes one part of the breaking current paths.例文帳に追加

半導体基板においてｐ^+不純物拡散埋込層１５からｐ^+ボディ領域６の下方までｐ不純物拡散埋込層１６が延設され、ブレーク電流経路の一部となる。 - 特許庁

To provide an embedded magnet type motor in which the number of components can be decreased and leakage flux can be reduced while attaining high torque by using many magnets.例文帳に追加

磁石を多く使用して高トルク化を図りながらも、部品点数を低減することができるとともに漏れ磁束を低減することができる埋込磁石型モータを提供する。 - 特許庁