「faster method」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method for producing plants with improved agronomic and nutritional traits which traits include enhanced nitrogen assimilatory/utilization capacities, faster and more vigorous growth, greater vegetative and reproductive yields, and enriched or altered nitrogen content in vegetative and reproductive parts.例文帳に追加

増大した窒素同化／利用能、より速くより活発な成長、より多い栄養体および生殖体の収穫量、そして栄養および生殖部分の富化されたまたは改変された窒素含量が改良された農業および栄養特性を有する植物の作出方法を提供する。 - 特許庁

To provide a remote communication system and method which allow for faster communication by preventing a process receiving and transmitting large failure data between a digital protection relay and a remote monitoring board from being affected by the limitation of data transfer size on a communication protocol.例文帳に追加

デジタル保護リレーと遠隔監視盤との間で大容量の故障データを送受信するプロセスが、通信プロトコル上でのデータ転送サイズの制限に影響を受けることなく、さらに迅速に通信が行われるようにできる遠隔通信システム及び方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a multilayered quantum dot structure having respective layers made faster in growing speed than before by providing a normal GaAs layer having a simple structure as an intermediate layer of a quantum dot layer without growing a strain compensation layer increasing processes, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

工程を増加させる歪補償層を成長させることなく、簡単な構造をとる通常のＧａＡｓ層を量子ドット層の中間層として設け、各層の成長速度を従来のものより早くする多積層量子ドット構造体および製造方法を得る。 - 特許庁

In a method of manufacturing a semiconductor device, in which wiring patterns 20 and 21 and gate electrode patterns 36 and 37 having various pattern densities coexist mixedly, the wiring patterns 20 and 21 and gate electrode patterns 36 and 37 are formed, by dry etching performed under an etching condition such that the etching rate becomes faster as the pattern densities become higher.例文帳に追加

様々なパターン密度を有する配線パターン２０、２１やゲート電極パターン３６、３７が混在する半導体装置の製造方法において、パターン密度が高いほど、エッチング速度が速くなるエッチング条件によるドライエッチングで配線パターンやゲート電極パターンのパターニングを行なう。 - 特許庁

To provide a plasma display panel and its driving method in which the speed of selective discharging that switches discharging cells is made faster and the voltage for the discharging is made lower, preferably luminance during black displaying is suppressed, minimum luminance modulation is made easy and picture quality is improved.例文帳に追加

放電セルをスイッチングする選択的放電を高速化及び低電圧化することができ、好ましくは黒色表示時の輝度を抑制し、最小輝度変調を容易にし、ひいては画質を向上することができるプラズマディスプレイパネル及びその駆動方法を提供する。 - 特許庁

In a super high-speed time-space conversion method for a light signal using four light wave mixing, by using a material having an organic- inorganic composite self-organized quantum well structure as a non-linear material, the method provide such a performance as a response time is 10 ps or faster and a third order non-linear sensing rate is 10-6esu or more.例文帳に追加

４光波混合を利用する光信号の超高速時間空間変換方法において、非線形物質４として有機無機複合型自己組織化量子井戸構造を有する材料を用いることにより、室温において応答時間１０ｐｓ以下かつ３次の非線形感受率１０^-6ｅｓｕ以上の性能を有する。 - 特許庁

To provide a running lane recognizing method and a running lane change method utilizing this which enable to utilize a road effectively, while making vehicular traffic smooth by changing the running lane into a lane of faster traveling speed, if the traveling speeds of the vehicles in the lane are slow, as compared with those in other lanes while recognizing the lane on which own vehicle runs.例文帳に追加

自車両が走行している車線を認識し、この車線内の車両の走行速度が他の車線に比べて遅ければ、走行速度の速い車線に走行車線を変更することによって車両通行を円滑にすると共に道路を効果的に利用できるようにする走行車線認識方法及びこれを利用した走行車線変更方法を提供する。 - 特許庁

With respect to a method for applying a coating agent to a continuously running plastic film by rolls rotated reversely to the running film, the surface speed of the rolls is kept faster than the running speed of the plastic film and the meniscus in the upstream side and the downstream side in the film moving direction is made continuous at the coating edge part.例文帳に追加

連続走行するプラスティックフィルムに、塗剤を走行フィルムに対しリバース回転させたロールで塗布する方法において、ロールの表面速度をプラスティックフィルムの走行速度より速くし、かつフィルム進行方向の上流側、下流側のメニスカスを塗布端部で連続させることを特徴とする塗布方法。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that is made faster and less in loss (lower in power consumption) by greatly reducing ohmic contact resistance of a heterojunction field effect transistor using a nitride semiconductor and simultaneously greatly reducing resistance (access resistance) from a source electrode 2 to a channel, and a method of fabricating the same.例文帳に追加

窒化物半導体を用いたヘテロ構造電界効果トランジスタにおいて、オーミック接触抵抗を大きく低減し、同時に、ソース電極２からチャネルまでの抵抗（アクセス抵抗）を大きく低減し、その結果として、高速化および低損失化（低消費電力化）が可能となる半導体装置およびその作製法提供すること。 - 特許庁

The method extracts the oldest file name in the photographing date and time, judges the presence/absence of image files with the same fixed character string as that of the file name, extracts image files with the same fixed character string and a smaller numeral string and rearranges the image files in the faster order than the oldest file name in the photographing date and time (S003 to S005).例文帳に追加

撮影日時の最も古いファイル名を抽出し、そのファイル名と同じ固定文字列を有する画像ファイルの有無を判断し、同じ固定文字列で数字列の小さな画像ファイルを抽出して撮影日時の最も古いファイル名より早い順番に並べ替える（Ｓ００３〜Ｓ００５）。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an oxide magnetic body, capable of improving "the ratio of (residual magnetization/saturation magnetization)" that is considered the fault of dry molding in the dry molding, in which the molding speed is faster as compared with that of wet molding, and improving the residual magnetic flux density that has conventionally been considered as being difficult to achieve.例文帳に追加

湿式成形に比べて成形速度が速い乾式成形において、乾式成形の欠点であるといわれる「（残留磁化／飽和磁化）の比」を改善して、従来より困難であるとされていた残留磁束密度を向上させることのできる酸化物磁性体の製造方法を提供する。 - 特許庁

In a blow injection molding method for injecting gas in the molten resin injected in the cavity 5 of a mold, gas is injected under such a condition that the gas flow velocity on the downstream side of a gas injection valve 16 becomes faster than that on the upstream side of the gas injection valve 16.例文帳に追加

成形金型のキャビティ５内に射出された溶融樹脂中へガスを注入する中空射出成形方法において、ガス注入弁１６の下流側のガス流速を、ガス注入弁１６の上流側の流速よりも速くなる条件でガス注入する中空射出成形方法。 - 特許庁

To provide a metal polishing fluid which can realize the polishing speed of tantalum, tantalum alloy or other tantalum compound used as a barrier conductor layer material faster than the polishing speed of a wiring metal film, and can form the flush pattern of the metal film with high reliability, and to provide a board polishing method using the fluid.例文帳に追加

バリア層導体として用いられるタンタルやタンタル合金及び窒化タンタルやその他のタンタル化合物の研磨速度が配線金属膜よりも大きく、信頼性の高い金属膜の埋め込みパタ−ン形成を可能とする金属用研磨液及びそれを用いた基板の研磨方法を提供する。 - 特許庁

This method of manufacturing a semiconductor device has a process of forming a trench on a semiconductor substrate, a process of forming a first insulating film on the inner wall of the trench, a process of forming a second insulating film on the bottom surface of the trench by an anisotropic film forming method, and a process of embedding a third insulating film growing faster on the first insulating film than on the second insulating film.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板にトレンチを形成する工程と、トレンチの内壁に第１の絶縁膜を形成する工程と、異方性のある成膜方法によりトレンチの底面に第２の絶縁膜を形成する工程と、第１の絶縁膜上よりも第２の絶縁膜上において成長速度が速い第３の絶縁膜をトレンチ内に埋め込む工程とを有する。 - 特許庁

To provide an apparatus and a system for image formation, an encoding control method, and a storage medium which make it possible to output an image of a normal document, etc., faster and also obtain an output image free of deterioration in picture quality when input data size is large like a photographic image and no deterioration in picture quality is allowed.例文帳に追加

通常の文書などの画像の場合は、より高速に出力可能とし、写真画像のように入力データサイズが大きく且つ画質劣化を許容できないタイプの画像の場合は、いつでも画質劣化のない出力画像を得ることを可能とした画像形成装置、画像形成システム、符号化制御方法及び記憶媒体を提供する。 - 特許庁

To provide a polishing liquid composition which can make a polishing speed faster without generating surface defects on a polished body surface, a polishing method using the polishing liquid composition, and an oxide single- crystal substrate which has superior surface quality for a precise polishing process for the oxide single-crystal substrate of lithium tantalate or lithium niobate.例文帳に追加

タンタル酸リチウムあるいはニオブ酸リチウム等の酸化物単結晶基板の精密研磨加工において、被研磨物表面に表面欠陥を生じさせること無く、研磨速度を向上し得る研磨液組成物及び該研磨液組成物を用いた研磨方法、表面品質に優れた酸化物単結晶基板を提供すること。 - 特許庁

The present invention aims to minimize reduction in overall processing speed in an encryption device, for which purpose a faster encryption method than a broadcast cryptograph (for example, AES or Camellia) is used as the key for respectively encrypting each hierarchical data, and a broadcast cryptograph is used for the key for the decryption thereof (in the case of a secret key, an encryption key=a decryption key) as encryption is executed.例文帳に追加

本発明は、暗号化装置において、全体の処理速度の低下を低減するために、各階層データをそれぞれ暗号化する鍵として、ブロードキャスト暗号より高速な暗号方式（例えば、AESやCamellia）を用いて暗号化し、その復号化鍵（秘密鍵の場合には、暗号化鍵＝復号化鍵）に対してブロードキャスト暗号を用いて暗号化する。 - 特許庁

A method for producing an amorphous alloy produces the amorphous alloy by using the metallic mold 2 composed of a lower mold 4 and an upper mold 3 which can form a cavity in the formed mold in contact with the lower mold 4 by pushing toward this lower mold 4, and a cooling device for cooling molten metal filled into the cavity in the forming mold at a speed faster than the critical speed.例文帳に追加

下型４と、この下型４に向かって押圧されることにより下型４に接して成型キャビティを形成しうる上型３とからなる金型２、及び成型キャビティ内に満たされた溶融金属を臨界冷却速度以上で冷却する冷却装置を用いることにより非晶質合金を製造する非晶質合金の製造方法である。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor light emitting element comprises the steps of dry etching a group III-V nitride-based semiconductor layer 10 of a laminated structure of an n type semiconductor layer 3, a luminous layer 4, and a p type semiconductor layer 5 at a relatively low first rate, and thereafter etching the group III-V nitride-based semiconductor layer 10 at a final rate faster than the first rate.例文帳に追加

本実施形態に係る半導体発光素子の製造方法では、ｎ型半導体層３と、発光層４と、ｐ型半導体層５の積層構造からなるＩＩＩ−Ｖ族窒化物系半導体層１０を相対的に遅い第１速度でドライエッチングした後に、最終的に第１速度よりも速い第２速度でＩＩＩ−Ｖ族窒化物系半導体層１０をエッチングする。 - 特許庁

For readout processing of stream data transferred by using isochronous transfer, a USB transfer controller 104 is provided with a function of storing the receive data in successive buffer areas with a signal for switching the storing method in the buffer areas and a data quantity counter 103 which stores the total number of data in a storage device 102 so that the receive data readout processing can be carried out faster by software.例文帳に追加

アイソクロナス転送を用いて転送されるストリームデータの読み出し処理において、ＵＳＢ転送制御装置１０４にバッファ領域への格納方法を切り替える信号により連続したバッファ領域に受信データを格納する機能と、記憶装置１０２内の総データ数を記憶するデータ数カウンタ１０３を設けることで、ソフトウェアによる受信データ読み出し処理を高速化する。 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor device includes the stages of: forming a lower electrode including nobel metal; forming a first ferroeelctric layer on the lower electrode at a first speed; forming a second ferroelectric layer on the first ferroelectric layer at a speed faster than the first speed; and forming an upper electrode on the second ferroelectric layer.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、貴金属を含む下部電極を形成する工程と、前記下部電極上に、第１の速度で第１の強誘電体層を形成する工程と、前記第１の強誘電体層上に、前記第１の速度より速い速度で第２の強誘電体層を形成する工程と、前記第２の強誘電体層上に上部電極を形成する工程と、を含む。 - 特許庁

The method for manufacturing the lithium tantalate substrate used for each kind of element as an element substrate comprises a first process for heat-treating the lithium tantalate substrate at 700°C for a prescribed amount of time in atmosphere, and a second process for cooling the lithium tantalate substrate heat-treated in the first process at a cooling rate that is faster than 2°C/minute and is slower than 5°C/minute.例文帳に追加

素子基板として各種素子に用いられるタンタル酸リチウム基板の製造方法であって、タンタル酸リチウム基板を、大気中において、７００℃で所定の時間加熱処理する第１の工程と、上記第１の工程で加熱処理された上記タンタル酸リチウム基板を、毎分２℃よりも速くかつ毎分５℃よりも遅い冷却速度で冷却する第２の工程とを有するようにしたものである。 - 特許庁

To provide a device and a method for image processing which can perform faster processing than a sequential type image processor by deciding whether pixel data are before or after background image data when the pixel data are stored in an image buffer and completing platting through single processing and can make the memory capacity much less than the buffer memory capacity of a Z buffer type image processor.例文帳に追加

画素データを画像バッファに格納する際に、その画素データが背景画像データの前にあるのか、背景画像データの後にあるのかを判定し、描画を１回の処理で行うようにし、逐次型画像処理装置よりも高速の処理が可能であり、かつＺバッファ型の画像処理装置のバッファメモリ容量よりも大幅にメモリ容量を低減することができる画像処理装置及び画像処理方法を提供する。 - 特許庁

The method for imaging a surface includes: scanning a first region of the surface with a primary charged particle beam at a first scan rate so as to generate a first secondary charged particle beam from the first region; and scanning a second region of the surface with the primary charged particle beam at a second scan rate faster than the first scan rate so as to generate a second secondary charged particle beam from the second region.例文帳に追加

表面を像形成する方法は、表面の第１領域を一次荷電粒子ビームで第１スキャン速度においてスキャニングして、その第１領域から第１の二次荷電粒子ビームを発生し、表面の第２領域を一次荷電粒子ビームで上記第１スキャン速度よりも速い第２スキャン速度においてスキャニングして、その第２領域から第２の二次荷電粒子ビームを発生することを含む。 - 特許庁