「field-effect」に関連した英語例文の一覧と使い方(84ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method for manufacturing a magnetic sensor, such as a magnetic resistance sensor and a huge magnetic resistance effect sensor, and a method for manufacturing a magnetizing direction control film to be used for the magnetic sensor for controlling a magnetizing direction in a non magnetic field.例文帳に追加

磁気抵抗センサ、巨大磁気抵抗効果センサ等の磁気センサの製造方法並びにこれら磁気センサに使用する磁化方向制御膜の製造方法に関し、無地場中での磁化方向制御が可能な磁化方向制御膜の製造方法及び磁気センサの製造方法を提供する。 - 特許庁

The respective gates of the field-effect transistors 4a, 4b, 4c forming the device 4 are connected respectively to the comparator 3, their drains are connected to a battery source (B), and their sources are connected respectively to a door lock unit 31, a power window unit 21, and a belt release unit 41.例文帳に追加

デバイス４を構成する電界効果トランジスタ４ａ、４ｂ、４ｃは、夫々ゲートが比較器３に接続され、ドレインがバッテリ電源（Ｂ）に接続され、ソースが夫々ドアロックユニット３１、パワーウィンドユニット２１及びベルト解除ユニット４１に接続されている。 - 特許庁

To provide a mobile phone wherein a frequency being an integral multiple of a camera operating clock frequency does not effect a wireless characteristic as noise and capable of preventing a reception disabled state from taking place at the reception of a low electric field level.例文帳に追加

カメラ動作用クロック周波数の整数倍が無線特性にノイズとして影響を与えることなく、また低電界レベル受信時に受信不能状態に陥ることを防止することができる携帯電話装置を提供することにある。 - 特許庁

The sensor is a sensor containing the back gate type field-effect transistor and characterized in that the gate electrode, which surrounds a reaction region, is fixed on the insulating film of a semiconductor substrate and the thickness of the insulating film of the reaction region is less than the thickness of the insulating film in the periphery of the reaction region.例文帳に追加

本発明のセンサは、バックゲート型の電界効果トランジスタを含むセンサであって、反応領域を囲むゲート電極が半導体基板の絶縁膜上に固定されていること、および反応領域の絶縁膜の厚さがその周囲の絶縁膜の厚さよりも薄いことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a heating container eliminating gas adsorbed to a getter from being exhausted by activating the getter by a heat of a magnetic field when heating, retaining a heat insulating effect for a long period of time by preventing the lowering of the vacuum in a vacuum heat insulating layer and elongating the service life of the getter.例文帳に追加

ゲッターが加熱時の磁界や熱により活性化されて、ゲッターに吸着したガスを排出するようなことがなく、真空断熱層における真空度の低下を防止して断熱効果を長期間にわたって維持できるようにすると共に、ゲッターの延命化を図る加熱容器を提供する。 - 特許庁

This manufacturing method of a microelectronic circuit which is made by incorporating both a fin-type field-effect transistor (FinFET) 1801 and a thick-body device 1802 into a single chip can attain an efficiency higher than that of the conventional methods by utilizing common masks and processes.例文帳に追加

本発明は共通のマスクとステップを用いることにより従来の方法よりも大きな効率性を達成しうる、同一チップにフィン型電界効果トランジスタ（フィンＦＥＴ）１８０１と厚ボディ・デバイス１８０２を備えた微小電子回路を製造する方法を提供する。 - 特許庁

The property for the dielectric breakdown voltage almost the same as the insulation gas comprising only SF6 can be obtained by using the insulation gas comprising SF6 and a gas causing a synergic effect e.g. CO2 under an unequal electric field, and the mixing ratio of SF6 in the insulation gas can be drastically reduced.例文帳に追加

また、ＳＦ_6と「シナジズム」を起こすガス（例えば、ＣＯ_2）とから成る絶縁ガスを不平等電界下で用いることにより、ＳＦ_6のみから成る絶縁ガスと同程度の絶縁破壊耐性が得られると共に、その絶縁ガスのＳＦ_6混合割合を大幅に低減できる。 - 特許庁

The semiconductor device is composed of a GaAs substrate 1, an active element, i.e., comb-like gate structure field effect transistor 3A formed on the surface of the GaAs substrate 1, and a plurality of serial resonator circuits 7 formed on a multilayer wiring layer on the surface of the GaAs substrate 1.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１と、ＧａＡｓ基板１の表面に形成された能動素子である櫛型ゲート構造電界効果トランジスタ３Ａと、ＧａＡｓ基板１の表面上の多層配線層に形成された複数の直列共振回路７とから構成されている。 - 特許庁

Plural anti-fuse elements F1, F2 are provided in a memory cell, and the gates of field effect transistors of the anti-fuse elements F1, F2 are connected with each other, so that one ends of the anti-fuse elements F1, F2 are connected in common to node A and the memory cell is multi-valued.例文帳に追加

メモリセルに複数のアンチヒューズ素子Ｆ１、Ｆ２を設け、各アンチヒューズ素子Ｆ１、Ｆ２の電界効果トランジスタのゲートを互いに接続することで、アンチヒューズ素子Ｆ１、Ｆ２の一端をノードＡに共通に接続し、メモリセルを多値化する。 - 特許庁

In other words, of the motor driving circuits, the FET circuit composed of electric field effect-type transistors, which are relatively weak under heat, is fixed on the cylinder unit 9B featuring excellence in heat discharge, which can be used as a heat sink because of its large volume, while other circuits are fixed on the board 18.例文帳に追加

つまり、モータ駆動回路のうち、比較的熱に弱い電界効果型トランジスタから構成されたＦＥＴ回路は、体積が大きいためヒートシンクとして利用できる放熱性の良い円筒部９Ｂ上に固定し、他の回路は基板１８上に固定する。 - 特許庁

To obtain a water-feeding apparatus hardly suffering from harmful effect of refuses and foreign matters, securely feeding and stopping the water in feeding the water from a water source such as an irrigation canal or the like to a water-fed position such as a paddy field or the like and stopping the water, and achieving those with a simple structure in an advantageous cost.例文帳に追加

用水路等の水源から水田等の被給水部へ給水及びこれを停止する場合において、ゴミや異物の悪影響を受け難く確実に給水及び停止することができ、かつこれを簡単な構造で低コストにより実現できる給水装置を得る。 - 特許庁

This sensor is a magnetism-impedance sensor wherein a high-frequency carrier current having the frequency of several MHz or higher is made to flow in a magnetic membrane 10 having a high magnetic permeability, and the fact is used that the impedance is changed corresponding to the intensity of an external magnetic field applied to the magnetic membrane in the condition for expressing a skin effect remarkably.例文帳に追加

数ＭＨｚ以上の高周波キャリア電流を高透磁率の磁性薄膜１０に流し、表皮効果が顕著に表れる条件のもと、前記磁性薄膜にかかる外部磁場の強さに応じてインピーダンスが変化することを利用する磁気−インピーダンスセンサである。 - 特許庁

The tuning fork type piezo-electric oscillating gyroscope composes an electrode by only one side of the piezo-electric oscillator by setting a polling axis of a crystal in an in-face direction of the tuning fork type piezo-electric oscillator and making piezo-electric lateral effect due to an electric field of a width direction of the piezo-electric oscillator larger.例文帳に追加

音叉形圧電振動子の面内方向に結晶の分極軸を設定することで、圧電振動子の幅方向の電界による圧電横効果をより大きくし、圧電振動子の１側面だけで電極を構成できるようにした。 - 特許庁

A magnetoresistive effect element is provided with a first reference layer 2c fixing a magnetization direction; and a storage layer 2e having a body 3 in which a magnetization easy axis direction is longer as compared with a magnetization difficult axis direction, and a projection part 4 provided in the magnetization difficult axis direction of the center part of the body part, and changing a magnetization direction in response to an outside magnetic field.例文帳に追加

磁化方向が固定される第１の基準層２ｃと、磁化容易軸方向が磁化困難軸方向に比べて長い本体部３およびこの本体部の中央部の磁化困難軸方向に設けられた突出部４とを有し、外部磁界に応じて磁化方向が変化する記憶層２ｅを備えている。 - 特許庁

Voltage is induced in an inductor L2 based on a ballast choke L3 when an electric field-effect transistors Q1, Q2 of an inverter circuit 12 are turned on or off alternately, and the transistor Q2 is turned on or off to be driven based on a resonance frequency set by an inductor L1, the inductor L2 and a variable capacitor C2 of a resonance circuit 15.例文帳に追加

インバータ回路12の電界効果トランジスタQ1，Q2を交互にオン、オフするに際しては、バラストチョークL3に基づきインダクタL2に電圧を誘起し、共振回路15のインダクタL1，L2および可変容量コンデンサC2で設定する共振周波数で、電界効果トランジスタQ2をオン、オフ駆動する。 - 特許庁

A magnetic-mechanical conversion element 3 capable of obtaining huge magnetic strain with a Joule effect is used in driving an iris or a shutter, so as to convert a driving force caused by an expansion change in the element corresponding to a magnetic field change, into a rotational force or a moving force of the vane member.例文帳に追加

アイリスやシャッター等の駆動において、ジュール効果により巨大磁歪が得られる磁気−機械変換素子３を用い、磁界変化に応じた該素子の伸縮変化に伴う駆動力を羽根部材の回転力や移動力に変換する。 - 特許庁

Thus, the parasitic current flowing in the parasitic transistor (Tr2) can be prevent and the power consumption of the integrated circuit can be reduced by means of having the switching device (22), by which the base (b-4) of the parasitic transistor (Tr2) of the switching circuit (18) having the field effect transistors (b) is changed to the off voltage.例文帳に追加

このように、電界効果トランジスタ（ｂ）を有する切替回路（１８）の寄生トランジスタ（Ｔｒ２）のベース（ｂ−４）をオフ電圧にするスイッチ手段（２２）を有することにより、寄生トランジスタ（Ｔｒ２）を流れる寄生電流を防ぐことができ、集積回路の消費電力を低減させることができる。 - 特許庁

A bias current Iref made to flow through a differential amplifier part comprising an FET M01, M02, M03, and M04 is made to flow through a reference MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) Mr from which a voltage corresponding to a reference current can be obtained when making the reference current flow to obtain a level shift voltage Vls.例文帳に追加

基準電流を流すと当該基準電流に対応する電圧が得られる基準ＭＯＳＦＥＴＭｒに、ＦＥＴＭ０１、Ｍ０２、Ｍ０３、及びＭ０４からなる差動増幅部に流されるバイアス電流Ｉｒｅｆを流してレベルシフト電圧Ｖｌｓを得る。 - 特許庁

To eliminate the effect of a total reflection component generating on a face where an optical disk recording medium having a rugged face and a solid immersion lens (SIL) are facing each other, in detecting a tracking error signal by means of a near field optical system using the SIL.例文帳に追加

ソリッドイマージョンレンズ（ＳＩＬ）を用いた近接場光学系によりトラック誤差を検出する際、凹凸面を有する光ディスク記録媒体とＳＩＬとの対向する面で発生する全反射成分の影響を排除する。 - 特許庁

The storage device is structured in that pads 80, 90 capable of being electrically contacted from outside are connected to a drain and a gate of a field effect transistor PQ1, respectively, in which a power supply voltage Vcc1 in a sense amplifier circuit SA is supplied to a source in a test mode.例文帳に追加

テストモード時、外部から電気的にコンタクト可能なパッド８０およびパッド９０が、センスアンプ回路ＳＡ内の電源電圧Ｖｃｃ１がソースに供給される電界効果型トランジスタＰＱ１のドレインおよびゲートにそれぞれ接続される構成を有する。 - 特許庁

A magnetic detector, having a coil for applying two orthogonal magnetic fields to the metal body and the magnetic impedance effect type sensor for detecting the normal component of the magnetic leakage flux at the defect part of the metal body scans the surface of the metal body, while applying magnetic field in two or more directions by the coil.例文帳に追加

金属体に直交の２磁界を加えるコイルと金属体の欠陥箇所での漏洩磁束の法線成分を検出する磁気インピーダンス効果型センサを有する磁気検出器で金属体の表面を前記コイルにより２以上の方向に磁界を加えつつスキャニングする。 - 特許庁

To provide a high-frequency induction heating device which reduces a magnetic field generating around a tip for mounting a high-frequency induction heating coil thereon, and reduces a detrimental effect of high-frequency induction heating on a side sheet for fixing and holding the high-frequency induction heating coil and the tip thereon.例文帳に追加

高周波誘導加熱コイル載置用のチップの周囲における磁場の発生を低減することができると共に、高周波誘導加熱コイル及びチップを固定保持する側板への高周波誘導加熱による悪影響を低減することができるような高周波誘導加熱装置を提供する。 - 特許庁

To provide an optical current transformer which measures a current value with high precision, by reducing a measurement error caused by the influence of a magnetic field generated by an adjoining external conductor, etc., when a current flowing in a conductor to be measured is measured in an optical current sensor which applies Faraday effect.例文帳に追加

ファラデー効果を応用した光電流センサにおいて、被測定導電体を流れる電流を計測する時に、近接する外部導電体等の発生する磁界の影響による測定誤差を低減して、電流値を精度高く測定することのできる光変流器を提供する。 - 特許庁

When the fluorescent lamps FL1, FL2 are lighted, an electric current value flowing to the electric field effect transistor Q2 is detected by an electric current detecting resistance R1 to be controlled so that the electric current value becomes constant, and the phase is adjusted so as to become different from when the fluorescent lamps FL1, FL2 are activated.例文帳に追加

蛍光ランプFL1 ，FL2 が点灯すると、電流検出抵抗R1により電界効果トランジスタQ2に流れる電流値を検出して、電流値が一定になるように制御し、位相を蛍光ランプFL1 ，FL2 の始動時とは異ならせて調整する。 - 特許庁

A center value between a maximum value and a minimum value of the output voltage of the magnetic sensor in the case where the external magnetic field is rotated with respect to the two magnetoresistance effect elements at the same temperature Trt as a case of the offset voltage Os1 is calculated and acquired as an output amplitude center value.例文帳に追加

オフセット電圧Ｏs1の場合と同一温度Ｔrtにおいて、外部磁界を２つの磁気抵抗効果素子に対して回転させたときの磁気センサの出力電圧の最大値と最小値の中央値を計算して出力振幅中心値として取得する。 - 特許庁

In the scribe region SAR, there is an N channel field effect transistor TSm(m=1 to 2M) which is switched between ON/OFF according to a control signal, and generates a current for disconnecting the fuse element Fm(m=1 to 2M) when switched to be ON.例文帳に追加

スクライブ領域ＳＡＲには、制御信号に応じてＯＮ／ＯＦＦが切り換わり、ＯＮとなることによりヒューズ素子Ｆｍ（ｍ＝１〜２Ｍ）を断線させる電流を発生するＮチャネル電界効果トランジスタＴＳｍ（ｍ＝１〜２Ｍ）がある。 - 特許庁

To solve the problem that an MOS field-effect transistor has gate capacitance structurally, the gate capacitance is increased as the channel area is increased and the gate oxide film is thinned, resulting in a limit due to the gate capacitance for improving high frequency operation characteristics.例文帳に追加

ＭＯＳ電界効果トランジスタは、構造的にゲート容量を有しており、チャネル面積が大きくなるほど、ゲート酸化膜が薄くなるほどゲート容量が大きくなり、このゲート容量により高周波動作を向上させる上で限界が生じる。 - 特許庁

To crosslink a large number of carbon nanotubes effectively between catalytic function metallic regions at the top of a set of protrusion patterns in order to attain high speed operation by increasing the amount of current per unit gate width of a field effect transistor employing a carbon nanotube as a channel portion.例文帳に追加

カーボンナノチューブをチャネル部とする電界効果型トランジスタの単位ゲート幅あたりの電流量を増加し高速動作を可能とするため、一組の突起パターンの頂部にある、触媒機能金属領域の間で、効果的の多数のカーボンナノチューブを架橋形成する。 - 特許庁

In a field-effect transistor wafer in which a buffer layer 2, a channel layer 3, a spacer layer 4, and a carrier supply layer 5 grow on a semi-insulation substrate 1 of GaAs, the buffer layer 2 is constituted of carbon- doped GaInP.例文帳に追加

ＧａＡｓの半絶縁性基板１の上に、バッフア層２、チャネル層３、スペーサ層４およびキャリア供給層５を成長させた電界効果トランジスタ用ウエハにおいて、炭素をドーピングしたＧａＩｎＰによりバッファ層２を構成する。 - 特許庁

To solve the following problem that the formation of a film that discontinuously generates stress on the surface of a substrate causes the exfoliation of the film from a part in a semiconductor device with the film for generating stress in the channel forming region of a field effect transistor formed on the surface of the semiconductor substrate provided.例文帳に追加

半導体基板上の表面に形成された電界効果トランジスタのチャネル形成領域に応力を発生させる膜を備えた半導体装置において、応力を発生させる膜が不連続的に基板表面に形成されると、その部分から膜剥がれが発生する。 - 特許庁

Further, since both phytoplanktons and zooplanktons propagate owing to propagation of microorganisms and organisms such as aquatic insects, Branchinella kugenumaensis, etc., actively move, the surface of a paddy field is made muddy and shadowing effect by muddy water action is continuously produced.例文帳に追加

さらに、微生物が増殖することで植物性プランクトン、動物性プランクトンも増殖して、水棲昆虫や豊年海老などの生物が活発に動き回るので、水田表面を濁らせ、濁水作用による遮光効果も持続的に発生する。 - 特許庁

When a test-enable signal TE is disabled, the Nch insulated gate type field effect transistor NT1 is turned off; the output of the buffer BUFF1 reaches high impedance; and the scan output signal shut-off means 3 statically shuts off a scan output signal SO.例文帳に追加

テストイネーブル信号ＴＥがディセーブル状態のとき、Ｎｃｈ絶縁ゲート型電界効果トランジスタＮＴ１がオフしてバッファＢＵＦＦ１の出力がハイインピーダンス状態となり、スキャン出力信号遮断手段３がスキャン出力信号ＳＯをスタティックに遮断する。 - 特許庁

To provide an organic semiconductor material which does not need a special orientation technique and can use a simple method to provide a thin membrane with a high carrier mobility, and to provide a field effect transistor with a high carrier mobility which can be easily manufactured by using the organic semiconductor.例文帳に追加

特殊な配向技術を必要とせず、簡単な方法でキャリア移動度が高い薄膜を得ることができる有機半導体材料を提供することであり、該有機半導体材料を用いて製造容易かつキャリア移動度の高い電界効果トランジスタを提供することにある。 - 特許庁

The biosensor is constituted of both a field effect transistor part, including a source electrode (3); a drain electrode (4); and a channel part (1) and a detection part (2) which interacts with a substance to be detected, and double-layer carbon nanotubes are adopted as the channel part (1).例文帳に追加

バイオセンサーは、ソース電極（３）、ドレイン電極（４）、チャネル部（１）を含む電界効果トランジスタ部、および、検出対象物質と相互作用する検知部（２）とから構成されており、チャネル部（１）として二層カーボンナノチューブを採用する。 - 特許庁

A mesa shape lamination unit 15, having a side surface or a wall surface 16 which is extended over an n-type GaN layer 6, a p-type GaN layer 7 and another n-type GaN layer 8, is formed on a nitride semiconductor lamination structural unit 5 in this field effect transistor.例文帳に追加

この電界効果トランジスタにおける窒化物半導体積層構造部５には、ｎ型ＧａＮ層６、ｐ型ＧａＮ層７およびｎ型ＧａＮ層８に跨る壁面１６を側面とするメサ状積層部１５が形成されている。 - 特許庁

A repulsion electromagnetic induction and a compound generator comprises both-field magnetic poles of repulsion electromagnetic induction and attraction electromagnetic induction, and a compound armature, combining output circuit mechanism which attains combined offset effect of a maximum repulsive force and a maximum attractive force which counter each other, in between both armatures.例文帳に追加

複合発電機を構成する反発電磁誘導と吸引電磁誘導の両界磁極と両電機子間の相反する最大反発力と最大吸引力の合成相殺効果を達成する複合電機子合成出力回路機構。 - 特許庁

To provide a display device using a cathode-ray tube capable of realizing excellent high definition by restraining the variation of electron beam start caused by external magnetic field in a tube axis direction by improving magnetic shield effect, reducing electron beam drift, and reducing color drift compared to a conventional display device.例文帳に追加

陰極線管を用いる表示装置において、磁気遮蔽効果を高めて管軸方向の外部磁界による電子ビーム起動の変化を抑制し、電子ビームずれを低減し、従来に比べて色ずれを低減し、格段に高画質を実現する。 - 特許庁

In a state where the capacitor C3 is not fully charged, since a Zener diode ZD3 has not reached to a Zener voltage, and the Zener diode ZD3 and the field-effect transistor Q3 may maintain the off state, then a capacitor C8 is not connected in parallel with a capacitor C7.例文帳に追加

コンデンサC3が十分に充電されていない状態では、ツェナダイオードZD3がツェナ電圧に達していないため、ツェナダイオードZD3、電界効果トランジスタQ3はオフ状態を維持するためコンデンサC7に対してコンデンサC8が並列に接続されていない。 - 特許庁

In a rotation detecting part 16, magnetic sensors 21 and 22 of spin bulb type magnetic resistance effect elements are made to face the surface of the rotor 10, and permanent magnets 23 and 24 giving an external magnetic field to the surface of the rotor 10 are also provided.例文帳に追加

回転検出部１６では、スピンバルブ型の磁気抵抗効果素子の磁気センサ２１，２２を前記回転体１０の表面に対向させ、また前記回転体１０の表面に外部磁界を与える永久磁石２３，２４を設けておく。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device comprises the steps of forming the stress control film on the field effect transistor, and changing an intrinsic stress of the stress control film by providing a heat treatment, or a plasma processing with ammonia or hydrogen to change the whole or a part of the material of the stress control film.例文帳に追加

電界効果トランジスタの上に応力制御膜を形成し、熱処理又はアンモニア又は水素によるプラズマ処理を施して、応力制御膜の全体又はその一部の材質を変化させることにより応力制御膜の真性応力を変更する工程を有する半導体装置の製造方法。 - 特許庁

To provide a structure for adding an effective stress without influencing the arrangement of an element separation region to improve characteristics of a field effect transistor having a channel region, a source region, and a drain region which are arranged in an active semiconductor region.例文帳に追加

活性半導体領域の中に配置されたチャネル領域、ソース領域およびドレイン領域を有する電界効果トランジスタの特性向上のため、素子分離領域の配置に影響を与えずに効果的な応力を付加する構造の提供。 - 特許庁

To provide a single wall carbon nanotube heterojunction in which a single wall carbon nanotube FET (field-effect transistor) having excellent characteristics such as ON/OFF ratio or the like can be obtained, and its manufacturing method, and to provide a semiconductor device using this single wall carbon nanotube heterojunction and its manufacture method.例文帳に追加

オン／オフ比などの特性が良好な単層カーボンナノチューブＦＥＴの実現が可能となる単層カーボンナノチューブヘテロ接合およびその製造方法ならびにこの単層カーボンナノチューブヘテロ接合を用いた半導体素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor substrate and field effect transistor as well as manufacturing methods therefor, of less defects and leak current, with a low manufacturing cost while the thickness of an SOI layer is precisely controlled even to a thin one.例文帳に追加

半導体基板及び電界効果型トランジスタ並びにこれらの製造方法において、欠陥が少ないと共にリーク電流が小さく、低コストに製造することを可能にし、しかもＳＯＩ層の厚さを薄い厚さで精度よく制御できるようにすること。 - 特許庁

Then, when the serge voltage of negative polarity is applied to the input terminal 1, a zener diode 14 constituting a clamping circuits 42N is conducted to turn on a field effect transistor 13 to form a current path from a circuit ground to the input terminal 1 to protect the internal circuit 3.例文帳に追加

そして、負極性のサージ電圧が入力端子１に印加されると、クランプ回路４２Ｎを構成するツェナーダイオード１４が導通してＦＥＴ１３をＯＮさせ、回路グランドから入力端子１に至る電流経路を形成して内部回路３を保護する。 - 特許庁

A method for producing the same and the use of the same as semiconductor or charge transfer materials for use in optical, electro-optical or electronic elements including field-effect transistors and electroluminescent, photovoltaic and sensor elements are also provided.例文帳に追加

本発明は、さらに、これらの製造方法、電界効果トランジスタ、エレクトロルミネセント、光起電およびセンサー素子を含む光学的、電気光学的または電子的素子における半導体または電荷移動材料としてのこれらの使用に関する。 - 特許庁