「field-effect」に関連した英語例文の一覧と使い方(86ページ目) - Weblio英語例文検索

A cathode of a diode is connected to a drain of the metal oxide semiconductor field effect transistor for synchronous rectification, a current supply means 2 is connected to its anode, a resistor 3 is connected between the anode of the diode 1 and a source of the transistor 110, and a voltage across the resistor 3 is detected.例文帳に追加

同期整流用ＭＯＳＦＥＴ１１０のドレインにダイオード１のカソードを接続し、そのアノードに電流供給手段２を接続すると共に、ダイオード１のアノードとＭＯＳＦＥＴ１１０のソースとの間に抵抗３を接続してその両端電圧を検出する。 - 特許庁

The field effect type sensor is also equipped with a gate voltage application part 103 for applying a gate voltage which is common to each ISFET 101 to the back gate 11, and a detection part 104 for detecting a current between the source 112 and the drain 113 of each ISFET 101.例文帳に追加

また、本実施の形態における電界効果型センサは、ＩＳＦＥＴ１０１の各々に共通のゲート電圧をバックゲート１１に印加するゲート電圧印加部１０３、および，ＩＳＦＥＴ１０１の各々のソース１１２とドレイン１１３との間電流を検出する検出部１０４を備える。 - 特許庁

Because the increase of the heat generation in the field effect transistors FET1 to FET4 in the low voltage operation can be suppressed, the steering assistance can be continued without any troubles until the power source voltage VB which is comparatively low drops below the lower limit value VB_MIN of the operating voltage.例文帳に追加

前記電界効果トランジスタＦＥＴ１〜ＦＥＴ４の、低電圧動作時の発熱量の増加を抑制することができるから、比較的電圧値の低い動作電圧下限値ＶＢ_MINを下回るまで操舵アシストを継続したとしても問題ない。 - 特許庁

In an RX through transistor group TH(RX), MISFETs (Metal Insulator Semiconductor Field Effect Transistors) Q1 to Q5 connected in series each have a body region connected to a source region or drain region of an adjacent MISFET via a diode (rectifying element).例文帳に追加

ＲＸスルートランジスタ群ＴＨ（ＲＸ）は、互いに直列に接続されたＭＩＳＦＥＴＱ１〜Ｑ５において、それぞれのＭＩＳＦＥＴのボディ領域と、隣接するＭＩＳＦＥＴのソース領域あるいはドレイン領域とを、それぞれ、ダイオード（整流素子）を介して接続する。 - 特許庁

In addition, the layer 14 intervenes between a wiring layer 16 or an interlayer dielectric 15 and the layer 12, to block off the wiring potential in the wiring layer 16 and an electric field effect with the charge in the interlayer dielectric 15.例文帳に追加

また、このショットキー接触金属層１４が、配線層１６や層間絶縁膜１５とｎ型ＧａＡｓ抵抗層１２との間に介在して、配線層１６の配線電位や層間絶縁膜１５中の電荷による電界効果を遮蔽している。 - 特許庁

In the evaluation device for applying a magnetic field 3 from the outside to a magnetic head 1 using a magnetoresistance effect element to evaluate electromagnetic transduction characteristics of the magnetic head 1, a temperature evaluation is carried out for the electromagnetic transduction characteristics by heating and cooling the magnetic head 1 in non-contact therewith.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子を用いた磁気ヘッド１に対して外部から磁界３を印加して磁気ヘッドの電磁変換特性を評価する評価装置において、磁気ヘッド１に非接触状態で磁気ヘッドを加熱及び／又は冷却して、電磁変換特性の温度評価を行うこと。 - 特許庁

To save labor of tilling operation, to undoubtedly grind a hard layer, to renew a subsoil layer, further, in the case of high-quality subsoil, to expect the surface of a field to have a soil dressing effect and to improve the efficiency of the whole farm working.例文帳に追加

耕耘作業の省力化を図り、硬化層の破砕はもちろんのこと、心土層の更新、さらには、心土が良質の場合には、圃場表面に対して客土効果も期待でき、農作業全体の能率を向上させることを目的とする。 - 特許庁

A control circuit 38 decides a power supply voltage on the basis of level information denoting a signal input level to an amplifier employing a field effect transistor FET for an amplifier element and controls a switch section 42 depending on the result to change-over a drain-source voltage Vds that is the power supply voltage.例文帳に追加

ＦＥＴ Ｔｒを増幅素子として用いる増幅器への信号入力レベルを示すレベル情報に基づき、制御回路３８が電源電圧の値を決め、その結果に応じスイッチ部４２を制御して電源電圧たるドレイン・ソース間電圧Ｖｄｓを切り換える。 - 特許庁

I this method of manufacturing a field-effect transistor, (1) the temperature of a board is set to 100°C or under and a gate insulating film is made after formation of a semiconductor layer to serve as an active layer, and further (2) the gate insulating film is heat-treated in atmosphere containing water.例文帳に追加

本発明の電界効果トランジスタの製造方法は、能動層となる半導体層を形成した後に、（１）基板温度を１００℃以下に設定してゲート絶縁膜を形成し、さらに（２）水を含んだ雰囲気中にてゲート絶縁膜を熱処理するものである。 - 特許庁

In the device, voltage is boosted by a boosting transformer T1 and a diode bridge circuit by operating field-effect transistors FET_1, FET_2 by receiving a charging start command from a CPU 1, and electric charges which are boosted and subjected to full-wave rectification are stored on the main capacitor C_1.例文帳に追加

このメインコンデンサＣ_1 には、ＣＰＵ１からの充電開始命令を受けて電界効果トランジスタＦＥＴ_1 、ＦＥＴ_2 が動作されることにより、昇圧トランスＴ_1 及びダイオードブリッジ回路Ｄ_1 により昇圧されて全波整流された電荷が蓄積される。 - 特許庁

To provide an MRI-PET system, an integration of an MRI unit and a PET unit which can sufficiently reduce effect of a magnetic field on the PET unit from the MRI unit.例文帳に追加

本発明の目的は、ＭＲＩ装置とＰＥＴ装置とを一体化したＭＲＩ−ＰＥＴ装置であって、ＭＲＩ装置からＰＥＴ装置へ与える磁場の影響を十分に低減させることができるＭＲＩ−ＰＥＴ装置を提供することにある。 - 特許庁

In a semiconductor layer 10x used as an element substrate or the like of the electro-optical device such as a liquid crystal device, the ground insulating layer 12 is formed on the support substrate 10d, and a field effect transistor 10y is formed on the surface of the ground insulating layer 12.例文帳に追加

液晶装置などといった電気光学装置の素子基板などとして用いられる半導体層１０ｘでは、支持基板１０ｄの上に下地絶縁層１２が形成されているとともに、下地絶縁層１２の表面に電界効果型トランジスタ１０ｙが形成されている。 - 特許庁

To provide an optimum voltage setting method for reading out data in which retention caused by reduction of polarization of ferroelectric substance can be improved in a semiconductor memory in which a ferroelectric capacitor is connected to a gate of a field effect transistor FET.例文帳に追加

強誘電体コンデンサを電界効果型トランジスタ（ＦＥＴ）のゲートに接続した半導体記憶装置において、強誘電体の分極低下によるリテンションを改善できるデータ読み出しの最適電圧設定方法を提供する。 - 特許庁

After channel layers are formed simultaneously, a buried layer is formed beneath each channel layer, a layer for stopping diffusion of a gate diffusion layer is formed by implanting ions into a specified position on the side of an enhancement field effect transistor, and then the gate diffusion layer is formed.例文帳に追加

チャネル層を同時形成した後、各チャネル層の下方に埋め込み層をそれぞれ形成し、次いで、エンハンスメント形の電界効果トランジスタ側の所定位置にイオン注入してゲート拡散層の拡散を阻止する拡散ストップ層を形成し、その後、ゲート拡散層を形成するようにした。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a field-effect transistor which has a hetero-junction structure capable of increasing the breakdown voltage without degrading its characteristics, although it is the structure having a narrow gate recess which can reduce the series resistance.例文帳に追加

直列抵抗を小さくすることが可能な狭いゲートリセスを有する構造でありながら、その特性を犠牲にせずに、耐圧を高めることが可能である、ヘテロ接合構造の電界効果トランジスタを製造できる方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a field-effect transistor-type gas sensor for suppressing threshold variation without impairing a gate insulation film when forming an electrode of a sensitive material corresponding to a detecting object gas after previously forming a transistor structure.例文帳に追加

電界効果トランジスタ型のガスセンサにおいて、あらかじめトランジスタ構造を形成した後、検知対象のガスに対応した感応材料の電極を形成する際に、ゲート絶縁膜を損なうことなく、かつ、閾値ばらつきを抑制する製造方法を供給する。 - 特許庁

To make steep dopant distribution in a channel region by avoiding point defects without using any processes for removing thick gate sidewalls after forming deep source/drain regions by a manufacturing method in a minute field effect transistor whose gate length is equal to or less than 0.1 micron.例文帳に追加

ゲート長０．１ミクロン以下の微細な電界効果型トランジスタの製造方法で、深いソース／ドレイン領域形成後に厚いゲート側壁を取り除く工程を用いることなく、点欠陥を抑制し、チャンネル領域の不純物分布を急峻化する。 - 特許庁

A substrate having an oxygen concentration not larger than 3.0 × 10^16/cm^3 is used as a substrate 1 of an epitaxial wafer for field effect transistors wherein a III-V group compound semiconductor is grown on the semi-insulating GaAs substrate 1.例文帳に追加

半絶縁性ＧａＡｓ基板１上にＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体をエピタキシャル成長させた電界効果トランジスタ用エピタキシャルウェハの基板１に、酸素濃度が３．０×１０^１６／ｃｍ^３以下の基板を用いる。 - 特許庁

In the voltage monitoring part, the overcurrent detection level is lowered as compared with a case where there is no insertion resistance since voltage detection takes place at the field effect transistor and at both ends of the insertion resistance, thereby being capable of decreasing variations in a current range where the overcurrent is detected.例文帳に追加

電圧監視部は、電界効果型トランジスタおよび挿入抵抗の両端の電圧を検出するので、挿入抵抗がない場合と比較して、過電流検出レベルを低下させ、過電流が検出される電流範囲のバラツキを小さくすることができる。 - 特許庁

To provide a gallium nitride system hetero-junction field effect transistor in which the structure of a barrier is improved, gate currents are reduced, mobility is improved, and transistor performance is improved, and to provide a method for manufacturing it.例文帳に追加

窒化ガリウム系へテロ接合電界効果型トランジスタにおいて、バリアーの構造を改善し、ゲート電流を低減して、移動度を高め、トランジスタ性能の向上を図った構造のヘテロ接合電界効果型トランジスタおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To manufacture a transistor having desired high field effect mobility by forming an oxide semiconductor layer with improved characteristics while using a larger substrate, and to achieve practical application of a large-sized display device, a semiconductor device with high performance, and the like.例文帳に追加

基板の大面積化を可能とするとともに、特性の改善された酸化物半導体層を形成し、所望の高い電界効果移動度を有するトランジスタを製造可能とし、大型の表示装置や高性能の半導体装置等の実用化を図ることを課題の一つとする。 - 特許庁

The n type MOS field effect transistor 352 is provided with a drain electrode connected to the node ND, the gate electrode to which one of the binary logical signals is impressed from a drive circuit 100, and a gate threshold voltage VTN1 smaller than a gate threshold VTN2 of the transistor constituting the drive circuit 100.例文帳に追加

ｎ型ＭＯＳ電界効果トランジスタ３５２は、ノードＮＤに接続されたドレイン電極と、ドライブ回路１００から二値論理信号のひとつが印加されたゲート電極と、ドライブ回路１００を構成するトランジスタのゲート閾値ＶＴＮ２よりも小さいゲート閾値電圧ＶＴＮ１とを有する。 - 特許庁

A target charge voltage Vc of a back electrode plate suited to obtain a predetermined target sensitivity is preset in accordance with a drain saturation current IDSS of a junction field effect transistor and a lowest resonant frequency F0 of a vibrating film.例文帳に追加

所定の目標感度を得るのに適した背面電極板の目標チャージ電圧Ｖｃを、接合型電界効果トランジスタのドレイン飽和電流ＩＤＳＳおよび振動膜の最低共振周波数Ｆ０に応じて予め設定しておく。 - 特許庁

To solve the problem that wavelength tolerance of phase matching is very severe, conversion efficiency is fluctuated by a change of the refractive index of a crystal affected by a change of environmental temperature, generation of an electric field due to a pyroelectric effect, optical damage and the like and an output is made instable in a conventional light wavelength conversion element.例文帳に追加

位相整合の波長許容度が非常に厳しく、環境温度の変化、焦電効果による電界の発生、光損傷等の影響による結晶の屈折率変化により変換効率が大きく変動し、出力が不安定になる。 - 特許庁

To control the total thickness of the epitaxially grown layers of a GaN-based field effect transistor to ≤1 μm that is required to suppress the warpage of the epitaxially grown layers to ≤20 μm, and at the same time, to obtain sufficient device characteristics by using a low-temperature-deposited InGaN layer.例文帳に追加

ＩｎＧａＮ低温堆積層を用いることにより、ＧａＮ系電界効果トランジスタのエピタキシャル層の総膜厚について、反り量を２０μｍ以下に抑えるのに必要な１μｍ以下にすることを実現可能とすると共に、充分なデバイス特性を得ること。 - 特許庁

In the method in which the strength of the bond between the biopolymer and a ligand is estimated, and in the parameter which is used for the method, van der Waals interaction energy is calculated by using a distance- dependent atomic-pair potential function to which the contribution of a hydrophobic effect is added in a force-field energy calculation method.例文帳に追加

力場エネルギー計算法において、疎水効果の寄与を加えた距離依存型原子対ポテンシャル関数のパラメータを用いてファンデルワールス相互作用エネルギーを計算することにより、生体高分子−リガンド間の結合の強さを予測する方法及び上記パラメータ。 - 特許庁

The coil 5 produces magnetization energy E_1 of an easily magnetizing axial direction inside the magnetic layer 2 by an external magnetic field and the piezoelectric element 4 produces strain in the magnetic layer 2, and produces magnetic anisotropic energy K_2 in a direction which is different from that of an easily magnetizing axis by inverse magnetostrictive effect caused by magnetostrictive by generating strain in the magnetic layer 2.例文帳に追加

コイル５は外部磁場により磁化容易軸の方向の磁化エネルギーＥ_１を磁性層２内に発生し、圧電素子４は磁性層２に歪みを発生させて磁歪に起因する逆磁歪効果により磁化容易軸と異なる方向の磁気異方性エネルギーＫ_２を発生する。 - 特許庁

A method and a device are used for eliminating parasitic bipolar discharge of a dynamic logic circuit which includ a silicon-on-insulator(SOI) field-effect transistor(FET) by measuring the set-up time of the logic section of the dynamic logic circuit.例文帳に追加

シリコン・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）を含む動的論理回路の寄生バイポーラ放電を、動的論理回路の論理区画のセットアップ時間を測定することによって排除する方法および装置。 - 特許庁

To provide a field effect device using organic semiconductor single-crystal having excellent mechanical flexibility, compatibility with light emitting element or light receiving element, and price competitiveness, and having the degree of freedom of selecting various organic semiconductor materials, and a steep switching characteristic, and a method for manufacturing the device.例文帳に追加

機械的柔軟性、発光素子や受光素子との適合性、価格競争力などに優れ、様々な有機半導体材料を選択できる自由度および急峻なスイッチング特性を有する、有機半導体単結晶を用いた電界効果デバイスおよび該電界効果デバイスの製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an electrooptical device which improves stability of the operation of a complementary circuit by optimizing the threshold voltage of an electric field effect type transistor constituting the complementary circuit corresponding to a driving voltage, and to provide electrooptical equipment equipped with the same.例文帳に追加

相補回路を構成する電界効果型トランジスタのしきい値電圧を駆動電圧に対応させて最適化することにより、相補回路の動作の安定性を向上した電気光学装置、およびそれを備えた電気光学装置を提供すること。 - 特許庁

To improve workability for arranging an element substrate on an attaching face of a wiring member, and to enhance magnetic field detection precision, by providing a plurality of vector detecting type magneto-resistance effect elements with the substantially same pin layer magnetization direction on the same element substrate.例文帳に追加

ピン層磁化方向が略同一のベクトル検知型磁気抵抗効果素子を複数個同一素子基板上に設けることにより、素子基板を配線部材の取付面上に配置するための作業性を改善し、磁界検知精度の向上を図る。 - 特許庁

The amplifying elements Q1 and Q2 are composed of gallium arsenide field effect transistors or gallium arsenide high-electron- mobility transistors, the video signal amplifier which has excellent high-frequency characteristics and low power consumption thereby can be obtained because of high-electron-mobility characteristics that those elements have.例文帳に追加

増幅素子Ｑ１及びＱ２を、ガリウム砒素電界効果トランジスタ或いはガリウム砒素高電子移動度トランジスタで構成したことにより、これら素子のもつ高電子移動度特性により、高周波特性が良好でかつ低消費電力のビデオ信号増幅装置が得られる。 - 特許庁

An integrated circuit which includes an n-channel and p-channel electric field effect transistors 20 is formed in a semiconductor chip 10, then, a pad 12 is formed so as to be connected electrically to the integrated circuit while a first bump 41 is formed on the pad 12.例文帳に追加

半導体チップ１０に、Ｎチャネル形及びＰチャネル形の電界効果トランジスタ２０を含む集積回路を形成し、集積回路に電気的に接続されるようにパッド１２を形成し、パッド１２上に第１のバンプ４１を形成する。 - 特許庁

*Based on worldwide and Japanese development trends, the needs of society and the market, concretely explain the advantages (performance, price, CO2 reduction effect, improvement in safety, etc.) and to what industry and field they will contribute when they are achieved. 例文帳に追加

※従来の技術・製品との比較における優位性（性能・価格・ＣＯ２削減効果、安全性向上など）、実現した場合にどのような産業・分野に貢献することになるのかなどにつき、世界的及び日本国内での開発動向や社会的ニーズ・市場ニーズ等を踏まえて具体的に記載すること。 - 経済産業省

In recent economic growth theory (endogenous economic growth theory), a spill -over effect that is brought about by knowledge stock in the R&D sector is garnering attention, and in the field of spatial economics too, analysis focusing on the agglomeration of intellectual activities is being vigorously undertaken3.例文帳に追加

最近の経済成 長理論（内生的経済成長理論）においては、研究開発部門における知識ストックがもたらすスピル・オーバ ー効果に着目しているが、空間経済学の分野においても、こうした知的活動の集積に焦点を当てた分析が盛んになってきている３）。 - 経済産業省

To provide a field emission type electron emitter having higher efficiency than conventional technology in technical fields for the field emission type electron emitter, being formed more consistently at lower cost than the conventional technology, eliminating the need for consideration of having effect on environment and for high vacuum environment typically required for the conventional technology, and having superiority to the conventional technology and high emitting efficiency around the center region of a flat electron emitter element.例文帳に追加

電界放出型電子放出器の技術分野において、従来技術よりも高い効率を提供し、従来技術よりも低コストでより一貫して形成することができ、環境の影響への配慮および従来技術において典型的に必要とされる高真空環境の必要性をなくし、従来技術よりも優れた、平坦型電子放出素子の中央領域周囲における高い放出効率を有する電界放出型電子放出器を提供することである。 - 特許庁

To provide the subject piece of clothing aiming at preventing electromagnetic wave effect on the human body due to a high-frequency electromagnetic field radiated from antennas of e.g. portable telephones, radio equipment placed near the human body, and capable of not only preventing electromagnetic wave effect on the human body but also effectively preventing the malfunction of a medical equipment implanted in the human body such as a pacemaker.例文帳に追加

本発明は、携帯電話機や無線機器などの人体の近傍に置かれたアンテナから輻射される高周波電磁界による、人体に対する電磁波の影響を防止することを目的とする電磁波シールド衣服に関するものであり、更に本発明は、人体に対する電磁波の影響を防護できるばかりでなく、体内に植え込まれた医療機器、例えばペースメーカ等に対する誤作動防止にも有効に作用するものである。 - 特許庁

Article 13 (1) Neither an director nor an employee (meaning in this Article a person other than directors engaged in the business of a corporation on a regular basis) of a corporation shall hold at the same time a position as an director of another corporation where the effect of such an interlocking directorate may be substantially to restrain competition in any particular field of trade. 例文帳に追加

第十三条　会社の役員又は従業員（継続して会社の業務に従事する者であつて、役員以外の者をいう。以下この条において同じ。）は、他の会社の役員の地位を兼ねることにより一定の取引分野における競争を実質的に制限することとなる場合には、当該役員の地位を兼ねてはならない。 - 日本法令外国語訳データベースシステム

Later the Imperial government came up with the reform ideas of stopping a part of the nenryo betsuno sokoku and transfering it to fudokoku; however, there was no effect; in 964 a new rule, Shini Fudokokusei was introduced, determining that the source of fudokoku should be a new tax substituting rice field tax, but the central government left the execution and management of this new rule to the officials in provinces; therefore, it seems to have come to an end before anything was done there. 例文帳に追加

その後も年料別納租穀の一部停止と不動穀への転用などの再建策が出されたが効果は無く、康保元年（964年）には令制国に対して不動穀の財源を田租に代わる税より賄うとする新委不動穀制（しんいふどうこくせい）が導入されるが、その実施と管理を令制国側に一任したために、現地ではほとんど実施されずに終わったとみられる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The working example 6 in the cited document shows attapulgite clay (acidic components), which has the same effect as citric acids and is insoluble in a solvent. In short, it is reasonably understood that this example merely shows using insoluble phenol resins since insoluble substances are usually applied as a conventional acid component in this field. 例文帳に追加

引用例の実施例6においては、クエン酸の同効物としてアタプルギツトクレイ(酸性成分)が示されており、これは溶媒に不溶であり、しかも当該技術分野では従来酸性成分として溶媒に不溶なものが普通に使用されていることからみて、ここにはかえって、溶媒に不溶なフェノール樹脂を使用することが示されているにとどまるとみるのが相当である。 - 特許庁

To provide a transition and raising method for lawn in lawn field for withering winter grass through attachment to the leaves of ryegrass of winter lawn without affecting bermudagrass of summer lawn strong to salt damage and producing fertilizer effect through simultaneously administering potassium chloride-magnesium chloride to bermudagrass.例文帳に追加

この発明は、塩害に強い夏芝のバミューダーグラスには影響を与えず、冬芝のライグラスの葉に付着させることにより、枯れ死させ、バミューダーグラスには、塩化カリウム・塩化マグネシウムを同時に投与することにより肥料効果もあげる芝生場における芝生の切り替え育成方法を開発・提供するものである。 - 特許庁

A manufacturing method for forming an insulating gate-type field effect transistor on silicon carbide includes a first oxidation process and a second oxidation process by an oxidation temperature higher than an oxidation temperature in the first oxidation process in a gate oxidized film manufacturing process by thermal oxidation.例文帳に追加

炭化珪素上に絶縁ゲート型電界効果トランジスタを形成する製造方法であって、熱酸化によるゲート酸化膜製造工程において、第一酸化工程と上記第一酸化工程における酸化温度よりも高い酸化温度による第二酸化工程を少なくとも含むことを特徴とする、絶縁ゲート型半導体装置のゲート酸化膜の製造方法である。 - 特許庁

As the semiconductor layer 4 of a field effect transistor, a thin film comprising at least one compound selected from pyrene, peropyrene, terylene, antanthrene, quoterin, ovalene, coronene, dibenzocoronene, tetrabenzocoronene, hexabenzocoronene, benzocoronene, circamanthracene, bisantene, circobiphengh, and their derivatives is formed.例文帳に追加

電界効果トランジスタの半導体層４として、ピレン、ペロピレン、テリレン、アンタンスレン、クオテリレン、オバレン、コロネン、ジベンゾコロネン、テトラベンゾコロネン、ヘキサベンゾコロネン、ベンゾジコロネン、サーカムアントラセン、ビスアンテン、サーコビフェニル、およびこれらの誘導体から選択された少なくとも１つの化合物からなる薄膜を形成する。 - 特許庁

This semiconductor device loaded with the field effect transistor and a Schottky barrier diode within the same semiconductor substrate is provided with an embedded dope layer of a second conductivity type embedded with prescribed pitches at a prescribed depth in the drift layer of a first conductivity type in the Schottky barrier diode region.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置は、同一半導体基板内に電界効果トランジスタ及びショットキーバリアダイオードを搭載した半導体装置が、ショットキーバリアダイオード領域における第一導電型のドリフト層中の所定の深さに所定のピッチで埋め込まれた第二導電型の埋込ドープ層を備えているものである。 - 特許庁

To provide an optimum condition, in particular an optimum salinity concentration, of ozone nanobubble water optimized for each purpose, though strong sterilizing effect of the ozone nanobubble water containing stabilized ozone nanobubbles is conventionally used for application to a medical field such as periodontal disease treatment.例文帳に追加

安定化したオゾンナノバブルを含有しているオゾンナノバブル水の強力な殺菌効果を利用して歯周治療等、医療分野に応用している例は従来からあるが、オゾンナノバブル水を、夫々の用途に対して最適化したオゾンナノバブル水の条件、特に、その塩分濃度の最適条件は提案されていない。 - 特許庁