「field-effect」に関連した英語例文の一覧と使い方(89ページ目) - Weblio英語例文検索

The semiconductor device includes a p-type field effect transistor that includes a gate dielectric layer 108 formed on a semiconductor substrate, an oxygen-containing alloy layer 110 formed on the gate dielectric layer 108, a Re layer 112 formed on the oxygen-containing alloy layer 110, and a Re oxide layer 502 located between the gate dielectric layer 108 and the oxygen-containing alloy layer 110.例文帳に追加

半導体基板上に形成されたゲート誘電体層１０８と、ゲート誘電体層１０８上に形成された酸素を含む合金層１１０と、酸素を含む合金層１１０上に形成されたRe層１１２と、ゲート誘電体層１０８と酸素を含む合金層１１０との間に位置するRe酸化物層５０２を含むp 型電界効果トランジスタを具備する。 - 特許庁

To optimize a visual field angle for each image display means or the plurality of image display means as a whole according to a type of a game machine even when the plurality of image display means for respectively independently displaying images are included in order to drastically mitigate the constraints of performance display matched with game progress and improve a performance effect further.例文帳に追加

遊技の進行に合わせた演出表示の制約を大幅に緩和して演出効果をさらに高めるために、それぞれが独立して画像表示を行う複数の画像表示手段を設けた場合であっても、遊技機のタイプに応じて個々の画像表示手段あるいは複数の画像表示手段全体に対する視野角を最適化すること。 - 特許庁

The MOS field effect transistor comprises a semiconductor substrate having an element isolation region and an element forming region formed in a protruding state on the isolation region, the gate electrode formed on the element forming region via a gate insulation film, and a source-drain made of a conductive layer formed on the substrate so as to cover a side face of the protruding substrate.例文帳に追加

素子分離領域を有し、該素子分離領域に対して素子形成領域が凸状に形成されてなる半導体基板と、素子形成領域上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、凸状半導体基板の側壁を覆うように半導体基板上に形成された導電層からなるソース／ドレインとを備えることを特徴とするＭＯＳ電界効果型トランジスタにより、上記の課題を解決する。 - 特許庁

When a term regarding a disease or symptom is inputted, the control means 11 extracts a synonym for the term from the 2nd database 12 and extracts general medicines having the inputted term or extracted synonyms entered into the effect field of the attached document from the 1st database 121, and the display means 113 displays a list of the extracted general medicines.例文帳に追加

制御手段１１は、疾患・症状に関する用語が入力された場合、第２のデータベース１２２から当該用語の類義語を抽出し、前記入力された用語又は前記抽出した類義語が添付文書の効能・効果の欄に記載された一般用医薬品を第１のデータベース１２１から抽出し、当該抽出した一般用医薬品の一覧を表示手段１３に表示する。 - 特許庁

The variable attenuator is provided with the field effect transistor 13 having three terminals: a drain terminal D, a source terminal S, and a gate terminal G, wherein a current flowing between the drain terminal D and the source terminal S is controlled by voltage applied to the gate terminal, and with a diode 12 connected in series with the drain terminal D.例文帳に追加

ドレイン端子Ｄおよびソース端子Ｓ、ゲート端子Ｇの３つの端子を有し、ドレイン端子Ｄおよびソース端子Ｓ間に流れる電流がゲート端子に印加する電圧によって制御される電界効果トランジスタ１３と、ドレイン端子Ｄに直列に接続されたダイオード１２とを具備している。 - 特許庁

An insulated gate field effect transistor is fabricated by forming an underlying silicide film or a gate insulation film on a substrate, forming an amorphous silicon film in contact therewith without exposing the film to the atmosphere, heat treating the amorphous silicon film to form a crystalline silicon film, and patterning the crystalline silicon film to form a semiconductor layer for forming a channel forming region.例文帳に追加

基板上の下地となる酸化珪素膜又はゲイト絶縁膜となる酸化珪素膜を形成し、その酸化珪素膜を大気に曝すことなく、それに接して非晶質珪素膜を形成し、その非晶質珪素膜を熱処理し、結晶性珪素膜を形成し、その結晶性珪素膜をパターニングし、チャネル形成領域が形成される半導体層を形成して、絶縁ゲイト型電界効果トランジスタを作製する。 - 特許庁

By immobilizing DNA probe to the gold electrode connected to the gate of a field-effect transistor using a DNA immobilization solution wherein the molecular number ratio of the DNA probe and a linker is 1:2-1:100, the immobilization density is controlled to 4×10^12 /cm^2 or below and the optimum hybridization efficiency is also achieved.例文帳に追加

ＤＮＡプローブとリンカーを分子数比が１：２〜１：１００のＤＮＡ固定化溶液で、電界効果トランジスタのゲートと配線で接続された金電極にＤＮＡプローブを固定化することにより、固定化密度が4×１０^１２個/ｃｍ^２以下に制御でき、最適なハイブリダイゼーション効率維持を達成できる。 - 特許庁

The storage means 12 is stored with a 1st database 121 wherein terms regarding diseases and symptoms and general medicines having terms entered into an effect field of an attached document are related to each other and a 2nd database 122 wherein synonyms for technical terms, general terms, etc., among the terms regarding the diseases and symptoms are related to each other.例文帳に追加

記憶手段１２には、疾患・症状に関する用語と、当該用語が添付文書の効能・効果の欄に記載された一般用医薬品とが関連付けられた第１のデータベース１２１と、前記疾患・症状に関する用語のうち、専門的用語や一般的用語等の類義語同士が関連付けられた第２のデータベース１２２とが記憶されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor element provided with a boron phosphide-based semiconductor layer which can reduce leakage of an element driving current, improve photoelectric conversion efficiency as a light-emitting element, improve an opposite direction voltage, cause a gate electrode to have high voltage resistance as an electric field effect transistor, and improve the pinch-off characteristic of a drain current.例文帳に追加

燐化硼素系半導体層を備える半導体素子において、素子駆動電流の漏洩を低減することができ、発光素子として光電変換効率を高くでき、逆方向電圧も高くでき、また電界効果型トランジスタとしてゲート電極を高耐圧性とし、ドレイン電流のピンチオフ特性も改善することができるようにする。 - 特許庁

A semiconductor element which has a structure having an undoped AlN layer and an n-type AlN layer laminated in order on a semiconductor or an insulator substrate is a Schottky diode having a Schottky electrode and an ohmic electrode formed on an n-type AlN layer or a field-effect transistor having a source electrode, a gate electrode, and a drain electrode formed on an n-type AlN layer.例文帳に追加

半導体または絶縁体基板上に、アンドープＡｌＮ層、ｎ型ＡｌＮ層の順で積層された構造を有する半導体素子であって、その半導体素子が、ｎ型ＡｌＮ層上にショットキー電極およびオーミック電極を形成したショットキーダイオード、またはｎ型ＡｌＮ層上にソース電極、ゲート電極、ドレイン電極を形成した電界効果トランジスターである。 - 特許庁

To solve the following problems: a depletion layer is formed in an M-type contact layer by an n-type compound semiconductor contact layer of a field-effect transistor and interface charge existing in the interface with an insulating film provided on it, and in association with this a part serving passage of current is narrowed to lower a cutoff frequency Ft.例文帳に追加

電界効果トランジスタのｎ型化合物半導体コンタクト層と、その上に設けられた絶縁膜との界面に存在する界面電荷により、Ｍ型コンタクト層内に空乏層が形成され、それに伴い電流の通り道となる部分が狭窄し、遮断周波数Ｆｔが低下するという課題に対する解決手段を提供する。 - 特許庁

This field effect semiconductor device is manufactured by a process, where an amorphous silicon film 12 is formed on a substrate 11 with an insulating surface, a crystallization process where the amorphous silicon film 12 is crystallized into a crystalline silicon film, and an oxidation process where the surface of the crystalline silicon film is oxidized in a water vapor containing atmosphere to form a gate insulating film.例文帳に追加

絶縁表面を有する基板上に非晶質珪素膜を形成する工程と、前記非晶質珪素膜を結晶化し、結晶性を有する珪素膜を形成する結晶化工程と、水蒸気を含む雰囲気中で、前記結晶性を有する珪素膜の表面を酸化させ、ゲイト絶縁膜を形成する酸化工程と、を有する絶縁ゲイト型電界効果半導体装置。 - 特許庁

The electron density and intensity of the magnetic field are controlled to keep the state of quantum Hall effect, where different spin states coexist at the same energy level, and the voltage to be applied to the potential barrier is controlled to control the symmetry of confining potential of the two-dimensional electron, thus operating the nuclear spin of elements constituting the semiconductor layer 5.例文帳に追加

電子密度及び磁場強度を制御して、エネルギー準位が同一の異なるスピン状態が混在する量子ホール効果状態を維持しながら、ポテンシャル障壁に印加する電圧を制御して、二次元電子の閉じ込めポテンシャルの対称性を制御し、半導体層５を構成する元素の核スピンを操作する。 - 特許庁

The field effect transistor comprises a source region and a drain region, a channel layer extending between the source region and the drain region comprising an organic semiconductor material, an electric insulating layer comprising an organic/inorganic mixed material arranged adjacently to the channel layer, and a gate region adjacent to the opposite side of the channel layer of the electric insulating layer.例文帳に追加

本発明はソース領域およびドレーン領域と、有機半導体材料からなる前記ソース領域と前記ドレーン領域の間を延びるチャネル層と、前記チャネル層に隣接するように配備された有機／無機混成材料からなる電気絶縁層と、ゲート領域が前記電気絶縁体層の前記チャネル層と反対側に隣接するように配備された電界効果トランジスタである。 - 特許庁

To secure improved reliability by securing low resistance in a p-type semiconductor layer that becomes a channel, suppressing a collapse phenomenon, and stabilizing operation at high temperature, by controlling the amount of dopant impurities in the p-type semiconductor layer for composing a field effect transistor, and the interface level density between a p-type layer and a gate insulating film.例文帳に追加

電界効果トランジスタを構成するｐ型半導体層内のドーパント不純物量やｐ型層とゲート絶縁膜間の界面準位密度を制御することにより、チャネルとなるｐ型半導体層の低抵抗を確保しつつ、コラプス現象を抑制し、更に高温での動作を安定化し、良好な信頼性を確保する。 - 特許庁

For a field effect transistor, a conductive oxide is used for a gate electrode 4 and one kind selected from among SiO2, silicate, the boundary reaction layer of a metal oxide or the conductive oxide and Si and the boundary reaction layer of the same and SiO2 is used for a gate insulation layer 3 on a channel, using an Si semiconductor substrate 1.例文帳に追加

Ｓｉ半導体基板１を用いたチャネル上に導電性酸化物をゲート電極４に、ＳｉＯ２、シリケート、金属酸化物あるいは導電性酸化物とＳｉとの界面反応層、ＳｉＯ２との界面反応層から選ばれた一種をゲート絶縁層３に用いることを特徴とする電界効果トランジスタ。 - 特許庁

The output sections have a field effect transistor 19 having a gate electrostatic capacitance connected to the signal lines so as to be connected in series to the capacitor 15 and an output circuit 20 for outputting the signal corresponding to the information according to the switching action of this transistor 19 so as to make the switching action corresponding to the change in the charge quantities.例文帳に追加

出力部は、前記電荷量の変化に対応したスイッチング動作をなすべく前記キャパシタと直列的に接続されるように信号線に接続されたゲート静電容量を備える電界効果トランジスタ１９と、該トランジスタのスイッチング動作に応じて前記情報に対応した信号を出力する出力回路２０とを備える。 - 特許庁

In the semiconductor device including complementary field effect transistors, a p-type impurity diffusion region 5a to become an emitter electrode of a parasitically formed bipolar transistor and an n-type impurity diffusion region 3 electrically connected to a power supply line 14 are connected by connection wiring 40 formed of a high-melting point metal silicide having n-type impurities.例文帳に追加

相補型電界効果型トランジスタを含む半導体装置において、寄生的に形成されるバイポーラトランジスタのエミッタ電極となるｐ型不純物拡散領域５ａと、電源供給線１４と電気的に接続されているｎ型不純物拡散領域３とを、ｎ型不純物を有する高融点金属シリサイドからなる接続配線４０により接続する。 - 特許庁

To prevent misoperations or thermal breakdowns of a semiconductor element, by rapidly externally radiating a large heart at operation time of the element, when housing a high output semiconductor element, such as a Schottky barrier field effect transistor made of a compound semiconductor, as the material in a package for housing the element which has a metal base and a ceramic frame.例文帳に追加

金属基体とセラミック枠体を具備する半導体素子収納用パッケージにおいて、化合物半導体を素材としたショットキーバリア型電界効果型トランジスタなどの高出力の半導体素子を収納する場合において、半導体素子の作動時の大きな発熱を速やかに外部に放熱させて、半導体素子の誤作動や熱破壊を防ぐこと。 - 特許庁

The ion sensor is comprises an ion responsive field effect transistor (ISFET) 10, having a gate electrode for taking out the back gate photocurrent Ibp generated in between a back gate B and a source S and between the back gate B and the drain D, and photocurrents Isp and Idp generated in the source S or the drain D are corrected by using the back gate photocurrent Ibp.例文帳に追加

バックゲートＢとソースＳとの間、およびバックゲートＢとドレインＤとの間に発生するバックゲート光電流Ｉｂｐを取り出すためのゲート電極Ｇを持つイオン感応性電界効果トタンジスタ（ＩＳＦＥＴ）１０よりなるイオンセンサであって、バックゲート光電流Ｉｂｐを用いて、ソースＳやドレインＤにおいて発生する光電流Ｉｓｐ，Ｉｄｐを補正することを特徴とする。 - 特許庁

To provide an inexpensive and easily operable soil disinfecting method and a self-advancing earth burner for a general farmer for eliminating damage to farm products by disease and insect pests by enhancing a disinfecting effect by burning earth by radiating flame by rolling and staying soil in the air while self-advancing on a paddy field.例文帳に追加

圃場等を自走しつつ土壌を空中に転動・滞留させて火炎を放射して焼土することにより、消毒効果を高めて病害虫による農作物の被害をなくすとともに一般農家向けの安価で操作しやすい土壌の消毒方法及び自走式焼土装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a new benzodichalcogenophene derivative satisfying both of the high field-effect mobility (≥0.1 cm^2/Vs) and high on/off current ratio (≥10^5) required in organic semiconductor materials, a method for the production of the derivative as an easily purifiable practical material, and an organic semiconductor device produced by using the derivative.例文帳に追加

有機半導体材料に求められている高い電界効果移動度（０．１ｃｍ^2／Ｖｓ以上）と、高いオン／オフ電流比（１０^5以上）の双方を満足する新規なベンゾジカルコゲノフェン誘導体、その実用材料としての製造および精製が容易な製造方法、およびそれを用いた有機半導体デバイスを提供する。 - 特許庁

The field effect transistor includes a semiconductor structure including a first semiconductor layer 6 and a second semiconductor layer 4 in heterojunction with the first semiconductor layer 6, a source electrode 8, a drain electrode 10, a gate electrode 9, each formed on the first semiconductor layer 6, and a protective film 11 including at least a metal-doped fullerene formed on the first semiconductor layer 6.例文帳に追加

本発明にかかる電界効果トランジスタは、第１の半導体層６と当該第１の半導体層６とヘテロ接合した第２の半導体層４とを含む半導体構造と、第１の半導体層６上に形成されたソース電極８、ドレイン電極１０、及びゲート電極９と、第１の半導体層６上に形成された金属内包フラーレンを少なくとも含む保護膜１１と、を有する。 - 特許庁

In a field effect transistor which has at least a channel layer for traveling of carrier, a carrier supply layer for supplying carrier to the channel layer and a buffer layer for flattening the channel layer, an insertion layer whose band gap is larger then that of the buffer layer is provided between the buffer layer and the channel layer.例文帳に追加

キャリアが走行するチャネル層と、該チャネル層にキャリアを供給するキャリア供給層と、該チャネル層を平坦化するためのバッファ層とを少なくとも有する電界効果トランジスタにおいて、該バッファ層と該チャネル層との間に該バッファ層よりもバンドギャップが大きい挿入層を設ける。 - 特許庁

The composition can provide a film which is combined with a metal nanowire or a carbon nanotube to use in a drain, a source, or a gate electrode in a thin layer unipolar field effect transistor, thereby to give a buffering layer which is useful in an organic electronic device including an electroluminescence device such as an organic light emitting diode (OLED) display.例文帳に追加

発明組成物からのフィルムは、薄膜電界効果トランジスタでのドレイン、ソース、またはゲート電極のような用途において金属ナノワイヤまたはカーボンナノチューブと組み合わせて例えば、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）ディスプレイのような、エレクトロルミネセンスデバイスをはじめとする、有機電子デバイスでの緩衝層として有用である。 - 特許庁

To obtain a sanitary agent composition which achieves excellence in deodorizing effect on odors such as those of ammonia, indole and compounds containing sulfur, especially compound odors traditionally regarded as very difficult in handling, and moreover, can ease or reduce irritation and itching derived from histamine, to say nothing of so-called four major offensive smells becoming problems in the field of nursing.例文帳に追加

介護の現場で問題となるいわゆる四大悪臭は勿論のこと、アンモニア臭、インドール臭および含硫黄化合物臭などの臭気、特に従来から対処が極めて困難であるとされていた複合臭に対する消臭効果が優れ、しかもヒスタミン由来による刺激や痒みを緩和、軽減することのできる衛生剤組成物を提供する。 - 特許庁

An AV (audio and visual) amplifier related to the embodiment conducts the acoustic processing for providing sound field effect corresponding to the respective format in parallel, specifying the timing with the format of the input audio signal Sain switched to reserve the switching to the audio signal output by the switching part after T1 of transitional period from the timing.例文帳に追加

本発明の実施形態に係るＡＶアンプは、それぞれのフォーマットに対応した音場効果を与える音響処理を並行して行うとともに、入力されるオーディオ信号Ｓａｉｎのフォーマットが切り替わったタイミングを特定して、そのタイミングからＴ１経過後に切替部において出力すべきオーディオ信号への切り替えを予約する。 - 特許庁

To realize a real democracy and a public-driven policymaking and to improve the voting rate as a synergistic effect by providing an interaction field for a policy to improve public concerns to an election, clarifying the focus of the election by qualifying the degree of public concerns, and navigating a candidate responding to the public concerns.例文帳に追加

政策に対する交流の場を提供し、選挙に対して住民の関心の向上を図り、かつ度合いを数値化することで選挙の焦点を明確にし、かつその住民の関心に応えてくれる候補者をナビゲートすることで真の民主主義・住民主導の政策立案を実現することが可能であり、かつ相乗効果として投票率の向上を図る。 - 特許庁

A unipolar Gunn effect element has laminated anode layer, travel layer, cathode layer and the gate electrode which is Schottky-jointed to the travel layer and donor impurity concentration is adjusted so that time average electron density in the travel layer is canceled so as to make time average field strength to be constant is installed for solving said problem.例文帳に追加

上記問題を解決するために、本件発明では、積層されたアノード層、走行層、カソード層、走行層にショットキー接合したゲート電極を有し、走行層中の時間平均電子密度を相殺するようドナー不純物濃度を調整することで時間平均電界強度を一定とした、ユニポーラ型ガン効果素子を提供する。 - 特許庁

Subsequent to a first insulating film depositing step for depositing an insulating film 12 composed of a silicone oxide film on an element substrate 10, a first insulating film hydrogen introducing step for introducing hydrogen into the insulating film 12 is performed prior to performance of a semiconductor layer forming step for forming a semiconductor layer 1a of a pixel transistor 30, field effect transistor.例文帳に追加

素子基板１０にシリコン酸化膜からなる絶縁膜１２を成膜する第１絶縁膜成膜工程の後、画素トランジスター３０（電界効果型トランジスター）の半導体層１ａを形成する半導体層形成工程を行う前に、絶縁膜１２に水素を導入する第１絶縁膜水素導入工程を行う。 - 特許庁

A field-effect type transistor using a metal oxide film for the channel includes a channel region, and a source region and a drain region with a lower oxygen content and higher conductivity than the channel region in the metal oxide, in which the channel region exhibits semiconductor characteristics and the oxygen content decreases with depth below the surface.例文帳に追加

金属酸化物をチャネルに用いる電界効果型トランジスタであって、 前記金属酸化物中にチャネル領域と、前記チャネル領域に比べて酸素濃度が低く導電性の高いソース領域及びドレイン領域とを有し、前記チャネル領域は半導体性を示し、かつ表面から深さが増すにつれて酸素濃度が低くなっている。 - 特許庁

The Coulomb barriers of the nuclei present within the molecules 2 are reduced by the field screening effect of the polarization charge of the dielectric 1, whereby intramolecular nuclear fusion reactivity can be enhanced and the nuclear fusion reactions caused by the nuclei within the molecules 2 can be continuously brought about even in a low-temperature environment such as room temperature.例文帳に追加

誘電体の分極電荷による電場遮蔽効果により、上記分子内部に存在する原子核のクーロン障壁を低減してやることで、分子内核融合反応率を高めることができ、室温程度の低温環境下でも上記分子内部の原子核同士による核融合反応を持続的に発生することができる。 - 特許庁

To provide an image switching apparatus capable of performing output switching and composite processing by using an image generated through special effect processing requiring a processing time equivalent to one field or over, outputting a plurality of images by using a reentry function, and preventing a discontinuous image change on the output images.例文帳に追加

１フィールド以上の処理時間を要する特殊効果処理により生成された画像を使用して、出力切り換えや合成処理を行うことが可能で、かつリエントリ機能を用いて複数の画像の出力が可能な画像切り換え装置において、出力画像上に不連続な画面変化が生じることを防止する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, where a bipolar transistor having epitaxial base structure with especially improved high-frequency characteristics is mounted mixedly on the same semiconductor substrate as other field effect transistors and vertical bipolar transistors having the conventional base structure, and to provide the manufacturing method of the semiconductor device, whose manufacturing costs have been reduced.例文帳に追加

特に高周波特性を改善したエピタキシャル・ベース構造のバイポーラトランジスタを他の電界効果トランジスタやコンベンショナルなベース構造の縦型バイポーラトランジスタと同一の半導体基板上に混載した半導体装置及びその製造コストを低減した製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To prevent a highly conductive region (conductive layer) from forming in a buffer layer with conductive impurities mixing into an epitaxial layer when preparing an electronic device such as a field-effect transistor containing a high electric mobility transistor or a hetero junction bipolar transistor on a semiconductor epitaxial wafer, and as a result to provide the semiconductor epitaxial wafer realizing high characteristics.例文帳に追加

半導体エピタキシャルウェハの上に高電子移動度トランジスタを含む電界効果トランジスタやヘテロ接合バイポーラトランジスタなどの電子デバイスを作製した際に、エピタキシャル層の中に導電性不純物が混入することによって、バッファ層の中に高い導電性を有する部分（導電層）が形成されるのを防止し、その結果、高い特性を実現する半導体エピタキシャルウェハを提供する。 - 特許庁

The spectroscope includes an electro-optic crystal having an electro-optic effect; a beam deflector having an electrode pair for applying an electric field in the electro-optic crystal; spectroscopic means for spectrally diffracting emission light from the beam deflector; wavelength selection means for selecting light of an optional wavelength from the emission light spectrally diffracted by the spectroscopic means.例文帳に追加

本発明に係る分光器は、電気光学効果を有する電気光学結晶、および該電気光学結晶の内部に電界を印加するための電極対を含むビーム偏向器と、前記ビーム偏向器からの出射光を分光する分光手段と、該分光手段で分光された出射光の中から、任意の波長の光を選択する波長選択手段とを備える。 - 特許庁

The bottom gate type insulated gate field effect transistor has a gate electrode composed of aluminum containing a group 3 element or a material principally comprising aluminum wherein the gate electrode is anodized to form an anodic oxide on the surface thereof thus progressing anodic oxidation uniformly.例文帳に追加

ボトムゲイト型の絶縁ゲイト型電界効果トランジスタにおいて、ゲイト電極に３族元素が含まれたアルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする材料により構成され、前記ゲイト電極の表面には該ゲイト電極を陽極酸化して形成される陽極酸化物が設けることで、陽極酸化を均一に進行させることができる。 - 特許庁

To obtain an organic semiconductor material for thin film transistors exhibiting a high electric field-effect mobility required for attaining small off-current, large on/off ratio and large on-current and to provide an organic semiconductor material for thin film transistors excellent in material stability.例文帳に追加

本発明は、小さなオフ電流と、大きなオン/オフ比と、大きなオン電流を達成するために必要な、高い電界効果移動度を示す薄膜トランジスタ用有機半導体材料を得ることを目的としており、さらに材料安定性に優れた薄膜トランジスタ用有機半導体材料を提供することを目的とするものである。 - 特許庁

As a gate insulating layer of a field-effect transistor, a liquid containing neither paste agent nor thickener, and the main component of which is an ion liquid, the liquid having a directivity in molecule (negative ion species when a hole is injected into a semiconductor layer or positive ion species when an electron is injected into the semiconductor layer) is used.例文帳に追加

電界効果トランジスタのゲート絶縁層として糊剤又は増粘剤を含まず液状であって、その主要成分がイオン液体であるものを用い、分子内に方向性を有するイオン液体（半導体層に正孔を注入する際は、陰イオン種、半導体層に電子を注入する際は、陽イオン種）を用いる。 - 特許庁

Field effect transistors provided on the DC outlet and the DC device 102 together with the voltage control means gradually increase a current value of a current to be supplied from a DC power supply section 101 to the DC device 102 in accordance with the voltage value of a control signal output from the voltage control means.例文帳に追加

電圧制御手段とともに直流アウトレット及び直流機器１０２に備えられる電界効果トランジスタは、電圧制御手段から出力された制御信号の電圧値に応じて、直流電力供給部１０１から直流機器１０２に供給される供給電流の電流値を次第に大きくしていく。 - 特許庁

To provide a semiconductor element and its manufacturing method in which opposed electrodes can be easily located to be connected with a reduced contact resistance, and a channel length can be shortened compared to a gap length between the electrodes, and to provide a field-effect transistor including the semiconductor element, its manufacturing method and a semiconductor device including the semiconductor element.例文帳に追加

接触抵抗を小さく抑えた状態で対向電極間をつなぐように配置することが容易で、しかも、電極間ギャップ長に比べてチャネル長を短縮することのできる半導体素子及びその製造方法、その半導体素子を配置した電界効果トランジスタ及びその製造方法、並びにその半導体素子を配置した半導体装置を提供すること。 - 特許庁

Each of the field-effect transistors has a gate trench formed in a second region of the semiconductor substrate 10, gate insulating films formed on the bottom face and side faces of the gate trench, a gate electrode that touches the insulating-film liner 18a and the gate insulating film formed in the gate trench, and source and drain regions formed in the semiconductor substrate 10 and adjacent to the gate electrode.例文帳に追加

電界効果トランジスタは、半導体基板１０の第２部位内に形成されたゲートトレンチと、ゲートトレンチの底面上及び側面上に形成されたゲート絶縁膜と、ゲートトレンチ内に形成され絶縁膜ライナー１８ａ及びゲート絶縁膜と接触するゲート電極と、半導体基板１０内に形成されゲート電極と隣接するソース／ドレイン領域とを有する。 - 特許庁

To provide a deodorization cover material which deodorizes odor attached or produced without generating new odor and furthermore, enables the prolonged use of it while making its higher effect last longer concerning a type which is used covering from above the source of odor such as a compost, a field after being fertilized, a garbage or excrements of pet animals.例文帳に追加

堆肥や施肥後の畑あるいは生ゴミ、ペットの排泄物の上など、においの発生源にかぶせて用いる消臭被覆材に関するもので、付着した臭気や発生する臭気を消臭し、新たな臭気を発生させることなく、更には、長期間にわたり高い効果を持続することができると共に使用可能な消臭被覆材 - 特許庁

The field effect transistor includes: a first impurity introduction region 110 which is formed on a first barrier layer 102 and is introduced with an impurity that is an shallow acceptor with respect to AlGaSb; and a second impurity introduction region 111 which is formed on a second barrier layer 104 and is introduced with an impurity that is an shallow acceptor with respect to AlGaSb.例文帳に追加

第１障壁層１０２に形成されてＡｌＧａＳｂに対して浅いアクセプタとなる不純物が導入された第１不純物導入領域１１０と、第２障壁層１０４に形成されてＡｌＧａＳｂに対して浅いアクセプタとなる不純物が導入された第２不純物導入領域１１１とを備える。 - 特許庁

The field effect transistor is constituted, by at least forming a channel layer, a gate insulating layer, a source electrode, a drain electrode and a gate electrode on a substrate; the channel layer comprises an amorphous oxide material including at least In and B; and the element ratio B/(In+B) of the amorphous oxide material is 0.05 or higher and 0.29 or lower.例文帳に追加

基板上にチャンネル層、ゲート絶縁層、ソース電極、ドレイン電極、ゲート電極が少なくとも形成されてなる電界効果型トランジスタであって、該チャンネル層は、少なくともＩｎとＢとを含むアモルファス酸化物材料より構成されており、該アモルファス酸化物材料の元素比率Ｂ／（Ｉｎ＋Ｂ）は０．０５以上０．２９以下であることを特徴とする電界効果型トランジスタ。 - 特許庁