| 例文 |
layer methodの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 36897件
This element is obtained by arranging the light-emitting layer 6, by applying an obtained dispersive liquid onto the base board 6 using a wet method, by dispersing the organic electroluminescence material there and dissolving polyvinyl carbazole at a rate of 3 wt.% or more in a solvent which includes benzene or a benzene derivative.例文帳に追加
この素子は、ベンゼンまたはベンゼン誘導体を含む溶媒に、ポリビニルカルバゾールを3重量%以上の割合で溶解させ、そこに有機電界発光材料を分散させ、得られた分散液を基板6上に湿式法により塗布し発光層6を設けることにより得られる。 - 特許庁
To provide a semiconductor light emitting device sufficiently connecting electrically even to a small size element main body and capable of sufficiently taking out light even when a wiring layer is connected to the element main body, and to provide the manufacturing method of such a semiconductor light emitting device.例文帳に追加
小さなサイズの素子本体に対しても十分な電気的な接続を図ると共に、配線層を素子本体に接続させた場合であっても光の取り出しを十分に図ることが可能な半導体発光素子、及びそのような半導体発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁
This ink jet printing method consists of (a) the preparation of ink jet recording elements including supports having porous image accepting layers with continuous voids and (b) the image-like application of droplets of liquid ink including the water, a moisture keeping agent and a metallized phthalocyanine coloring matter on the image accepting layer.例文帳に追加
a)連続したボイドを有する多孔性画像受容層を上に有する支持体を含んで成るインクジェット記録要素を用意し、b)前記画像受容層の上に、水、保湿剤、及び金属化フタロシアニン色素を含む液体インクの小滴を像様に適用するインクジェット印刷方法。 - 特許庁
To prevent deterioration of the characteristics of a semiconductor device due to vaporization of organic foreign substances adhered on the wafer outer periphery part at the time of forming an epitaxial layer on a wafer by the gas phase epitaxial process, in a manufacturing method for the semiconductor device and a semiconductor manufacturing device.例文帳に追加
本発明は半導体装置の製造方法および半導体製造装置に関し、ウエハに気相エピタキシャル法によりエピタキシャル層を形成する際にウエハ外周部に固着した有機系異物が気化することによって半導体素子の特性が劣化することを防止することを目的とする。 - 特許庁
By exposing an endothermic insulation resin having porosity in the electrode to the surface of the electrode by means of spinodal decomposition or a micell method, the resin same as one in the electrode is continuously formed on the surface of the electrode as a resin layer, so that the battery can be composed without using the conventional separator.例文帳に追加
電極内の多孔質を有す吸熱性絶縁樹脂をスピノーダル分解又はミセル方式により電極表面に浮き上がらせることにより、電極内樹脂と同樹脂が連続で電極表面に樹脂層形成され、従来のセパレータを無くした構成である。 - 特許庁
To achieve a method of bonding a semiconductor wafer to a sheet which can improve yield of semiconductor chips to be obtained by separating a semiconductor wafer, and prevent the powder of an adhesive layer from adhering to the semiconductor elements in separating the semiconductor wafer.例文帳に追加
半導体基板を分割して得られる半導体チップの歩留まりを向上させることができ、かつ、半導体基板分割時において接着層の粉末が半導体素子に付着しないようにすることができる半導体基板およびシートの接着方法を実現する。 - 特許庁
The method for forming the recorded matter comprises the steps of printing an ink jet recording material having a porous ink accepting layer containing an inorganic fine particles and a hydrophilic binder on a water resistant support, and then laminating a laminating film on the recorded surface.例文帳に追加
フィルムを貼り合耐水性支持体上に無機微粒子と親水性バインダーと架橋剤を含有する多孔質のインク受容層を有するインクジェット記録材料に印字した後、記録した表面にラミネートフィルムを貼り合わせることを特徴とするインクジェット記録物の作成方法。 - 特許庁
The target substance detection material for detecting a target substance in specimen liquid by utilizing a plasmon resonance method is a particulate multilayer structure having a particulate center body having a low refractive-index material and a metal including layer coating the outer circumference of the center body.例文帳に追加
プラズモン共鳴法を利用して検体液中の標的物質を検出するための標的物質検出材料であって、低屈折率材料を有する粒子状中心体と、該中心体の外周を被覆する金属含有層と、を有する粒子状多層構造体。 - 特許庁
To provide the manufacturing method of a cation exchange membrane/electrode assembly using ULPLE capable of making the formation of the porous structure of a catalyst layer and the reduction of impurities compatible, and to enhance the output performance and durability of a polymer electrolyte fuel cell having the ULPLE.例文帳に追加
触媒層の多孔構造の形成と不純物の低減とを両立させることのできるULPLEを用いた陽イオン交換膜/電極接合体の製造方法を提供し、ULPLEを備えた固体高分子形燃料電池の出力性能と耐久性能とを向上させる。 - 特許庁
To provide a method for preparing a coating liquid for a photosensitive emulsion layer of a heat developable photosensitive material in which even if AgX grains produced using conventional gelatin as a dispersant without using a specific polymer are used, aggregation does not occur during dispersion with an organic silver salt.例文帳に追加
分散剤として特定のポリマーを使用することなく、従来から使用されているゼラチンを使用して作製されたAgX粒子を使用しても、有機銀塩との分散時に凝集が生じない熱現像感光材料の感光性乳剤層用塗布液の調製方法の提供。 - 特許庁
The film forming method, which forms a semiconductor layer containing arsenic by epitaxial growth, has a term when elevates a flow of an arsine (AsH_3) among film forming gases supplied into an epitaxial growth atmosphere adjusted to the atmospheric pressure from zero to a predetermined flow in the beginning of film forming.例文帳に追加
ヒ素を含有する半導体層をエピタキシャル成長により形成する成膜方法であって、成膜初期に、大気圧に調整されたエピタキシャル成長雰囲気内に供給する成膜ガスのうちアルシン(AsH_3)の流量を0から所定流量にまで上昇させる期間を有する。 - 特許庁
To stably form high image quality, with proper uniformity of image density and dot reproducibility, by providing a developing method and device capable of forming an very thin developer layer stably on a developing sleeve and a developer which has proper flow properties and is used for the same.例文帳に追加
非常に薄い現像剤層を安定して現像スリーブ上に形成することができる現像方法・装置および、これらに用いる流動性の良い現像剤を提供することにより、画像濃度の均一性やドット再現性の良い高画質を安定して形成する。 - 特許庁
To provide a method capable of manufacturing an excellent semiconductor device having an SOI structure by surely preventing a peeling resulting from an opening formed when forming a buried insulating layer by a thermal oxidation to a cavity section and by forming a superior SOI structure.例文帳に追加
空洞部に対して熱酸化を行い、埋め込み絶縁層を形成した際に生じる隙間に起因する剥がれを確実に防止し、良好なSOI構造を形成することによってSOI構造を有する優れた半導体装置を製造することのできる、方法を提供する。 - 特許庁
To provide an SOI wafer which prevents metal impurities mixed therein from existing in an insulating silicon oxide film and removes the metal impurities which contaminates the insulating silicon oxide film without allowing it to contaminate an SOI layer, and also to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加
SOIウェーハに混入した金属不純物が絶縁性シリコン酸化膜に存在することを防ぐことができ、また絶縁性シリコン酸化膜を汚染した金属不純物をSOI層を汚染することなく除去できる能力をもつSOIウェーハ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a color filter, which excels in the flatness of a color pixel layer, with which color mixing produced by mixing of inks with respectively different colors between adjacent color pixel layers is prevented, and with which the occurrence of pixel defects, such as local voids, is prevented.例文帳に追加
色画素層の平坦性に優れるとともに、隣接する色画素層間における異色インクの混入により発生する混色を防止することができ、局部的な白抜けなどの画素欠陥が発生するのを防止することができるカラーフィルタの製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method which can separate a storing electrode not to generate scratch in a Pt layer of a storing electrode substance and does not generate a level difference between the storing electrode and an insulating film in a capacitor manufacturing process of a ferroelectric memory element (FeRAM).例文帳に追加
本発明は、強誘電体メモリ素子(FeRAM)のキャパシタ製造工程中、貯蔵電極と絶縁膜との段差が発生しないと共に、貯蔵電極物質のPt層にスクラッチが発生しないよう貯蔵電極を分離することができる方法を提供する。 - 特許庁
The manufacturing method of the electrode is provided with a process in which the aqueous solution which contains a metal fluoro-complex and lithium salt with the concentration of boric acid of 0.01 M or less is made to contact an electrode having an active material layer containing lithium-containing metal oxide particles, a conductive assistant, and a binder.例文帳に追加
リチウム含有金属酸化物粒子、導電助剤、及び、バインダーを含有する活物質層を備えた電極に対して、金属フルオロ錯体及びリチウム塩を含みほう酸の濃度が0.01M以下の水溶液を接触させる工程を備える、電極の製造方法である。 - 特許庁
This method includes the steps of: forming the black matrix on a glass substrate 40; and forming a layer constituting the laminated conductive spacer simultaneously with formation of the colored pixel by using the same material as the material used for formation of the colored pixel, when forming the colored pixel.例文帳に追加
ガラス基板40上にブラックマトリックスを形成する工程、着色画素を形成する際、積層導電用スペーサーを構成する層を、着色画素の形成に用いる材料と同一材料を用い、着色画素の形成と同時に形成する工程を具備すること。 - 特許庁
To provide a wiring formation method capable of controlling a wiring height in such a manner that short-circuiting between adjacent wiring can be prevented in a high wiring density region of a wiring layer, and desired flatness as well as a desired wiring resistance can be obtained in a low wiring density region.例文帳に追加
配線層で、配線密度の高い領域では隣接する配線間のショートを防ぎ、配線密度の低い領域では所望の平坦度が得られるとともに所望の配線抵抗が得られるように配線高さを制御できる配線形成方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method for removing polyurethane, in which the polyurethane only is decomposed or dissolved from a polyurethane layer formed on an underlayer not being constituted of polyurethane and the decomposed material of the polyurethane can be separated without being mixed with the underlayer; and the underlayer can be recovered in a high purity state and reutilized.例文帳に追加
ポリウレタンで構成されていない下地上に形成されたポリウレタン層から、ポリウレタンのみを分解または溶解させ、ポリウレタンの分解物が下地と混じることなく分離することが出来、下地を高純度の状態で回収、再利用可能としたポリウレタンの除去方法を提供する。 - 特許庁
In the organic thin film solar cell having the excellent electrical characteristic and durability, and its manufacturing method, a silane coupling agent which enhances in-plane conductivity of a buffer layer for obtaining high carrier output is provided by orienting main chain of polypyrrole in in-plane direction of a surface of a transparent conductive substrate.例文帳に追加
優れた電気特性と耐久性を有する有機薄膜太陽電池とその製造方法として、ポリピロールの主鎖が透明導電性基板表面に面内方向に配向し、バッファー層の面内導電率が高まりキャリアの取出しに優れる、シランカップリング剤を提示。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a positive electrode for a nonaqueous electrolyte battery which can fully demonstrate the merit of a wet process with a lower production cost and obtains the LiCoO_2 layer of ab axis orientation without using an expensive base material like SrTiO_3.例文帳に追加
SrTiO_3のような高価な基材を用いることなく、ab軸配向性のLiCoO_2層を得ることができ、より製造コストの低い製造方法である湿式法のメリットを充分に発揮させることができる非水電解質電池用正極の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a semiconductor device, in which the thickness of the semiconductor epitaxial layer to be an active region in a back-illuminated image pickup element and the like can be easily managed to be a desired thickness without using an SOI substrate, and gettering of contaminating impurities can be smoothly performed.例文帳に追加
SOI基板を用いらずに、裏面照射型の撮像素子等を、活性領域となる半導体エピタキシャル層の厚さを所望の厚さに容易に管理することができ、かつ、汚染不純物のゲッタリングを円滑に行うことができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a technique capable of reducing the increased reactive resistance (interface resistance), while preventing corrosion of an electrode collector in forming an electrode active material layer using an aqueous paste, and to provide a manufacturing method of an electrode excellent in the electrical performance by using such a technique.例文帳に追加
水性ペーストを用いて電極活物質層を形成する際に、反応抵抗(界面抵抗)の増加を抑制しつつ電極集電体の腐食を防止し得る技術を提供することであり、かかる技術を適用して電気的性能に優れる電極の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a flexible printed wiring board capable of preventing disconnection of a wiring circuit in a manufacturing process since no step difference is formed between a land through hole and a conductive layer, a method of manufacturing the flexible printed wiring board, and an electronic apparatus provided with the flexible printed wiring board.例文帳に追加
ランドスルーホールと導電層との間に段差が生じないことで、製造工程における配線回路の断線を防止することができるフレキシブルプリント配線板、該フレキシブルプリント配線板の製造方法及び前記フレキシブルプリント配線板を備える電子機器の提供を課題とする。 - 特許庁
In the method of calculating the active surface area of the cell catalyst for a fuel cell electrode in which a catalyst layer including an electrode catalyst and an electrolyte is laminated on an electrolyte membrane to form a membrane-electrode assembly, an electric potential is changed step by step to calculate the electrode active surface area.例文帳に追加
電解質膜に電極触媒と電解質を含む触媒層を積層して膜−電極接合体とした燃料電池用電極の電池触媒の活性表面積算出方法において、電位をステップ状に変化させて電極活性表面積の算出を行う。 - 特許庁
To provide an insulator film having a low dielectric constant, suitably removing a film on the insulating film by CMP method during production process of a semiconductor device, having no cap layer, and suitably utilized for production of a semiconductor device having excellent reliability.例文帳に追加
誘電率の低い絶縁膜であって、半導体装置の製造においてCMP法により当該絶縁膜上の膜を好適に除去することができるとともに、キャップ層を備えておらず、かつ、信頼性に優れた半導体装置の製造に好適に用いることができる絶縁膜を提供すること。 - 特許庁
Additionally, the example method includes logging an energy value associated with the acoustic signal received by the receiver as the downhole tool is moved in the borehole and identifying a change in the logged energy value associated with an impedance change in the subterranean formation to identify the layer boundary.例文帳に追加
更に、例示的な方法は、ダウンホールツールがボアホール内で移動される時に受信機によって受信した音響信号に関連付けられたエネルギ値をログする段階と、地下層のインピーダンス変化に関連付けられたログされたエネルギ値の変化を識別して層境界を識別する段階とを含む。 - 特許庁
Also provided are: the laminated piezoelectric element 2 including a piezoelectric body layer 21 made of the piezoelectric material, a ceramic laminate 20 constituted by alternately laminating a plurality of electrode disposition layers 22, 23, and a pair of side electrodes 28, 29 formed on the side surfaces thereof; and a method of manufacturing the same.例文帳に追加
また、この圧電材料からなる圧電体層21と電極配設層22、23を交互に複数積層して構成したセラミック積層体20と、その側面に形成された一対の側面電極28、29とを有する積層型圧電素子2及びその製造方法である。 - 特許庁
To provide a method for producing activated carbon for electric double-layer capacitor electrode, in which the contact efficiency between a carbon material and an activator is enhanced by improving wettability of the carbon material with an alkali activator, and thereby, the reaction of a source carbon material with the activator is efficiently progressed.例文帳に追加
炭素材料のアルカリ賦活剤との濡れ性を改善することにより、炭素材料と賦活剤との接触効率を向上させ、原料炭素材料と賦活剤の反応を効率的に進行させることができる電気二重層キャパシタ電極用活性炭の製造方法を提供する。 - 特許庁
There are provided (a) an article including zinc sulfide or zinc selenide, and (b) a method for depositing a layer of alumina with a thickness of >20 μm on the zinc sulfide or zinc selenide at a deposition rate of ≥60 Å/min by a micro wave assisted magnetron sputtering.例文帳に追加
a)硫化亜鉛またはセレン化亜鉛を含む物品を提供し;並びに、b)マイクロ波アシストマグネトロンスパッタリングによって、20μmを超える厚みのアルミナの層を硫化亜鉛またはセレン化亜鉛上に、60Å/分以上の堆積速度で堆積させる;ことを含む方法。 - 特許庁
The method for producing the antifouling substrate includes: coating a photocurable hard coating agent composition on a surface of a substrate made of a thermoplastic resin or thermosetting resin and drying it; and then treating the surface of the photocurable hard coat layer having a silanol group on its top with an antifouling coating agent.例文帳に追加
熱可塑性樹脂又は熱硬化性樹脂からなる基材表面に、光硬化性ハードコート剤組成物を塗布して硬化した後、表面にシラノール基が存在している該光硬化性ハードコート層表面を、防汚コーティング剤で処理して防汚基材を製造する方法。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a wiring board for semiconductor device, saving expensive gold used to form a gold plating layer, unlikely to impart a disadvantage to a high-speed operation of an electrical signal, and relaxing a wiring density, thereby reducing a product price.例文帳に追加
金めっき層の形成に用いられる高価な金を節約することができると共に電気信号の高速動作に不利益をもたらす虞がなく、且つ、配線密度を緩和してその製品価格を低く抑えることができる半導体装置用配線基板の製造方法を提供すること。 - 特許庁
To provide a semiconductor package, along with a method of manufacturing the same, capable of achieving the prevention of a poor connection between a pad and a wiring layer, the prevention of the warpage of the semiconductor package in the manufacturing process, and the reduction in thickness of the finally formed semiconductor package.例文帳に追加
パッドと配線層との接続不良の発生防止と、製造過程における半導体パッケージの反りの発生防止と、最終的に形成される半導体パッケージの薄型化とを同時に達成することが可能な半導体パッケージとその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a silicon epitaxial wafer which comprises an epitaxial layer with a desired resistance rate and a silicon wafer with a still lower resistance rate than a conventional one, which improves electrical characteristics of elements, and which suppresses autodoping during epitaxial growth more easily than before.例文帳に追加
所望の抵抗率のエピタキシャル層と従来より更に低抵抗率なシリコンウエーハからなり、素子の電気的特性の向上を実現できる、エピタキシャル成長中のオートドープを従来に比べて容易に抑制できるシリコンエピタキシャルウエーハの製造方法を提供する。 - 特許庁
The MnZn ferrite core 9 is composed of the MnZn ferrite sintered body 19, and the insulator layer 5 formed on the surface of the MnZn ferrite sintered body by an aerosol depositing method and made of at least one of oxide-based ceramic, nitride-based ceramic, and carbide-based ceramic.例文帳に追加
MnZnフェライト焼結体19と、MnZnフェライト焼結体の表面にエアロゾルデポジット法によって形成され、酸化物系セラミック、窒化物系セラミック、炭化物系セラミックのうち少なくとも1つからなる絶縁体層5と、からなるMnZnフェライトコア9であろ。 - 特許庁
The method for manufacturing the light absorbing layer includes the steps of: filling CIGS crystal powder in an evaporation source of a chamber; simultaneously evaporating the CIGS crystal powder; and depositing the evaporated CIGS crystal powder on a substrate to form a CIGS thin film.例文帳に追加
光吸収層の製造方法は、CIGS結晶粉末をチャンバの蒸発源に充填させるステップ、CIGS結晶粉末を同時に蒸発させるステップ、および蒸発したCIGS結晶粉末を基板に蒸着させてCIGS薄膜を形成するステップを含む。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a semiconductor device having high characteristics by using a group III nitride crystal substrate having a surface polished in predetermined conditions and epitaxially growing a semiconductor layer having a high crystal quality on the group III nitride crystal substrate.例文帳に追加
表面が所定の条件でポリシングされたIII族窒化物結晶基板を用いて、そのIII族窒化物結晶基板上に結晶品質の高い半導体層をエピタキシャル成長させることにより、特性の高い半導体デバイスを製造する方法を提供する。 - 特許庁
To provide a manufacturing method which improves various problems in processes when a conventional mold is used and to provide a foamed urethane composite molding which can be used in place of a conventional foamed urethane molding having a high density surface layer and is improved in surface scratch resistance.例文帳に追加
従来の金型を用いた場合の種々の工程上の問題を改善する製造方法を提供すると共に、従来の高密度表面層を有する発泡ウレタン成形品に替わって使用でき、表面の耐擦傷性が改良された発泡ウレタン複合成型品を提供する。 - 特許庁
The method of manufacturing the thin film transistor mounting substrate includes in order the steps of: forming an amorphous oxide thin film 13 to become the active layer on or above the plastic substrate 10; patterning the amorphous oxide thin film 13; and Joule-heating the amorphous oxide thin film 13.例文帳に追加
プラスチック基板10の上又はその上方に活性層となるアモルファス酸化物薄膜13を形成する工程と、そのアモルファス酸化物薄膜13をパターニングする工程と、そのアモルファス酸化物薄膜13をジュール加熱する工程とをその順で少なくとも有する。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a nitride semiconductor device which forms a window structure after keeping a basic characteristic of a laser without degrading contact resistance between an electrode and a semiconductor layer by preventing deterioration of an epitaxial growth film due to a heat treatment in window region formation.例文帳に追加
窓領域形成の際の熱処理によりエピタキシャル成長膜が劣化するのを抑制し、電極と半導体層との間のコンタクト抵抗を劣化させること無く、レーザの基本特性を維持した上で窓構造を形成する窒化物半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
In a manufacturing method of a semiconductor device having the thin film transistor in which a semiconductor layer including a channel formation region is an oxide semiconductor film, heat treatment for improving the purity of the oxide semiconductor film and reducing moisture and the like which are impurities (heat treatment for dehydration or dehydrogenation) is performed.例文帳に追加
チャネル形成領域を含む半導体層を酸化物半導体膜とする薄膜トランジスタを有する半導体装置の作製方法において、酸化物半導体膜の純度を高め、不純物である水分などを低減する加熱処理(脱水化または脱水素化のための加熱処理)を行う。 - 特許庁
This insert molding S is joined by insert-molding the resin material R, to the metal material M formed with the coating film layer F of triazine dithiol derivative on a surface, and the metal material M is constituted of a sintered body manufactured by a metal injection molding method.例文帳に追加
トリアジンジチオール誘導体の被膜層Fを表面に形成した金属材料Mに、樹脂材料Rをインサート成形により接合させたインサート成形品Sにおいて、金属材料Mが金属射出成形法で製造された焼結体である構成としている。 - 特許庁
To provide an acid transcription composition capable of forming an acid transcription composition layer excellent in diffusion controllability of acid generated by exposure, forming polysaccharide polymers accurately and with high density on the substrates, and not damaged on molecules, and to provide a production method of producing biochips, using the composition.例文帳に追加
露光により発生された酸の拡散制御性に優れた酸転写用組成物層を形成でき、基板上に多糖類の高分子を高密度かつ正確に形成でき、且つ分子がダメージを受けない酸転写用組成物及びこれを用いたバイオチップの製造方法を提供する。 - 特許庁
The method for manufacturing molded body includes a process (1) of preliminarily molding a fluororesin film and a process (2) of performing injection-molding of a polymer material, wherein the process (2) is a process of performing insert-molding of the preliminarily molded fluororesin film and the fluororesin film includes at least a fluororesin layer 5.例文帳に追加
フッ素樹脂フィルムを予備成形する工程(1)、及びポリマー材料を射出成形する工程(2)を含み、該工程(2)は、予備成形したフッ素樹脂フィルムをインサート成形する工程であり、フッ素樹脂フィルムは、少なくともフッ素樹脂層5を含むことを特徴とする成形体の製造方法。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of an electrode plate for a nonaqueous electrolyte secondary battery equipped with an electrode active material layer made by joining at least a part of electrode active materials with each other independent of existence of a resin-made binding material on a collector, and fixing the electrode active material onto the collector.例文帳に追加
集電体上において、樹脂製結着材の存在に依らずに電極活物質同士の少なくとも一部が接合するとともに、電極活物質が集電体に固着されてなる電極活物質層を備える非水電解液二次電池用電極板の製造方法を提供する。 - 特許庁
The method of manufacturing a shielding gasket passes through steps of: facing a nozzle to a shielding gasket having conductivity to extrude a conductive adhesive from the nozzle while performing thickness control of the conductive adhesive, and forming a conductive adhesive layer on the shielding gasket; and sticking a separator to a surface thereof.例文帳に追加
導電性のあるシールディングガスケットにノズルを対向させて、このノズルから、導電性接着剤の厚さ制御を行いつつ、導電性接着剤を押し出して、シールディングガスケットに導電性接着剤層を形成する工程と、この表面にセパレータを接着する工程とを経る。 - 特許庁
In a method for making a planographic printing plate, a planographic printing plate precursor having an image forming layer on a support having a hydrophilic surface in which a hydrophilic graft polymer chain exists is imagewise exposed and developed with an alkaline developing solution containing at least one chelating agent.例文帳に追加
親水性グラフトポリマー鎖が存在する親水性表面を有する支持体上に、画像形成層を有する平版印刷版用原版を、画像露光後、少なくとも一種のキレート剤を含有するアルカリ性現像液を用いて現像処理することを含む平版印刷版の製版方法。 - 特許庁
To provide a method that suppresses the precipitation of a silicate compound in a developing tank and can form a high sharpness clear image having good ink receptivity when an IR sensitive planographic printing plate having an image forming layer containing a siloxane compound is photoengraved.例文帳に追加
シロキサン化合物を含有する画像形成層を有する赤外線感光性平版印刷版の製版にあたって、現像槽においてシリケート化合物の析出を抑制し、且つインク着肉性の良好な、高鮮鋭で鮮明な画像を形成することができる方法を提供する。 - 特許庁
At least one of the magnetic layers is formed by making the target of two or more compositions discharge simultaneously in the sputtering method, and the fine structure of this magnetic layer is formed with ferromagnetic crystal grains and crystal grain boundary phases of non-magnetic oxides.例文帳に追加
本発明は、磁性層のうち少なくとも1層を、スパッタリング法を用いて2種類以上の異なる組成を持つターゲットを同時放電させながら形成し、さらに該磁性層の微細構造を強磁性の結晶粒と非磁性である酸化物の結晶粒界相とから構成することを特徴とする。 - 特許庁
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