「layer- thickness」に関連した英語例文の一覧と使い方(117ページ目) - Weblio英語例文検索

This structural body of the external insulated outside face is constituted by laminating an external wall board 1, a ventilation layer 2, a heat insulating material 3, and an internal wall board 4 in this order, and the thickness of the ventilation layer 2 is in a scope of 10 to 80 mm.例文帳に追加

外壁板１、通気層２、断熱材３及び内壁板４をこの順序で積層してなる外断熱外壁構造体であって、通気層２は、層厚さが１０〜８０mmの範囲にある。 - 特許庁

The movement mechanism 38 moves the measurement part 37 in the Y-axis direction and the gap sensor 370 detects the gap with the trial coated layer 900 and detects the thickness of the trial coated layer 900.例文帳に追加

移動機構３８が測定部３７をＹ軸方向に移動させ、ギャップセンサ３７０が試行塗布層９００との間のギャップを検出し、試行塗布層９００の厚さ寸法を検出する。 - 特許庁

By forming each color layer 13a-13c of the color filter thereon, the top surface of the color filter is flattened with no step while maintaining an optimum thickness for each color layer 13a-13c.例文帳に追加

その上にカラーフィルタの各色層１３ａ〜１３ｃを形成することによって、各色層１３ａ〜１３ｃの最適膜厚を保持しつつ、カラーフィルタの上部表面を揃えて平坦化することができる。 - 特許庁

The thickness of a work-affected layer present in the surface layer of the copper alloy is adjusted to ≤0.2 μm, preferably to ≤0.05 μm, thus anomalous precipitation in plating is prevented, so as to improve the plating property.例文帳に追加

銅合金の表層に存在する加工変質層の厚さを０．２μｍ以下、好ましくは、０．０５μｍ以下にすることにより、めっき時の異常析出を防止してめっき性を向上させるものである。 - 特許庁

A collimating lens actuator 31 moves the convex lens 30b in a direction where a spherical aberration is canceled which is generated according to the thickness of a light transmission layer up to an information recording layer of the optical information recording medium.例文帳に追加

コリメータレンズ用アクチュエータ３１は、光情報記録媒体の情報記録層までの光透過層の厚みに応じて発生する球面収差を打ち消す方向に凸レンズ３０ｂを移動させる。 - 特許庁

In the method of manufacturing a ceramic multilayer substrate, an insulator is formed on its second ceramic layer, and the second ceramic layer is so pressed as to control the thickness of the insulator, and to improve the printing quality of conductors onto the insulator.例文帳に追加

第２のセラミック層に絶縁体を形成し、この第２のセラミック層をプレスすることにより絶縁体厚みを制御することができ、導体の印刷性を改善することが出来る。 - 特許庁

An insulation spacer 30 of different thickness is formed stepwise thereon, a transparent conductive film 31 is formed thereon, and an organic layer 15 and a second electrode 33 are formed further thereon through a pattern of insulation layer 32.例文帳に追加

その上に階段状に厚さの異なる絶縁スペーサ３０があり、その上に透明導電膜３１があり、その上に絶縁層３２のパターンを介して有機層１５と第２電極３３がある。 - 特許庁

To provide a revetment which minimizes degradation in uniting capability of a backfilling material layer to a backfilling concrete wall surface even if the thickness of the backfilling material layer must be reduced.例文帳に追加

裏込め材層の層厚を短くしなければならない場合であっても、裏込めコンクリート壁面に対する裏込め材層の一体化能力が低下することを極力抑制できる護岸を提供する。 - 特許庁

This invention relates to the carrier material for the thin layer base material, including a support having a thickness of 50 to 150 μm and formed from a polyester-based resin, and a pressure-sensitive adhesive layer formed on at least one surface of the support.例文帳に追加

厚さが、５０〜１５０μｍのポリエステル系樹脂から形成される支持体、及び、前記支持体の少なくとも片面に粘着剤層が形成されることを特徴とする薄層基材用キャリア材。 - 特許庁

In addition, if the side except therefor is formed at a steep slope or at right angles, the layer thickness of a liquid crystal layer 14 can be prevented from becoming unfinished between a thick part E and a thin part F.例文帳に追加

また、それ以外の側面を急な傾斜や直角に形成すれば、液晶層１４の層厚が厚い部分Ｅと薄い部分Ｆとの間で中途半端になることを抑えることができる。 - 特許庁

To provide a printed wiring board in which superior laser machining performance is obtained and dielectric layer thickness of a capacitor circuit can be kept good and which is in the status that an outer layer circuit is embedded in an insulated resin substrate.例文帳に追加

優れたレーザー加工性能と、キャパシタ回路の誘電層厚さを良好に保つことができ、しかも、外層回路が絶縁樹脂基材内に埋設された状態のプリント配線板を提供する。 - 特許庁

To provide a light emitting device capable of obtaining a nitride semiconductor layer of low dislocation density while forming the nitride semiconductor layer thinner than the critical thickness which causes cracking, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

窒化物半導体層をクラックが生じる臨界膜厚よりも薄く形成しつつ、転位密度の低い窒化物半導体層を得ることのできる発光素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

On the conductive layer pattern and the insulating film pattern, a nitride film liner is formed in a thickness wherein a trench restricted by the conducting layer pattern and the insulating film pattern is not buried perfectly.例文帳に追加

導電層パターン及び絶縁膜パターン上には導電層パターン及び絶縁膜パターンによって限定されるトレンチを完全に埋め込まないほどの厚みに窒化膜ライナーが形成されている。 - 特許庁

In the titanium sheet having excellent press formability and surface luster, a TiC-containing layer is persent in the vicinity of the surface of base titanium, and the thickness of the TiC-containing layer is ≥300 Å.例文帳に追加

素地チタンの表面近傍にＴｉＣ含有層が存在し、且つ該ＴｉＣ含有層の厚さが３００Å以上であることを特徴とするプレス成形性及び表面光沢に優れたチタン板。 - 特許庁

Thus, since the upper wiring layer is formed by a plurality of laminated metallic films, the wiring layer can be made large in thickness without limitation of process and the wiring resistance be reduced.例文帳に追加

このように、上層配線層を積層された複数の金属膜で構成することで、製造プロセス上の制約を受けることなく配線層の膜厚を厚くすることができ、配線抵抗が減少する。 - 特許庁

The device forms a connection layer 9 of the same contour as the common electrode 6 on the common electrode 6, and forms the partition wall 7 of a thickness narrower than the width of the common electrode 6 on the connection layer 9.例文帳に追加

共通電極６の上に共通電極６と同一輪郭の接続層９を形成して、接続層９の上に共通電極６の幅よりも狭い厚みの隔壁７を形成する。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device includes a wiring process of forming wiring grooves on an insulating film, forming a copper conductive layer by electrolytic plating, and reducing the thickness of the conductive layer.例文帳に追加

絶縁膜に配線溝を形成し、電解めっきにより銅の導電層を成膜し、前記導電層の膜厚を減らす配線工程を有する半導体装置の製造方法が使用される。 - 特許庁

In the liquid crystal panel provided with at least a polarizer on a substrate of a liquid crystal cell, a layer-to-layer thickness between the substrate of the liquid crystal cell and the polarizer is ≤90 μm.例文帳に追加

液晶セルの基板に、少なくとも偏光子が設けられている液晶パネルであって、液晶セルの基板と偏光子との層間厚みが９０μｍ以下であることを特徴とする液晶パネル。 - 特許庁

The layer of silicon or SiGe can be formed in the thickness of about 5 to 120nm, and is doped by a dopant such as, for instance, indium (In) in order to prevent the p-type dopant from passing through the layer of silicon or SiGe.例文帳に追加

シリコン又はSiGeの層は、約5から120ナノメートルの厚みに形成され得、ｐ型ドーパントがシリコン又はSiGe層を通り抜けることを阻止するように、例えば、インジウム(In)などのドーパントでドープされる。 - 特許庁

The optical film has thermoplastic resin layers on both surface sides of the (meth)acrylic resin layer having a thickness of ≤40μm, wherein the thermoplastic resin layers may be peeled off from the (meth)acrylic resin layer.例文帳に追加

本発明に係る光学フィルムは、厚みが４０μｍ以下である（メタ）アクリル系樹脂層の両面側に熱可塑性樹脂層を有し、該熱可塑性樹脂層が（メタ）アクリル系樹脂層から剥離し得る。 - 特許庁

When the silicon is heated in a nitrogen-containing atmosphere to form a thin layer of nitrogen, and then the oxide is grown via a thin nitrided layer, variations of the thickness of the oxide are reduced to less than 1 %.例文帳に追加

窒素含有雰囲気中でシリコンを加熱して窒化物の薄い層を形成し、次に、薄い窒化された層を介して酸化物を成長させることは、酸化物厚さの違いを１％未満に低減する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a gallium nitride semiconductor device capable of easily preparing a vertical element where current flows in the thickness direction of a substrate regardless of the resistance of a gallium nitride growth layer and a buffer layer.例文帳に追加

窒化ガリウム成長層およびバッファ層の抵抗に関係なく、基板の厚さ方向に電流が流れる縦型素子を容易に作成可能な窒化ガリウム半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To concretely measure without relatively comparing a thickness of a melting layer when a polyolefin pipe is butt-fusion bonded, and concretely decide a fitness of the fusion layer based on this measured value.例文帳に追加

ポリオレフィン系管をバット融着する場合、融着層の厚さを相対的に比較するのではなく具体的に測定し、この測定値に基づいて融着層の適否を具体的に判断することを課題とする。 - 特許庁

The semiconductor layer or insulation layer 12 is doped as an n-type, and has a thickness within several nanometers (nm) and excellent stability against collision from an external atom or particle (normally anion).例文帳に追加

この半導体層又は絶縁体層１２は、ｎ型にドープされ、数ナノメートル（ｎｍ）以内の厚さで、外部原子又は粒子（通常、陽イオン）からの衝突に対して良好な安定性を有する。 - 特許庁

At least a part of toner supplied to the periphery of the developing roller 10 is stuck to the periphery of the toner layer forming roller 12 to form a toner layer, which is regulated to fixed thickness by a blade 13.例文帳に追加

現像ローラ１０の外周面に供給されたトナーの少なくとも一部は、トナー層形成ローラ１２の外周面に付着してトナー層を形成し、ブレード１３により一定の厚さに規制される。 - 特許庁

The ceramic layer has an overall thickness and comprises relatively strain tolerant columnar grain ceramic on the alumina layer and relatively more thermally insulating ceramic on the columnar grain ceramic.例文帳に追加

セラミック層は、全体の厚みを有しており、アルミナ層上の相対的に歪み耐性のある柱状粒子セラミックと、この柱状粒子セラミック上の相対的により断熱性のあるセラミックと、を含む。 - 特許庁

To suppress the pickup fail and element fail in a semiconductor element caused by the cutting fail in an adhesive layer, when cutting the adhesive layer of which the thickness exceeds 25 μm with a semiconductor wafer.例文帳に追加

厚さが25μmを超える接着剤層を半導体ウエハと共に切断するにあたって、接着剤層の切断不良に起因する半導体素子のピックアップ不良や素子不良を抑制する。 - 特許庁

To provide an antiglare layer including particles each having an average particle size smaller than the average film thickness of the antiglare layer, the antiglare film having high image clearness.例文帳に追加

そこで、本発明においては、その平均粒子径が防眩層の平均膜厚よりも小さい粒子を含む防眩層において、高い像鮮明性を有する防眩フィルムを提供することを課題とする。 - 特許庁

The cathode catalyst layer (12) has a catalyst and a carbon carrier to carry the catalyst, and the weight of the catalyst with respect to the weight of the carbon carrier is over 60% and the thickness of the layer is 10 μm or smaller.例文帳に追加

カソード触媒層（１２）は、触媒と、触媒を担持するカーボン担体とを備え、カーボン担体の重量に対する触媒の重量は６０％を上回り、層厚が１０μｍ以下である。 - 特許庁

To provide a method capable of manufacturing an epitaxial wafer by optionally controlling the thickness of an epitaxial layer (or the roll-off of the epitaxial layer, ZDD) around the outermost periphery during epitaxial growth.例文帳に追加

エピタキシャル成長の際、最外周付近におけるエピタキシャル層の厚さ（あるいはエピタキシャル層のロールオフ、ＺＤＤ）を任意に制御してエピタキシャルウエーハを製造することができる方法を提供する。 - 特許庁

A decorative member 20 further includes a second transparent resin layer 8 formed on the surface of the first resin layer 7 so that its thickness is reduced as going toward the first direction.例文帳に追加

また、装飾部材２０は、前記第１樹脂層７の表面に、前記第１の方向にいくに従って厚みが薄くなるように形成された透明性を有する第２樹脂層８をさらに備える。 - 特許庁

When the sum total of the thickness of the second substrate 6 and the light absorption layer 12 is defined as D μm, the square average root surface roughness of the light absorption layer 12 is set to be about ≤D/100 μm.例文帳に追加

第２の基板６と光吸収層１２との厚みの和をＤμｍとしたとき、光吸収層１２の自乗平均平方根表面粗さを約Ｄ／１００μｍ以下に設定する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a display device provided with a display panel including a light-emitting functional layer (organic EL layer) having a generally uniform film thickness on the whole area of a region on which each display pixel is formed.例文帳に追加

各表示画素の形成領域の全域に略均一な膜厚を有する発光機能層（有機ＥＬ層）が形成された表示パネルを備えた表示装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

When the exothermic resistor layer 10b is energized in the thickness direction by a power source device 50, heat is generated at the exothermic resistor layer 10b so that the fixing belt 40 is directly heated.例文帳に追加

電源装置５０により上記発熱抵抗体層１０ｂに対し厚み方向に通電が行われると、該発熱抵抗体層１０ｂが発熱して上記定着ベルト４０を直接加熱する。 - 特許庁

To provide a coated particle having various functions, excellent in bonding strength between the coating layer and the base particle, and excellent in the accuracy of thickness by forming a coating layer on the surface of a base particle.例文帳に追加

基材粒子表面に被覆層を形成することにより種々の機能が付与され、しかも被覆層と基材粒子との結合力が優れ、厚み精度に優れた被覆粒子を提供する。 - 特許庁

To achieve the long-term traveling property of a head by uniformizing and flattening the thickness of an overcoating protective film for protecting the recording layer and dielectric layer of a disk type information recording medium, such as a magneto-optical disk.例文帳に追加

光磁気ディスクなどのディスク型情報記録媒体において、記録層および誘電層を保護するオーバーコート保護膜の厚みを均一化、平坦化し、ヘッドの長期走行性を実現する。 - 特許庁

The coating material comprises a single layer of at least one type selected from the group consisting of a silicon oxide and a tantalum oxide vapor-deposited as a single layer in a range of a thickness of 0.2 to 3.0 μm on the surface of a transparent resin board.例文帳に追加

透明性樹脂基板の表面にシリコン酸化物およびタンタル酸化物のうちの少くとも１種が膜厚０．２μｍ〜３．０μｍの範囲で単一層として蒸着されているものとする。 - 特許庁

The thickness Th of the wiring layer is smaller than 1.2 times the total step height Dz, of the insulating layer and greater than 1.2 times the step heights Ds1, Ds2 formed in the respective slope sections 115CS1, 115CS2.例文帳に追加

配線層の厚みＴｈは、絶縁層の全段差Ｄｚの１．２倍より小さく、各々の斜面部１１５ＣＳ１，１１５ＣＳ２で形成される段差Ｄｓ１，Ｄｓ２の１．２倍よりも大きくされている。 - 特許庁

To provide an image forming apparatus configured such that even if an intermediate transfer body has variation in the resistance value and layer thickness of a surface resistance layer, uneven density of an image caused by the variation can be reduced.例文帳に追加

中間転写体に表面抵抗層の抵抗値や層厚のばらつきがあっても、そのばらつきに起因して発生する画像の濃淡むらを低減できる画像形成装置を提供する。 - 特許庁

The outer-most layer 4 has average thickness of more than 0.1μm when it is originally formed and a cutting edge line 6, a cutting face 7 and a flank 8 of the outer-most layer 4 are polished.例文帳に追加

最外層膜４は形成当初の平均厚さ０．１μｍ以上とし、この最外層のうち、切削に関与する部位である刃先稜線部６、すくい面７、逃げ面８を研磨処理する。 - 特許庁

Since field dependance of the α parameters given by each well layer is composed, the α parameters can be softly controlled by adjusting the composition and thickness of each well layer, and a degree of freedom of design is improved.例文帳に追加

各井戸層が与えるαパラメータの電界依存性が合成されるため、各井戸層の組成や厚みを調整することで、αパラメータを柔軟に制御でき、設計自由度が格段に向上する。 - 特許庁

To provide a reflective or transflective liquid crystal display device having a light-reflecting layer, the liquid crystal display device being inexpensive and excellent in controllability of liquid crystal layer thickness.例文帳に追加

本発明は、光反射層を有する反射型又は反射透過型の液晶表示装置に関し、液晶層厚の制御性に優れた低コストの液晶表示装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

A protection layer 206 is provided in at least a part of a light receiving face of a photovoltaic element, and a concentration of a metal element bonded to an organic component in this protection layer 206 changes in a thickness direction.例文帳に追加

光起電力素子の受光面の少なくとも一部に保護層２０６を備えており、この保護層２０６における有機成分と結合した金属元素の濃度が厚み方向に変化している。 - 特許庁

To provide a hose manufacturing method capable of forming the inner layer having a proper thickness and strongly bonded to an outer peripheral layer without passing through a complicated process in a hose comprising a plurality of layers.例文帳に追加

複数層からなるホースにおいて、適正な厚みを持ち外周層と強固に接着している内層を煩雑な工程を経ることなく形成することができるホースの製法を提供する。 - 特許庁

A mask in the case of forming a groove in a semiconductor substrate and a stopper in removing an insulating layer packed in the groove are carried by different layers so that the thickness of a grinding stopper layer can be made low.例文帳に追加

半導体基板内への溝形成時のマスクと、溝内に充填させた絶縁層を除去する際のストッパとをそれぞれ別々の層に担わせることによって、研磨ストッパ層の厚さを低くする。 - 特許庁